專利名稱：薄膜形成方法及薄膜形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陰極真空噴鍍等薄膜形成方法及薄膜形成裝置，尤其涉及在真 空容器內(nèi)并聯(lián)設(shè)置多個(gè)電極對(duì)，在大面積的被處理基板上形成薄膜的薄膜形成方 法及具有該交流電源的薄膜形成裝置。
背景技術(shù)：
當(dāng)通過(guò)陰極真空噴鍍?cè)诖竺娣e基板上形成薄膜的情況下，可采用以下方法-在真空容器內(nèi)、與被處理基板相向的位置上并聯(lián)設(shè)置多個(gè)電極對(duì)，通過(guò)與各電極 對(duì)連接的交流電源以規(guī)定頻率交替改變極性，外加交流電壓，使構(gòu)成各電極對(duì)的 兩個(gè)電極交替切換為陽(yáng)極電極和陰極電極，使該陽(yáng)極電極和陰極電極間產(chǎn)生輝光 放電，形成等離子氣氛，即可使各電極發(fā)生陰極真空噴鍍。
在此情況下，若在各電極對(duì)上同時(shí)開(kāi)始輝光放電，由于上述交流電源上配置 的各振蕩器的固有頻率的微小差異及相位差異，會(huì)出現(xiàn)放電不穩(wěn)定的波動(dòng)現(xiàn)象。 該放電的波動(dòng)有可能產(chǎn)生膜厚的面內(nèi)分布不均，妨礙良好成膜。
為此，有人提議采用一種陰極真空噴鍍裝置(例如專利文獻(xiàn)l)，其通過(guò)使上 述各交流電源的輸出頻率及輸出相位同步來(lái)消除輝光放電的波動(dòng)。該陰極真空噴 鍍裝置是通過(guò)僅使用代表性的規(guī)定的交流電源(主交流電源)的振蕩器對(duì)所有電 極對(duì)進(jìn)行振蕩輸出，而不使用上述主交流電源以外的交流電源中配置的振蕩器來(lái) 進(jìn)行同步處理。
專利文獻(xiàn)1: WO 2003/014410 (權(quán)利要求1及權(quán)利要求2)

發(fā)明內(nèi)容
然而，在上述并聯(lián)設(shè)置的多個(gè)電極對(duì)中，與不同的交流電源連接的相鄰的電 極之間是通過(guò)雜散靜電電容耦合的。
上述現(xiàn)用的陰極真空噴鍍裝置存在下述問(wèn)題即便能夠使各交流電源的輸出 頻率及輸出相位同步，由于并未調(diào)整上述相鄰電極間的輸出，因而仍存在由于該
電極間的輸出電位差造成的輝光放電的波動(dòng)而無(wú)法形成穩(wěn)定的等離子氣氛。
此外，還存在以下問(wèn)題當(dāng)上述彼此相鄰的電極間各交流電源的輸出電位差
4大的情況下，由于若發(fā)生異常放電即產(chǎn)生巨大電弧能，電極被熔化，產(chǎn)生巨大飛 沫附著的噴濺，妨礙形成良好薄膜。
還有，上述現(xiàn)有的陰極真空噴鍍裝置還存在下述問(wèn)題隨著上述異常放電的 產(chǎn)生，實(shí)際產(chǎn)生巨大電弧能的情況下，如果僅僅切斷與產(chǎn)生電弧放電的電極連接 的交流電源的輸出，由于可從與該極相鄰的，靠雜散靜電電容耦合的電極對(duì)上產(chǎn) 生的等離子獲得能量，因而產(chǎn)生的電弧放電難以消失。
為此，本發(fā)明正是鑒于上述問(wèn)題而提出的，其課題是提供一種薄膜形成方法， 以及可實(shí)施該薄膜形成方法的薄膜形成裝置，該薄膜形成方法通過(guò)抑制與上述不 同交流電源連接的彼此相鄰的電極間的輸出電位差造成的輝光放電的波動(dòng)形成 穩(wěn)定的等離子氣氛，同時(shí)還可抑制上述巨大電弧能的產(chǎn)生，此外在即便發(fā)生了上 述電弧放電的情況下，也能把電弧放電造成的損害抑制在最小限度內(nèi)。
為了解決上述課題，本發(fā)明涉及的薄膜形成方法，其在與配置在真空容器內(nèi) 的被處理基板相向的位置上并聯(lián)設(shè)置了多個(gè)電極對(duì)，通過(guò)與各對(duì)電極連接的交流 電源，以規(guī)定的頻率交替改變極性，輸出交流電壓，使構(gòu)成各對(duì)電極的兩個(gè)電極 交替切換為陽(yáng)極電極和陰極電極，使該陽(yáng)極電極及陰極電極間產(chǎn)生輝光放電，形 成等離子氣氛，通過(guò)使各電極對(duì)產(chǎn)生濺射，在上述被處理基板上形成薄膜；其特 征在于
比較上述并聯(lián)設(shè)置的電極對(duì)中，與不同的交流電源連接的彼此相鄰的電極間 的上述輸出，當(dāng)輸出電位差超過(guò)規(guī)定值的情況下，通過(guò)調(diào)整上述交流電源的輸出， 使輸出電位差收斂到上述規(guī)定值以下。
若采用該方法，由于可通過(guò)使上述彼此相鄰的電極間的電位差收斂進(jìn)行調(diào) 整，因而可形成穩(wěn)定的等離子氣氛，即便在產(chǎn)生了異常放電的情況下，仍可抑制 巨大電弧能的產(chǎn)生。
從上述各交流電源同時(shí)輸出，各交流電源的輸出相同的情況下，在上述彼此 相鄰的電極間，輸出相位大致相反。因此，在此種情況下，上述輸出的調(diào)整通過(guò) 將上述彼此相鄰的電極間的輸出相位偏轉(zhuǎn)180度，使極性反轉(zhuǎn)來(lái)收斂上述輸出電 位差即可。
進(jìn)行上述輸出調(diào)整的順序，例如，可設(shè)定為以任意一個(gè)交流電源為起點(diǎn)，從 與構(gòu)成該起點(diǎn)的交流電源連接的電極對(duì)起，向并聯(lián)設(shè)置方向的外側(cè)依次調(diào)整上述各交流電源的輸出。
在此情況下，調(diào)整與構(gòu)成上述起點(diǎn)的交流電源相鄰的交流電源的輸出，然后 把調(diào)整后的交流電源作為另一起點(diǎn)，依次向并聯(lián)設(shè)置方向外側(cè)調(diào)整相鄰的各交流 電源的輸出即可。
上述輸出調(diào)整也可設(shè)定為通過(guò)生成控制交流電源輸出的信號(hào)，把該信號(hào)發(fā)送 給調(diào)整上述輸出的交流電源進(jìn)行。該控制信號(hào)也可設(shè)定為在構(gòu)成上述起點(diǎn)的交流 電源中生成，由構(gòu)成該起點(diǎn)的交流電源發(fā)送給調(diào)整輸出的交流電源。
在上述并聯(lián)設(shè)置的多個(gè)電極對(duì)中，也可設(shè)定為當(dāng)上述任意一對(duì)電極產(chǎn)生電弧 放電的情況下，在切斷對(duì)該產(chǎn)生電弧放電電極對(duì)的輸出的同時(shí)，也切斷對(duì)未產(chǎn)生 電弧放電的其它電極對(duì)的輸出。
若這樣設(shè)置，當(dāng)由于上述異常放電的發(fā)生，產(chǎn)生了巨大電弧能的情況下，可 在切斷對(duì)與產(chǎn)生電弧放電的電極對(duì)連接的交流電源的輸出時(shí)，阻止由該電極對(duì)相 鄰的電極對(duì)提供其所產(chǎn)生的等離子能量。
為了解決上述課題，本發(fā)明涉及的薄膜形成裝置，其在與配置在真空容器內(nèi) 的被處理基板相向的位置上并聯(lián)設(shè)置多個(gè)電極對(duì)，配置了與各電極對(duì)分別連接的 交流電源；其特征在于該薄膜形成裝置具有調(diào)整處理手段，其比較上述并聯(lián)設(shè) 置的電極對(duì)中，與不同的交流電源連接的彼此相鄰的電極間的輸出，當(dāng)輸出電位 差超過(guò)規(guī)定值的情況下，通過(guò)調(diào)整上述交流電源的輸出使輸出電位差收斂到上述 規(guī)定值以下。
上述調(diào)整手段也可具有生成控制輸出的信號(hào)的信號(hào)生成手段，以及把該信號(hào) 發(fā)送給調(diào)整輸出的交流電源的發(fā)送手段。
在此情況下，也可采用以下構(gòu)成為進(jìn)行上述調(diào)整處理而構(gòu)成起點(diǎn)的交流電 源具有上述調(diào)整處理手段。
此外，也可在上述薄膜形成裝置內(nèi)設(shè)置具有上述調(diào)整手段的控制裝置。
上述各交流電源也可設(shè)定為具有電弧探測(cè)手段，其可在連接的電極對(duì)產(chǎn)生 電弧放電的情況下，探測(cè)出該電弧放電；輸出控制手段，其控制各交流電源的輸 出，在該電弧探測(cè)手段探測(cè)到電弧放電時(shí)切斷對(duì)該電極對(duì)的輸出的同時(shí)，也同時(shí) 切斷對(duì)其它電極對(duì)的輸出。
(發(fā)明效果)從以上說(shuō)明可知，由于本發(fā)明涉及的薄膜形成方法及薄膜形成裝置具有下述 效果其可使并聯(lián)設(shè)置的多個(gè)電極對(duì)中，與不同的交流電源連接，彼此相鄰，在 通過(guò)雜散靜電電容耦合的電極間不產(chǎn)生輸出電位差，因而可維持穩(wěn)定的等離子狀 態(tài)，有效抑制電弧放電的發(fā)生，形成良好的薄膜。
具體實(shí)施例方式
圖1示出本發(fā)明涉及的薄膜形成裝置的基本構(gòu)成圖。該薄膜形成裝置是通過(guò) 并聯(lián)設(shè)置多個(gè)電極對(duì)，在大面積的被處理基板上形成薄膜的裝置。并聯(lián)設(shè)置的電 極對(duì)的數(shù)量可根據(jù)被處理基板的面積決定，為方便說(shuō)明圖1中的電極對(duì)設(shè)定為兩 對(duì)。
參照?qǐng)Dl，圖中的l是本發(fā)明涉及的薄膜形成裝置的真空容器。真空容器l 通過(guò)回轉(zhuǎn)泵、渦輪分子泵等真空排氣手段2保持規(guī)定的真空度。在真空容器1內(nèi) 的上部，設(shè)有搬運(yùn)器之類(lèi)的基板傳送手段3，通過(guò)間歇性地驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)手段(未圖 示)來(lái)依次傳送被處理基板S。真空容器1內(nèi)可通過(guò)氣體導(dǎo)入手段4以一定流量 導(dǎo)入Ar氣等陰極濺射氣體以及02、 H20、 H2、 N2等反應(yīng)氣體。
在真空容器1內(nèi)與被處理基板S相向的位置上并聯(lián)設(shè)置了電極對(duì)T1及電極 對(duì)T2。電極對(duì)T1與交流電源E1連接，電極對(duì)T2與交流電源E2連接。交流電 源El和交流電源E2通過(guò)通信電纜K連接，彼此可自由通信。
構(gòu)成電極對(duì)T1的兩個(gè)兩極tll及tl2，以及構(gòu)成T2的兩個(gè)電極t21及t22， 可通過(guò)交流電源E1、 E2，以規(guī)定的頻率，交替改變極性地輸出交流電壓，交替 切換為陽(yáng)極電極和陰極電極。在該陽(yáng)極電極以及陰極電極間產(chǎn)生輝光放電，形成 等離子氣氛P，通過(guò)使電極對(duì)Tl和電極對(duì)T2發(fā)生濺射，在被處理基板S上形成 薄膜。
圖1之中，示出電極對(duì)T1的電極tll 一側(cè)為陽(yáng)極電極，tl2—側(cè)為陰極電極， 電極對(duì)T2的電極t21 —側(cè)為陽(yáng)極電極，t22—側(cè)為陰極電極的情況，還有，此時(shí) 的交流電源E1，交流電源E2的輸出波形示于各交流電源的下方。
而在電極對(duì)T1的電極tl2和電極對(duì)T2的電極t21之間通過(guò)雜散靜電電容彼
此親合。
圖2示出圖1中說(shuō)明過(guò)的交流電源E1的基本電路構(gòu)成，在圖2之中，僅說(shuō)
7明了交流電源E1，但交流電源E2也有相同的構(gòu)成。
交流電源E1由下述兩部分構(gòu)成可提供電力的電力供給部10、以規(guī)定的頻 率交替改變極性向電極對(duì)T1輸出電壓的振蕩部20。
電力供給部IO具有控制其動(dòng)作的第一CPU電路101、可輸入商用交流電源 (3相AC200V)的輸入部102、以及通過(guò)把輸入的交流電力整流，變?yōu)橹绷麟?力的6個(gè)二極管103,具有通過(guò)直流電力線104a、 104b把直流電力向振蕩部20 輸出的作用。
此外，在電力供給部10內(nèi)具有設(shè)置在直流電力線104a、 104b間的開(kāi)關(guān)晶體 管105，以及與第一 CPU電路101可自由通信地連接，控制開(kāi)關(guān)晶體管105的 通斷的第一激勵(lì)電路106a以及第一PMW控制電路106b。在此情況下，可設(shè)定 為具有電流檢出傳感器以及電壓檢出變壓器，設(shè)置檢出直流電力線104a、 104b 間的電流、電壓的檢出電路107a及AD變換電路107b，通過(guò)檢出電路107a及 AD變換電路107b將上述電流、電壓信號(hào)輸入CPU電路101 。
另夕卜，振蕩部20內(nèi)設(shè)有第二CPU電路201，其與第一CPU電路101連接， 可與之自由通信。
4個(gè)即第一 第四開(kāi)關(guān)晶體管202a、 202b、 202" 202d，其構(gòu)成設(shè)置在直流 電力線104a、 104b間的振蕩用開(kāi)關(guān)電路202;第二激勵(lì)電路203a及第二 PMW 控制電路203b,其與第二CPU電路201連接，可與之自由通信，控制各開(kāi)關(guān)晶 體管202a、 202b、 202c、 202d的通斷。
并且，若通過(guò)第二激勵(lì)電路203a及第二PMW控制電路203b，例如通過(guò)控 制各開(kāi)關(guān)晶體管202a、 202b、 202c、 202d的動(dòng)作，使第一及第四開(kāi)關(guān)晶體管202a、 202d和第二及第三開(kāi)關(guān)晶體管202b、 202c的通斷時(shí)間呈反轉(zhuǎn)狀態(tài)，即可通過(guò)從 振蕩用開(kāi)關(guān)電路202而來(lái)的交流電力線204a、 204b，輸出正弦波的交流電源。 在此情況下，可設(shè)置檢出振蕩電壓，振蕩電流的檢出電路205a以及AD變換電 路205b，通過(guò)檢出電路205a及變換電路205b把上述電流電壓信號(hào)輸入第二 CPU 電路201 。
交流電力線204a、 204b與具有眾所周知結(jié)構(gòu)的輸出變壓器206連接，從輸 出變壓器206引出的輸出電纜K分別與電極對(duì)T1連接。在此情況下，具有電流 檢出傳感器及電壓檢出變壓器，設(shè)置檢出提供給電極對(duì)T1的輸出電壓，輸出電流的檢出電路207a及AD變換電路207b，通過(guò)檢出電路207a及AD變換電路 207b，將上述輸出電壓，輸出電流的信號(hào)輸入第二 CPU電路201。這樣即可在 整個(gè)陰極真空噴鍍期間，通過(guò)交流電源El，以一定的頻率交替改變極性，給電 極對(duì)T1外加一定的電壓。
此外，檢出電路207a的輸出與檢出輸出電壓和輸出電流的輸出頻率及輸出 相位的檢出電路208a連接，通過(guò)與該檢出電路208a可與之自由通信地連接的輸 出相位，輸出頻率控制電路208b，將輸出電壓和輸出電流的相位及頻率輸入第 二 CPU電路201。這樣即可用第二 CPU電路201的控制信號(hào)，通過(guò)第二激勵(lì)電 路203a控制振蕩用開(kāi)關(guān)電路202的各開(kāi)關(guān)晶體管202a、 202b、 202c、 202d的通 斷，使輸出電壓和輸出電流的相位彼此基本一致。
此外，利用基板傳送手段將被處理基板傳送到與電極對(duì)T1相向的位置上， 利用氣體導(dǎo)入手段導(dǎo)入規(guī)定的陰極濺射氣體。通過(guò)交流電源E1給電極對(duì)T1外 加交流電壓，將構(gòu)成電極對(duì)T1的各電極交替切換為陽(yáng)極電極、陰極電極，使陽(yáng) 極電極及陰極電極間產(chǎn)生輝光放電，形成等離子氣氛P。這樣一來(lái)，處于等離子 氣氛中的離子即可加速向構(gòu)成陰極電極那一側(cè)的電極沖擊，由于電極原子的飛 濺，即可在被處理基板表面形成薄膜。
然而，在上述輝光放電期間，當(dāng)伴隨著因某種原因而出現(xiàn)的異常放電(電弧 放電)，產(chǎn)生了巨大電弧能的情況下，有可能產(chǎn)生噴濺等，從而妨礙良好成膜。
為此在振蕩部20內(nèi)設(shè)置了電弧檢出手段209，用于檢出電極對(duì)Tl上的輸出 電壓波形的電壓下降時(shí)間比正常的輝光放電短的電壓下降。還設(shè)置了輸出控制手 段， 一旦由該電弧檢出手段209檢出電弧放電，即把電壓下降輸出信號(hào)向可自由 通信地連接的第二 CPU電路201輸出，用可與第二 CPU電路201自由通信的第 一 CPU電路101提供的控制信號(hào)，通過(guò)第一激勵(lì)電路106a，控制開(kāi)關(guān)晶體管105 的動(dòng)作，控制第一PMW控制電路106b的通斷，直接切斷向電極對(duì)T1的輸出。
作為直接切斷向電極對(duì)Tl輸出的方法，還可利用第二 CPU電路201提供的 控制信號(hào)，通過(guò)第二激勵(lì)電路203a，控制振蕩用開(kāi)關(guān)電路202的各開(kāi)關(guān)晶體管 202a、 202b， 202c、 202d的動(dòng)作，使交流電力線204a、 204b彼此間的電位相同， 直接切斷向電極對(duì)T1的輸出。
然而，當(dāng)電極T1產(chǎn)生了上述電弧放電的情況下，正如上文所述，還存在以下問(wèn)題僅僅切斷與電極對(duì)Tl連接的交流電源El的輸出時(shí)，由于可從與電極 Tl相鄰，靠雜散靜電電容耦合的電極對(duì)T2上產(chǎn)生的等離子獲得能量，因而上述 電弧放電難以消失。
為此要想抑制上述電極對(duì)T2的影響，可通過(guò)圖1中說(shuō)明過(guò)的通信電纜K, 把用第二CPU電路201接收到的上述控制信號(hào)發(fā)送給相鄰的交流電源E2的振蕩 部的CPU電路，通過(guò)同樣的處理切斷交流電源E2向電極對(duì)T2的輸出。
圖3示出采用本發(fā)明涉及的薄膜形成方法進(jìn)行輸出調(diào)整前以及進(jìn)行了輸出 調(diào)整后的、分別與圖1中說(shuō)明的交流電源E1及交流電源E2連接的電極tl2和電 極t21間的輸出波形。
圖3 (a)所示的是采用本發(fā)明涉及的薄膜形成方法進(jìn)行輸出調(diào)整前的波形。
圖3 (a)的情況下，電極tl2和電極t21間的輸出電位差形成很大的峰間電 壓Vpp。若在該狀態(tài)下產(chǎn)生異常放電，由于將產(chǎn)生巨大電弧能，上述電極熔解， 產(chǎn)生巨大飛沬附著的噴濺，妨礙良好成膜。
在本實(shí)施方式中，由于從交流電源El及交流電源E2同時(shí)輸出，各交流電 源E1及E2的輸出相同，因而在電極tl2和電極t21間，輸出相位基本相反。
圖3 (b)示出采用本發(fā)明涉及的薄膜形成方法進(jìn)行了輸出調(diào)整后的波形。
本發(fā)明涉及的薄膜成形方法是為了抑制產(chǎn)生上述巨大電弧能，以收斂交流電 源E1及交流電源E2的輸出電位差進(jìn)行輸出調(diào)整的。在本實(shí)施方式中，若通過(guò) 將上述電極間的輸出相位偏轉(zhuǎn)180度，使極性反轉(zhuǎn)，則交流電源E1和交流電源 E2的波形重疊，幾乎不產(chǎn)生造成電弧放電的輸出電位差。
使輸出電位差收斂的方法有，例如首先通過(guò)圖1中說(shuō)明過(guò)的通信電纜K把 交流電源E2的輸出電流、輸出電壓信號(hào)發(fā)送給交流電源El的CPU電路201， 與交流電源E1的輸出電流、輸出電壓信號(hào)進(jìn)行比較。當(dāng)二者的輸出電位差超過(guò) 規(guī)定值的情況下，由交流電源E1的CPU電路201，把用來(lái)使輸出電位差收斂的 控制信號(hào)通過(guò)上述通信電纜K發(fā)送給交流電源E2的振蕩部的第二 CPU電路。 根據(jù)該第二 CPU電路接收到的上述控制信號(hào)，通過(guò)輸出振蕩激勵(lì)電路及PMW 控制電路，控制振蕩用開(kāi)關(guān)電路的各開(kāi)關(guān)晶體管的動(dòng)作，調(diào)整電極對(duì)T2的輸出， 使上述輸出電位差收斂。
上述規(guī)定值只要在不產(chǎn)生造成上述電弧能發(fā)生的異常放電的輸出電位差范
10圍內(nèi)即可，不一定要把上述輸出電位差收斂到0V。具體而言，可設(shè)定在各交流 電源的0 峰值電位差(或有效值)的10%的范圍內(nèi)，如能在5%范圍內(nèi)則更理 想。
本實(shí)施方式中例舉的是通過(guò)調(diào)整交流電源E2的輸出，使上述輸出電位差收 斂的例子，但并不局限于此，既可通過(guò)調(diào)整交流電源E1的輸出收斂輸出電位差， 也可通過(guò)同時(shí)調(diào)整交流電源El及交流電源E2使輸出電位差收斂。
圖3中，交流電源El及E2的波形形狀是正弦波，但并不局限于此，也可 以是方形波。此外，不僅在交流電源的振蕩頻率固定情況下，可變的情況下也可 進(jìn)行同樣的處理。
圖4及圖5是本發(fā)明涉及的陰極真空噴鍍裝置的具體實(shí)施方式
的例示圖。無(wú) 論何種方式，與圖l共同的部分均標(biāo)注了相同的標(biāo)號(hào)。
圖4在與被處理基板S相向的位置上，并聯(lián)設(shè)置了電極對(duì)Tl、 T2、 T3及 T4。電極對(duì)T1與交流電源E1，電極對(duì)T2與交流電源E2，電極對(duì)T3與交流電 源E3，電極對(duì)T4與交流電源E4分別相連。各交流電源E1 E4通過(guò)通信電纜 K連接，彼此可自由通信。該交流電源E1 E4的電路構(gòu)成均與圖2中說(shuō)明的交 流電源E1相同。
交流電源E1比較電極tl2和電極t21間的輸出，當(dāng)輸出電位差大于規(guī)定值 的情況下，生成圖3中說(shuō)明的控制信號(hào)，通過(guò)通信電纜K發(fā)送給交流電源E2。 此后，依次比較電極t22和電極t31間的輸出，電極t32和電極t41間的輸出，當(dāng) 輸出電位差大于規(guī)定值的情況下，可生成上述控制信號(hào)，把該控制信號(hào)發(fā)送給需 要調(diào)整的交流電源。也就是說(shuō)，可把交流電源El (主交流電源)作為起點(diǎn)，從 與該交流電源El連接的電極對(duì)Tl起，向并聯(lián)設(shè)置方向外側(cè)依次調(diào)整與各電極 對(duì)T2 T4連接的各交流電源E2 E4的輸出。
圖4中是以交流電源E1為起點(diǎn)進(jìn)行調(diào)整處理的，但也可設(shè)定為，例如在調(diào) 整交流電源E2的輸出之后，把交流電源E2作為主交流電源，調(diào)整相鄰的交流 電源E3的輸出，把進(jìn)行過(guò)同樣調(diào)整的交流電源E3作為主交流電源調(diào)整交流電 源E4。
在本實(shí)施方式中是把主交流電源設(shè)定為交流電源E1的，但主交流電源并不 局限于E1，可任意決定，例如，當(dāng)把主交流電源設(shè)為交流電源E3的情況下，相
11鄰的交流電源即成為交流電源E2和交流電源E4的兩對(duì)，可在進(jìn)行該交流電源 E2及E3的調(diào)整處理之后，再進(jìn)行交流電源E1的調(diào)整處理。
圖5是圖4的實(shí)施方式的變形，圖5中與圖4相同的構(gòu)成標(biāo)注了相同的標(biāo)號(hào)。 在本實(shí)施方式中，采用的是以下構(gòu)成通過(guò)通信電纜K與各交流電源E1 E4連接、彼此可自由通信的控制裝置U取代了圖3中說(shuō)明過(guò)的主交流電源，比 較與不同交流電源連接的相鄰電極間的輸出，當(dāng)輸出電位差大于規(guī)定值的情況 下，生成控制信號(hào)，把控制信號(hào)發(fā)送給需要調(diào)整的交流電源。


圖1是本發(fā)明涉及的薄膜形成裝置基本構(gòu)成圖。 圖2是交流電源的基本電路構(gòu)成圖。
圖3a)示出采用本發(fā)明涉及的薄膜形成方法進(jìn)行調(diào)整前的波形；b)示出采 用本發(fā)明涉及的薄膜形成方法進(jìn)行調(diào)整后的波形。
圖4示出本發(fā)明涉及的薄膜形成裝置的一種實(shí)施方式。 圖5示出本發(fā)明涉及的薄膜形成裝置的另一種實(shí)施方式(變形例)。 (圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明)
1、 真空容器，
2、 真空排氣手段，
3、 基板傳送手段，
4、 氣體導(dǎo)入手段， El、交流電源， E2、交流電源， Tl、電極對(duì)，
T2、電極對(duì)， K、通信電纜，
5、 被處理基板.
權(quán)利要求
1、一種薄膜形成方法，其在與配置在真空容器內(nèi)的被處理基板相向的位置上并聯(lián)設(shè)置了多個(gè)電極對(duì)，通過(guò)與各對(duì)電極連接的交流電源，以規(guī)定的頻率交替改變極性，輸出交流電壓，使構(gòu)成各對(duì)電極的兩個(gè)電極交替切換為陽(yáng)極電極和陰極電極，使該陽(yáng)極電極及陰極電極間產(chǎn)生輝光放電形成等離子氣氛，通過(guò)使各電極對(duì)產(chǎn)生濺射，在上述被處理基板上形成薄膜，其特征在于比較上述并聯(lián)設(shè)置的電極對(duì)中，與不同的交流電源連接的彼此相鄰的電極間的上述輸出，當(dāng)輸出電位差超過(guò)規(guī)定值的情況下，通過(guò)調(diào)整上述交流電源的輸出，使輸出電位差收斂到上述規(guī)定值以下。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于上述輸出調(diào)整通過(guò)將上述彼 此相鄰的電極間的輸出相位偏轉(zhuǎn)180度，使極性反轉(zhuǎn)來(lái)收斂上述輸出電位差。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜形成方法，其特征在于上述輸出調(diào)整以任意一 個(gè)交流電源為起點(diǎn)，從與構(gòu)成該起點(diǎn)的交流電源連接的電極對(duì)起，向并聯(lián)設(shè)置方向的 外側(cè)依次調(diào)整上述各交流電源的輸出。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜形成方法，其特征在于調(diào)整與構(gòu)成上述起點(diǎn)的交流 電源相鄰的交流電源的輸出，然后把調(diào)整后的交流電源作為另一起點(diǎn)，依次向并聯(lián)設(shè) 置方向外側(cè)調(diào)整相鄰的各交流電源的輸出。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的薄膜形成方法，其特征在于上述輸出調(diào)整通過(guò) 生成控制交流電源輸出的信號(hào)，把該信號(hào)發(fā)送給調(diào)整輸出的交流電源進(jìn)行。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜形成方法，其特征在于上述信號(hào)在構(gòu)成上述起點(diǎn)的 交流電源中生成，由構(gòu)成該起點(diǎn)的交流電源發(fā)送給調(diào)整輸出的交流電源。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1 6任一項(xiàng)所述的薄膜形成方法，其特征在于當(dāng)上述任意一對(duì)電 極產(chǎn)生電弧放電的情況下，在切斷對(duì)該產(chǎn)生電弧放電電極的輸出的同時(shí)，也切斷對(duì)未 產(chǎn)生電弧放電的其它電極對(duì)的輸出。
8、 一種薄膜形成裝置，其在與配置在真空容器內(nèi)的被處理基板相向的位置上并聯(lián)設(shè)置了多個(gè)電極對(duì)，配置了與各電極對(duì)分別連接的交流電源；其特征在于該薄膜形成裝置具有調(diào)整處理手段，其比較上述并聯(lián)設(shè)置的電極對(duì)中，與不同的交流電源連接的 彼此相鄰的電極間的輸出，當(dāng)輸出電位差超過(guò)規(guī)定值的情況下，通過(guò)調(diào)整上述交流電 源的輸出使輸出電位差收斂到上述規(guī)定值以下。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜形成裝置，其特征在于上述調(diào)整處理手段具有生成 控制交流電源輸出的信號(hào)的信號(hào)生成手段，以及把該信號(hào)發(fā)送給調(diào)整輸出的交流電源 的發(fā)送手段。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的薄膜形成裝置，其特征在于為進(jìn)行上述調(diào)整處理而 構(gòu)成起點(diǎn)的交流電源具有上述調(diào)整處理手段。
11、 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的薄膜形成裝置，其特征在于其設(shè)置了具有上述調(diào)整 處理手段的控制裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求8 H任一項(xiàng)所述的薄膜形成裝置，其特征在于上述各交流電源具 有電弧探測(cè)手段，其可在連接的電極對(duì)產(chǎn)生電弧放電的情況下，探測(cè)出該電弧放電； 輸出控制手段，其控制各交流電源的輸出，在該電弧探測(cè)手段探測(cè)到電弧放電時(shí)切斷 對(duì)該電極對(duì)的輸出的同時(shí)，也切斷對(duì)其它電極對(duì)的輸出。
全文摘要
提供一種薄膜形成方法以及實(shí)施該薄膜形成方法的薄膜形成裝置，其并聯(lián)設(shè)置了多個(gè)與交流電源連接的電極對(duì)，比較該并聯(lián)設(shè)置的電極對(duì)中與不同的交流電源連接的彼此相鄰電極間的輸出，當(dāng)輸出電位差超過(guò)規(guī)定值的情況下，通過(guò)調(diào)整上述交流電源的輸出，使輸出電位差收斂到上述規(guī)定值以下。
文檔編號(hào)C23C14/34GK101512038SQ20078003282
公開(kāi)日2009年8月19日 申請(qǐng)日期2007年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月14日
發(fā)明者中島利夫, 中村久三, 佐藤重光, 依田英德, 堀下芳邦, 小松孝, 小林大士 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛(ài)發(fā)科