專利名稱：用于沉積薄膜的加熱器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于通過(guò)加熱而在已安置的晶片上沉積薄膜的加熱器。
背景技術(shù)：
圖1是用于沉積薄膜10的傳統(tǒng)式加熱器的側(cè)橫截面圖。參看圖1，用于沉積薄膜10的傳統(tǒng)式加熱器主要包含晶片支撐板11，其上安置晶片且其中包含熱量產(chǎn)生元件H；以及桿12，其支撐著所述晶片支撐板11。在所述晶片支撐板11的邊緣處設(shè)置有多個(gè)注入孔13A，且在晶片支撐板11中沿徑向和水平方向設(shè)置有與注入孔13A相連的注入孔流動(dòng)通道13B。在桿12中形成有與所述注入孔流動(dòng)通道13B相連的惰性氣體路徑13C。此外，在晶片支撐板11的上表面中形成有多個(gè)吸附孔14A，用以吸附晶片，且在桿12中形成有與吸附孔14A相連的真空形成路徑14B。
在用于沉積薄膜10的傳統(tǒng)式加熱器中，通過(guò)真空形成路徑14B以形成真空，以便使安置在用于沉積薄膜10的加熱器上的晶片固定不動(dòng)，從而在吸附孔14A中形成真空壓力。此外，通過(guò)惰性氣體路徑13C以提供惰性氣體，且隨后通過(guò)注入孔13A將所述惰性氣體提供到內(nèi)部腔室以便執(zhí)行凈化或清理。
如圖1所說(shuō)明者，與注入孔13A相連的注入孔流動(dòng)通道13B是沿徑向和水平方向形成在晶片支撐板11中。很難制造此類注入孔流動(dòng)通道13B。
此外，如果晶片略微彎曲，可能會(huì)在晶片與晶片支撐板11之間形成一個(gè)非常微小的間隔。由于這微小間隔，會(huì)使晶片附著到晶片支撐板11的表面上的附著力減少，且晶片還可能產(chǎn)生細(xì)微振動(dòng)。因此，會(huì)使形成在晶片上的薄膜的均勻性和質(zhì)量下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于沉積薄膜的加熱器，其中無(wú)需在晶片支撐板中沿徑向和水平方向形成流動(dòng)通道，從而可容易地制造用于沉積薄膜的加熱器，且晶片即使在略微彎曲的情況下也能堅(jiān)固地附著到晶片支撐板上。
根據(jù)本發(fā)明的一樣態(tài)，提供一種用于沉積薄膜的加熱器，所述加熱器包含晶片支撐板，其上安置著晶片且在所述晶片支撐板的邊緣處設(shè)置有多個(gè)注入孔，且在所述晶片支撐板中包含熱量產(chǎn)生元件；桿，其設(shè)置在晶片支撐板的下側(cè)，所述桿包括惰性氣體路徑，通過(guò)此惰性氣體路徑以提供惰性氣體；以及流動(dòng)通道形成蓋，其接合到晶片支撐板的下部且包括形成在所述流動(dòng)通道形成蓋與晶片支撐板之間的內(nèi)部空間，其中注入孔與惰性氣體路徑通過(guò)所述內(nèi)部空間而連接起來(lái)。
所述晶片支撐板可包含中間流動(dòng)通道，所述通道將惰性氣體路徑與內(nèi)部空間連接起來(lái)。
所述中間流動(dòng)通道可從惰性氣體路徑的上端向下延伸到晶片支撐板的下表面。
所述流動(dòng)通道形成蓋可在流動(dòng)通道形成蓋的中心部分中包含穿透孔，桿從所述穿透孔中穿過(guò)。
所述流動(dòng)通道形成蓋可具有環(huán)形形狀，且包含形成在流動(dòng)通道形成蓋的外邊緣處的環(huán)狀外部突起部分以及形成在流動(dòng)通道形成蓋的內(nèi)邊緣處的環(huán)狀內(nèi)部突起部分，其中所述外部突起部分和所述內(nèi)部突起部分向上突起，且其中由晶片支撐板的下表面、外部突起部分的內(nèi)部圓周表面、內(nèi)部突起部分的外部圓周表面以及流動(dòng)通道形成蓋的上表面來(lái)界定內(nèi)部空間。
所述桿可包含用于形成真空壓力的真空形成通道，且所述晶片支撐板可包含上面安置著晶片的安放單元，其中所述安放單元包含多個(gè)在上面放置晶片的突出物以及與真空形成通道相連的吸附孔。
用于沉積薄膜的加熱器可進(jìn)一步包含多個(gè)連接元件，其穿過(guò)所述流動(dòng)通道形成蓋且被擰入晶片支撐板中，所述連接元件在連接元件的中心中包括第一支撐銷穿透孔，支撐銷從所述穿透孔中穿過(guò)，所述支撐銷在裝載和卸載晶片時(shí)支撐著晶片并抬高晶片，且所述晶片支撐板包括相對(duì)于第一支撐銷穿透孔而同軸設(shè)置的第二支撐銷穿透孔，使得所述支撐銷突起到晶片支撐板的上側(cè)。


通過(guò)參考附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，本發(fā)明的以上及其它特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更為明顯，在附圖中圖1為用于沉積薄膜的傳統(tǒng)式加熱器的側(cè)橫截面圖。
圖2為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于沉積薄膜的加熱器的分解透視圖。
圖3為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖2中的用于沉積薄膜的加熱器的側(cè)橫截面圖。
圖4為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖2中的用于沉積薄膜的加熱器的頂視圖。
具體實(shí)施例方式
下文中將參考附圖更加完整地描述本發(fā)明，圖中繪示了本發(fā)明的示范性實(shí)施例。
圖2為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于沉積薄膜的加熱器的分解透視圖；圖3為圖2中的用于沉積薄膜的加熱器的側(cè)橫截面圖；且圖4為圖2中的用于沉積薄膜的加熱器的頂視圖。
參看圖2到圖4，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于沉積薄膜的加熱器包含晶片支撐板110、桿120以及流動(dòng)通道形成蓋130。晶片支撐板110(其上安置著晶片W)在其邊緣處包含多個(gè)注入孔111。通過(guò)所述注入孔111將用于薄膜沉積工序的惰性氣體注入到晶片支撐板110的上部。
在晶片支撐板110中，形成有熱量產(chǎn)生元件H和用于插入熱電偶(未圖示)的熱電偶插入孔114。安裝在熱電偶插入孔114中的熱電偶測(cè)量所述晶片支撐板110的溫度并產(chǎn)生相應(yīng)的信號(hào)，其中所述信號(hào)用來(lái)控制熱量產(chǎn)生元件H的操作。
上面安置著晶片W的安放單元110A形成在晶片支撐板110上。在安放單元110A中，設(shè)置有多個(gè)上面放置晶片W的突出物112。在所述突出物112之間形成有與桿120中包含的真空形成通道123相連的吸附孔113，下文將描述此吸附孔113。
桿120設(shè)置在晶片支撐板110的下側(cè)，用以支撐所述晶片支撐板110。桿120包含惰性氣體路徑121，通過(guò)此惰性氣體路徑121以提供惰性氣體；以及真空形成通道123，其用于形成真空壓力。此外，在桿120中安裝有電線61和71，分別用以向晶片支撐板110中包含的熱量產(chǎn)生元件H和RF電極供電。
流動(dòng)通道形成蓋130接合到晶片支撐板110的下部，且在流動(dòng)通道形成蓋130與晶片支撐板110之間形成有內(nèi)部空間131。所述流動(dòng)通道形成蓋130具有環(huán)形形狀，且在流動(dòng)通道形成蓋130的中心部分中包含穿透孔137，桿120從所述穿透孔中穿過(guò)。在流動(dòng)通道形成蓋130的外邊緣處形成有環(huán)狀外部突起部分130A，其中所述外部突起部分130A向上突起。此外，在流動(dòng)通道形成蓋130的內(nèi)邊緣處形成有環(huán)狀內(nèi)部突起部分130B，藉此使所述內(nèi)部突起部分130B向上突起。由于外部突起部分130A和內(nèi)部突起部分130B向上突起，因而在外部突起部分130A與內(nèi)部突起部分130B之間自然地形成內(nèi)部空間131。換句話說(shuō)，內(nèi)部空間131是由晶片支撐板110的下表面、外部突起部分130A的內(nèi)部圓周表面、內(nèi)部突起部分130B的外部圓周表面以及所述流動(dòng)通道形成蓋130的上表面來(lái)界定。盡管外部突起部分130A和內(nèi)部突起部分130B附著到晶片支撐板110的下表面，但將所述流動(dòng)通道形成蓋130擰到晶片支撐板110上是使用多個(gè)連接元件136來(lái)達(dá)成。
另一方面，在晶片支撐板110中形成中間流動(dòng)通道111A，其將桿120的惰性氣體路徑121與流動(dòng)通道形成蓋130的內(nèi)部空間131連接起來(lái)。中間流動(dòng)通道111A從惰性氣體路徑121的上端向下延伸到晶片支撐板110的下表面。因此，通過(guò)惰性氣體路徑121所提供的惰性氣體穿過(guò)中間流動(dòng)通道111A、內(nèi)部空間131以及注入孔111而注入到晶片支撐板110的上部。
多個(gè)連接元件136穿過(guò)流動(dòng)通道形成蓋130并擰入晶片支撐板110中。在連接元件136的中心中形成有多個(gè)第一支撐銷穿透孔135，支撐銷(未圖示)穿過(guò)所述穿透孔135，所述支撐銷在裝載和卸載晶片時(shí)支撐并抬高晶片。
另一方面，在晶片支撐板110上形成有多個(gè)相對(duì)于第一支撐銷穿透孔135而同軸設(shè)置的第二支撐銷穿透孔115。
第一支撐銷穿透孔135和第二支撐銷穿透孔115具有相同的直徑且彼此連接。因此，支撐銷從流動(dòng)通道形成蓋130的下側(cè)穿過(guò)第一和第二支撐銷穿透孔135和115且突起到晶片支撐板110的上側(cè)。在本實(shí)施例中，使用了三個(gè)第一支撐銷穿透孔135和第二支撐銷穿透孔115。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的用于沉積薄膜的加熱器包含晶片支撐板和接合到晶片支撐板下部的流動(dòng)通道形成蓋。因此，流動(dòng)通道無(wú)需沿徑向和水平方向而形成，且因此可容易地制造用于沉積薄膜的加熱器。
此外，由于使用了若干突出物且在所述突出物之間插入有吸附孔，因而即使在晶片略微彎曲時(shí)也可能堅(jiān)固地吸附著晶片，且可防止晶片振動(dòng)。因此，提高了形成在晶片上的薄膜的均勻性和質(zhì)量。
盡管已參考本發(fā)明的示范性實(shí)施例特定地繪示并描述了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，可在不偏離如所附權(quán)利要求書中所界定的本發(fā)明的精神和范疇的情況下在其中進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)的變化。
權(quán)利要求
1.一種用于沉積薄膜的加熱器，其特征在于包括晶片支撐板，其上安置晶片，且在所述晶片支撐板的邊緣處設(shè)置有多個(gè)注入孔，且在所述晶片支撐板中包含熱量產(chǎn)生元件；桿，其設(shè)置在所述晶片支撐板的下側(cè)處，所述桿包括惰性氣體路徑，通過(guò)所述惰性氣體路徑以提供惰性氣體；以及流動(dòng)通道形成蓋，其接合到所述晶片支撐板的下部，且包括形成在所述流動(dòng)通道形成蓋與所述晶片支撐板之間的內(nèi)部空間，其中所述注入孔與所述惰性氣體路徑通過(guò)所述內(nèi)部空間連接起來(lái)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積薄膜的加熱器，其特征在于所述晶片支撐板包括中間流動(dòng)通道，其將所述惰性氣體路徑與所述內(nèi)部空間連接起來(lái)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于沉積薄膜的加熱器，其特征在于所述中間流動(dòng)通道從所述惰性氣體路徑的上端向下延伸到所述晶片支撐板的下表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積薄膜的加熱器，其特征在于所述流動(dòng)通道形成蓋在所述流動(dòng)通道形成蓋的中心部分中包括穿透孔，所述桿從所述穿透孔中穿過(guò)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于沉積薄膜的加熱器，其特征在于所述流動(dòng)通道形成蓋具有環(huán)形形狀，且包括形成在所述流動(dòng)通道形成蓋的外邊緣處的環(huán)狀外部突起部分以及形成在所述流動(dòng)通道形成蓋的內(nèi)邊緣處的環(huán)狀內(nèi)部突起部分，其中所述外部突起部分和所述內(nèi)部突起部分向上突起，且其中所述內(nèi)部空間由所述晶片支撐板的所述下表面、所述外部突起部分的內(nèi)部圓周表面、所述內(nèi)部突起部分的外部圓周表面以及所述流動(dòng)通道形成蓋的上表面來(lái)界定。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積薄膜的加熱器，其特征在于所述桿包括用于形成真空壓力的真空形成通道，且所述晶片支撐板包括安放單元，其上面安置所述晶片，其中所述安放單元包括多個(gè)上面放置所述晶片的突出物以及與所述真空形成通道連接的吸附孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積薄膜的加熱器，其特征在于其進(jìn)一步包括多個(gè)連接元件，所述連接元件穿過(guò)所述流動(dòng)通道形成蓋并擰入所述晶片支撐板中，所述連接元件在所述連接元件的中心中包括支撐銷從中穿過(guò)的第一支撐銷穿透孔，所述支撐銷在裝載和卸載所述晶片時(shí)支撐并抬高所述晶片，且所述晶片支撐板包括相對(duì)于所述第一支撐銷穿透孔而同軸設(shè)置的第二支撐銷穿透孔，以使得所述支撐銷突起到所述晶片支撐板的上側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種通過(guò)加熱而在已安置的晶片上沉積薄膜的用于沉積薄膜的加熱器。所述用于沉積薄膜的加熱器包含晶片支撐板，其上安置晶片，且在所述晶片支撐板的邊緣處設(shè)置有多個(gè)注入孔，且在所述晶片支撐板中包含熱量產(chǎn)生元件；桿，其設(shè)置在所述晶片支撐板的下側(cè)處，所述桿包括惰性氣體路徑，通過(guò)此惰性氣體路徑以提供惰性氣體；以及流動(dòng)通道形成蓋，其接合到所述晶片支撐板的下部，且包括形成在所述流動(dòng)通道形成蓋與所述晶片支撐板之間的內(nèi)部空間，其中所述注入孔與所述惰性氣體路徑通過(guò)所述內(nèi)部空間連接起來(lái)。
文檔編號(hào)C23C16/46GK1990903SQ200610144860
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月31日
發(fā)明者白春金, 李起薰, 崔亨燮, 徐康鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社Ips