專(zhuān)利名稱(chēng)：沉積Ge－Sb－Te薄膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造用于通過(guò)變化相位來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)的方法，且更具體地說(shuō)，涉及沉積為相變材料的硫族化物的方法。
背景技術(shù)：
PRAM使用電阻依賴(lài)于非晶/結(jié)晶態(tài)而變化的相變材料，且所述相變材料可為包含鍺(Ge)、銻(Sb)和碲(Te)的硫族化物(GST或Ge-Sb-Te；下文被稱(chēng)為Ge-Sb-Te)。通過(guò)加熱或冷卻將此相變材料變化為非晶態(tài)或結(jié)晶態(tài)。相變材料的電阻在非晶態(tài)時(shí)較高，而在結(jié)晶態(tài)時(shí)較低。數(shù)據(jù)值0和1可由電阻變化來(lái)識(shí)別。為了生長(zhǎng)為相變材料的材料Ge-Sb-Te，通常使用將材料Ge-Sb-Te用作為標(biāo)靶的濺鍍方法。
然而，當(dāng)Ge-Sb-Te薄膜由濺鍍方法形成時(shí)，Ge、Sb和Te的成分很難得以調(diào)整，且階梯覆蓋為不良的。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法，其可容易地調(diào)整Ge、Sb和Te的成分且具有極好的階梯覆蓋。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，提供一種沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法，其包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入安裝晶片的反應(yīng)室中并從反應(yīng)室中凈化，且在晶片上沉積Ge-Sb-Te薄膜；和反應(yīng)氣體饋入步驟，其在饋入第一到第三前驅(qū)體中的任一者時(shí)饋入反應(yīng)氣體。所述方法可進(jìn)一步包含通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。
在凈化第一到第三前驅(qū)體中的任一者時(shí)可饋入反應(yīng)氣體。在饋入反應(yīng)氣體時(shí)可將等離子施加到反應(yīng)室中。
當(dāng)施加等離子時(shí)，通過(guò)依次執(zhí)行下列步驟來(lái)執(zhí)行所述Ge-Sb-Te薄膜形成步驟饋入第一前驅(qū)體的饋入步驟；凈化第一前驅(qū)體的凈化步驟；饋入第二前驅(qū)體的饋入步驟；凈化第二前驅(qū)體的凈化步驟；饋入第三前驅(qū)體的饋入步驟；凈化第三前驅(qū)體的凈化步驟；再次饋入第二前驅(qū)體的饋入步驟；和再次凈化第二前驅(qū)體的凈化步驟，第一前驅(qū)體包含Ge，第二前驅(qū)體包含Te，且第三前驅(qū)體包含Sb。
在本發(fā)明中，可通過(guò)依次執(zhí)行下列步驟來(lái)執(zhí)行Ge-Sb-Te薄膜形成步驟饋入第一前驅(qū)體的饋入步驟；凈化第一前驅(qū)體的凈化步驟；饋入第二前驅(qū)體的饋入步驟；凈化第二前驅(qū)體的凈化步驟；饋入第三前驅(qū)體的饋入步驟；和凈化第三前驅(qū)體的凈化步驟。
通過(guò)依次執(zhí)行下列步驟來(lái)執(zhí)行Ge-Sb-Te薄膜形成步驟同時(shí)饋入第一前驅(qū)體和第二前驅(qū)體的饋入步驟；同時(shí)凈化第一前驅(qū)體和第二前驅(qū)體的凈化步驟；同時(shí)饋入第二前驅(qū)體和第三前驅(qū)體的饋入步驟；和同時(shí)凈化第二前驅(qū)體和第三前驅(qū)體的凈化步驟。
或者，可通過(guò)依次執(zhí)行下列步驟來(lái)執(zhí)行Ge-Sb-Te薄膜形成步驟同時(shí)饋入第一到第三前驅(qū)體的饋入步驟；和同時(shí)凈化第一到第三前驅(qū)體的凈化步驟。
在上述Ge-Sb-Te薄膜形成步驟中，可通過(guò)調(diào)整第一到第三前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度或在蒸汽壓力和溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整用于饋入第一到第三前驅(qū)體的時(shí)間或載氣的量來(lái)調(diào)整Ge-Sb-Te薄膜的元素的成分。
在本發(fā)明中，反應(yīng)氣體可為選自由H2和NH3構(gòu)成的組的至少一者或選自由H2和NH3構(gòu)成的組的至少一者與惰性氣體的混合物。更具體地說(shuō)，當(dāng)使用等離子時(shí)，反應(yīng)氣體是選自由H2、NH3和He構(gòu)成的組的至少一者或選自由H2、NH3和He構(gòu)成的組的至少一者與惰性氣體的混合物。晶片的溫度可在20℃到700℃的范圍內(nèi)。反應(yīng)室的壓力可在0.1托到100托的范圍內(nèi)。


通過(guò)參考附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其他特點(diǎn)與優(yōu)點(diǎn)將變得更為顯而易見(jiàn)，其中圖1是繪示薄膜沉積裝置的配置圖，所述裝置可執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明第一到第六實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法。
圖2是繪示另一薄膜沉積裝置的配置圖，所述裝置可執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明第一到第六實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法。
圖3是繪示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖4是繪示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖5是繪示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖6是繪示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖7是繪示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖8是繪示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖9是繪示薄膜沉積裝置的配置圖，所述裝置可執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明第七到第十四實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法。
圖10是繪示另一薄膜沉積裝置的配置圖，所述裝置可執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明第七到第十四實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法。
圖11是繪示根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖12是繪示根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖13是繪示根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖14是繪示根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖15是繪示根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖16是繪示根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖17是繪示根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
圖18是繪示根據(jù)本發(fā)明第十四實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
10反應(yīng)室11噴頭12晶片塊12a加熱體13等離子產(chǎn)生器 15遠(yuǎn)端等離子產(chǎn)生器具體實(shí)施方式
現(xiàn)將參考附圖來(lái)更全面地描述本發(fā)明，在附圖中繪示本發(fā)明的示范性實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以多種不同形式來(lái)實(shí)施，且不應(yīng)被認(rèn)為是局限于本文陳述的實(shí)施例中；而是，提供這些實(shí)施例是為了使得此揭示案徹底且完整，并將本發(fā)明的概念全面地傳達(dá)給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。
熱處理法圖1是繪示一個(gè)薄膜沉積裝置的配置圖，所述裝置能執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明第一到第六實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法，且圖2是繪示另一薄膜沉積裝置的配置圖，所述裝置能執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明第一到第六實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法。
在根據(jù)本發(fā)明沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法中，晶片w安裝在反應(yīng)室10中的晶片塊12上，且包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體被饋入反應(yīng)室10中并從反應(yīng)室10中凈化，由此在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜。當(dāng)?shù)谝坏降谌膀?qū)體中的至少一者被饋入時(shí)，反應(yīng)氣體被饋入反應(yīng)室10中。
在本發(fā)明實(shí)施例中，Ge(C4H9)3H(氫化三異丁基鍺)用作為包含Ge的前驅(qū)體，Sb(C3H7)3(三異丙基銻)用作為包含Sb的前驅(qū)體，且Te(C4H9)(二異丙基碲)用作為包含Te的前驅(qū)體。作為用于從反應(yīng)室10凈化第一到第三前驅(qū)體的惰性氣體，可使用N2、Ar和He。
用于沉積Ge-Sb-Te薄膜的反應(yīng)室10包含噴頭11和晶片塊12，所述噴頭11提供于所述反應(yīng)室中以噴射第一到第三前驅(qū)體和惰性氣體，且所述晶片塊12提供在噴頭11下方以便將晶片w安裝于其上。此時(shí)，反應(yīng)室10可具有連接到噴頭11的三條氣體管線(xiàn)，以便單獨(dú)引入第一到第三前驅(qū)體(如圖1所示)；或具有一條氣體管線(xiàn)，通過(guò)其引入所有第一到第三前驅(qū)體(如圖2所示)。盡管未繪示，反應(yīng)室10可進(jìn)一步包含抽氣擋板，其提供在晶片塊12的外圓周上以平滑地且均勻地抽吸前驅(qū)體、惰性氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品，或可進(jìn)一步包含一用于將惰性氣體噴射到噴頭11的外圓周以形成惰性氣體簾幕的工具。
所述沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法在以下?tīng)顟B(tài)中執(zhí)行反應(yīng)室10的溫度在200℃到700℃的范圍內(nèi)；且其壓力在0.1托到100托的范圍內(nèi)。此時(shí)，晶片塊12由安裝于其中的加熱體12a在20℃到700℃范圍內(nèi)加熱。
下文，將使用圖1和圖2繪示的薄膜沉積裝置來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法。
第一實(shí)施例首先，圖3是繪示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
參考圖3，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S10，其在饋入和凈化第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。
首先，在反應(yīng)氣體饋入步驟S10中，選自由H2和NH3構(gòu)成的組中的至少一者被饋入作為反應(yīng)氣體?？蓛H饋入反應(yīng)氣體，或可饋入惰性氣體和反應(yīng)氣體的混合物。反應(yīng)氣體與引入反應(yīng)室10中的第一到第三前驅(qū)體反應(yīng)，以在反應(yīng)室10中在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜。
此時(shí)，當(dāng)H2用作為反應(yīng)氣體時(shí)，H2被熱分解，且H+離子與前驅(qū)體反應(yīng)。當(dāng)NH3用作反應(yīng)氣體時(shí)，NH3被分解()，且與前驅(qū)體反應(yīng)。此時(shí)，NH3可與H2和Ar或Ar一起使用。NH3用于移除包含前驅(qū)體中含有的雜質(zhì)C(碳)，且通過(guò)根據(jù)反應(yīng)條件將N留在Ge-Sb-Te薄膜中來(lái)改進(jìn)電性能(例如實(shí)際裝置操作時(shí)的低操作電壓)。
在Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20中，第一到第三前驅(qū)體與惰性氣體混合，以便平滑地饋入反應(yīng)室10中。或者，可根據(jù)條件僅將汽化的前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10中。現(xiàn)將詳細(xì)描述Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20。
如圖3所示，通過(guò)依次執(zhí)行下列步驟來(lái)執(zhí)行Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20饋入步驟S21，在時(shí)間t1期間將第一前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10中；凈化步驟S22，在時(shí)間t2期間使用惰性氣體凈化第一前驅(qū)體；饋入步驟S23，在時(shí)間t3期間饋入第二前驅(qū)體；凈化步驟S24，在時(shí)間t4期間使用惰性氣體凈化第二前驅(qū)體；饋入步驟S25，在時(shí)間t5期間饋入第三前驅(qū)體；以及凈化步驟S26，在時(shí)間t6期間使用惰性氣體凈化第三前驅(qū)體。
此時(shí)，可通過(guò)調(diào)整第一到第三前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度或在蒸汽壓力和溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整用于饋入第一到第三前驅(qū)體的時(shí)間t1、t3和t5或載氣的量來(lái)調(diào)整Ge-Sb-Te薄膜的元素的成分。
例如，通過(guò)增加或降低第一前驅(qū)體的溫度以調(diào)整蒸汽壓力或在第一前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整饋入時(shí)間t1或載氣的量來(lái)調(diào)整饋入反應(yīng)室10的第一前驅(qū)體的量。通過(guò)增加或降低第二前驅(qū)體的溫度以調(diào)整蒸汽壓力或在第二前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整饋入時(shí)間t3或載氣的量來(lái)調(diào)整饋入反應(yīng)室10的第二前驅(qū)體的量。通過(guò)增加或降低第三前驅(qū)體的溫度以調(diào)整蒸汽壓力或在第三前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整饋入時(shí)間t5或載氣的量來(lái)調(diào)整饋入反應(yīng)室10的第三前驅(qū)體的量。通過(guò)調(diào)整Ge-Sb-Te薄膜的元素的成分，能夠?qū)崿F(xiàn)適于裝置的特定電阻。用于凈化第一到第三前驅(qū)體的凈化時(shí)間t2、t4和t6優(yōu)選地為10秒或更少。
重復(fù)在時(shí)間t1到t6期間內(nèi)執(zhí)行的Ge-Sb-Te薄膜形成步驟20若干次以調(diào)整形成膜的厚度。
第二實(shí)施例圖4是繪示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
參考圖4，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S120，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S10，其在饋入和凈化第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S120而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。
如圖4所示，通過(guò)依次執(zhí)行以下步驟來(lái)執(zhí)行Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S120饋入步驟S121，在時(shí)間t1期間內(nèi)同時(shí)饋入第一前驅(qū)體和第二前驅(qū)體；凈化步驟S122，在時(shí)間t2期間內(nèi)使用惰性氣體同時(shí)凈化第一前驅(qū)體和第二前驅(qū)體；饋入步驟S123，在時(shí)間t3期間內(nèi)同時(shí)饋入第二前驅(qū)體和第三前驅(qū)體；以及凈化步驟S124，在時(shí)間t4期間內(nèi)使用惰性氣體同時(shí)凈化第二前驅(qū)體和第三前驅(qū)體。
此時(shí)，與在第一實(shí)施例的Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20中相似，可通過(guò)調(diào)整第一到第三前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度或在蒸汽壓力和溫度固定的狀態(tài)中調(diào)整用于饋入第一和第二前驅(qū)體的時(shí)間t1和用于饋入第二和第三前驅(qū)體的時(shí)間t3或載氣的量來(lái)調(diào)整Ge-Sb-Te薄膜的元素的成分。用于凈化第一和第二前驅(qū)體的時(shí)間t2和用于凈化第二和第三前驅(qū)體的時(shí)間t4優(yōu)選地為10秒或更少。
在本實(shí)施例中，由于同時(shí)饋入和凈化第一前驅(qū)體和第二前驅(qū)體且同時(shí)饋入和凈化第二前驅(qū)體和第三前驅(qū)體，因而縮短了總處理時(shí)間。其他的類(lèi)似于第一實(shí)施例，因此將省略其描述。
第三實(shí)施例圖5是繪示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
參考圖5，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S220，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S10，其在饋入和凈化第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S220而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。
如圖5所示，通過(guò)依次執(zhí)行以下步驟來(lái)執(zhí)行Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S220饋入步驟S221，在時(shí)間t1期間內(nèi)同時(shí)將第一前驅(qū)體、第二前驅(qū)體和第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10中；以及凈化步驟S222，在時(shí)間t2期間內(nèi)使用惰性氣體同時(shí)凈化第一前驅(qū)體、第二前驅(qū)體和第三前驅(qū)體。
此時(shí)，與在第一實(shí)施例的Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20中相似，可通過(guò)調(diào)整第一到第三前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度或在蒸汽壓力和溫度固定的狀態(tài)中調(diào)整用于饋入第一到第三前驅(qū)體的時(shí)間t1或載氣的量來(lái)調(diào)整Ge-Sb-Te薄膜的元素的成分。用于凈化第一到第三前驅(qū)體的時(shí)間t2優(yōu)選地為10秒或更少。
在本實(shí)施例中，由于同時(shí)饋入和凈化第一到第三前驅(qū)體，因而可縮短總處理時(shí)間。其他的類(lèi)似于第一實(shí)施例，因此將省略其描述。
第四實(shí)施例圖6是繪示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖，第四實(shí)施例是第一實(shí)施例的變更實(shí)例。
參考圖6，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S110，其僅在饋入第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于僅在饋入第一到第三前驅(qū)體的步驟S21、S23和S25中饋入反應(yīng)氣體，而不在凈化第一到第三前驅(qū)體的步驟S22、S24和S26中饋入反應(yīng)氣體。其他的類(lèi)似于第一實(shí)施例，因此將省略其描述。換句話(huà)說(shuō)，根據(jù)本實(shí)施例，不連續(xù)地在饋入前驅(qū)體的步驟中饋入反應(yīng)氣體。
第五實(shí)施例圖7是繪示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖，第五實(shí)施例是第二實(shí)施例的變更實(shí)例。
參考圖7，根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S120，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S110，其僅在饋入第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S120而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。
本實(shí)施例與第二實(shí)施例的不同之處在于在饋入第一和第二前驅(qū)體的步驟S121和饋入第二和第三前驅(qū)體的步驟S123中饋入反應(yīng)氣體，而不在凈化第一和第二前驅(qū)體的步驟S122和凈化第二和第三前驅(qū)體的步驟S124中饋入反應(yīng)氣體。其他的類(lèi)似于第二實(shí)施例，因此將省略其描述。
第六實(shí)施例圖8是繪示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖，第六實(shí)施例是第三實(shí)施例的變更實(shí)例。
參考圖8，根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S220，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S110，其僅在饋入第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S220而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。
本實(shí)施例與第三實(shí)施例的不同之處在于在饋入第一到第三前驅(qū)體的步驟S221中饋入反應(yīng)氣體，而不在凈化第一到第三前驅(qū)體的步驟S222中饋入反應(yīng)氣體。其他的類(lèi)似于第三實(shí)施例，因此將省略其描述。
進(jìn)一步使用等離子的方法圖9和圖10是繪示薄膜沉積裝置的配置圖，所述裝置可執(zhí)行根據(jù)本發(fā)明第七到第十四實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法。
首先，除了連接等離子產(chǎn)生器13以便等離子直接施加到反應(yīng)室10中之外，圖9所示的薄膜沉積裝置大體上與圖1所示的薄膜沉積裝置相似。此時(shí)，施加到反應(yīng)室10中的等離子具有300到500KHz的低頻率和/或13.56MHz到21.12MHz的高頻率和50到2000W的功率。反應(yīng)室10具有連接到噴頭11的三條氣體管線(xiàn)，以便單獨(dú)引入第一到第三前驅(qū)體。
盡管未繪示，但在本發(fā)明第七到第十四實(shí)施例中可通過(guò)包含等離子產(chǎn)生器13來(lái)使用圖2所示的薄膜沉積裝置，其中通過(guò)一條氣體管線(xiàn)來(lái)引入第一到第三前驅(qū)體。
接下來(lái)，除了遠(yuǎn)端等離子產(chǎn)生器15在反應(yīng)室10外部以便氣體在反應(yīng)室10外部被激進(jìn)并饋入反應(yīng)室10中之外，圖10所示的薄膜沉積裝置大體上與圖1所示的薄膜沉積裝置相似。
圖2所示的薄膜沉積裝置可通過(guò)包含遠(yuǎn)端等離子產(chǎn)生器15而用于本發(fā)明第七到第十四實(shí)施例中。
下文將描述除使用上述除熱處理法之外使用等離子的薄膜沉積裝置來(lái)沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法。
第七實(shí)施例圖11是繪示根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
參考圖11，根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體以及包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S210，其在饋入和凈化第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。在反應(yīng)氣體饋入步驟S210中，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。
在反應(yīng)氣體饋入步驟S210中，在施加等離子的狀態(tài)中，從由H2、NH3和He構(gòu)成的組中選出的至少一者和從由H2、NH3和He構(gòu)成的組中選出的至少一者與惰性氣體的混合物被饋入反應(yīng)室10中。He可與Ar一起使用。He和Ar是惰性氣體，在不使用等離子時(shí)充當(dāng)不與前驅(qū)體反應(yīng)的惰性氣體，且在使用等離子時(shí)充當(dāng)經(jīng)離子化以為前驅(qū)體減壓的反應(yīng)氣體。He在施加等離子時(shí)改變等離子的特性且在Ge-Sb-Te薄膜中留下存在于前驅(qū)體中的雜質(zhì)C。此類(lèi)似于將雜質(zhì)C摻雜到Ge-Sb-Te薄膜中。雜質(zhì)C的摻雜降低實(shí)際裝置操作時(shí)的操作電壓。由于H2用于將雜質(zhì)C從Ge-Sb-Te薄膜中移除，因而H2的使用目的和作用與He相反。當(dāng)混合H2、He和Ar時(shí)，可獲得雜質(zhì)C的所要濃度。
反應(yīng)氣體由等離子激活且與引入反應(yīng)室10中的第一到第三前驅(qū)體反應(yīng)，以在反應(yīng)室10中的晶片w和受熱晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜。此時(shí)，可由使用圖9所示的薄膜沉積裝置直接將等離子施加到反應(yīng)室10中的直接等離子法或使用圖10所示的薄膜沉積裝置將等離子反應(yīng)氣體施加到反應(yīng)室10中的遠(yuǎn)端等離子法來(lái)施加等離子?？蓛H饋入反應(yīng)氣體，且可饋入反應(yīng)氣體和惰性氣體的混合物。
本實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同之處在于，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。其他的類(lèi)似于第一實(shí)施例，因此將省略其描述。由于反應(yīng)氣體由等離子激活，因而可增加沉積速率。
第八實(shí)施例圖12是繪示根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
參考圖12，根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S120，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S210，其在饋入和凈化第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S120而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。在反應(yīng)氣體饋入步驟S210中，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。
本實(shí)施例與第二實(shí)施例的不同之處在于，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。其他的類(lèi)似于第二實(shí)施例，因此將省略其描述。
第九實(shí)施例圖13是繪示根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
參考圖13，根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S220，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S210，其在饋入和凈化第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S220而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。在反應(yīng)氣體饋入步驟S210中，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。
本實(shí)施例與第三實(shí)施例的不同之處在于，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。其他的類(lèi)似于第三實(shí)施例，因此將省略其描述。
第十實(shí)施例圖14是繪示根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖。
參考圖14，根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S320，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S210，其在饋入和凈化第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S320而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。在反應(yīng)氣體饋入步驟S210中，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。
如圖14所示，Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S320通過(guò)依次執(zhí)行下列步驟來(lái)執(zhí)行饋入步驟S321，在時(shí)間t1期間將第一前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10中；凈化步驟S322，在時(shí)間t2期間使用惰性氣體凈化第一前驅(qū)體；饋入步驟S323，在時(shí)間t3期間饋入第二前驅(qū)體；凈化步驟S324，在時(shí)間t4期間使用惰性氣體凈化第二前驅(qū)體；饋入步驟S325，在時(shí)間t5期間饋入第三前驅(qū)體；凈化步驟S326，在時(shí)間t6期間使用惰性氣體凈化第三前驅(qū)體；饋入步驟S327，在時(shí)間t7期間再次饋入第二前驅(qū)體；以及凈化步驟S328，再次使用惰性氣體凈化第二前驅(qū)體。此處，第一前驅(qū)體包含Ge，第二前驅(qū)體包含Te，且第三前驅(qū)體包含Sb。
此時(shí)，與第一實(shí)施例相似，可通過(guò)調(diào)整第一到第三前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度或在蒸汽壓力和溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整用于饋入第一到第三前驅(qū)體的時(shí)間t1、t3、t5和t7或載氣的量來(lái)調(diào)整Ge-Sb-Te薄膜的元素的成分。
第十一實(shí)施例圖15是繪示根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖，第十一實(shí)施例是第七實(shí)施例的變更實(shí)例。
參考圖15，根據(jù)本發(fā)明第十一實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S310，其僅在饋入第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S20而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。在反應(yīng)氣體饋入步驟S310中，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。
本實(shí)施例與第七實(shí)施例的不同之處在于僅在饋入第一到第三前驅(qū)體的步驟S21、S23和S25中饋入反應(yīng)氣體和施加等離子。其他的類(lèi)似于第七實(shí)施例，因此將省略其描述。換句話(huà)說(shuō)，根據(jù)本實(shí)施例，不連續(xù)地在饋入反應(yīng)氣體的步驟中施加等離子。
第十二實(shí)施例圖16是繪示根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖，第十二實(shí)施例是第八實(shí)施例的變更實(shí)例。
參考圖16，根據(jù)本發(fā)明第十二實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S120，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S310，其僅在饋入第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S120而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。在反應(yīng)氣體饋入步驟S310中，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。
本實(shí)施例與第八實(shí)施例的不同之處在于僅在饋入第一和第二前驅(qū)體的步驟S121和饋入第二和第三前驅(qū)體的步驟S123中饋入反應(yīng)氣體和施加等離子。其他的類(lèi)似于第八實(shí)施例，因此將省略其描述。
第十三實(shí)施例圖17是繪示根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖，第十三實(shí)施例是第九實(shí)施例的變更實(shí)例。
參考圖17，根據(jù)本發(fā)明第十三實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S220，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S310，其僅在饋入第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S220而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。在反應(yīng)氣體饋入步驟S310中，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。
本實(shí)施例與第九實(shí)施例的不同之處在于僅在饋入第一到第三前驅(qū)體的步驟S221中饋入反應(yīng)氣體和施加等離子。其他的類(lèi)似于第九實(shí)施例，因此將省略其描述。
第十四實(shí)施例圖18是繪示根據(jù)本發(fā)明第十四實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法的流程圖，第十四實(shí)施例是第十實(shí)施例的變更實(shí)例。
參考圖18，根據(jù)本發(fā)明第十四實(shí)施例的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法包含Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S320，其將包含Ge、Sb和Te中任一者的第一前驅(qū)體、包含Ge、Sb和Te中另一者的第二前驅(qū)體和包含Ge、Sb和Te中其他一者的第三前驅(qū)體饋入反應(yīng)室10并從反應(yīng)室10中凈化，在反應(yīng)室10中晶片w經(jīng)安裝以在晶片w上沉積Ge-Sb-Te薄膜；反應(yīng)氣體饋入步驟S310，其僅在饋入第一到第三前驅(qū)體時(shí)將反應(yīng)氣體饋入反應(yīng)室10中；以及通過(guò)重復(fù)Ge-Sb-Te薄膜形成步驟S320而調(diào)整形成的膜的厚度的步驟。在反應(yīng)氣體饋入步驟S310中，當(dāng)饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室10中。
本實(shí)施例與第十實(shí)施例的不同之處在于僅在饋入第一到第三前驅(qū)體的步驟S321、S323、S325和S327中饋入反應(yīng)氣體和施加等離子。其他的類(lèi)似于第十實(shí)施例，因此將省略其描述。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的沉積Ge-Sb-Te薄膜的方法，在饋入包含H2或NH3的反應(yīng)氣體期間，在調(diào)整前驅(qū)體的量的同時(shí)饋入和凈化包含Ge的前驅(qū)體、包含Sb的前驅(qū)體和包含Te的前驅(qū)體。因此，能夠有效地將Ge-Sb-Te薄膜沉積在晶片上。
此時(shí)，可通過(guò)調(diào)整前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度或在蒸汽壓力和溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整用于饋入第一到第三前驅(qū)體的時(shí)間或載氣的量來(lái)調(diào)整Ge-Sb-Te薄膜的元素的成分。由于前驅(qū)體以氣體狀態(tài)饋入，因而能夠改進(jìn)階梯覆蓋。
當(dāng)在饋入反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到反應(yīng)室中時(shí)，能夠通過(guò)激活反應(yīng)氣體來(lái)增加沉積速率。
權(quán)利要求
1.一種沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其包括鍺-銻-碲薄膜形成步驟，將包含鍺、銻和中任一者的第一前驅(qū)體、包含鍺、銻和碲中另一者的第二前驅(qū)體以及包含鍺、銻和碲中其他一者的第三前驅(qū)體饋入安裝晶片的反應(yīng)室中并從所述反應(yīng)室中凈化，且在所述晶片上形成所述鍺-銻-碲薄膜；以及反應(yīng)氣體饋入步驟，在饋入所述第一前驅(qū)體到第三前驅(qū)體中的任一者時(shí)饋入反應(yīng)氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中在凈化所述第一前驅(qū)體到所述第三前驅(qū)體中的任一者時(shí)饋入所述反應(yīng)氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中在饋入所述反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到所述反應(yīng)室中。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中在饋入所述反應(yīng)氣體時(shí)將等離子施加到所述反應(yīng)室中。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中通過(guò)依次執(zhí)行饋入所述第一前驅(qū)體的饋入步驟、凈化所述第一前驅(qū)體的凈化步驟、饋入所述第二前驅(qū)體的饋入步驟、凈化所述第二前驅(qū)體的凈化步驟、饋入所述第三前驅(qū)體的饋入步驟、凈化所述第三前驅(qū)體的凈化步驟、再次饋入所述第二前驅(qū)體的饋入步驟以及再次凈化所述第二前驅(qū)體的凈化步驟，以執(zhí)行所述鍺-銻-碲薄膜形成步驟，所述第一前驅(qū)體包含鍺，所述第二前驅(qū)體包含銻，以及所述第三前驅(qū)體包含碲。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中可通過(guò)調(diào)整所述第一前驅(qū)體到所述第三前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度或在所述蒸汽壓力和所述溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整用于饋入所述第一前驅(qū)體到第三前驅(qū)體的時(shí)間或載氣的量，來(lái)調(diào)整所述鍺-銻-碲薄膜的元素的成分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求中所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中通過(guò)依次執(zhí)行饋入所述第一前驅(qū)體的饋入步驟、凈化所述第一前驅(qū)體的凈化步驟、饋入所述第二前驅(qū)體的饋入步驟、凈化所述第二前驅(qū)體的凈化步驟、饋入所述第三前驅(qū)體的饋入步驟以及凈化所述第三前驅(qū)體的凈化步驟，來(lái)執(zhí)行所述鍺-銻-碲薄膜形成步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中可通過(guò)調(diào)整所述第一前驅(qū)體到所述第三前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度或在所述蒸汽壓力和所述溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整用于饋入所述第一前驅(qū)體到第三前驅(qū)體的時(shí)間或載氣的量，來(lái)調(diào)整所述鍺-銻-碲薄膜的元素的成分。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求中所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中通過(guò)依次執(zhí)行同時(shí)饋入所述第一前驅(qū)體和所述第二前驅(qū)體的饋入步驟、同時(shí)凈化所述第一前驅(qū)體和所述第二前驅(qū)體的凈化步驟、同時(shí)饋入所述第二前驅(qū)體和所述第三前驅(qū)體的饋入步驟以及同時(shí)凈化所述第二前驅(qū)體和所述第三前驅(qū)體的凈化步驟，來(lái)執(zhí)行所述鍺-銻-碲薄膜形成步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中可通過(guò)調(diào)整所述第一前驅(qū)體到所述第三前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度或在所述蒸汽壓力和溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整用于饋入所述第一前驅(qū)體和第二前驅(qū)體的時(shí)間以及用于饋入所述第二前驅(qū)體和第三前驅(qū)體的時(shí)間或載氣的量，來(lái)調(diào)整所述鍺-銻-碲薄膜的元素的成分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求中所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中通過(guò)依次執(zhí)行同時(shí)饋入所述第一前驅(qū)體到所述第三前驅(qū)體的饋入步驟以及同時(shí)凈化所述第一前驅(qū)體到所述第三前驅(qū)體的凈化步驟，來(lái)執(zhí)行所述鍺-銻-碲薄膜形成步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中可通過(guò)調(diào)整所述第一前驅(qū)體到所述第三前驅(qū)體的蒸汽壓力和溫度或在所述蒸汽壓力和所述溫度固定的狀態(tài)下調(diào)整用于饋入所述第一前驅(qū)體到所述第三前驅(qū)體的時(shí)間或載氣的量，來(lái)調(diào)整所述鍺-銻-碲薄膜的元素的成分。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中所述反應(yīng)氣體是從由氫氣和氨氣構(gòu)成的組中選出的至少一者或從由氫氣和氨氣構(gòu)成的組中選出的至少一者與惰性氣體的混合物。
14.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中所述反應(yīng)氣體是從由氫氣、氨氣和氦氣構(gòu)成的組中選出的至少一者或從由氣、氣和氦氣構(gòu)成的組中選出的至少一者與惰性氣體的混合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求中所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中所述晶片的溫度在20℃到700℃的范圍內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一權(quán)利要求中所述的沉積鍺-銻-碲薄膜的方法，其特征在于其中所述反應(yīng)室的壓力在0.1托到100托的范圍內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明提供沉積鍺－銻－碲薄膜的方法，其包含鍺－銻－碲薄膜形成步驟，其將包含鍺、銻和碲中任一者的第一前驅(qū)體、包含鍺、銻和碲中另一者的第二前驅(qū)體以及包含鍺、銻和碲中其他一者的第三前驅(qū)體饋入安裝晶片的反應(yīng)室中并從反應(yīng)室中凈化，且在所述晶片上沉積所述鍺－銻－碲薄膜；以及反應(yīng)氣體饋入步驟，其在饋入第一到第三前驅(qū)體中的任一者時(shí)饋入反應(yīng)氣體。
文檔編號(hào)C23C16/513GK1920092SQ20061011153
公開(kāi)日2007年2月28日 申請(qǐng)日期2006年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月24日
發(fā)明者李正旭, 趙炳哲, 李起薰, 徐泰旭 申請(qǐng)人:株式會(huì)社整合制程系統(tǒng)