專利名稱：寬溫度范圍的卡盤系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及用于半導(dǎo)體處理裝置的工件支撐卡盤的溫度控制，更具體地是涉及類卡盤的快速加熱和冷卻。
背景技術(shù)：
在很多半導(dǎo)體處理步驟(例如蝕刻、沉積、退火等)中，工件(例如硅晶片、玻璃襯底等)被支撐在處理腔內(nèi)。當(dāng)工件被加熱到規(guī)定溫度時(shí)，氣體和/或等離子體反應(yīng)物被供給到工件表面。
通常，較高的溫度有助于獲得較高的反應(yīng)速率，因而獲得較高的工件生產(chǎn)量。但是，較高的溫度有時(shí)會(huì)對(duì)部分加工的集成電路上的結(jié)構(gòu)造成損害。另外，某些化學(xué)反應(yīng)在較低的溫度下才能最有效地進(jìn)行。
在本領(lǐng)域有很多已知的結(jié)構(gòu)和方法用于控制處理腔內(nèi)的工件溫度。例如，通過由石英制成的“冷壁”將輻射熱聚焦到工件上。輻射熱經(jīng)常用于很高溫度的處理(例如，大于500℃)，在這種高溫情況下，希望在每個(gè)工件的處理循環(huán)期間提高和降低溫度。
在其它的方案中，可以通過加熱工件支架或卡盤來調(diào)節(jié)工件溫度。常規(guī)意義上，術(shù)語“卡盤”指的是用于處理工件的支架，當(dāng)工件在循環(huán)中被傳遞到處理腔內(nèi)、在處理腔內(nèi)被處理以及被傳遞出處理腔的時(shí)候，該支架保持恒溫。
一些系統(tǒng)，特別是等離子體處理系統(tǒng)，需要冷卻卡盤而不是加熱卡盤來保持所需的卡盤溫度。一些等離子體處理向卡盤施加了相當(dāng)?shù)臒彷d荷，這取決于化學(xué)和工藝參數(shù)。如果卡盤不提供消除這個(gè)熱載荷的裝置，卡盤溫度就會(huì)升到所需的規(guī)定溫度之上。這通常發(fā)生在低溫處理中，因?yàn)榭ūP溫度接近于周圍處理腔的溫度，卡盤和處理腔之間的輻射傳熱不足。如果處理腔溫度比卡盤溫度還高，情況會(huì)更槽。
在較高溫度的處理中，卡盤和周圍處理腔間的輻射傳熱通常足以抵消由該處理產(chǎn)生的熱載荷。在工業(yè)中經(jīng)常利用液體來加熱卡盤并散去額外的熱量。然而，利用液體加熱來進(jìn)行高溫處理是危險(xiǎn)且不經(jīng)濟(jì)的。另外，改變卡盤溫度要求改變流體溫度，這個(gè)過程較慢，因而降低了生產(chǎn)量。
發(fā)明內(nèi)容
用一個(gè)卡盤獲得兩個(gè)溫度級(jí)別的一種方法，就是用電熱源來執(zhí)行高溫處理并用液熱源來進(jìn)行低溫處理。例如，在美國(guó)專利6,461,801中已經(jīng)公開了這樣的系統(tǒng)被。然而，在這樣的系統(tǒng)中，進(jìn)行高溫處理的時(shí)候應(yīng)當(dāng)將液體從卡盤清除以避免液體在卡盤內(nèi)沸騰。這通常是耗時(shí)并降低產(chǎn)量的。因此，需要一種改進(jìn)的系統(tǒng)用于對(duì)工件支撐卡盤提供溫度控制。
因此，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供了一種在處理腔內(nèi)處理工件的方法。該實(shí)施例的方法包括將第一卡盤加熱到第一溫度，將第二卡盤冷卻到低于所述第一溫度的第二溫度，將待處理工件放置到所述第一卡盤的支撐表面上，并通過調(diào)節(jié)所述第一卡盤和所述第二卡盤間的熱交換速度來控制所述第一卡盤的溫度。
在一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)節(jié)熱交換速度包括，以物理方式改變所述第一卡盤與所述第二卡盤的間距。以物理方式改變所述第一卡盤與所述第二卡盤的間距包括，將所述卡盤放置成直接地彼此物理接觸。在另一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)節(jié)熱交換速度包括改變進(jìn)入到所述第一卡盤和所述第二卡盤之間的空間內(nèi)的氣體流速。在另一個(gè)實(shí)施例中，調(diào)節(jié)熱交換速度包括改變影響所述第二卡盤散熱速度的參數(shù)。例如，可以調(diào)節(jié)在穿過所述第二卡盤循環(huán)的冷卻流體的流速。
另一個(gè)實(shí)施例提供了一種裝置，用于支撐處理腔內(nèi)的工件。該實(shí)施例的裝置包括連到第一卡盤的加熱器，該第一卡盤具有用于支撐所述工件的表面。所述裝置進(jìn)一步包括第二卡盤，該第二卡盤讓冷卻裝置連接到其上。所述第二卡盤可以與所述第一卡盤熱連接從而可以改變所述第一卡盤和所述第二卡盤間的熱交換速度。在一些實(shí)施例中，所述裝置進(jìn)一步包括一個(gè)控制系統(tǒng)，該系統(tǒng)被設(shè)置成可以通過改變所述第一卡盤和所述第二卡盤間的熱交換速度來控制所述第一卡盤的溫度。
又一個(gè)實(shí)施例提供了在一種裝置中處理工件的一種方法，該裝置包括第一加熱卡盤和第二冷卻卡盤。該實(shí)施例的方法包括將所述工件放到所述第一卡盤上，相對(duì)于所述第一卡盤將所述第二卡盤定位在第一位置，和在第一溫度下在所述工件上進(jìn)行第一處理。然后相對(duì)于所述第一卡盤移動(dòng)所述第二卡盤直到所述第二卡盤位于相對(duì)于所述第一卡盤的第二位置，和在第二溫度下在所述工件上進(jìn)行第二處理。
在又一個(gè)實(shí)施例中，在一種裝置中處理工件的一種方法包括提供第一卡盤和第二卡盤。這個(gè)實(shí)施例的方法包括在所述第一卡盤上定位所述工件，使所述第二卡盤離所述第一卡盤為第一距離。所述方法包括在所述工件上開始光阻材料清除處理，通過將所述第二卡盤移動(dòng)到離所述第一卡盤為第二距離的位置來改變所述第一卡盤的溫度，和繼續(xù)在所述工件上進(jìn)行所述光阻材料清除處理。
在另一個(gè)實(shí)施例中，一種方法包括在第一溫度下在第一批工件上進(jìn)行第一光阻材料清除處理，朝著所述第一卡盤移動(dòng)第二卡盤，和在低于所述第一溫度的第二溫度下在第二批工件上進(jìn)行清理處理。
上面總結(jié)了本發(fā)明的總體性質(zhì)，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，根據(jù)下面參考附圖所進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的實(shí)施例及其變型將會(huì)變得更加清晰，其中圖1是一種溫控雙卡盤裝置的示意性圖示；圖2是位于處理腔內(nèi)的一種雙卡盤裝置的示意性剖面圖；圖3是圖2中的系統(tǒng)的示意性部件分解透視剖面圖；圖4是說明使用雙卡盤裝置的一種方法的流程圖；圖5是說明使用雙卡盤裝置的一種方法的流程圖；圖6是說明使用雙卡盤裝置的一種方法的流程圖；圖7是說明使用雙卡盤裝置的一種方法的流程圖；具體實(shí)施方式
參考附圖，用于支撐工件的溫度控制裝置的一些優(yōu)選實(shí)施例包括熱源和散熱器，其中該熱源被設(shè)置成能夠向工件支架輸入熱量，而散射器被設(shè)置能從支架散熱。在一個(gè)實(shí)施例中，例如圖1所示的，熱源被提供在第一卡盤10中，工件被支撐在第一卡盤上，散熱器被提供在第二卡盤20中，該第二卡盤被定位成鄰近第一卡盤10。
總體上，第一卡盤(或“熱卡盤”)10被設(shè)置成能夠以有源的方式被加熱，并能夠在其上表面上(或在從其向上延伸的支撐銷上)支撐工件。第二卡盤(或“冷卡盤”)20的溫度通常被保持為低于第一卡盤10的溫度，并被設(shè)置成能夠通過輻射、對(duì)流和/或傳導(dǎo)等熱傳遞方式散走熱卡盤10的熱量。熱卡盤和冷卡盤之間熱傳遞的速度可以通過調(diào)節(jié)若干參數(shù)中的任一個(gè)來改變，這些參數(shù)例如卡盤10、20的間距；冷卡盤的溫度或從冷卡盤的熱傳遞速度；占據(jù)卡盤之間空間的氣體的數(shù)量或組分，或其它本領(lǐng)域技術(shù)人員意識(shí)到的參數(shù)。
在圖1所示的實(shí)施例中，熱卡盤10通過嵌入在卡盤10內(nèi)的電加熱元件36被加熱。普通技術(shù)人員能夠選擇一種合適的加熱元件或其它的熱源來用于如本文所描述的工件卡盤中。具有加熱元件的熱卡盤的一個(gè)實(shí)例在美國(guó)專利6,60,975中有所描述。或者，熱卡盤可以通過其它方式被加熱，例如輻射加熱器、流體加熱器、熱電器件等。
熱卡盤10可以具有任意合適的結(jié)構(gòu)。例如，卡盤10可以包括真空溝槽用于將工件固定就位，或者工件可以通過重力被固定就位。熱卡盤10可以由任何合適的材料制成，通常是具有高導(dǎo)熱率的材料。在一個(gè)實(shí)施例中，熱卡盤10由例如氮化鋁(AlN)的一種陶瓷材料制成，質(zhì)量為約700-約2500克之間，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，質(zhì)量為大約1200克。因?yàn)锳lN具有較高的導(dǎo)熱率、在高溫下的剛性、和抗腐蝕性而成為用于本系統(tǒng)期望材料?；蛘?，熱卡盤10可以由任何其它合適的金屬或陶瓷材料制成。在所示的實(shí)施例中，熱卡盤10相對(duì)于處理腔50(參考圖2和圖3)被靜止地支撐或固定，熱卡盤位于在處理腔內(nèi)。然而，在備選實(shí)施例中，熱卡盤10可以被設(shè)置成在處理腔內(nèi)是可移動(dòng)的。
冷卡盤20同樣可以由任意合適的材料制成。在一個(gè)實(shí)施例中，冷卡盤20的材料被選成是具有高導(dǎo)熱率，在一些實(shí)施例中，冷卡盤20也可以被選擇成是相對(duì)于熱卡盤10具有高質(zhì)量和高熱容量(即材料的比熱與密度的乘積)，熱卡盤優(yōu)選地具有相對(duì)低的質(zhì)量和熱容量。在一個(gè)實(shí)施例中，冷卡盤20由純鋁或鋁合金制成，并且質(zhì)量為約3,000克-約10,000克，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，質(zhì)量為約5,000克。這樣，在某些實(shí)施例中，熱卡盤的質(zhì)量有利地為冷卡盤質(zhì)量的約20％和30％之間。在一些優(yōu)選實(shí)施例中，熱卡盤的質(zhì)量在冷卡盤質(zhì)量的約23％和約28％之間，在一個(gè)特定的實(shí)施例中，熱卡盤的質(zhì)量是冷卡盤質(zhì)量的約24％。
在一個(gè)實(shí)施例中，特別希望的是提供由AlN陶瓷制成的質(zhì)量約1,200克的熱卡盤，結(jié)合由鋁制成的質(zhì)量約5,000克的冷卡盤。這些材料相對(duì)于彼此具有獨(dú)特所需的物理性質(zhì)和熱性質(zhì)。或者，其它具有較大熱容量的材料，例如鈹、硼、鉻、銅等，也能以合適的質(zhì)量被利用。然而，鋁之外的金屬通常配有保護(hù)鍍層從而得以存在于等離子體環(huán)境中，并得以在半導(dǎo)體處理期間避免金屬污染。在以下更詳細(xì)地討論的一個(gè)實(shí)施例中，冷卡盤20可以根據(jù)需要相對(duì)于熱卡盤10移動(dòng)從而增大或減小熱冷卡盤10、20間的間距(或間隙)24。
在圖1所示的實(shí)施例中，液流槽道30被設(shè)置在冷卡盤20中?？梢岳斫獾氖?，槽道30可以串連起來從而確定彎曲穿過卡盤20的單個(gè)路徑，或并聯(lián)起來從而提供穿過冷卡盤20的多個(gè)流體路徑。熱交換流體，例如水、水和乙二醇的混合物、或其它合適的冷卻氣體或液體，在冷卡盤20內(nèi)循環(huán)以冷卻卡盤20。
這樣的一種流體冷卻系統(tǒng)通常也包括泵或其它器件，用于使冷卻流體穿過槽道30在冷卡盤20內(nèi)循環(huán)。在相對(duì)低溫下存儲(chǔ)熱交換流體的液流源(未示出)，經(jīng)由供給線42和回線44與冷卡盤20中的液流槽道連通。流控閥(未示出)可以被設(shè)置在液流線中以調(diào)節(jié)熱交換流體穿過冷卡盤20的流速?？梢赃x擇地，熱交換流體的流速可以通過改變抽運(yùn)速率或其它參數(shù)來設(shè)置。
在另外的備選實(shí)施例中，冷卡盤20可以根據(jù)需要通過其它方法或器件被冷卻。例如，冷卡盤可以被熱電冷卻器(TEC)或任何其它能使物體散熱的器件。
現(xiàn)在參考圖2和圖3，所示的熱卡盤10和冷卡盤20在處理腔50內(nèi)。如所示的那樣，支柱54可以被設(shè)置成在熱卡盤10和處理腔50底面間延伸，從而在處理腔50內(nèi)支撐熱卡盤10?；蛘?，可以用任何其它認(rèn)為合適的方式來支撐熱卡盤10。在一些實(shí)施例中，熱卡盤10相對(duì)于處理腔50的位置是固定的?；蛘?，除了冷卡盤20可以移動(dòng)之外，熱卡盤可以被設(shè)置成能夠在處理腔內(nèi)移動(dòng)，或者熱卡盤可以被設(shè)置成代替冷卡盤20在處理腔內(nèi)移動(dòng)?？梢耘渲萌舾善鹉ｍ敆U38，以在加載或卸載工件期間將工件抬離熱卡盤10。
如圖2和圖3所示，冷卡盤20通過中心柱58被支撐在熱卡盤10下。中心柱58從冷卡盤20的中心穿過處理腔50的底部到位置控制系統(tǒng)62?？梢栽诶淇ūP20中設(shè)置若干通孔60，從而使得熱卡盤10的支柱54可以延伸穿過處理腔50的底面?；蛘撸谝豢ūP10可以在四周被支撐，例如被支撐在從處理腔50側(cè)壁延伸的托架上或以任何其它合適的方式被支撐。
入口通道64通常穿過處理腔50的頂部，從而使得處理氣體通過入口折流板65和噴頭板66進(jìn)入處理腔50。排出通道68可以穿過處理腔50的底部。如圖所示，中心流出(center-draw)的折流板70可以設(shè)置在冷卡盤20下，該折流板70具有中心開口72。折流板70可以使處理氣體更加均勻地在工件上流動(dòng)，從入口通道64到排出通道68。
在圖2所示的一個(gè)實(shí)施例中，柔性膜盒或風(fēng)箱(bellow)76繞著中心柱58設(shè)置，從而將流體供給線42、流體回線44、氣體供給線74、和支撐柱58與處理腔50內(nèi)的處理氣體隔離開。膜盒76也可以優(yōu)選地被設(shè)置成可以隨著冷卡盤20在處理腔內(nèi)的豎直移動(dòng)而彎曲，從而保持處理腔50和膜盒76內(nèi)空間之間的氣壓不同。膜盒76可以由任何合適的抗腐蝕材料制成，例如INCONELTM合金或其它的鎳基合金。流體供給線42和流體回線44與柱58并排延伸穿過膜盒76到冷卡盤20。氣體供給線74優(yōu)選地也與支撐柱58并排延伸穿過膜盒76，從而向卡盤10、20間的間隙24提供惰性氣體。在一個(gè)實(shí)施例中，如所示的那樣，氣體供給線可以終止在氣體出口75。在備選實(shí)施例中，氣體74和/或流體42、44線可以通過支撐柱的中心、支柱54、或任何其它的結(jié)構(gòu)來被設(shè)置路線，從而向冷卡盤20和/或卡盤間的間隙24提供所需的流體連通。在另外備選實(shí)施例中，氣體和/或流體線可以延伸穿過處理腔的側(cè)壁，而且可以直接暴露到處理氣體中(如果這些線是由能夠抵抗處理氣體損害的合適材料制成)。流體線延伸穿過側(cè)壁的實(shí)施例尤其適用與冷卡盤在處理腔內(nèi)是靜止的系統(tǒng)。
在所示的實(shí)施例中，冷卡盤20可以相對(duì)于熱卡盤10豎直地移動(dòng)?？梢愿鶕?jù)需要來設(shè)置任何合適的電動(dòng)機(jī)和位置控制裝置，驅(qū)動(dòng)支撐柱58和冷卡盤20朝向或離開熱卡盤10。例如，在一些實(shí)施例中，中心柱58可以通過齒條齒輪或蝸桿來上升或下降?？梢赃x擇地，冷卡盤20可以由多個(gè)可移動(dòng)的支架來支撐，而不是由單個(gè)柱來支撐。
參考圖1一圖3，現(xiàn)在將描述溫控工件支架實(shí)施例的操作方法。溫控工件支架的實(shí)施例有利地允許在寬溫度范圍內(nèi)對(duì)熱卡盤10進(jìn)行快速加熱和冷卻。熱卡盤10溫度的增加通常是由增加熱卡盤10內(nèi)加熱器36的功率(或者改變流體加熱系統(tǒng)中流體的溫度或流速)來實(shí)現(xiàn)。降低熱卡盤10的溫度可以通過改變從熱卡盤10到冷卡盤20的熱交換速度來實(shí)現(xiàn)。熱卡盤10和冷卡盤20之間的熱交換速度可以通過調(diào)節(jié)若干參數(shù)中的任一個(gè)來改變，這些參數(shù)例如卡盤10、20的間距24；冷卡盤的溫度；占據(jù)卡盤之間空間的氣體的數(shù)量或類型，或其它普通技術(shù)人員意識(shí)到的參數(shù)。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，惰性氣體被持續(xù)地注入到卡盤間的間隙24內(nèi)。這使得熱量通過氣體的“自由對(duì)流”和(一定程度上)傳導(dǎo)來從熱卡盤傳到冷卡盤。普通技術(shù)人員可以意識(shí)到的是(與其它因素一起)，氣體的類型和氣體注入和/或清除的速度可以影響卡盤間的熱交換速度。如果卡盤10、20發(fā)生物理接觸，傳導(dǎo)變成它們之間的主導(dǎo)熱交換方式。普通技術(shù)人員能夠意識(shí)到的是，傳導(dǎo)熱交換取決于溫差和卡盤材料的特定熱狀況、以及其它因素。這樣，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，熱卡盤10的溫度由增大或減小(可能到零)卡盤10、20間的間隙24來控制。
術(shù)語“熱連接”在此以其慣常的意義被使用，并不是限制性的，指的是將熱卡盤和冷卡盤間的熱交換速度增大到或超過所需水平的操作。普通技術(shù)人員能夠認(rèn)識(shí)到的是，使熱卡盤和冷卡盤發(fā)生直接物理接觸就可以達(dá)到熱交換的最大速度。然而，對(duì)于給定的系統(tǒng)，足以“熱連接”卡盤所需的熱交換水平可以小于最大值。這樣，在一些實(shí)施例中，如果卡盤彼此鄰近(例如，小于大約2毫米)但并沒有物理接觸彼此，卡盤就可以視為“熱連接”。同樣，術(shù)語“熱分離”在此以其慣常的意義被使用，并不是限制性的，指的是將熱卡盤和冷卡盤間的熱交換速度減小到所需最小值的操作。普通技術(shù)人員可以理解的是，所需的熱交換速度最小值可以不必是給定系統(tǒng)能夠達(dá)到的絕對(duì)最小值。
對(duì)于高溫處理(例如大于約110℃)而言，通過使卡盤熱分離就可以增加從熱卡盤到冷卡盤的熱交換速度。在一些實(shí)施例中，通過將冷卡盤20向下移動(dòng)離開熱卡盤10就可以使卡盤熱分離。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)冷卡盤被移動(dòng)到離開熱卡盤10至少約0.5英寸(約1.27厘米)的位置時(shí)，冷卡盤20就從熱卡盤10熱分離開。在另外的實(shí)施例中，在以下情況下卡盤可以被設(shè)置成是熱分離，即，卡盤10、20被分開更小或更大的距離、或另一個(gè)參數(shù)例如冷卻流體的流速或注入到卡盤間間隙的氣體流速被調(diào)節(jié)到特定的水平。
對(duì)于低溫處理(例如，低于大約110℃)而言，冷卡盤20向上移動(dòng)或朝熱卡盤10移動(dòng)。優(yōu)選地，冷卡盤20可以移動(dòng)到與熱卡盤10接觸從而增大熱卡盤10和冷卡盤20間的熱交換速度。在另外備選實(shí)施例中，直接熱傳導(dǎo)或絕緣結(jié)構(gòu)或材料可以放置在熱卡盤和冷卡盤間以改變其間的熱交換速度。
在一個(gè)實(shí)施例中，熱卡盤10的所需溫度是由外部閉環(huán)溫度控制器(未示出)來控制的，該控制器被設(shè)置成能夠從熱電偶80接收溫度測(cè)量值，并控制以上討論的影響熱交換速度的參數(shù)。如果熱卡盤10的測(cè)量溫度高于所需溫度，控制器就減小或關(guān)閉加熱元件36的功率?？刂破饕部梢韵蛏铣療峥ūP10升高冷卡盤20從而熱連接卡盤10、20。
在一些實(shí)施例中，當(dāng)冷卡盤被移動(dòng)到離熱卡盤10小于0.5英寸(12.7毫米)的位置時(shí)，冷卡盤20就熱連接到熱卡盤10。在一個(gè)特定的實(shí)施例中，當(dāng)冷卡盤移動(dòng)到與熱卡盤10接觸時(shí)，冷卡盤20熱連接到熱卡盤10。當(dāng)冷卡盤20接觸熱卡盤10的時(shí)候，熱卡盤10的溫度通常會(huì)急劇下降，這是因?yàn)榕c冷卡盤20相比其低質(zhì)量和熱容量。冷卡盤20的溫度只會(huì)平穩(wěn)地上升，這是因?yàn)槠涓哔|(zhì)量和高熱容量。
如以上討論的那樣，如果卡盤間存在間隙，惰性氣體可以被供給到熱卡盤10和冷卡盤20之間從而增大卡盤10、20間的熱交換速度。例如，即使卡盤10、20彼此物理接觸，由于卡盤配合表面中的粗糙不同，可能會(huì)存在間隙。普通技術(shù)人員可以意識(shí)到，與真空情形相比，如果存在氣體，跨越任何間隙的熱交換會(huì)更快。因此，在一些實(shí)施例中，可以將惰性氣體選擇成具有盡可能高的導(dǎo)熱率。這樣卡盤10、20間的溫度平衡可以相對(duì)快地達(dá)到。
為了將熱卡盤10的溫度保持在所需的范圍內(nèi)，控制器可以調(diào)節(jié)系統(tǒng)參數(shù)以增大或減小從熱卡盤10的熱交換速度，因此升高或降低熱卡盤10的溫度。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，如果熱卡盤10的測(cè)量溫度低于所需溫度，控制器就重新啟動(dòng)熱卡盤10的加熱元件36從而升高熱卡盤10的溫度。熱卡盤10如所需的低質(zhì)量和熱容量使得熱卡盤10的溫度能夠快速改變。如果測(cè)量溫度高于熱卡盤10的所需溫度，當(dāng)熱交換流體穿過冷卡盤20循環(huán)時(shí)，加熱元件36可以保持未啟動(dòng)以從卡盤10、20散掉額外的熱量。
在一些實(shí)施例中，所示的工件支架裝置可以實(shí)施在微波等離子體灰化機(jī)(asher)中，用于從集成電路工件中去除有機(jī)光阻材料。灰化機(jī)可以利用遠(yuǎn)程微波等離子體源，該等離子體源能夠在處理腔的上游側(cè)產(chǎn)生氧和/或氟原子團(tuán)?？梢赃x擇地，該裝置可以在處理腔50內(nèi)使用內(nèi)部射頻(RF)等離子體發(fā)生器。
如先前指出的那樣，所示裝置的一些實(shí)施例特別用于光阻材料的清除和/或清理操作。在半導(dǎo)體加工的不同階段，光阻材料被涂到工件上，而后從工件上被清除掉。如以下實(shí)例所述的那樣，所示裝置可以用于很多光阻材料清除情形下。例如，所示裝置特別地用于兩步光阻材料清除工藝，其中一個(gè)處理步驟執(zhí)行的溫度高于另一個(gè)處理步驟。通過調(diào)節(jié)熱卡盤和冷卡盤10、20間的熱交換速度，一個(gè)處理步驟可以緊接著另一個(gè)處理步驟被執(zhí)行，而不必將工件從處理腔50取出。另外，可以使用所示裝置以不同的溫度處理不同批的工件。第一批工件可以在處理腔50內(nèi)以第一溫度被處理。然后，通過調(diào)節(jié)卡盤10、20間的距離(或另一個(gè)影響卡盤間熱交換速度的參數(shù))，可以緊接著在處理腔50內(nèi)以第二溫度處理第二批工件。
圖4示出在兩步植入后光阻材料清除工藝中使用溫控工件支撐系統(tǒng)的一種方法的一個(gè)實(shí)例。在半導(dǎo)體加工的初始階段中，半導(dǎo)體襯底的區(qū)域通過光阻材料掩模被植入摻質(zhì)劑(例如，硼、磷、砷)。在很多其它摻雜步驟中，類似地通過掩模來進(jìn)行離子植入。離子植入工藝導(dǎo)致在光阻材料頂面的硬殼。在高溫步驟期間的釋氣會(huì)被硬殼阻滯，直到在光阻材料內(nèi)建立爆炸壓強(qiáng)，從而可能會(huì)引起對(duì)部分加工過的工件以及反應(yīng)器的損害。傳統(tǒng)地，使用可以避免過量氣體累積的低溫清除工藝使這種風(fēng)險(xiǎn)最小化。
這樣，在光阻材料清除工藝的一個(gè)實(shí)例中，當(dāng)熱交換流體穿過冷卡盤20循環(huán)時(shí)，熱卡盤和冷卡盤是熱連接110的，在低溫下首先進(jìn)行初始清除120直到阻滯硬殼從光阻材料清除掉。在初始步驟期間工件溫度優(yōu)選地被保持在大約100℃到140℃之間，更優(yōu)選地在大約110℃到125℃之間。反應(yīng)氣體可以包括氧化劑以幫助光阻材料的氧化(例如，O2，優(yōu)選地被轉(zhuǎn)換成氧原子團(tuán))；氟源以幫助植入部分的清除(例如，NF3或CF4，優(yōu)選地被轉(zhuǎn)換成氟原子團(tuán))；和稀釋氣體(例如，He或Ar)和/或合成氣體(H2/N2)以作為載氣。原子團(tuán)可以在遠(yuǎn)程微波等離子體發(fā)生器或任何其它合適的等離子體源中產(chǎn)生。光阻材料的植入上部通常在大約30秒內(nèi)被除去。
一旦除去了硬殼，熱卡盤和冷卡盤就熱分離130，熱卡盤10的溫度上升140，反應(yīng)繼續(xù)150。優(yōu)選地，溫度升高到大約150℃和300℃之間，更優(yōu)選地到大約200℃和250℃之間。在這個(gè)較高的溫度步驟期間，冷卡盤20優(yōu)選地從熱卡盤10熱分離。例如，冷卡盤20可以被移動(dòng)到離開熱卡盤10至少約0.5英寸(12.7毫米)。一旦熱卡盤10與冷卡盤20分離，電加熱元件36導(dǎo)致熱卡盤10的溫度升高。在清除的第二階段中同樣的發(fā)應(yīng)化學(xué)氣體可以繼續(xù)流動(dòng)。然而，在一些實(shí)施例中，N2(或合成氣體)與O2一起流動(dòng)，氟流可以中斷。升高的溫度導(dǎo)致蝕刻速度顯著增加，因此提高了工件產(chǎn)量。特別地，大約250℃的溫度導(dǎo)致大約7微米/分鐘的清除速度。大約1微米的典型光阻材料掩模因此可以在大約5到10秒鐘內(nèi)被除去。
現(xiàn)在參考圖5，將討論在成孔后(post-via)光阻材料清除工藝中使用溫控工件支撐系統(tǒng)的一種方法的一個(gè)實(shí)例。在一些半導(dǎo)體加工工藝中的不同階段，會(huì)穿過層形成孔，通常穿過絕緣層例如硼磷矽玻璃(borophosphosilicate glass，BPSG)或由氟硅玻璃(tetraethylorthosilicate，TEOS)形成的氧化物。光阻材料掩模選擇性地被曝光并顯影成所需的圖案，然后顯影的和未顯影的光阻材料被除去，這取決于使用的是正光阻或負(fù)光阻材料。然后穿過圖案化的光阻材料掩模和下層(通常是氧化物)的未曝光部分形成孔。
形成孔后，就除去光阻材料掩模。不幸的是，成孔工藝會(huì)在孔內(nèi)產(chǎn)生有機(jī)殘留物，通常很難清除。在工業(yè)中殘留物通常指聚合物“罩”，接著在末后或金屬化加工階段對(duì)孔進(jìn)行反應(yīng)離子蝕刻，此時(shí)這些殘留物特別成問題。在經(jīng)常用相對(duì)活波的化學(xué)清除方法除去這種聚合物殘留時(shí)，對(duì)結(jié)構(gòu)的過度蝕刻會(huì)產(chǎn)生損壞孔內(nèi)暴露特征的風(fēng)險(xiǎn)。因此，快速清除光阻材料后，在相對(duì)低的溫度下進(jìn)行成孔后清理是有利的。
在熱卡盤和冷卡盤熱分離210的狀態(tài)下，熱工件卡盤10在高溫(例如200℃到250℃)下，如上述關(guān)于植入后處理的第二階段那樣，可以快速執(zhí)行高溫光阻材料清除220。如以上先前的實(shí)例所討論的那樣，也可以提供具有選擇的氟流的反應(yīng)劑。在一個(gè)實(shí)施例中，將冷卡盤20移動(dòng)到離開熱卡盤10至少0.5英寸(12.7毫米)就可以達(dá)到熱分離。
所示的兩卡盤系統(tǒng)使得成孔后清理可以在與高溫光阻材料清除220同樣的處理腔內(nèi)進(jìn)行。因此，高溫光阻材料清除220后，熱卡盤和冷卡盤可以熱連接230，因此“熱”卡盤10被冷卻240用于低溫清理工藝250。在清除后的清理工藝中，工件溫度通常保持在大約室溫和大約100℃之間，更優(yōu)選地在大約50℃和80℃之間。在這個(gè)工藝中的化學(xué)氣體優(yōu)選地包括氧化劑(例如，O2)、稀釋氣體(例如，He、Ar、和/或合成氣體例如N2/H2)、和氟源氣體(例如，NF3或CF4)。氟在幫助除掉聚合物的同時(shí)也會(huì)侵蝕孔的氧化物側(cè)壁。氧化劑和氟反應(yīng)劑可以包括在處理腔上游側(cè)形成的原子團(tuán)。
清除后清理工藝可以在處理腔內(nèi)產(chǎn)生RF等離子體，來補(bǔ)償在工藝中降低的溫度。N2或合成氣體幫助維持等離子體放電。另外，可以選擇地，可以在氧氣或氟源處理后施行短暫的物理噴濺蝕刻。
一旦完成孔的清理步驟250，工件就從處理腔50移走260。然后，就將冷卡盤20和熱卡盤10熱分離，熱卡盤10又被加熱280以準(zhǔn)備處理另一個(gè)工件。
圖6所示為即將描述的在除渣(de-scum)工藝中使用溫控工件支撐系統(tǒng)的一種方法的一個(gè)實(shí)例。如以上討論的那樣，在一些半導(dǎo)體加工工藝的不同階段，光阻材料掩模選擇性地被曝光并顯影成所需的圖案，然后顯影的和未顯影的光阻材料被除去(取決于所用的是正或負(fù)光阻材料)。除去顯影或未顯影的光阻材料后，經(jīng)常留有薄層聚合物殘?jiān)?。在蝕刻或其它具有掩模的工藝(marked process)(例如離子植入)之前，需要執(zhí)行清理或“除渣”工藝來除去這些殘?jiān)?br>
這樣，在圖6中所示的實(shí)施例中，光阻材料層在第一顯影腔(未示出)被顯影310。在顯影步驟后或在顯影步驟中，處理腔50內(nèi)雙卡盤系統(tǒng)的卡盤10、20被熱連接320，工件支撐卡盤10被冷卻到所需的“冷卻”溫度。然后工件被加載330到“冷卻”卡盤系統(tǒng)上，從而在“冷卻”溫度下進(jìn)行除渣工藝340。除渣工藝優(yōu)選地在相對(duì)低的溫度(例如，在大約100℃)下進(jìn)行以避免除去光阻材料掩模。一旦完成除渣工藝，工件就可以從處理腔50移走350并被轉(zhuǎn)移到另一個(gè)處理腔以進(jìn)行具有掩模的工藝或蝕刻步驟360。在具有掩模的處理步驟360后或在該處理步驟中，雙卡盤系統(tǒng)的熱卡盤和冷卡盤10、20可以被熱分離370并升溫到所需的“高”溫。然后工件被重新加載380到處理腔50內(nèi)，并執(zhí)行光阻材料清除工藝390。
普通技術(shù)人員可以認(rèn)識(shí)到的是，可以根據(jù)在此描述的工藝以“成批模式”或單個(gè)模式處理工件。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，在開始處理新晶片之前，可以通過圖6中所示的方法來處理單個(gè)晶片?？梢蕴鎿Q地，可以在圖6的不同處理腔之間移動(dòng)兩個(gè)或更多個(gè)工件以進(jìn)行同時(shí)處理。這樣，一批工件可以通過兩個(gè)處理腔進(jìn)行循環(huán)從而最小化一個(gè)或兩個(gè)處理腔的輔助操作時(shí)間(overhead time)。普通技術(shù)人員可以理解的是，根據(jù)這里的公開內(nèi)容，在另一種方案中，在熱分離卡盤從而在“高”溫下處理一批晶片之前，可以在處理腔50內(nèi)用雙卡盤系統(tǒng)處理在“冷卻”溫度下處理一批工件。這樣的成批或單個(gè)工件處理循環(huán)也可以適用于這樣的工藝，在該工藝中高溫處理之后就接著進(jìn)行低溫處理(可以具有或沒有在不同處理腔中進(jìn)行的中間處理)。
再參考圖5，描述利用溫控工件支撐系統(tǒng)以減小硅或其它氧化物損失的一種方法的一個(gè)實(shí)例。如關(guān)于成孔后清除工藝所討論的那樣，光阻材料清理后，就可以清理在末后金屬化期間由RIE形成的孔中的殘?jiān)?。然而，接觸孔口或孔也可以在集成電路加工的很多其它階段形成，可以通過濕法蝕刻、干燥氣相蝕刻或RIE形成。
集成電路包括很多用于電絕緣導(dǎo)電元件的介質(zhì)元件。用于這些介質(zhì)元件的慣常材料是各種形式的二氧化硅，雖然對(duì)于很多應(yīng)用氮化硅也很流行。
在形成導(dǎo)電元件中的電接觸的過程中，接觸孔或孔口穿過絕緣層形成，這些絕緣層已知為內(nèi)層介質(zhì)(ILD)。向半導(dǎo)體襯底內(nèi)的有源區(qū)域開放接觸孔通常會(huì)將晶體管柵電極上的絕緣側(cè)壁隔片暴露。在這些實(shí)例中的每個(gè)實(shí)例中，都要利用掩模來確定孔或通孔，蝕刻工藝使氧化物表面暴露。
這些氧化物表面確定了由電路設(shè)計(jì)所選擇的尺寸。因?yàn)闉榱俗非蟾斓募呻娐?IC)運(yùn)行速度和更低的功率消耗器件組裝密度一直在增大，因此保持這些尺寸就變得愈發(fā)重要，而且過度蝕刻的公差也同等地減小。這樣，光阻材料掩模清除后對(duì)孔口清理進(jìn)行精確控制就愈發(fā)重要，以避免對(duì)暴露絕緣表面(特別是氧化物表面)的過度蝕刻。
因此，減少氧化物損失的一種方法的一個(gè)實(shí)例包括熱分離210熱卡盤和冷卡盤，然后在高溫(優(yōu)選地在大約100℃和300℃之間，更優(yōu)選地在大約200℃和250℃之間)下執(zhí)行接觸后蝕刻光阻材料清除220的第一階段。實(shí)例性的反應(yīng)劑流包括比例為1∶10的N2∶O2。
進(jìn)行接觸后蝕刻光阻材料清除220后，可以利用雙卡盤裝置來進(jìn)行更低溫度下的清除后清理。因此，熱卡盤和冷卡盤被熱連接230，熱卡盤被冷卻240到所需的溫度，從而進(jìn)行清除后清理工藝250。如關(guān)于成孔后清理所指出的那樣，氟有助于清理光刻副產(chǎn)物的氧化物表面。如所需地，向反應(yīng)劑流中加入相對(duì)小百分比的氟氣源(例如，小于約5％的CF4)。
有利地，對(duì)于給定的蝕刻速度而言，除了遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器外使用RF等離子體會(huì)降低所需的工藝溫度。在低溫清理步驟250中，熱卡盤10的溫度優(yōu)選地保持在大約15℃和100℃之間，更優(yōu)選地在大約20℃和100℃之間，最優(yōu)選地在大約25℃和50℃之間。雖然蝕刻速度很快，通過限制RF電極通電的時(shí)間(例如，大約15秒)就可以嚴(yán)格地控制清除后清理。
除了上述的兩階段工藝外，圖1-圖3的兩卡盤裝置可以有利地用于任何所需的工藝從而增加工件產(chǎn)量，這些工藝包括在高溫下進(jìn)行的單溫度工藝(single-temperature process)。這種產(chǎn)量的增加可以通過提高工件處理后冷卻的速度和效率來獲得。
關(guān)于這些工藝，例如圖7所示，光阻材料快速清除工藝420(優(yōu)選地在大約100℃和300℃之間，更優(yōu)選地在大約200℃和250℃之間)后，可以接著將工件溫度降到440商用存儲(chǔ)盒容許的級(jí)別，此時(shí)工件仍然位于卡盤10上。該方法通常包括將冷卡盤20與熱卡盤10熱連接430從而降低工件和熱卡盤10的溫度到所需的移出溫度440。在一些實(shí)施例中，工件和卡盤被冷卻到小于大約100℃的溫度，而在一個(gè)實(shí)施例中，冷卻到小于約70℃的溫度。這樣，工件從卡盤10和處理腔50被移走450，而且，除了打開處理腔閘門閥和伸入傳遞機(jī)械手以提出工件所需的時(shí)間外，無需等待工件就被直接放到低溫儲(chǔ)存盒內(nèi)。
因此，所描述的裝置本身固有若干優(yōu)點(diǎn)。例如，需要在不同溫度下進(jìn)行兩步處理的工藝可以在同一個(gè)處理腔內(nèi)高效地進(jìn)行。另外，通過取消分離的冷卻站可以增大工件產(chǎn)量，所述冷卻站通常用于在放入低價(jià)存儲(chǔ)盒之前對(duì)工件進(jìn)行冷卻。
雖然在此描述了某些實(shí)施例和實(shí)例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解的是，在本公開內(nèi)容中所示和所描述的方法和器件的很多方面可以被不同地組合和/或改變以形成另外的實(shí)施例。另外，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到的是，可以利用任何適于執(zhí)行所述步驟的結(jié)構(gòu)來實(shí)施在此描述的方法。這些備選實(shí)施例和/或上述方法和器件的應(yīng)用及其明顯的變型和等同都在本公開內(nèi)容的范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)該被上述特定實(shí)施例限制，而只應(yīng)該在仔細(xì)理解所附權(quán)利要求后確定。
權(quán)利要求
1.一種用于在處理腔內(nèi)支撐工件的裝置，所述裝置包括連接到第一卡盤的加熱器，所述第一卡盤具有用于支撐所述工件的表面，所述裝置還包括第二卡盤，所述第二卡盤讓冷卻裝置連接到其上，所述第二卡盤可以與所述第一卡盤熱連接，從而可以改變所述第一卡盤和所述第二卡盤間的熱交換速度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)被編程為，通過改變所述第一卡盤和所述第二卡盤間的熱交換速度來控制所述第一卡盤的溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述冷卻裝置包括延伸穿過所述第二卡盤的流體路徑，用于循環(huán)其中的熱交換流體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二卡盤連到位置控制裝置，所述位置控制裝置被設(shè)置成選擇性地朝著和離開所述第一卡盤移動(dòng)所述第二卡盤。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述加熱器包括電阻加熱元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，進(jìn)一步包括至少一個(gè)流體出口，所述流體出口被設(shè)置成向所述第一和第二卡盤間的空間注入氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述流體出口處于所述第二卡盤的上表面中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二卡盤在所述處理腔內(nèi)被設(shè)置在所述第一卡盤的豎直下方。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二卡盤所包括的上表面被設(shè)置成能夠被移動(dòng)，以與所述第一卡盤的下表面接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二卡盤能夠移動(dòng)離所述第一卡盤至少0.5英寸(1.27厘米)的距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二卡盤被中心柱支撐，所述中心柱被膜盒圍繞。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二卡盤由鋁或鋁合金制成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述第一卡盤由陶瓷材料制成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述陶瓷材料是氮化鋁。
15.一種在裝置中處理工件的方法，所述裝置包括第一加熱卡盤和第二冷卻卡盤，所述方法包括下列步驟將所述工件放置在所述第一卡盤上；相對(duì)于所述第一卡盤將所述第二卡盤定位在第一位置；在第一溫度下對(duì)所述工件進(jìn)行第一處理；相對(duì)于所述第一卡盤移動(dòng)所述第二卡盤，直到所述第二卡盤位于相對(duì)于所述第一卡盤的第二位置；以及在第二溫度下對(duì)所述工件進(jìn)行第二處理。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括將所述工件從處理腔中移走。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中移動(dòng)所述第二卡盤包括，相對(duì)于所述第一卡盤豎直移動(dòng)所述第二卡盤。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括向所述第一卡盤和所述第二卡盤間的空間注入氣體。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括泵送冷卻流體，使其穿過所述第二卡盤。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括向所述第一卡盤內(nèi)的電阻加熱器施加功率。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一溫度小于所述第二溫度，所述第一位置比所述第二位置更靠近所述第一卡盤。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中將所述第二卡盤定位在第一位置包括，將所述第二卡盤放置成與所述第一卡盤接觸。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一處理是低溫光阻材料清除。
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一處理是除渣處理。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，進(jìn)一步包括除渣處理后將所述工件從處理腔移走，并在第二處理腔內(nèi)利用就位的光阻材料掩模執(zhí)行第二處理。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，進(jìn)一步包括將工件返回到所述處理腔，并在高溫下進(jìn)行第三處理。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述第三處理是光阻材料清除處理。
28.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一溫度大于所述第二溫度，所述第一位置比所述第二位置更加遠(yuǎn)離所述第一卡盤。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中將所述第二卡盤定位在第一位置包括將所述第二卡盤定位在所述第一卡盤下的至少0.5英寸(1.27厘米)處。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述第一處理是高溫光阻材料清除處理。
31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述第二處理是低溫清理處理。
32.一種在裝置中處理工件的方法，所述裝置包括第一卡盤和第二卡盤，所述方法包括下列步驟將所述工件放置在所述第一卡盤上，并使所述第二卡盤離所述第一卡盤為第一距離；在所述工件上開始光阻材料清除處理；通過將所述第二卡盤移動(dòng)到一個(gè)離所述第一卡盤為第二距離的位置來改變所述第一卡盤的溫度；并繼續(xù)在所述工件上進(jìn)行所述光阻材料清除處理。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述第一距離小于所述第二距離，所述第一溫度小于所述第二溫度。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述第一距離大于所述第二距離，所述第一溫度大于所述第二溫度。
35.一種在裝置中處理工件的方法，所述裝置包括第一卡盤和第二卡盤，所述方法包括下列步驟在第一溫度下對(duì)第一批工件進(jìn)行第一光阻材料清除處理，此時(shí)所述第二卡盤離所述第一卡盤為第一距離；將所述第二卡盤移動(dòng)到一個(gè)離所述第一卡盤為第二距離處，其中所述第二距離比所述第一距離更近；和在低于所述第一溫度的第二溫度下對(duì)第二批工件進(jìn)行清理處理，此時(shí)所述第二卡盤在離所述第一卡盤為第二距離處。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中所述第一溫度在大約150℃至300℃之間。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中所述清理處理是對(duì)所述第二批工件進(jìn)行的除渣處理，所述除渣處理是在所述工件上顯影了光阻材料掩模之后、通過所述光阻材料掩模對(duì)所述工件執(zhí)行處理之前進(jìn)行的。
38.一種在處理腔內(nèi)處理工件的方法，所述方法包括將第一卡盤加熱到第一溫度；將第二卡盤冷卻到低于所述第一溫度的第二溫度；將待處理工件放置到所述第一卡盤的支撐表面上；通過調(diào)節(jié)所述第一卡盤和所述第二卡盤間的熱交換速度來控制所述第一卡盤的溫度。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中調(diào)節(jié)熱交換速度包括，物理地改變所述第一卡盤與所述第二卡盤的間距。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中物理地改變所述第一卡盤與所述第二卡盤的間距包括，將所述卡盤放置成彼此直接地物理接觸。
41.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中調(diào)節(jié)熱交換速度包括，改變進(jìn)入到所述第一卡盤和所述第二卡盤間空間內(nèi)的氣體流速。
42.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中調(diào)節(jié)熱交換速度包括，改變影響所述第二卡盤散熱速度的參數(shù)。
43.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其中調(diào)節(jié)熱交換速度包括，改變循環(huán)穿過所述第二卡盤的冷卻流體的流速。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于在處理腔內(nèi)支撐工件的裝置，其包括第一“熱”卡盤和第二“冷”卡盤，其中所述第一“熱”卡盤具有用于支撐工件的表面，并包括用于加熱所述熱卡盤的電加熱元件，所述第二“冷”卡盤中形成有流體路徑，用以循環(huán)熱交換流體。所述冷卡盤能夠選擇性地朝著或離開所述熱卡盤移動(dòng)，從而改變所述熱卡盤和所述冷卡盤之間的熱交換速度。
文檔編號(hào)C23C16/458GK1784765SQ200480011923
公開日2006年6月7日 申請(qǐng)日期2004年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月7日
發(fā)明者A·王 申請(qǐng)人:亞舍立技術(shù)公司