專利名稱：平板式電極結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種平板式電極結(jié)構(gòu)，尤其是指一種可用于等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)系統(tǒng)的平板式電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
非晶硅基薄膜材料，不但具有較低的電阻率和隙態(tài)密度，而且還有較高的光敏性。在大面積太陽(yáng)電池和液晶平面顯示薄膜晶體管陣列等方面得到了廣泛的應(yīng)用。特別是它作為高效、廉價(jià)的太陽(yáng)能電池的理想材料，更具有誘人的前景。制備方法較多光CVD法、熱絲法、PECVD法等，工業(yè)生產(chǎn)中多采用PECVD法。若要獲得較好的非晶硅基薄膜材料的物理及電學(xué)參數(shù)，與之相關(guān)的工藝條件較多，電極結(jié)構(gòu)是其中重要一員。
早期普遍采用短波、中波、射頻電源，制備非晶硅基薄膜材料。近年來(lái)，為提高材料生長(zhǎng)速率、降低生產(chǎn)成本，多采用甚高頻電源。電極結(jié)構(gòu)與電源間的匹配，對(duì)材料的物理及電學(xué)參數(shù)有著直接的因果關(guān)系。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于，提供一種可用于PECVD系統(tǒng)的平板式電極結(jié)構(gòu)，提高非晶硅基薄膜材料生長(zhǎng)速率及均勻性，減少由等離子體產(chǎn)生的硅聚合物對(duì)系統(tǒng)的污染，并可獲得較好的物理及電學(xué)參數(shù)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的平板式電極結(jié)構(gòu)，其特征在于一上極板，帶有加熱器，基片放置于上極板；一下極板，設(shè)有上層孔板、下層孔板，其中所述的上層孔板、下層孔板之間為上層混氣室，下層孔板之下為下層混氣室；下層混氣室下部另設(shè)有電極接入端子，電源通過(guò)分配器采用這些電極接入端子引入；一進(jìn)氣口，連接于下極板的下端，由上而下依次為一絕緣陶瓷層和一金屬層。
所述的上層孔板、下層孔板為正方形且?guī)в袌A形導(dǎo)流孔，材料為不銹鋼；所述的進(jìn)氣口，材料為不銹鋼；所述的上層孔板厚度為3～5毫米，導(dǎo)流孔直徑為6毫米，孔間距為12毫米，以矩陣方式均勻分布于板上；所述的下層孔板厚度為3～5毫米，導(dǎo)流孔直徑為3毫米，孔間距為12毫米，以矩陣方式均勻分布于板上；所述的下層孔板導(dǎo)流孔位于上層孔板相鄰四導(dǎo)流孔對(duì)角線交點(diǎn)的投影；其中上下層孔板孔徑之比為上板孔直徑∶下板孔直徑＝2∶1。
其中上下層孔板的間距為3毫米；所述的下層混氣室高度為5毫米～10毫米；所述的電極接入端子數(shù)量為四個(gè)；本電極結(jié)構(gòu)使用材料為不銹鋼和陶瓷。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于，提高非晶硅基薄膜材料生長(zhǎng)速率及均勻性，減少由等離子體產(chǎn)生的硅聚合物對(duì)系統(tǒng)的污染，并可獲得較好的物理及電學(xué)參數(shù)。


圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是下極板和進(jìn)氣口結(jié)構(gòu)剖視圖；圖3是下極板上、下層孔板導(dǎo)流孔對(duì)應(yīng)位置圖。
具體實(shí)施方式
同時(shí)參見(jiàn)圖1、圖2，本實(shí)用新型由上極板10、下極板20、進(jìn)氣口30組成，其中進(jìn)氣口30由絕緣陶瓷層31和金屬層32組成。本實(shí)用新型使用材料為不銹鋼和陶瓷。
上極板10、下極板20外形均采用正方形。上極板10帶有加熱器，基片放置于上極板10；下極板20采用雙混氣室、雙層孔板結(jié)構(gòu)。設(shè)有上層孔板1、下層孔板3，其中上層孔板1、下層孔板3之間為上層混氣室2，下層孔板3之下為下層混氣室4；下層混氣室4下部另設(shè)有四個(gè)電極接入端子5，電源通過(guò)分配器采用這些電極接入端子5引入；上層孔板1、下層孔板3為正方形且?guī)в袌A形導(dǎo)流孔，材料為不銹鋼。
下極板20上層孔板1厚度為3～5毫米，導(dǎo)流孔直徑為6毫米，孔間距為12毫米，以矩陣方式均勻分布于板上；下層孔板3厚度為3～5毫米，導(dǎo)流孔直徑為3毫米，孔間距為12毫米，以矩陣方式均勻分布于板上。
如圖3所示，下層孔板3導(dǎo)流孔300位于上層孔板相鄰四導(dǎo)流孔100對(duì)角線交點(diǎn)的投影。上層孔板1、下層孔板3孔徑之比為上板孔直徑∶下板孔直徑＝2∶1，上層孔板1、下層孔板3之間的間距為3毫米。下層混氣室4高度為5毫米～10毫米；一進(jìn)氣口30，位于下極板20正下方，且采用陶瓷材料與地進(jìn)行絕緣，氣體由圓形氣體通道8進(jìn)入下層混氣室4。
權(quán)利要求1.一種平板式電極結(jié)構(gòu)，用于PECVD系統(tǒng)，其特征在于一上極板，帶有加熱器，基片放置于上極板；一下極板，設(shè)有上層孔板、下層孔板，其中所述的上層孔板、下層孔板之間為上層混氣室，下層孔板之下為下層混氣室；下層混氣室下部另設(shè)有電極接入端子，電源通過(guò)分配器采用這些電極接入端子引入；一進(jìn)氣口，連接于下極板的下端，由上而下依次為一絕緣陶瓷層和一金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的平板式電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的上層孔板、下層孔板為正方形且?guī)в袌A形導(dǎo)流孔，材料為不銹鋼；所述的進(jìn)氣口，材料為不銹鋼。
3.如權(quán)利要求1所述的平板式電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的上層孔板厚度為3～5毫米，導(dǎo)流孔直徑為6毫米，孔間距為12毫米，以矩陣方式均勻分布于板上。
4.如權(quán)利要求1所述的平板式電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的下層孔板厚度為3～5毫米，導(dǎo)流孔直徑為3毫米，孔間距為12毫米，以矩陣方式均勻分布于板上。
5.如權(quán)利要求1所述的平板式電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的下層孔板導(dǎo)流孔位于上層孔板相鄰四孔對(duì)角線交點(diǎn)的投影。
6.如權(quán)利要求1所述的平板式電極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中上下層孔板孔徑之比為上板孔直徑∶下板孔直徑＝2∶1。
7.如權(quán)利要求1所述的平板式電極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中上下層孔板的間距為3毫米。
8.如權(quán)利要求1所述的平板式電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的下層混氣室高度為5毫米～10毫米。
9.如權(quán)利要求1所述的平板式電極結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的電極接入端子數(shù)量為四個(gè)。
10.如權(quán)利要求1所述的平板式電極結(jié)構(gòu)，其特征在于該平板式電極結(jié)構(gòu)使用材料為不銹鋼和陶瓷。
專利摘要一種平板式電極結(jié)構(gòu)，用于PECVD系統(tǒng)，包括一上極板，帶有加熱器，基片放置于上極板；一下極板，設(shè)有上層孔板、下層孔板，其中所述的上層孔板、下層孔板之間為上層混氣室，下層孔板之下為下層混氣室；下層混氣室下部另設(shè)有電極接入端子，電源通過(guò)分配器采用這些電極接入端子引入；一進(jìn)氣口，連接于下極板的下端，由上而下依次為一絕緣陶瓷層和一金屬層。本實(shí)用新型提高非晶硅基薄膜材料生長(zhǎng)速率及均勻性，減少由等離子體產(chǎn)生的硅聚合物對(duì)系統(tǒng)的污染，并可獲得較好的物理及電學(xué)參數(shù)。
文檔編號(hào)C23C16/50GK2758969SQ20042000999
公開(kāi)日2006年2月15日 申請(qǐng)日期2004年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月23日
發(fā)明者刁宏偉, 廖顯伯, 曾湘波, 郝會(huì)穎, 徐艷月, 張世斌, 胡志華 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所