專(zhuān)利名稱(chēng)：線型薄膜成形法及由此形成的反射器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在合成樹(shù)脂基材料上通過(guò)排成一線的加工階段形成鋁金屬化薄膜和保護(hù)性薄膜的方法，保護(hù)性薄膜例如用于保護(hù)鋁金屬化薄膜的硅酮等離子體聚合薄膜。
更具體的是，本發(fā)明涉及通過(guò)以下步驟形成鋁金屬化薄膜和硅酮保護(hù)性薄膜的方法，包括在預(yù)定的殼體中容納多個(gè)合成樹(shù)脂基材料并對(duì)它們進(jìn)行排隊(duì)，合成樹(shù)脂基材料用在諸如汽車(chē)、雙輪機(jī)車(chē)等的機(jī)動(dòng)車(chē)車(chē)燈的反射鏡中的各種反射器中，特別是用于安在放電前燈反射器中的合成樹(shù)脂基材料；并且使殼體連續(xù)通過(guò)鋁金屬化腔室和硅酮保護(hù)性薄膜成形腔室。本發(fā)明還涉及由上述方法形成的反射器。
在機(jī)動(dòng)車(chē)車(chē)燈的燈室(諸如安在汽車(chē)、雙輪機(jī)車(chē)等中的前燈)中，用于反射從光源(如電燈泡)發(fā)出的光以將光轉(zhuǎn)換成向外發(fā)出的光的反射器設(shè)置成包圍光源的方式。
大致為杯形(拋物線形)的反射器具有朝向前透鏡的開(kāi)口。反射器形成有鋁金屬化薄膜，該薄膜起到作為主要由BMC(塊狀模塑化合物)制成的合成樹(shù)脂基材料的表面片層上的反射表面的作用。此外，用于防止鋁金屬化薄膜老化的保護(hù)性薄膜形成在合成樹(shù)脂基材料的表面片層上。
鑒于由有機(jī)溶劑溢出導(dǎo)致的環(huán)境問(wèn)題以及降低原材料成本的嘗試，人們?nèi)找娌捎迷诿總€(gè)基材料上形成硅酮聚合薄膜的方法。該方法使用等離子源代替通過(guò)涂層形成保護(hù)性薄膜的技術(shù)，以使霧狀硅酮油還原成為等離子體，即通過(guò)高頻感應(yīng)放電、輝光放電等方式。
然而，這種方法仍有下述技術(shù)問(wèn)題，即，鋁金屬化薄膜和等離子體聚合薄膜形成在合成樹(shù)脂基材料的兩個(gè)側(cè)面上。
首先，當(dāng)使用“自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)金屬化系統(tǒng)”時(shí)，形成鋁金屬化薄膜和等離子體聚合薄膜的步驟必須單獨(dú)進(jìn)行。單獨(dú)的步驟是必須的，這是因?yàn)椤白赞D(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)金屬化系統(tǒng)”特別設(shè)計(jì)用于通過(guò)下述方法形成金屬化薄膜，即設(shè)置多個(gè)基材料，從而各自面對(duì)沿著較大圓柱形腔室的中心軸排列的鋁金屬化源，然后設(shè)計(jì)使基材料在鋁金屬化源上旋轉(zhuǎn)。出于此原因，這些加工步驟，即用于形成金屬化薄膜和用于形成聚合保護(hù)性薄膜的步驟是多階段的并且當(dāng)一個(gè)步驟轉(zhuǎn)換成另一個(gè)步驟時(shí)需要有傳送基材料的步驟。此外，由于自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)配備有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，如鋁金屬化系統(tǒng)，故其結(jié)構(gòu)復(fù)雜。
還有一種公知的天線型等離子體聚合系統(tǒng)，用于在一個(gè)大腔室中形成鋁金屬化薄膜和等離子體聚合薄膜。在天線型系統(tǒng)中，等離子體由腔室中高頻振蕩天線產(chǎn)生從而聚合進(jìn)入腔室的單體。由于使用該系統(tǒng)，通過(guò)一系列的操作可以形成鋁金屬化薄膜和等離子體聚合薄膜。
然而，天線型系統(tǒng)的缺陷是它是批量生產(chǎn)系統(tǒng)，其中大量預(yù)定的基材料置于腔室中并且在形成金屬化薄膜和等離子體聚合薄膜的預(yù)定時(shí)間(大約40分鐘)過(guò)去之后，所有基材料被從腔室中取出；將基材料置于腔室中所需的前置時(shí)間較長(zhǎng)；并且當(dāng)在相關(guān)組中發(fā)現(xiàn)有任何較差質(zhì)量時(shí)，也會(huì)發(fā)現(xiàn)許多基材料質(zhì)量較差。
另外的問(wèn)題是由天線型系統(tǒng)形成等離子體導(dǎo)致了通常低的等離子體密度，并且不僅引起薄膜成形過(guò)程緩慢也引起不均勻的薄膜分布。
當(dāng)鋁金屬化薄膜形成在用在放電前燈中的反射器的背面時(shí)，有時(shí)用作噪聲屏蔽(電磁屏蔽)。在該情形下技術(shù)上的問(wèn)題是當(dāng)?shù)入x子體聚合薄膜(硅酮聚合薄膜)也在反射器背面的鋁金屬化薄膜上形成時(shí)，如在天線型系統(tǒng)中，鋁金屬化薄膜不接地。
本發(fā)明的目的是提供薄膜成形技術(shù)，設(shè)計(jì)成通過(guò)一系列排成一線的步驟形成鋁金屬化薄膜和等離子體聚合薄膜，從而保護(hù)性薄膜(硅酮聚合薄膜)不在任何反射器基材料的背面上形成，由此保護(hù)性薄膜甚至可以容易地在用在放電前燈中的反射器上形成。
為了完成上述和其它目的，采用本發(fā)明的下述各方面。
在本發(fā)明的第一方面，多個(gè)合成樹(shù)脂基材料經(jīng)由夾具中以預(yù)定的間隔設(shè)置在框架狀殼體中。另外，鋁金屬化薄膜形成在各種合成樹(shù)脂基材料的兩側(cè)上，并且保護(hù)性薄膜形成在鋁金屬化薄膜的上層，例如，通過(guò)由傳輸器移動(dòng)殼體依次通過(guò)鋁金屬化腔室和等離子體聚合薄膜成形腔室。
由于具有這種配置，人們只需將每個(gè)合成樹(shù)脂基材料安置到向上開(kāi)口的殼體之上。因此，定位基材料所需的工作可以簡(jiǎn)化，并且前置時(shí)間也可以縮短。
在本申請(qǐng)之前需要單獨(dú)進(jìn)行的形成金屬化鋁和等離子體聚合薄膜的步驟現(xiàn)在連續(xù)地進(jìn)行，由此可以省去從鋁金屬化階段到等離子體聚合薄膜成形階段的傳輸合成樹(shù)脂基材料的工作，并進(jìn)一步縮短前置時(shí)間。
另外，由于在殼體橫向通過(guò)鋁金屬化腔室和等離子體聚合薄膜成形腔室時(shí)薄膜形成，故可以省去用于在任何金屬化薄膜成形機(jī)構(gòu)中旋轉(zhuǎn)基材料的復(fù)雜機(jī)構(gòu)。
在金屬化步驟的準(zhǔn)備中用于形成低真空條件的初級(jí)真空腔室在鋁金屬化腔室前面，并保持在高真空條件中。另一個(gè)用于將高真空條件返回到低真空條件的初級(jí)真空腔室在等離子體聚合薄膜成形腔室后面。
此外，由于需要在鋁金屬化步驟之前保證每個(gè)基材料的表面光滑度，故基材料的表面光滑度必須通過(guò)為合成樹(shù)脂基材料加內(nèi)涂層或者另外設(shè)計(jì)一種特殊基材料而保證。
根據(jù)本發(fā)明，即使在鋁金屬化步驟之前給每個(gè)合成樹(shù)脂基材料加內(nèi)涂層，殼體的結(jié)構(gòu)也簡(jiǎn)化了。也就是說(shuō)，當(dāng)人們?cè)诓慌鲇|內(nèi)涂層的情況下握持合成樹(shù)脂基材料的背側(cè)(后頂部側(cè))，合成樹(shù)脂基材料可以從內(nèi)涂層加工中轉(zhuǎn)移到它將要金屬化的殼體中。
附帶說(shuō)一句，本發(fā)明廣泛應(yīng)用于，如，用于汽車(chē)燈成形件的框架狀凸緣和薄膜等的成形，這些部件在其表面上具有鋁金屬化薄膜。
在本發(fā)明的第二方面，依次形成有鋁金屬化薄膜和等離子體聚合薄膜的合成樹(shù)脂基材料從殼體中取出并且空的殼體傳輸?shù)戒X金屬化腔室的側(cè)面，在此它可以被重復(fù)使用。
這種情況是方便的，這是由于殼體可用于容納合成樹(shù)脂基材料(不需要手工移動(dòng))。盡管這種殼體的形狀和尺寸是不受限制的，但優(yōu)選在一個(gè)殼體中對(duì)8個(gè)或10個(gè)合成樹(shù)脂基材料以預(yù)定的間隔排隊(duì)。在考慮了下述情況時(shí)認(rèn)為這種殼體尺寸是有益的考慮朝向?qū)?yīng)的基材料的背面的鋁金屬化薄膜的成形時(shí)，以及考慮在殼體中定位基材料所需的時(shí)間時(shí)。
在本發(fā)明的第三方面，線型薄膜成形方法用于將要安在機(jī)動(dòng)車(chē)車(chē)燈中的大致杯形反射器的基材料。
杯形反射器基材料包括擴(kuò)張反射器，用于遮蔽燈體和反射器之間以及燈體和突出透鏡之間的間隙。杯形反射器基材料還包括用作反射從燈泡發(fā)出的光的反射鏡的反射器。
在本發(fā)明的第四方面，反射器基材料面朝下鋪放，即，其后頂部均朝上。鋁金屬化薄膜通過(guò)在鋁金屬化腔室中從反射器基材料下面吹送鋁的方法形成在每個(gè)反射器基材料的前表面以及背面上。另外，在等離子體聚合薄膜成形腔室中只在每個(gè)反射器基材料的前表面上形成等離子體聚合薄膜。
更具體的是，多個(gè)鋁金屬化和等離子源安置在對(duì)應(yīng)的鋁金屬化腔室以及等離子體聚合薄膜成形腔室的下部區(qū)域中。相對(duì)于鋁，通過(guò)利用鋁的朝向基材料的背面環(huán)繞移動(dòng)的特性使金屬化薄膜形成在每個(gè)反射器基材料的前表面和背面上。對(duì)比之下，硅酮限定在其擴(kuò)散區(qū)，從而硅酮聚合薄膜只在每個(gè)反射器基材料的前表面(即，朝下的表面)上形成。
反射器基材料優(yōu)選以預(yù)定的間隔排列以確保鋁金屬化薄膜形成在每個(gè)反射器基材料的背面上。附帶說(shuō)一句，“開(kāi)口”意味著當(dāng)反射器置于燈室中時(shí)朝向前透鏡的開(kāi)口；而不是形成在反射器基材料的后頂部中的燈泡安置孔。
由于鋁金屬化薄膜形成在用于放電前燈的反射器的背面上，故當(dāng)其通過(guò)本發(fā)明第四方面的線型薄膜成形方法形成時(shí)，可以確保獲得電磁屏蔽功能。也就是說(shuō)，由于鋁金屬化薄膜暴露于反射器的背面，不需被保護(hù)性薄膜覆蓋，故反射器的背面可以容易地接地。
如上所述，本發(fā)明致力于改進(jìn)用于機(jī)動(dòng)車(chē)車(chē)燈反射器性能的技術(shù)。此外，本發(fā)明不僅致力于形成鋁金屬化薄膜和硅酮聚合薄膜方法的操作性的改進(jìn)而且致力于其生產(chǎn)率的改進(jìn)。
本發(fā)明的上述和其它目的和優(yōu)點(diǎn)通過(guò)參考附圖的對(duì)優(yōu)選示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述更加明顯，全部附圖中相同的附圖標(biāo)記表明相同或相應(yīng)的部分，其中

圖1是簡(jiǎn)化的示意圖，說(shuō)明了用本發(fā)明的線型方法形成薄膜的步驟，其中鋁金屬化薄膜和等離子體聚合薄膜形成在每個(gè)形成反射器的合成樹(shù)脂基材料上；圖2簡(jiǎn)化的示意圖，說(shuō)明了在框架狀殼體的網(wǎng)狀底部上以預(yù)定的間隔安置的朝下的反射器基材料；圖3是簡(jiǎn)化的局部示意圖，說(shuō)明了鋁金屬化腔室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖4是圖3中X所示基材料部分的放大剖面圖；圖5是簡(jiǎn)化的局部示意圖，說(shuō)明了等離子體聚合薄膜成形腔室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)；圖6是圖5中Y所示基材料部分的放大剖面圖；以及圖7是說(shuō)明放電前燈的實(shí)施例的簡(jiǎn)化示意圖。
現(xiàn)在參考附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行描述。
首先，圖1是說(shuō)明了以本發(fā)明的線型方法形成薄膜步驟的簡(jiǎn)化示意圖，其中鋁金屬化薄膜和等離子體聚合薄膜形成在每個(gè)合成樹(shù)脂基材料上，該材料形成將要安置在車(chē)燈中的反射器。
參考圖1，將要描述根據(jù)本發(fā)明的線型方法形成薄膜的步驟。在預(yù)處理步驟(未示出)中，反射器基材料2形成有內(nèi)涂層201(見(jiàn)圖4和6)，以確?；牧媳砻娴墓饣?。然后反射器基材料2傳送到薄膜形成工作開(kāi)始的位置Ⅰ。
當(dāng)用手握持每個(gè)反射器基材料2的背面?zhèn)?后頂部側(cè)面)時(shí)，工人們?cè)O(shè)法不用手碰觸內(nèi)涂層201。通過(guò)用這種方式握持反射器基材料2，工人對(duì)在起始位置Ⅰ準(zhǔn)備就緒的殼體1中的多個(gè)反射器基材料2排隊(duì)(在下文描述)。例如，工人在一個(gè)殼體中形成2行×4片=8片，或2行×5片=10片。
圖2是簡(jiǎn)化的示意圖，說(shuō)明了朝下的反射器基材料2以預(yù)定的間隔排列在殼體1的網(wǎng)狀底部上。附帶說(shuō)一句，圖2中的附圖標(biāo)記21表明形成在每個(gè)反射器基材料2的后頂部中的孔，該孔用于換燈泡(即，通過(guò)插入而安裝)。
盡管反射器基材料的排列數(shù)量不受特殊限制，但當(dāng)殼體1是800cm寬×1260cm長(zhǎng)時(shí)，理想的是在其中設(shè)置2行×4片=8片或者2行×5片=10片的反射器基材料2，該材料的尺寸加工成用于汽車(chē)前燈中。特別是，在反射器用作放電前燈的情況中，本發(fā)明人也已經(jīng)發(fā)現(xiàn)將反射器基材料2之間的空間L設(shè)定成基本上等于每個(gè)反射器基材料2的寬度W是理想的。
該間隔的原因是如果反射器基材料2之間的間隔設(shè)置得太窄，鋁幾乎不能在鋁金屬化腔室4中朝向每個(gè)反射器基材料2的背面?zhèn)?3環(huán)繞移動(dòng)，由此使反射器基材料2的背面23上的鋁金屬化薄膜401b具有缺陷。
在用于容納反射器基材料2的殼體1裝載有反射器基材料2之后，由傳輸器等傳輸?shù)匠跫?jí)真空腔室3(見(jiàn)圖1箭頭P1)。作為初級(jí)步驟，初級(jí)真空腔室3在形成接下來(lái)的鋁金屬化腔室4中的高真空條件是重要的。
接著，殼體1從初級(jí)真空腔室3傳輸?shù)戒X金屬化腔室4(見(jiàn)圖1箭頭P2)。圖3是簡(jiǎn)化的局部示意圖，說(shuō)明了殼體1已經(jīng)在其中的情況下鋁金屬化腔室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。鋁金屬化腔室4的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和鋁金屬化的原理將參考圖3描述。
連接到真空泵43上的真空腔室C設(shè)置在鋁金屬化腔室4中。作為抗熱金屬化源，多個(gè)鋁標(biāo)靶(target)41設(shè)置在真空腔室C的較低區(qū)中，從而鋁標(biāo)靶41可以直接面對(duì)容納在殼體1中的對(duì)應(yīng)反射器基材料，反射器基材料傳輸?shù)秸婵涨皇褻中，并且在其中正確定位。
惰性氣體(氨氣)引入真空腔室C中。設(shè)置在真空腔室C中的鋁真空標(biāo)靶41受熱并蒸發(fā)，從而鋁向上飄。
飄出的鋁通過(guò)每個(gè)反射器基材料2的開(kāi)口24，并且粘結(jié)到其表面22之上。另外，鋁朝向反射器基材料2的背面23環(huán)繞移動(dòng)并粘結(jié)到反射器基材料2之上。還存在通過(guò)反射器基材料2的換燈泡孔21朝向背面23環(huán)繞移動(dòng)的鋁，并且鋁粘結(jié)到背面上。
粘結(jié)到反射器基材料2上的鋁導(dǎo)致在反射器基材料2的整個(gè)表面上形成鋁金屬化薄膜401a和401b，如圖4所示，圖4是圖3中X所示部分的基材料的放大剖面圖。
通過(guò)在反射器基材料2的整個(gè)表面上形成鋁金屬化薄膜401a和401b，鋁金屬化薄膜401a和401b可以有效的屏蔽由放電燈產(chǎn)生的電磁波。
然后，含有反射器基材料2的殼體1從鋁金屬腔室4傳輸鄰接的等離子體聚合薄膜成形腔室5上(見(jiàn)圖1中的箭頭P3)，此時(shí)反射器基材料具有形成在其上的鋁金屬化薄膜401a、401b。
圖5是簡(jiǎn)化的局部示意圖，說(shuō)明了在殼體1已經(jīng)容納在其中的情況下等離子體聚合薄膜成形腔室5的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。等離子體聚合薄膜的成形腔室5的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和形成等離子體聚合薄膜的原理將參考圖5描述。
等離子體聚合薄膜成形腔室5具有所謂的高頻感應(yīng)放電型輻射源。特別是，設(shè)置連接到真空泵56上的真空腔室C＇。在真空腔室C＇的較低區(qū)域中，存在具有等離子體腔室(未示出)的等離子體單元51，從而等離子體單元51可以直接面對(duì)殼體1容納的每個(gè)反射器基材料2。
現(xiàn)在描述輻射源的組成。連接到高頻電源55的高頻線圈52纏繞在含有等離子體腔室的等離子體單元51的外周邊上。用于形成平行于高頻線圈52軸線的磁場(chǎng)的永久磁鐵(未示出)設(shè)置在等離子體單元51的基部后面。硅酮單體氣體54從單體容器53引入到等離子體腔室。
當(dāng)從高頻線圈52將高頻引入到等離子體單元51時(shí)，在等離子體腔室的內(nèi)發(fā)生放電，從而使腔室C＇變成等離子體的。當(dāng)硅酮單體的氣體54進(jìn)入等離子體腔室C＇中時(shí)，交聯(lián)硅酮的等離子體聚合薄膜(即保護(hù)性薄膜501，厚度為500-6000埃，作為均勻聚合薄膜)形成在每個(gè)反射器基體材料2的鋁金屬化層401a上。
通過(guò)具有如上構(gòu)造的輻射源(也稱(chēng)作輻射槍)產(chǎn)生了螺旋波。另外，由于螺旋波能量的朗道阻尼(Landau damping)，螺旋波有效的傳播到等離子體中的電子中，由此等離子體腔室中產(chǎn)生的等離子體密度增加。
此外，由于硅酮單體帶有方向性地引入腔室C＇中，故硅酮等離子體聚合薄膜501可以只在鋁金屬化薄膜401a的較上層形成，鋁金屬化薄膜401a形成朝向反射器基材料2下側(cè)的表面22上，如圖6所示，圖6是圖5中Y所示基材料部分放大的剖面圖。換句話(huà)說(shuō)，硅酮單體聚合薄膜501不形成在反射器基材料2的背面23上。
因此，反射器基材料2的背面23上的鋁金屬化薄膜401b直接暴露于外部。因此，鋁金屬化薄膜401b可以接地E(見(jiàn)圖6)。因而，將要在下文描述的反射器10適合于放電前燈。
再次參考圖1，殼體1容納在等離子體聚合薄膜成形腔室5中形成有對(duì)應(yīng)硅酮等離子體聚合薄膜501的反射器基材料2，殼體1傳輸?shù)脚R近等離子體聚合薄膜成形腔室5的初級(jí)真空腔室(見(jiàn)圖1的箭頭P4)。初級(jí)真空腔室6用于將等離子體聚合薄膜成形腔室5中的高真空狀態(tài)返回到低真空狀態(tài)。因此，作為初級(jí)步驟，初級(jí)真空腔室6對(duì)于在外部大氣壓力下取出殼體1是重要的。
在初級(jí)真空腔室6中處理預(yù)定的時(shí)間周期后，殼體1釋放到一系列薄膜成形單元的外側(cè)(見(jiàn)箭頭P5)，并且等候的工人從殼體1中取出所有反射器基材料2。
然后，排空的殼體1′通過(guò)傳輸器沿著經(jīng)過(guò)鋁金屬化腔室4和等離子體聚合薄膜成形腔室5的路線傳輸，從而排空的殼體1＇返回到起始位置Ⅰ。此后，排空的殼體1′可以再次容納反射器基材料2以進(jìn)行薄膜成形步驟。
參照?qǐng)D7描述由本發(fā)明實(shí)施例的線型薄膜成形方法得到的反射器10應(yīng)用到汽車(chē)放電前燈。圖7是簡(jiǎn)化的示意圖，說(shuō)明了放電前燈的實(shí)施例。
拋物面形反射器，即作為由本發(fā)明線型薄膜成形方法得到的反射器10，以被塑料燈體9包圍的方式設(shè)置在燈室12中。反射器10的剖面結(jié)構(gòu)全部近似于圖6所示的結(jié)構(gòu)。等離子體聚合保護(hù)性薄膜形成在反射器10的表面101上，而鋁金屬化薄膜401b暴露于其背面102上的反射器的外側(cè)。
鋁金屬化薄膜401b和/或401a屏蔽從放電管13放射出的電磁波，放電管13以被反射器10包圍的方式設(shè)置。鋁金屬化薄膜401b通過(guò)利用反射器自身的背面102接地E。
更具體的是，連接到鋁金屬化薄膜401b的接地線20連接到接地終端21，接地終端21置于前燈較低部分中的鎮(zhèn)流器15(具有內(nèi)置鎮(zhèn)流電路)的邊緣面上。
在圖7中，附圖標(biāo)記8表示裝配到燈體9上的前透鏡；附圖標(biāo)記11表示用于遮蓋反射器10和燈體9之間間隙的擴(kuò)展反射器；附圖標(biāo)記14表示用于遮蓋放電管13的護(hù)板；附圖標(biāo)記16表示裝配到燈體9的后頂部的后蓋；附圖標(biāo)記17和18表示電線；附圖標(biāo)記19表示用于支撐放電管13的前支撐。
由線型薄膜成形方法得到的效果如下由于在設(shè)置合成樹(shù)脂基材料步驟之后需要的工作簡(jiǎn)化了，故生產(chǎn)率提高，并且前置時(shí)間也可以縮短。此外，在此之前單獨(dú)進(jìn)行的形成金屬化鋁薄膜和等離子體聚合薄膜的步驟可連續(xù)地完成，由此不需要從鋁金屬化階段向等離子體聚合薄膜成形階段傳輸合成樹(shù)脂基材料的工作，這樣導(dǎo)致了實(shí)用性提高。
根據(jù)本發(fā)明，薄膜在殼體橫向經(jīng)過(guò)鋁金屬化腔室和等離子體聚合薄膜成形腔室時(shí)形成。因此，可以省去用于在任何金屬化薄膜成形機(jī)構(gòu)中旋轉(zhuǎn)基材料的復(fù)雜機(jī)構(gòu)，從而容易對(duì)金屬化薄膜成形機(jī)構(gòu)維修和處理并且生產(chǎn)成本降低。
容納合成樹(shù)脂基材料的殼體回收到鋁金屬化腔室的側(cè)面，由此可以重復(fù)使用，從而提高實(shí)用性效率。
多個(gè)鋁金屬化源和等離子源分別設(shè)置在鋁金屬化腔室和等離子體聚合薄膜成形腔室的下部區(qū)域。相對(duì)于鋁，通過(guò)朝向基材料的背面環(huán)繞移動(dòng)鋁而使金屬化薄膜形成在每個(gè)反射器基材料的前表面和背面上。對(duì)比之下，硅酮限制在其擴(kuò)散區(qū)，從而硅酮聚合薄膜只形成在每個(gè)反射器基材料的前表面上(向下的表面)。由于鋁金屬化薄膜已經(jīng)形成在反射器的背面上，故可以確保電磁屏蔽功能。也就是說(shuō)，由于鋁金屬化薄膜暴露于反射器的背面，而不被保護(hù)性薄膜覆蓋，故反射器的背面可以接地。因此，可以提供裝配成用在汽車(chē)放電前燈中的反射器。
本發(fā)明不局限于上述的特殊實(shí)施例?？梢詷?gòu)想在不脫離下述權(quán)利要求書(shū)中確定的本發(fā)明思想和范圍的前提下，對(duì)本發(fā)明的線型薄膜成形方法及由此形成的反射器進(jìn)行大量改型。
權(quán)利要求
1．一種線型薄膜成形方法，用于在多個(gè)合成樹(shù)脂基材料上通過(guò)下述步驟形成鋁金屬化薄膜和保護(hù)性薄膜，即移動(dòng)容納所述合成樹(shù)脂基材料的殼體連續(xù)通過(guò)鋁金屬化腔室和等離子體聚合薄膜成形腔室。
2．如權(quán)利要求1所述的線型薄膜成形方法，其特征在于所述合成樹(shù)脂基材料依次形成有鋁金屬化薄膜和等離子體聚合薄膜，并隨后從所述殼體中取出，以及所述空的殼體傳輸?shù)剿鲣X金屬腔室的側(cè)面，從而所述殼體可以重復(fù)使用。
3．如權(quán)利要求2所述的線型薄膜成形方法，其特征在于每個(gè)所述合成樹(shù)脂基材料為要安在機(jī)動(dòng)車(chē)車(chē)燈中的大致杯形的反射器基材料。
4．如權(quán)利要求3所述的線型薄膜成形方法，其特征在于所述反射器基材料以面朝下的方式設(shè)置；所述鋁金屬化薄膜通過(guò)從所述鋁金屬化腔室中每個(gè)所述反射器基材料之下吹送鋁而形成在每個(gè)所述反射器基材料的前表面和背面上；以及所述等離子體聚合薄膜在所述等離子體聚合薄膜成形腔室中只形成在每個(gè)所述反射器基材料的前表面。
5．一種在放電前燈中使用的反射器，其特征在于，所述反射器通過(guò)如權(quán)利要求4所述的線型薄膜成形方法形成。
6．如權(quán)利要求1所述的線型薄膜成形方法，其特征在于，每個(gè)所述合成樹(shù)脂基材料為要安在機(jī)動(dòng)車(chē)車(chē)燈中的大致杯形的反射器基材料。
7．如權(quán)利要求6所述的線型薄膜成形方法，其特征在于，所述反射器基材料以面朝下的方式設(shè)置；所述鋁金屬化薄膜通過(guò)從所述鋁金屬化腔室中每個(gè)所述反射器基材料之下吹送鋁而形成在每個(gè)所述反射器基材料的前表面和背面上；以及所述等離子體聚合薄膜在所述等離子體聚合薄膜成形腔室中只形成在每個(gè)所述反射器基材料的前表面。
8．一種在放電前燈中使用的反射器，其特征在于，所述反射器通過(guò)如權(quán)利要求7所述的線型薄膜成形方法形成。
全文摘要
一種線型薄膜成形方法，用于在多個(gè)合成樹(shù)脂基材料上依次形成鋁金屬化薄膜和硅酮等離子體聚合保護(hù)性薄膜。這些薄膜通過(guò)使容納合成樹(shù)脂基材料的殼體連續(xù)通過(guò)鋁金屬化腔室和等離子體聚合薄膜成形腔室而形成，從而形成可以安在放電前燈中的反射器。
文檔編號(hào)C23C14/56GK1316543SQ0111188
公開(kāi)日2001年10月10日 申請(qǐng)日期2001年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2000年3月31日
發(fā)明者稻葉輝明 申請(qǐng)人:株式會(huì)社小糸制作所