本發(fā)明涉及金屬材料的制備方法,尤其涉及一種非晶純金屬材料的制備方法。
背景技術(shù):
1、非晶材料是一種具有組成原子長程無序的材料。非晶金屬材料是一種重要的非晶材料,與傳統(tǒng)的多晶/單晶金屬材料相比,非晶金屬材料具有高強度、高韌度、高硬度等諸多優(yōu)點,是一種面向未來應(yīng)用的關(guān)鍵材料。目前非晶金屬材料多為合金,制備非晶金屬材料主要采用急速冷卻的方法,這是因為純金屬(純金屬是指不含其他雜質(zhì)或其他金屬成分的金屬)材料的非晶化能力(指由多晶狀態(tài)向非晶狀態(tài)轉(zhuǎn)化的能力)很弱,需要在極端條件下才能形成非晶態(tài)(如極高的冷卻速度:1011~1013k/s)。為提高金屬材料的非晶化能力,需要添加不同的金屬元素,以降低金屬材料非晶化的臨界冷卻速度。例如:專利cn118581375a公開了一種六元高熵非晶合金及其制備方法和應(yīng)用,該方法制備的非晶金屬材料包含6種不同金屬元素,同時需要采用熔體旋淬方法以獲得極高的冷卻速度;專利中特別提到若金屬熔體冷卻速度不夠快,容易發(fā)生晶化、不利于形成非晶合金。
2、現(xiàn)有制備非晶金屬材料的技術(shù)由于需要很高的冷卻速度,對于加工設(shè)備的要求高。在這樣的條件下,由于純金屬材料非晶化臨界冷卻速度極高,在現(xiàn)有條件下很難制備較大面積的非晶純金屬。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的在于克服已有技術(shù)的缺點,提供一種可以實現(xiàn)多種純金屬非晶化的非晶純金屬材料的制備方法。
2、本發(fā)明解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案為:
3、本發(fā)明的一種非晶純金屬材料的制備方法,包括以下步驟:
4、步驟一、準(zhǔn)備多晶或單晶狀態(tài)的純金屬材料,然后對純金屬材料表面進行預(yù)加工使得純金屬材料表面粗糙度不大于sa?1.6μm;
5、步驟二、將純金屬材料固定在超精密機床上,將超精密機床主軸的動平衡參數(shù)調(diào)整至30nm以內(nèi),采用聚晶金剛石刀具對金屬材料的端面進行切削粗加工,切削粗加工過程中對切削區(qū)域連續(xù)噴射冷卻干燥的保護性氣體,使得制備的非晶純金屬材料不被氧化;
6、步驟三、粗加工完成后,將超精密機床主軸的動平衡參數(shù)重新調(diào)整至30nm以內(nèi),然后采用單晶金剛石刀具對金屬材料進行精加工,采用步驟二中的保護性氣體對切削區(qū)域連續(xù)噴射;
7、步驟四、將精加工后的純金屬材料從超精密機床迅速取下,并保存在真空環(huán)境或者不能與純金屬材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的保護性氣體氛圍中,精加工后的純金屬材料中包含有非晶體,在純金屬材料加工后的表面上具有非晶體層。
8、本發(fā)明的有益效果是:
9、通過采用具有大圓弧刃(刀尖圓弧半徑不小于5mm)、極鋒利(切削刃鈍圓半徑不大于20nm)的單晶金剛石刀具在極小的進給量下(每轉(zhuǎn)進給量一般不超過2μm/r)對純金屬材料進行超精密切削,利用切削過程中產(chǎn)生的極高的剪應(yīng)變、極高的應(yīng)變率等條件,在表層和亞表層獲得非晶純金屬組織。
1.一種非晶純金屬材料的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非晶純金屬材料的制備方法,其特征在于:所述的非晶體層的厚度為10~30nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非晶純金屬材料的制備方法,其特征在于:精加工后的純金屬材料為加工前的純金屬材料硬度的2~4倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的非晶純金屬材料的制備方法,其特征在于:純金屬材料主要元素質(zhì)量百分比不低于99%,余量為雜質(zhì)元素含量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的非晶純金屬材料的制備方法,其特征在于:所述的切削粗加工過程中對切削區(qū)域連續(xù)噴射冷卻干燥的保護性氣體的溫度范圍為:-20℃至20℃,且含水量的質(zhì)量百分比低于0.1%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3之一所述的非晶純金屬材料的制備方法,其特征在于:所述的切削粗加工過程中刀尖圓弧半徑不小于5mm;切削粗加工工藝參數(shù)是:超精密機床主軸轉(zhuǎn)速1000-3000r/min,切削深度3-15μm,每轉(zhuǎn)進給量10-30μm/r。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的非晶純金屬材料的制備方法,其特征在于:精加工的工藝參數(shù)是:主軸轉(zhuǎn)速2000r/min,切削深度1-2μm,每轉(zhuǎn)進給量0.5-2μm/r;刀尖圓弧半徑不小于5mm,刀具切削刃鈍圓半徑不大于20nm。