專利名稱：無鉛焊料連接構(gòu)造體和焊料球的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及Si片和絕緣基板等的熱膨脹系數(shù)不同的構(gòu)造體連接用焊料(solder)、 大型構(gòu)造的密封部連接用焊料及使用了該焊料的連接構(gòu)造體以及其所使用的不含鉛的焊 料球(solderball)。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體封裝隨著電器的小型化·薄型化，安裝密度也要求高密度化。因此，從 現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝的DIP型等安裝插入型演變成能夠高密度安裝的QFP等面安裝型，近 年來，在QFP等導(dǎo)線型的半導(dǎo)體封裝中，由于無法有效地活用印制電路板和半導(dǎo)體封裝 的導(dǎo)線接合部，因此成為主流的是半導(dǎo)體封裝中沒有導(dǎo)線、在封裝的下面使用焊料球電 極、直接接合于印制電路板的BGA或CSP等面陣列端子型的半導(dǎo)體封裝。BGA或CSP等面陣列端子型的半導(dǎo)體封裝以BGA為例時，成為主流的是在塑料 基板上利用使用了 Au線等金屬線的引線接合來連接半導(dǎo)體片的PBGA(Plastic BGA)或者 代替金屬線而使用了聚酰亞胺帶的TBGA(TapeBGA)等，目前使用得最多。但是，PBGA 或TBGA由于將金屬絲或帶的接線引至硅片外，因此基板上的焊料球電極集中在硅片的 外側(cè)，無法在硅片上配置焊料球電極。最近開始使用解決其缺點、可達(dá)成半導(dǎo)體封裝的 小型化·高密度化的FBGA (Flip Chip BGA)。FBGA如下制造相對于PBGA或TBGA從硅片的上側(cè)進(jìn)行配線，在硅片下的 電極上設(shè)置焊料突起，與設(shè)置于絕緣基板上的預(yù)備焊料進(jìn)行壓接接合，從而制造。由于 沒有如PBGA或TBGA等那樣將配線引出至硅片側(cè)面，因此可獲得與硅片的尺寸相接近 的半導(dǎo)體封裝。一直以來，作為硅片下電極的倒裝片用突起的焊料，可以使用Pb_5Sn等Sn-Pb 系的高溫焊料。Sn-Pb系的焊料相對于拉伸的特性良好，熱循環(huán)特性也優(yōu)異。但是， 隨著鉛對人體影響的明朗化，目前處于鉛易溶于水中、發(fā)展成地球環(huán)境問題的狀況。因 此，需要代替Sn-Pb焊料的優(yōu)異特性，特別是耐熱疲勞性、焊接時或溫度循環(huán)試驗時能 夠耐受且不會損壞元件、部件等、焊接性優(yōu)異的無鉛焊料材料及其構(gòu)造體。對于該無鉛化的課題，作為倒裝片用突起的無鉛焊料，對多用于印制電路板的 安裝用的Sn-3Ag-0.5CU的無鉛焊料組成進(jìn)行了探討。半導(dǎo)體封裝的倒裝片接合中的焊料 突起多使用上部為硅片、下部為氧化鋁等陶瓷制或FR-4等玻璃環(huán)氧基板的絕緣基板，但 焊料與這些陶瓷或玻璃環(huán)氧樹脂的熱膨脹系數(shù)的值不同。當(dāng)在這樣位置使用比Sn-Pb系 焊料更硬、缺乏應(yīng)力緩和特性的Sn-3Ag-0.5Cu的無鉛焊料時，由于溫度循環(huán)，在倒裝片 連接構(gòu)造體和絕緣基板之間易發(fā)生剝離，可靠性易發(fā)生問題。另外還有報告指出了以下現(xiàn)象與以往的Sn-Pb焊料相比，當(dāng)使用 Sn-3Ag-0.5Cu等無鉛焊料時，發(fā)生形成于絕緣基板上的鍍Cu等Cu電極在回流焊接時溶 解于Sn的現(xiàn)象、即所謂的Cu吞食，在片連接構(gòu)造體與絕緣基板之間易于發(fā)生剝離的現(xiàn) 象。Cu吞食在焊料的熔融溫度提高時更易發(fā)生。作為解決這些問題的技術(shù)，公開了并非倒裝片安裝、而是使用了 Sn-In、Sn-Bi, Sn-Zn, Sn-Zn-Bi的低溫?zé)o鉛焊料的半導(dǎo)體裝 置(特開2007-141948號公報、專利文獻(xiàn)1)和使用了低溫?zé)o鉛焊料組成Sn-Ag-Cu-In-Bi 組成的焊料的連接構(gòu)造體(日本特開2007-141948號公報、專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)1 日本特開2007-141948號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2007-141948號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明預(yù)解決的課題在于提供作為不含污染環(huán)境的鉛的焊料合金、同時具有接 近于以往Sn-Pb焊料的應(yīng)力緩和特性、利用難以引起絕緣基板的Cu電極的Cu吞食的倒 裝片安裝的焊料連接構(gòu)造體和用于進(jìn)行倒裝片安裝的無鉛焊料球。專利文獻(xiàn)1所公開的焊料合金的Sn-In的共晶溫度為117°C、Sn-Bi的共晶溫度 為139°C、Sn-Zn的共晶溫度為199°C。Sn-In和Sn-Bi的特征在于，與以往Sn-Pb焊料 的共晶溫度183°C相比，熔融溫度也很低。用于半導(dǎo)體封裝安裝的焊料合金由于多使用 Sn-3Ag-0.5Cu焊料(熔融溫度約220°C)，因此在進(jìn)行半導(dǎo)體封裝的安裝時，半導(dǎo)體封裝 內(nèi)的倒裝片的焊料熔解。半導(dǎo)體封裝由于通常在倒裝片接合后利用環(huán)氧樹脂等底膠(日 文τ· '一7 O )進(jìn)行強度加固，因此認(rèn)為即便焊料處于半熔融狀態(tài)也不會立即溶 解、引起接觸不良。但是，在半導(dǎo)體封裝的安裝時，Sn-3Ag-0.5Cu焊料中回流的峰溫度 一般在235 240°C下進(jìn)行。當(dāng)在半導(dǎo)體封裝內(nèi)使用Sn-In和Sn-Bi的焊料組成時，由于 熔融溫度很低，因此會完全地熔融，即便用底膠進(jìn)行強度加固，也會破壞底膠、引起接 觸不良。另外，Sn-Bi的焊料組成由于比Sn-3Ag-0.5Cu焊料組成更硬、更脆，因此在沒 有應(yīng)力緩和余地的倒裝片的突起中，在焊料內(nèi)易于被破壞、半導(dǎo)體封裝的可靠性很差。雖然是Sn-Zn和Sn-Zn-Bi組成，但這些Sn-Zn組成的焊料合金的特征在于Zn 的氧化覆膜更厚、潤濕性更差。因此，在使用Sn-Zn組成的焊料時，有必要使用很強的 助焊劑。在倒裝片的突起形成后，為了澆注底膠進(jìn)行助焊劑的洗滌，但由于倒裝片的內(nèi) 部是微細(xì)的，因此無法完全100%地進(jìn)行洗滌。為此，作為半導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝片的焊 料，使用利用了助焊劑的Sn-Zn組成的焊料合金會降低半導(dǎo)體封裝的可靠性。專利文獻(xiàn)2所公開的焊料合金也是為了降低以往使用的Sn-Sb焊料的溫度所開發(fā) 的發(fā)明，使用低溫焊料Sn-Ag-Cu-In-Bi組成的焊料。專利文獻(xiàn)2公開了在下位使用以 往使用的Sn-Sb焊料、在上位使用低溫焊料Sn-Ag-Cu-In-Bi的二層構(gòu)造的焊料構(gòu)造體。 專利文獻(xiàn)2中，上位層的Sn-Sb焊料由于含有潤濕性差、硬度很硬的Sb，因此觀察不到 應(yīng)力緩和。下位層的Sn-Ag-Cu-In-Bi組成的低溫焊料與將半導(dǎo)體封裝安裝于印制電路板 的Sn-3Ag-0.5Cu焊料相比，由于含有熔融溫度更低、硬度很硬的Bi，因此觀察不到應(yīng)力 緩和、不適用于倒裝片。用于解決技術(shù)問題的方法本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)作為半導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝片的焊料，在Sn中添加有微量Ni的 Sn-Ni系的焊料合金很合適，進(jìn)而完成本發(fā)明。Sn為單體是熔融溫度為232°C的金屬，一般來說低于焊接半導(dǎo)體封裝和印制電 路板的Sn-3Ag-0.5Cu無鉛焊料的熔融溫度220°C。但是，Sn單體的溫度循環(huán)等可靠性 很低，潤濕性也很差，因而不適合作為半導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝片的焊料，通過在Sn中添加微量的Ni，溫度循環(huán)等的可靠性也增高、潤濕性也變得良好。BGA或CSP等面陣列端子型的半導(dǎo)體封裝中，硅片側(cè)成為在鍍Al的電極上進(jìn)行 了鍍Ni、進(jìn)而在其上進(jìn)行了鍍Au處理的構(gòu)造，基板側(cè)成為在氧化鋁等陶瓷基板或FR-4 等玻璃環(huán)氧基板等絕緣基板上進(jìn)行了鍍Cu、在Cu箔的凸緣(日文，> K )上進(jìn)而幾乎 整個半導(dǎo)體封裝上進(jìn)行了鍍Cu、在Cu箔的凸緣上進(jìn)行了鍍Ni、進(jìn)而在其上進(jìn)行了鍍Au 處理的構(gòu)造。作為鍍Ni的頂層(日文上地)進(jìn)行了處理的鍍Au是為了提高相對于焊 料的潤濕性所進(jìn)行的，由于鍍Au在焊料中的擴散很快，因此實際上成為焊料與Ni的焊料 接合。焊接是在熔融了的焊料與接合對象的金屬之間形成金屬間化合物進(jìn)行接合的釬 焊的一種。半導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝片的焊接中，由于成為與鍍Ni的焊接，因此即便是以往 的Pb-5% Sn焊料的接合，Pb在不多余形成金屬間化合物的情況下利用Sn和Ni在接合 界面上形成Ni3Sn4W金屬化合物。為無鉛焊料時，在接合界面上形成Sn或其無鉛金屬與 Ni的金屬間化合物。當(dāng)對半導(dǎo)體封裝施加溫度循環(huán)時，與硅片或絕緣基板的焊料由于熱 膨脹系數(shù)不同，因此在重復(fù)膨脹-收縮時易于在最脆弱的部分產(chǎn)生裂痕。半導(dǎo)體封裝內(nèi) 的倒裝片中，由于硅片與焊料以及絕緣基板與焊料的接合界面的金屬間化合物最硬、最 脆，因而焊料的接合界面的裂痕發(fā)生得最多。無鉛焊料為以Sn為主成分，添加有Ag、Cu、In、Bi、Zn等的物質(zhì)。因此，半
導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝 片中，在硅片與焊料以及絕緣基板與焊料的接合界面的金屬間化合物 中，Ni3Sn4的產(chǎn)生最多。該Ni3Snjf厚時，由于很硬、很脆，因此不會引起應(yīng)力緩和、 發(fā)生裂痕等疲勞破壞。作為半導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝片的焊料，通過在Sn中添加微量的Ni， 抑制作為硅片與焊料以及絕緣基板與焊料的接合界面的金屬間化合物的Ni3Sn4的發(fā)生， 通過減薄金屬化合物層，起到提高溫度循環(huán)特性的效果。如此，通過在半導(dǎo)體封裝內(nèi)的 倒裝片中使用Sn-Ni焊料，可獲得強度很強的焊料連接構(gòu)造體。添加于Sn的Ni的量優(yōu)選為0.01 0.5質(zhì)量％。Ni的量少于0.01質(zhì)量％時，未
見金屬間化合物的抑制效果，Ni的量多于0.5質(zhì)量％時，Sn-Ni的焊料合金本身變硬，因 此不會表現(xiàn)焊料的應(yīng)力緩和效果、在焊料部分產(chǎn)生裂痕。另外，當(dāng)在Sn中添加Ni時，由于焊料的液相溫度上升，因而當(dāng)將半導(dǎo)體封裝內(nèi) 的倒裝片的焊料突起與絕緣基板接合時，必須提高焊接溫度。焊接溫度的上升會促進(jìn)金 屬間化合物的發(fā)生、增厚金屬間化合物的層。另外，一部分的絕緣基板也有未在Cu凸 緣上施以鍍覆者，當(dāng)在這種絕緣基板中使用Ni的量為0.5質(zhì)量％以上的Sn-Ni焊料時， 由于焊接溫度很高，因此易于發(fā)生將凸緣的Cu吞食的Cu吞食、加以溫度循環(huán)時從Cu凸 緣與焊料的接合界面產(chǎn)生裂痕。進(jìn)而，作為添加于Sn的Ni的量，優(yōu)選為0.02 0.05質(zhì) 量％。當(dāng)在Sn中添加0.02質(zhì)量％以上的Ni時，Ni3Sn4的金屬間化合物的抑制效果顯著 呈現(xiàn)，在Sn中添加0.05質(zhì)量％以下的Ni時，焊料合金本身的應(yīng)力緩和特性良好、液相 線溫度也與Sn的回流溫度相同，可在焊接溫度下使用。進(jìn)而，作為半導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝片的焊料，當(dāng)在Sn中添加有微量Ni的Sn-Ni系 焊料合金中添加微量的Cu時，可獲得強度強、應(yīng)力緩和特性良好的連接構(gòu)造體。如Cu 板可自由彎曲那樣，Cu是比較柔軟的金屬。微量Cu在焊料中的添加優(yōu)選使Cu為0.3 0.9質(zhì)量％。Sn-Ni焊料中的Cu的含量少于0.3質(zhì)量％時，不會呈現(xiàn)強度強化效果；多于0.9質(zhì)量％進(jìn)行添加時，會引起液相線溫度上升、焊接溫度增高、金屬間化合物增大或Cu 吞食。添加0.3 0.9質(zhì)量％ Cu時的Sn-Ni焊料優(yōu)選是Ni為0.02 0.05質(zhì)量％、其余 為Sn的組成。更優(yōu)選是Cu為0.3 0.7質(zhì)量％、Ni為0.02 0.04質(zhì)量％、其余為Sn 的組成。作為半導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝片的焊料，通過在Sn-Ni和Sn-Ni-Cu的組成中添加 0.001 0.01質(zhì)量％ P,可獲得強度很強的焊料連接構(gòu)造體。P通過添加于Sn-Ni焊料和 Sn-Ni-Cu焊料中，由于提高潤濕性、短時間內(nèi)進(jìn)行焊料接合，因此抑制了所產(chǎn)生的金屬 間化合物的發(fā)生、提高焊料連接構(gòu)造體的強度。P在Sn-Ni焊料和Sn-Ni-Cu焊料中的添 加為0.001質(zhì)量％以下時，未見潤濕性改善效果；為0.01質(zhì)量％以上時，引起液相線溫度 上升、焊接溫度增高、金屬間化合物的增大或Cu吞食。更優(yōu)選的P的添加量為0.002 0.005質(zhì)量％。為此量時，可在與Sn回流溫度相同的焊接溫度下使用。作為與P同樣、一般安裝的Sn-3Ag-0.5Cu無鉛焊料的氧化抑制元素所使用的Ge 無法獲得與P相同的效果。Ge在Sn-Ni焊料和Sn-Ni-Cu焊料中的添加為少量時，會提 高液相線溫度、引起焊接溫度增高、金屬間化合物增大或Cu吞食。發(fā)明效果本發(fā)明的無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體由于利用硅片與焊料以及絕緣基板與焊 料的接合界面的金屬間化合物抑制Ni3Sn4W發(fā)生，因此可獲得耐受溫度循環(huán)、應(yīng)力緩 和性優(yōu)異的可靠性高的倒裝片連接構(gòu)造體。而且，由于焊料的熔融溫度比一般安裝的 Sn-3Ag-0.5Cu無鉛焊料高10°C左右，因此當(dāng)將半導(dǎo)體封裝安裝于印制電路板上時，僅處 于半熔融狀態(tài)，可以充分利用底膠抑制熔融。另外，由于焊料的熔融溫度不會過高，因 此也不會引起焊接溫度增高、金屬間化合物增大或Cu吞食。


[圖1]FBGA(利用倒裝片安裝的半導(dǎo)體)的概略圖符號說明1 硅片2倒裝片用的微細(xì)焊料球3 絕緣基板(FR-4)4補強件5外部端子用的焊料球
具體實施例方式本發(fā)明的無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體所使用的焊料合金通過在硅片的電極上印 刷焊料膏或者以焊料球的形式進(jìn)行提供形成焊料突起。焊料球是指球形的焊料，由于要 經(jīng)過在搭載于晶片或基板上時在托盤上旋轉(zhuǎn)、進(jìn)入托盤孔穴進(jìn)行排列的工序，因此必須 是完全的球狀，搭載于晶片或基板的焊料球由于是利用圖像進(jìn)行識別的，因此焊料球表 面不會有傷痕或變色。片尺寸大的倒裝片連接構(gòu)造體中，利用焊料膏的供給是很普遍的，但CSP等 小型片尺寸的倒裝片連接構(gòu)造體中，電極的尺寸也是微細(xì)的，利用焊料膏則無法獲得倒裝片的突起的高度，不適于微細(xì)尺寸的倒裝片的接合。與此相對，利用焊料球的供給 具有以下優(yōu)點由于焊料球的高度是一定的，因此能夠使基準(zhǔn)距為一定、可增高突起。 如此，用于倒裝片的內(nèi)部電極構(gòu)造的焊料適于用焊料球進(jìn)行供給。硅片的電極為直徑 0.3mm以下時，適于使用焊料球，在直徑0.1mm以下的電極時更為優(yōu)選。此時的倒裝片 的內(nèi)部電極構(gòu)造所使用的焊料使用直徑0.3mm以下的焊料球、更優(yōu)選使用直徑0.1mm以 下的焊料球。因此，本專利申請的第二發(fā)明為一種倒裝片用焊料球，其特征在于，焊料球的 粒徑為0.3mm以下、由NiO.Ol 0.5質(zhì)量％、余份為Sn的無鉛焊料組成構(gòu)成。實施例1通過FBGA(Flip Chip BGA)的制造工序說明本發(fā)明的無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體。1.在片尺寸為12mmX 12mmX0.2mm、硅片的Al電極上進(jìn)行了 Ni底層的鍍Au 處理的電極的直徑為80 μ m、間距為150 μ m的硅片上全面地印刷水溶性助焊劑。2.使用聚氨酯路刷掃掉投入至焊料球安裝用金屬掩模上的焊料球，僅搭載于涂 布有助焊劑的四角硅片的電極的位置上。3.在預(yù)熱150°C下30秒、主加熱的峰溫度260°C、10秒的條件下進(jìn)行回流焊接。 在焊接后，使用40°C的離子交換水將助焊劑殘渣洗滌、除去后進(jìn)行干燥，在硅片上形成 倒裝片的焊料突起。4.使用金屬掩模將水溶性助焊劑印刷、涂布于尺寸20mmX50mmX 1.0mm的鍍 Ni底層的鍍Au處理玻璃環(huán)氧基板(FR-4)上。5.在涂布有助焊劑的玻璃環(huán)氧基板上擔(dān)載形成有倒裝片的焊料突起的硅片，使 用倒裝片按鈕對準(zhǔn)電極的位置，同時進(jìn)行倒裝片的焊料突起與玻璃環(huán)氧基板的熱壓接進(jìn) 行預(yù)固定。6.在預(yù)熱150°C下30秒、主加熱的峰溫度260°C、10秒的條件下進(jìn)行回流焊接。 在焊接后，使用倒裝片洗滌機用40°C的離子交換水洗滌助焊劑殘渣，將助焊劑殘渣除去 后進(jìn)行干燥，完成本發(fā)明的無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體。作為之后的FBGA的工序為7.將環(huán)氧系的底膠粘接劑填充于倒裝片連接構(gòu)造體內(nèi)使其固化。8.將使用科伐鐵鎳鈷合金材料等制作的罩子作為半導(dǎo)體封裝的蓋子蓋上，使用 Sn-Au焊料等進(jìn)行密封。在玻璃環(huán)氧基板的外部電極上使用焊料球形成焊料突起。此工 序結(jié)束后作為半導(dǎo)體出售。此部分所用外部電極中使用的焊料球使用比本發(fā)明所用倒裝片用的焊料球的尺 寸大很多(0.25mm 0.76mm左右)的焊料球。實施例2外部電極所使用的焊料球和內(nèi)突起所使用的焊料球不僅尺寸不同，而且所要求 的特性也不同。例如，外部電極所使用的焊料球由于從外部直接施力，因此很重視剪切
強度等。與其相對，內(nèi)突起所使用的焊料球由于夾在硅晶片和基板之間使用，不會直接 從外部施力，因此焊料合金的體積強度或剪切強度等并非是重要的要素。焊料合金本身的應(yīng)力緩和特性很重要。比較焊料合金的應(yīng)力緩和特性時，比較回流加熱后的翹曲即可。利用與實施例1相同的工序制作表1各組成的無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體，測定 其熔融溫度和回流加熱后的硅片的翹曲。液相線溫度的測定使用示差掃描熱量計(DSC)。將結(jié)果示于表1。無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體在液相線溫度+30°C的回流溫度下進(jìn)行回流，測定回 流加熱后的硅片的翹曲。翹曲的測定方法為測定安裝的Si片的中央部與片的4個角落的 高度，測量翹曲量。翹曲量優(yōu)選為200um以下、更優(yōu)選為150um以下。將結(jié)果示于表 1。接著，將實施了 0.5um的電鍍Ni的Cu板浸漬于280°C的焊料浴中180秒后，利 用SEM截面觀察對共計30 40mm長度的界面確認(rèn)鍍Ni是否失敗，將一部分鍍Ni膜破 裂、Cu與Sn直接反應(yīng)的情況評價為不合格X ；將整個面殘留有鍍Ni、Cu未與Sn直接 反應(yīng)的情況評價為合格〇。將實驗結(jié)果示于表1。[表1]
權(quán)利要求
1.一種無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體，其特征在于，其為用無鉛焊料將內(nèi)置有元件的 硅片連接到絕緣基板的構(gòu)造，該焊料由M0.01 0.5質(zhì)量％、余量Sn構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體，其特征在于，所述焊料由 M0.02 0.05質(zhì)量％、余量Sn構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體，其特征在于，在所述焊料 中還添加有0.3 0.9質(zhì)量％的Cu。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項所述的無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體，其特征在于，在 所述焊料中還添加0.001 0.01質(zhì)量％的P。
5.—種倒裝片用焊料球，其特征在于，焊料球的粒徑為0.3mm以下，由NiO.Ol 0.5 質(zhì)量％、余量為Sn的無鉛焊料組成構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的倒裝片用焊料球，其特征在于，所述無鉛焊料組成由 M0.02 0.05質(zhì)量％、余量Sn構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的倒裝片用焊料球，其特征在于，在所述無鉛焊料組成中 還添加有0.3 0.9質(zhì)量％的Cu。
8.根據(jù)權(quán)利要求5 7中任一項所述的倒裝片用焊料球，其特征在于，在所述無鉛焊 料組成中還添加有0.001 0.01質(zhì)量％的P。
全文摘要
本發(fā)明提供的用于半導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝片的焊料使用Pb-5Sn組成等的Sn-Pb焊料，由于以往研究的無鉛焊料很硬、易產(chǎn)生Sn的金屬間化合物，因此不適于要求應(yīng)力緩和特性的半導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝片連接構(gòu)造體。作為使用了無鉛焊料的半導(dǎo)體封裝內(nèi)的倒裝片連接構(gòu)造體，使用以由Ni0.01～0.5質(zhì)量％、余量Sn構(gòu)成為特征的無鉛焊料倒裝片連接構(gòu)造體。在該焊料組成中還可添加0.3～0.9質(zhì)量％的Cu和0.001～0.01質(zhì)量％的P。
文檔編號B23K35/26GK102017111SQ20098011561
公開日2011年4月13日 申請日期2009年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月5日
發(fā)明者上島稔, 八卷得郎, 吉川俊策, 大西司, 山中芳惠, 鈴木誠之 申請人:千住金屬工業(yè)株式會社