專利名稱：一種ito薄膜激光蝕刻設(shè)備及蝕刻方法
一種IT0薄膜激光蝕刻設(shè)備及蝕刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及激光切割技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種ITO薄膜激光蝕刻 設(shè)備及蝕刻方法。
背景技術(shù)：
ITO薄膜即銦錫氧化物半導(dǎo)體透明導(dǎo)電膜，此膜鍍?cè)谟袡C(jī)薄膜 PET,玻璃(鈉4丐Na-Ca玻璃)或是硬性塑料(表面做過硬化處理的亞 克力板)基板上， 一般厚度只有幾千埃(300-500nm),這種氧化銦錫 薄膜具有較低電阻率、高可見光透過率和紫外光高反射率等優(yōu)良特 性。鍍有ITO薄膜的基材刻線后由上層與下層線路組合，各自布線X 軸與Y軸，兩層線路中間由極小的絕緣點(diǎn)支撐作為隔層，經(jīng)組裝貼 合后，用手指或筆尖等任何材質(zhì)對(duì)上方導(dǎo)電膜施以壓力，造成上下X 軸與Y軸短路，因而改變其電壓值且產(chǎn)生信號(hào)，再經(jīng)由控制器計(jì)算 受壓處之相對(duì)坐標(biāo)位置，此為觸摸屏產(chǎn)品的使用；而液晶屏的應(yīng)用是 利用導(dǎo)電玻璃上的透明導(dǎo)電ITO薄膜,經(jīng)蝕刻制成特定形狀的電極,上 下導(dǎo)電玻璃制成液晶盒后,在這些電極上加適當(dāng)電壓信號(hào)，使具有偶極 矩的液晶分子在電場(chǎng)作用下特定的方面排列,僅而顯示出與電極波長(zhǎng) 相對(duì)應(yīng)的圖形；隨著電子產(chǎn)品的多樣化及高速發(fā)展，ITO薄膜廣泛地 應(yīng)用于平板顯示、太陽能電池、特殊功能窗口涂層及其他光電器件領(lǐng)域，平板顯示器市場(chǎng)廣闊，特別是液晶顯示器(LCD)具有體積小、 重量輕、能耗低、無輻射、無閃爍、抗電磁干擾等特點(diǎn)，適用于筆記 本電腦、臺(tái)式電腦、各類監(jiān)視器、數(shù)字彩電和手機(jī)面板等電子產(chǎn)品上。 其中觸摸屏及液晶顯示屏，其組合結(jié)構(gòu)基本相似，由上下層線路
層組合而成，如圖4所示，在觸摸屏里主要由上線路層23和下線路 層27組成， 一般來說，上線路層23使用ITO薄膜和PET基材25, 而下線路層27可選用ITO薄膜和玻璃基板26,兩個(gè)線if各層23、 27 中間由極小的絕緣點(diǎn)24支撐，當(dāng)操作者點(diǎn)觸觸摸屏?xí)r，上線路層23 與下線路層27的導(dǎo)電線路相互接觸，造成上下X軸與Y軸短路，因 而改變其電壓值且產(chǎn)生一訊號(hào)，再經(jīng)由控制器計(jì)算受壓處之相對(duì)坐標(biāo) 位置，并進(jìn)行相應(yīng)的功能操作；類似的液晶顯示屏是利用ITO導(dǎo)電玻 璃上的透明導(dǎo)電薄膜,經(jīng)刻線制成特定形狀的電極，使上線路層23和 下線路層27的ITO導(dǎo)電玻璃制成液晶盒后,在其間充滿液晶，在這些 電極上加適當(dāng)電壓信號(hào),使具有偶極矩的液晶分子在電場(chǎng)作用下往特 定的方面排列j叉而顯示出與電極波長(zhǎng)相對(duì)應(yīng)的圖形。
使用濕法化學(xué)試劑蝕刻加工方式需增加清洗、廢水處理等占地較 大的設(shè)備，制作成本高、使用壽命低、導(dǎo)電膜層線路直線性差、加工 使用區(qū)域需加大等缺陷。蝕刻會(huì)殘留光阻于基材表面，浸入蝕刻溶液 并會(huì)導(dǎo)致表面損壞，減少使用壽命；蝕刻加工工藝使用溶液勢(shì)必添加 清洗、廢水處理等程序，增加設(shè)備成本；蝕刻后去光阻步驟，造成ITO 導(dǎo)電線路直線性差，影響使用性能的穩(wěn)定及一致性。
隨著觸摸屏及液晶顯示屏行業(yè)的不斷發(fā)展，對(duì)ITO薄膜基材性能 需求的不斷提高，對(duì)ITO薄膜的加工方式也出現(xiàn)了改變，現(xiàn)有技術(shù)中由于加工設(shè)備結(jié)構(gòu)布局問題，導(dǎo)致對(duì)ITO薄膜的加工效率低，采用傳 統(tǒng)的電機(jī)進(jìn)行平臺(tái)移動(dòng)，無法保證加工的線性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種刻線效率高、提高[TO薄膜 刻線性能的激光蝕刻設(shè)備及蝕刻方法。 本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是
一種IT0薄膜激光蝕刻設(shè)備，包括機(jī)架、工控機(jī)、顯示系統(tǒng)、激 光發(fā)生器、切割頭、吸附盤、X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)、Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)和Z軸運(yùn) 動(dòng)系統(tǒng)，所述工控機(jī)、激光發(fā)生器、顯示系統(tǒng)和Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)都安裝 在機(jī)架上，所述切割頭安裝在Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，所述吸附盤固定在X 軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，位于Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的上方，所述X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)安裝在 Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，并交叉呈十字狀，Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)固定安裝在機(jī)架上。
所述的一種IT0薄膜激光蝕刻設(shè)備，還包括安裝在X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng) 側(cè)面的第一光學(xué)柵尺及第一讀數(shù)器，以及安裝在Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)側(cè)面的 第二光學(xué)柵尺及第二讀數(shù)器。
所述的一種IT0薄膜激光蝕刻設(shè)備，還包括安裝在X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng) 內(nèi)的第一直線電機(jī)，以及安裝在Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)內(nèi)的第二直線電機(jī)。
所述吸附盤的內(nèi)部為空腔，其盤面設(shè)置陣列有多個(gè)與空腔連通的 小孔；所述吸附盤的側(cè)面開有多個(gè)通孔，其中，至少一個(gè)通孔作為吸 附口與所述空腔相通，并連接真空裝置或抽風(fēng)裝置；至少一個(gè)通孔作 為進(jìn)氣口與空腔相通，并連接吹氣裝置。
所述切割頭包括使激光聚焦成能量集中的小光點(diǎn)，以作用在IT0薄膜上激光聚焦鏡組、連接壓縮氣體的吹氣部件及連接吸氣系統(tǒng)吸塵 部件，所述聚焦鏡組、吹氣部件和吸塵部件同軸設(shè)置。
所述的一種IT0薄膜激光蝕刻設(shè)備，還包括安裝在機(jī)架上方的風(fēng) 機(jī)過濾單元，其風(fēng)口對(duì)準(zhǔn)吸附盤與切割頭的交匯處。
所述激光發(fā)生器為波長(zhǎng)是1064nm、 532腿或355nm的固體(YAG ) 激光發(fā)生器。
所述的一種ITO薄膜激光蝕刻設(shè)備，還包括安裝在機(jī)架上自動(dòng)門 及保護(hù)裝置，其位于吸附盤前方，與所述機(jī)架前擋板并排布置。 一種ITO薄膜激光蝕刻方法，包括以下步驟
901、 預(yù)設(shè)激光蝕刻圖形；
902、 將被蝕刻產(chǎn)品放置在激光蝕刻設(shè)備的工作臺(tái)上，并進(jìn)行定
位；
903、 ，根振所述預(yù)設(shè)的激光蝕刻圖形控制激光蝕刻設(shè)備對(duì)被蝕刻 產(chǎn)品進(jìn)行蝕刻。
所述的一種ITO薄膜激光蝕刻方法，還包括以下步驟
1001、 #會(huì)測(cè)蝕刻后產(chǎn)品參數(shù)；
1002、 根據(jù)檢測(cè)結(jié)果修訂所述激光蝕刻設(shè)備的參數(shù)。 本發(fā)明的有益效果是
本發(fā)明采用線性電機(jī)及光學(xué)柵尺讀數(shù)，從而保證了 ITO薄膜的刻 線精度及速度；X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)和Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)采用十字結(jié)構(gòu)安裝， 使工作平臺(tái)能夠快速移動(dòng)到預(yù)定位置，提高效率；工作平臺(tái)采用吸附 盤，在刻線過程中ITO薄膜始終吸附在吸附盤上，吸附盤上還設(shè)置了 吹氣浮起裝置，在刻線結(jié)束時(shí)關(guān)用吸氣同時(shí)吹氣將ITO薄膜鼓吹浮起，使ITO薄膜容易從吸附盤上取下；激光產(chǎn)生器采用固體(YAG) 激光器，所用激光幾乎僅對(duì)ITO薄膜作用，有效保護(hù)基板材料，不影 響基材透明度；機(jī)架上安裝有自動(dòng)門，在工作狀態(tài)時(shí)—自動(dòng)門關(guān)閉，從 而保證了操作者的安全；本發(fā)明的蝕刻方法相對(duì)于傳統(tǒng)的濕式化學(xué)試 劑蝕刻工藝，ITO激光蝕刻設(shè)備具有體積小，占地面積小，無污染， 且易于管理的特點(diǎn)；本發(fā)明中激光蝕刻線的參數(shù)全由電腦程序控制， 減少人為操作的影響；激光蝕刻是通過聚焦高能激光點(diǎn)將ITO層瞬間 氣化，不需要其它的輔助材料，不會(huì)對(duì)環(huán)境及操作工人造成不良的影 響；激光蝕刻線的線體細(xì)，易于電路的設(shè)計(jì)并可節(jié)省材料；激光蝕刻 是通過調(diào)節(jié)激光的焦點(diǎn)位置直接作用于ITO膜層上，且使用固體激光 器，對(duì)底部襯底材料不會(huì)造成影響；使用激光蝕刻ITO膜層時(shí)，產(chǎn)品 只需一次定位就可以完成全部工作，影響產(chǎn)品質(zhì)量因素少，易于控制， 產(chǎn)品良品率高；基于上述方案，本發(fā)明提高了 ITO薄膜刻線效率、提 高壽命、成本降低、直線性更好、可視區(qū)域加大，不使用化學(xué)試劑， 符合環(huán)保要求。


下面參照附圖結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述。
圖l是本發(fā)明蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明蝕刻設(shè)備的側(cè)面示意圖。
圖3是圖1中A部分的放大示意圖。
圖4是觸摸屏的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本發(fā)明的蝕刻工藝流程圖。具體實(shí)施方式

如圖1至圖3所示，本發(fā)明的激光蝕刻設(shè)備包括地腳支撐調(diào)整螺
栓l、工控機(jī)2、 4建盤鼠標(biāo)抽拉盒3、顯示系統(tǒng)4、機(jī)架5、激光發(fā)生 器6、風(fēng)機(jī)過濾單元(FFU) 7、 Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)8、切割頭9、吸附盤 10、 X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)11、 Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)12、防塵罩13、電氣控制拒14、 線性電機(jī)15、防震墊鐵16、滑動(dòng)輪17、紅光電感裝置18、自動(dòng)門保 護(hù)裝置19、汽缸軸20、腳輪21;
所述工控機(jī)2、激光發(fā)生器6、 Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)8、顯示系統(tǒng)4、風(fēng) 機(jī)過濾單元(FFU) 7、自動(dòng)門保護(hù)裝置19都安裝在機(jī)架5上，所述 切割頭9安裝在Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)8上，.位于吸附盤10的上方，所述吸 附盤10固定安裝在X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)11上，位于Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)12的上 方，所述X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)安裝在Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，并交叉呈十字狀，Y 軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)固定安裝在才幾架上。吸附盤10、 X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)11與Y 軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)12組合成的十字式平臺(tái)，該十字式平臺(tái)可以通過連接板 與機(jī)架固定在一起。風(fēng)4幾過濾單元(FFU) 7的風(fēng)口對(duì)準(zhǔn)吸附盤與切 割頭的交匯處，可把潔凈干燥空氣往ITO薄膜加工面吹入，有效保護(hù) ITO薄膜性能。
本發(fā)明的激光蝕刻設(shè)備，還包括安裝在X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)11側(cè)面的 第一光學(xué)柵尺及第一讀數(shù)器，以及安裝在Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)12側(cè)面的第 二光學(xué)柵尺及第二讀數(shù)器；光學(xué)柵尺及讀數(shù)器都未在圖中示出。所述 X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)11及Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)12組成十字工作臺(tái)，X軸及Y軸運(yùn) 動(dòng)系統(tǒng)使用線性電機(jī)和光學(xué)柵尺，能實(shí)現(xiàn)更快速的定位運(yùn)行及更高精
9度圖形運(yùn)行所述光學(xué)柵尺配讀數(shù)器安裝奉X、 Y軸側(cè)面，方便調(diào)節(jié) 及更好的防油防塵，保證運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的精度。
本發(fā)明中，在X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)ll內(nèi)還安裝有第一直線電機(jī)(圖中 未示出)，在Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)內(nèi)還安裝有第二直線電機(jī)，即圖中的線性
電機(jī)15。
本發(fā)明還包括安裝在機(jī)架5上自動(dòng)門及保護(hù)裝置l9,其位亍吸 附盤10前方，與所述機(jī)架5前擋板并排布置，其裝有滑動(dòng)輪17可使 自動(dòng)門開關(guān)自如，采用汽缸軸20連接壓縮氣體，并通過電^t鬧實(shí)現(xiàn) 自動(dòng)開關(guān)門控制，采用紅光電感裝置18實(shí)現(xiàn)自動(dòng)門的開關(guān)安全。
采用防塵罩13把X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)11及Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)12中的線性 電機(jī)15和光學(xué)柵尺及讀數(shù)器完全封住，有效防護(hù)光學(xué)柵尺及線性電 機(jī)光潔正常使用，工控機(jī)2裝備有運(yùn)動(dòng)控制卡，經(jīng)由電氣控制拒14 內(nèi)各器件實(shí)現(xiàn)對(duì)線性電機(jī)15的運(yùn)動(dòng)控制。 -
所述吸附盤10的內(nèi)部為空腔，其盤面設(shè)置陣列有多個(gè)與空腔連 通的小孔。吸附盤10的側(cè)面開有多個(gè)通孔，其中，至少一個(gè)通孔作 為吸附口與所述空腔相通，并連接真空裝置或抽風(fēng)裝置；至少一個(gè)通 孔作為進(jìn)氣口與空腔相通，并連接吹氣裝置。作為吸附口的通孔及作 為進(jìn)氣口的通孔安裝有一使吸氣及進(jìn)氣錯(cuò)開動(dòng)作的閥門裝置；這樣實(shí) 現(xiàn)在刻線過程中ITO薄膜始終吸附在吸附盤10上，吸附盤10上還設(shè) 置了吹氣浮起裝置，在刻線結(jié)束時(shí)吸氣關(guān)閉同時(shí)吹氣將ITO薄膜鼓吹 浮起，使ITO薄膜容易從吸附盤10上取下。
所述激光發(fā)生器6安裝在機(jī)架5上，使用固體(YAG)激光發(fā)生 器，可以是波長(zhǎng)為1064nm、 532nm或355nm、激光發(fā)生器，激光基本僅作用于ITO薄膜，不會(huì)影響基板材料，及影響板材透光性；所迷切 割頭9連接在Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)8上，所述切割頭包括聚焦鏡組、吹氣 部件及吸塵部件，所述聚焦鏡組、吹氣部件和吸塵部件同軸設(shè)置，其 中的聚焦鏡組使激光聚焦成能量集中的小光點(diǎn)，以作用在ITO薄膜 上，按需求圖形線路把導(dǎo)電膜層刻掉；安裝在切割頭9上的吹氣部件 連接壓縮氣體，在刻線過程中吹凈刻線后薄膜面，其上的吸塵部件連 接吸氣系統(tǒng)，在刻線過程中吸走刻線后的粉塵。
其中，鍵盤鼠標(biāo)抽拉盒3安裝在機(jī)架5上，腳輪21和地腳支撐 調(diào)整螺栓1都安裝在機(jī)架的下底部，方便機(jī)架調(diào)整搬動(dòng)，防震墊鐵 16放置于X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)11成的十字式平臺(tái)底下，能有效的減震。
上料時(shí)，工件放置好后經(jīng)按鈕控制成吸附狀態(tài)，便于工件切割時(shí) 不移位；下料時(shí)，工作臺(tái)面吸附盤由真空吸附切換到壓縮氣反吹浮起 工件，并回到上料位置，便于工件下料。
本發(fā)明中，刻線軌跡可為直線方式，首先上層基板或下層基板放 置于吸附盤10上，X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)11與Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)12組合運(yùn)動(dòng)， 帶動(dòng)吸附盤按需求圖形移動(dòng)，激光經(jīng)由激光發(fā)生器6通過切割頭9聚 焦成小光點(diǎn)，作用在ITO薄膜上，把基板上ITO薄膜刻劃成X軸或 Y軸陣列排布的導(dǎo)電膜，并于基板上刻劃出對(duì)應(yīng)的兩個(gè)對(duì)位耙點(diǎn)，以 便刻線出的上層與下層基板對(duì)位組裝貼合；本發(fā)明刻線軌跡亦可實(shí)現(xiàn) 非直線方式，根據(jù)圖形軌跡運(yùn)行，X、 Y方向同時(shí)移動(dòng)組合成形， 按需求進(jìn)行操作。
下面參見圖5對(duì)本發(fā)明的蝕刻方法進(jìn)行具體描述
1、在設(shè)計(jì)軟件(AUTO CAD、 CORELDRAW, CAM等)中繪制好需要被去除的ITO線路層圖形，即繪制激光蝕刻圖形；存成切割
即將圖形導(dǎo)入切割軟件；
2、 裁剪好的導(dǎo)電PET片材或是導(dǎo)電玻璃用邊定位放到專用的切 割吸附盤上，通過真空吸附或抽風(fēng)系統(tǒng)將工件吸平并固定在臺(tái)面，即 將被蝕刻產(chǎn)品進(jìn)行定位；
3、 啟動(dòng)設(shè)備，按設(shè)定好的切割參數(shù)及圖形對(duì)需加工件進(jìn)行激光 加工，切割頭使激光束聚焦成高能激光點(diǎn)作用于ITO膜層表面，按設(shè) 計(jì)圖形通過激光熱分解法(或是分子鏈破壞的方式)將有用ITO導(dǎo)電 膜區(qū)域與需去除的ITO導(dǎo)電膜區(qū)域分隔開；工作過程由電腦全程控 制，加工完成吸附盤回上料位置后停機(jī)；
4、 蝕刻完成后，取出工件進(jìn)行相關(guān)參數(shù)的檢測(cè)，被去除ITO膜 層線路需蝕刻干凈，無殘留，不能對(duì)襯底材料有損傷，做好記錄參數(shù) 調(diào)整保存；
5 、修正相關(guān)參數(shù)后就可以對(duì)同 一批次的產(chǎn)品進(jìn)行批量的生產(chǎn)。 在整個(gè)蝕刻過程中，用激光蝕刻ITO層時(shí)，產(chǎn)品只需一次定位就
可以完成全部工作。影響產(chǎn)品質(zhì)量因素少，易于控制，產(chǎn)品良品率高。 本發(fā)明簡(jiǎn)化了 ITO薄膜刻線工藝流程，減少了生產(chǎn)設(shè)備，很大程
度地提高生產(chǎn)效率，同時(shí)生產(chǎn)成品率也提高了，產(chǎn)品質(zhì)量也提高了。
權(quán)利要求
1. 一種ITO薄膜激光蝕刻設(shè)備，包括機(jī)架、工控機(jī)、顯示系統(tǒng)、激光發(fā)生器、切割頭、吸附盤、X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)、Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)和Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)，所述工控機(jī)、激光發(fā)生器、顯示系統(tǒng)和Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)都安裝在機(jī)架上，所述切割頭安裝在Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，其特征在于所述吸附盤固定在X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，位于Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的上方，所述X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)安裝在Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，并交叉呈十字狀，Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)固定安裝在機(jī)架上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種IT0薄膜激光蝕刻設(shè)備，其特征 在于還包括安裝在X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)側(cè)面的第一光學(xué)柵尺及第一讀數(shù) 器，以及安裝在Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)側(cè)面的第二光學(xué)柵尺及第二讀數(shù)器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種IT0薄膜激光蝕刻設(shè)備，其特征 在于還包括安裝在X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)內(nèi)的第一直線電機(jī)，以及安裝在Y 軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)內(nèi)的第二直線電機(jī)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種IT0薄膜激光蝕刻設(shè)備，其特征 在于所述吸附盤的內(nèi)部為空腔，其盤面設(shè)置陣列有多個(gè)與空腔連通 的小孔；所述吸附盤的側(cè)面開有多個(gè)通孔，其中，至少一個(gè)通孔作為 吸附口與所述空腔相通，并連接真空裝置或抽風(fēng)裝置；至少一個(gè)通孔 作為進(jìn)氣口與空腔相通，并連接吹氣裝置。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ITO薄膜激光蝕刻設(shè)備，其特征 在于所述切割頭包括使激光聚焦成能量集中的小光點(diǎn)，以作用在IT0薄膜上激光聚焦鏡組、連接壓縮氣體的吹氣部件及連接吸氣系統(tǒng) 吸塵部件，所述聚焦鏡組、吹氣部件和吸塵部件同軸設(shè)置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種IT0薄膜激光蝕刻設(shè)備，其特征 在于還包括安裝在機(jī)架上方的風(fēng)機(jī)過濾單元，其風(fēng)口對(duì)準(zhǔn)吸附盤與 切割頭的交匯處。
7. 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的一種IT0薄膜激光蝕刻設(shè)備，其特征 在于所述激光發(fā)生器為波長(zhǎng)是1064nm、 5 32nm或355nm的固體(YAG ) 激光發(fā)生器。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ITO薄膜激光蝕刻設(shè)備，其特征 在于還包括安裝在機(jī)架上自動(dòng)門及保護(hù)裝置，其位于吸附盤前方， 與所述機(jī)架前擋^反并排布置。
9. 一種ITO薄膜激光蝕刻方法，其特征在于，包括以下步驟 預(yù)設(shè)激光蝕刻圖形； 將被蝕刻產(chǎn)品放置在激光蝕刻設(shè)備的工作臺(tái)上，并進(jìn)行定位； 根據(jù)所述預(yù)設(shè)的激光蝕刻圖形控制激光蝕刻設(shè)備對(duì)被蝕刻 產(chǎn)品進(jìn)行蝕刻。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種IT0薄膜激光蝕刻方法，其特征 在于，還包括以下步驟 檢測(cè)蝕刻后產(chǎn)品參數(shù)； 根據(jù);險(xiǎn)測(cè)結(jié)果修訂所述激光蝕刻設(shè)備的參數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種ITO薄膜激光蝕刻設(shè)備及蝕刻方法，包括機(jī)架、工控機(jī)、顯示系統(tǒng)、激光發(fā)生器、切割頭、吸附盤、X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)、Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)和Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)，所述工控機(jī)、激光發(fā)生器、顯示系統(tǒng)和Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)都安裝在機(jī)架上，所述切割頭安裝在Z軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，所述吸附盤固定在X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，位于Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的上方，所述X軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)安裝在Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)上，并交叉呈十字狀，Y軸運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)固定安裝在機(jī)架上。該蝕刻方法包括預(yù)設(shè)激光蝕刻圖形；將被蝕刻產(chǎn)品放置在激光蝕刻設(shè)備的工作臺(tái)上，并進(jìn)行定位；根據(jù)所述預(yù)設(shè)的激光蝕刻圖形控制激光蝕刻設(shè)備對(duì)被蝕刻產(chǎn)品進(jìn)行蝕刻。本發(fā)明對(duì)ITO薄膜的刻線效率高、線性好。
文檔編號(hào)B23K26/08GK101450419SQ20071007744
公開日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2007年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月30日
發(fā)明者倪鵬玉, 李世印, 文 王, 王小博, 程文勝, 鄭其鋒, 陳夏弟, 高云峰 申請(qǐng)人:深圳市大族激光科技股份有限公司