專(zhuān)利名稱(chēng)：一種增強(qiáng)型電子發(fā)射體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及改進(jìn)型電子發(fā)射體，更確切地說(shuō)是在諸如場(chǎng)發(fā)射器件之類(lèi)的器件中具有改進(jìn)了的電流特性的電子發(fā)射體。
已知金剛石具有負(fù)的電子親合勢(shì)。同時(shí)已知金剛石由于其負(fù)的電子親合勢(shì)而發(fā)射電子，而且比之其它通常的電子發(fā)射體為Mo或W，金剛石確實(shí)能夠有低得多的電場(chǎng)下發(fā)射電子。目前這不是一種可控制的功能。發(fā)射電流常常比預(yù)計(jì)的低得多，而且某些看起來(lái)滿(mǎn)足全部發(fā)射準(zhǔn)則的樣品卻常常完全不發(fā)射。
由于金剛石半導(dǎo)體的價(jià)帶同導(dǎo)帶之間的能帶隙大(5.5eV)，在室溫下其載流子數(shù)目必須小?，F(xiàn)已知的摻雜劑在金剛石中有很大的離化能(1eV數(shù)量級(jí))，因而在低于+250℃情況下對(duì)導(dǎo)電貢獻(xiàn)很小。因此，雖然金剛石的有效函數(shù)為正并認(rèn)為大約在0.2eV至0.7eV之間(雖然其電子親合勢(shì)為負(fù))，其飽和電流仍低。提高飽和電流是待解決的主要問(wèn)題。
本發(fā)明的目的是提供一種具有改善了電流特性的電子發(fā)射體。
本發(fā)明的進(jìn)一步目的是提供一種具有改善了的電流特性的金剛石或類(lèi)金剛石碳電子發(fā)射體。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種具有改善了的飽和電流的金剛石或類(lèi)金剛石碳電子發(fā)射體。
本發(fā)明的又一個(gè)目的是提供具有改善了的電流特性的、帶有金剛石或類(lèi)金剛石發(fā)射體的場(chǎng)發(fā)射器件。
用一層具有預(yù)定結(jié)構(gòu)(即，在此結(jié)構(gòu)中發(fā)射位置處含有電活性缺陷)的材料來(lái)形成電子發(fā)射體，解決了上述問(wèn)題并實(shí)現(xiàn)了上述目的。
用一層包含金剛石或類(lèi)金剛石碳、具有金剛石鍵結(jié)構(gòu)并在發(fā)射位置處帶有電活性缺陷的材料來(lái)形成電子發(fā)射體，亦解決了上述問(wèn)題并實(shí)現(xiàn)了上述目的。
本發(fā)明上述問(wèn)題及目的由一種場(chǎng)發(fā)射器件解決并實(shí)現(xiàn)了，這種器件包含一個(gè)其表面上形成了一層金剛石或類(lèi)金剛石碳材料的支撐襯底，該金剛石或類(lèi)金剛石碳材料為帶有限定電子發(fā)射體的電活性缺陷的金剛石鍵結(jié)構(gòu)。
下面參照


本發(fā)明。
圖1示出了類(lèi)金剛石碳的晶格結(jié)構(gòu);
圖2示出了類(lèi)金剛石材料中碳的堆垛結(jié)構(gòu);
圖3示出了帶有形成電活性缺陷的第一類(lèi)位錯(cuò)的類(lèi)金剛石碳的晶格結(jié)構(gòu);
圖4示出了帶有形成電活性缺陷的第二類(lèi)位錯(cuò)的類(lèi)金剛石碳的晶格結(jié)構(gòu);
圖5是金剛石鍵中螺型缺陷的示意圖;
圖6是帶有電活性缺陷的類(lèi)金剛石碳層的高倍放大剖面圖;
圖7和8分別是現(xiàn)有技術(shù)場(chǎng)發(fā)射器件及圖6所示器件的電子發(fā)射特性圖;
圖9是類(lèi)似于圖6而在層表面有缺陷的器件與現(xiàn)有技術(shù)場(chǎng)發(fā)射器件的電子發(fā)射隨發(fā)射體半徑變化的比較圖;
圖10示出了類(lèi)金剛石碳的氫化表面的晶格結(jié)構(gòu);以及圖11是采用類(lèi)金剛石碳的氫化層并帶有電活性缺陷的場(chǎng)發(fā)射器件的剖面圖。
圖1示出了類(lèi)金剛石碳晶格結(jié)構(gòu)10中的四面體鍵合原子。對(duì)于本發(fā)明，將“類(lèi)金剛石碳”定義為這樣一種碳，其鍵結(jié)構(gòu)是由通常鍵合成公知的金剛石鍵(通常稱(chēng)之為富SP3的四面體鍵)形式的碳原子形成的，包括金剛石和其它任何含金剛石鍵的材料。同樣，將“類(lèi)石墨碳”定義為由通常鍵合成公知的石墨鍵(通常稱(chēng)之為富SP2鍵)的碳原子構(gòu)成晶格結(jié)構(gòu)的結(jié)晶碳，包括石墨和其它任何含石墨鍵的材料。
金剛石碳的空間晶格結(jié)構(gòu)是面心立方(fcc)。這種晶格的初基是相對(duì)于每一晶格點(diǎn)位于0，0，0和1/4，1/4，1/4的完全相同的兩個(gè)碳原子。這就導(dǎo)致四面體鍵合，每一個(gè)碳原子有四個(gè)最近鄰和12個(gè)次近鄰，一個(gè)元胞中有8個(gè)碳原子。這種結(jié)構(gòu)是共價(jià)鍵合的結(jié)果。在這種共價(jià)結(jié)構(gòu)中，特定原子之間有確定的耦合，共有電子大部分時(shí)間處于二個(gè)共有原子之間的區(qū)域(亦即，在原子之間的幾率波最密)。這就產(chǎn)生由負(fù)電荷濃度組成的鍵，因而鄰近的鍵相互排斥。當(dāng)一個(gè)原子(例如碳)有數(shù)個(gè)鍵時(shí)(金剛石中為4個(gè))，各鍵間之夾角相等(金剛石中此角為109°)。共價(jià)鍵是極強(qiáng)的方向性鍵。相對(duì)于分立的中性原子，金剛石中一個(gè)碳原子的鍵合能是7.3eV。
如圖1所示，類(lèi)金剛石晶格結(jié)構(gòu)極為有趣，其(111)面與六角密堆積結(jié)構(gòu)(hcp)的基面相同。參照?qǐng)D2，若在(111)層(原子用A表示)上安置一個(gè)相似的第二層(原子用B表示)，其結(jié)構(gòu)與hcp無(wú)法區(qū)分。亦即，此結(jié)構(gòu)可以是面心立方，也可以是六角密堆積結(jié)構(gòu)。當(dāng)在此結(jié)構(gòu)上放置第三層(原子用C表示)時(shí)，則必須決定此結(jié)構(gòu)是hcp還是fcc。如果第三層同第一層的位置相同，亦即C原子直接位于A原子之上方但Z方向位置不同，則為hcp結(jié)構(gòu)，即石墨。這種層結(jié)構(gòu)可描述為ABABABAB結(jié)構(gòu)。若第三層位于第二種可能位置，在X、Y和Z方向與A及B原子都偏離(見(jiàn)圖2)，則成為fcc結(jié)構(gòu)，即金剛石。圖2的層可描述為ABCABCABC結(jié)構(gòu)。在兩種結(jié)構(gòu)中(圖2中的石墨和金剛石)，最近鄰的數(shù)目都是4。如果鍵合能只依賴(lài)于最近鄰鍵，則金剛石面心立方結(jié)構(gòu)同石墨六角密堆積結(jié)構(gòu)之間應(yīng)當(dāng)沒(méi)有差別。但石墨層中的原子之間相距1.4
并由強(qiáng)的共價(jià)鍵鍵合在一起;而各層之間的原子相距3.3
，只存在微弱的范德瓦爾斯力。石墨的共價(jià)鍵是平面型的，即各六鍵位于同一平面而與層間鍵的夾角為90°。
金剛石與石墨的電學(xué)性質(zhì)相差很大。硼天然摻雜的Ⅱb型金剛石具有104Ωcm的電阻率，本征金剛石則高達(dá)1014Ωcm以上。石墨則實(shí)際上是金屬導(dǎo)體，其電阻率為1375×10-6Ωcm。這是一個(gè)至少7個(gè)數(shù)量級(jí)而對(duì)本征性質(zhì)則高達(dá)20個(gè)數(shù)量級(jí)的差別。石墨是一種半金屬，其載流子濃度約為5×1018cm-3。石墨的電導(dǎo)率在垂直方向(C軸)上小而在平行于六角平面的方向上大得多。共價(jià)鍵的不同取向及伴生的不同能級(jí)起有效電導(dǎo)途徑的作用。于是，石墨和金剛石之間在晶格結(jié)構(gòu)上的很小改變就使電學(xué)特性存在巨大的差別。
在金剛石中可以出現(xiàn)有幾類(lèi)晶體缺陷，并產(chǎn)生對(duì)本發(fā)明有用的性能。第一類(lèi)缺陷是螺型位錯(cuò)，圖3和4中示出了它的兩個(gè)具體例子。還有易于形成擴(kuò)展網(wǎng)絡(luò)的60°位錯(cuò)以及其它的位錯(cuò)和變種。在金剛石晶格中有(001)、(110)和(111)三個(gè)滑移面。(111)是最重要的滑移面，除在極特殊的環(huán)境下，(111)確實(shí)是唯一的滑移面。
從晶格考慮出發(fā)，顯然金剛石晶格中任何二個(gè)碳原子之間的最短過(guò)渡距離是沿＜110＞方向(具體為＜1/2，1/2，0＞，即沿立方面的半對(duì)角線(xiàn))。伯格斯矢量沿＜110＞方向的位錯(cuò)最穩(wěn)定(自由能最低)。這種晶格中的任一方向均可視為各相鄰＜110＞方向的和，而且簡(jiǎn)單位錯(cuò)與它們的軸具有相同的方向。伯格斯矢量及軸均沿＜110＞方向的三種簡(jiǎn)單位錯(cuò)是螺型位錯(cuò)、60°位錯(cuò)(其伯格斯矢量與位錯(cuò)軸成60°角)和滑移面為(100)的刃型位錯(cuò)。所有這些位錯(cuò)都是有用的電活性缺陷。
圖5示出了金剛石晶格中的一個(gè)螺型缺陷。螺型缺陷通常是金剛石材料生長(zhǎng)或沉積過(guò)程中出現(xiàn)切應(yīng)力的結(jié)果。這種位錯(cuò)同其它位錯(cuò)一樣在周?chē)w中產(chǎn)生一個(gè)彈性應(yīng)變場(chǎng)。為解釋這一點(diǎn)，若薄環(huán)20以一個(gè)螺型位錯(cuò)為中心，半徑為r，厚度為dr，長(zhǎng)度為單位長(zhǎng)，其中軸向強(qiáng)度為b的螺型位錯(cuò)引起環(huán)20發(fā)生切變b，則平均切變?yōu)閎/2π，切應(yīng)力為τQZ＝ (Gb)/(2πr)其中G為切變模量。
應(yīng)當(dāng)指出，應(yīng)力隨 1/(r) 減小，因而應(yīng)變是長(zhǎng)程的。每單位長(zhǎng)度環(huán)的應(yīng)變能為τQZ2*2πrdr＝ (Gb2dr)/(4πr)每單位位錯(cuò)長(zhǎng)度金剛石晶體的應(yīng)變能為(Gb2)/(4π)R0R]]>(dr)/(r) = (Gb2)/(4π) ln( (R)/(R0) )其中R、R0是上下限。R0是此積分的下限，即低于R0時(shí)，虎克定律無(wú)效，材料呈原子性。由于能量是R0的對(duì)數(shù)函數(shù)，故R0的值不很關(guān)鍵。上限R是晶體的邊界，或者是其它位錯(cuò)使應(yīng)力場(chǎng)消失的處所。應(yīng)當(dāng)指出，由于位錯(cuò)產(chǎn)生的應(yīng)變場(chǎng)的能量是伯格斯矢量b平方的函數(shù)，晶體藉助于將多重位錯(cuò)分解為單位位錯(cuò)而使其自由能降為最小。當(dāng)伯格斯矢量為b1及b2的二個(gè)位錯(cuò)組成一個(gè)伯格斯矢量為b3的位錯(cuò)時(shí)，假設(shè)不可逆性的改變T△S不大，則自由能的增加為△Eel。在沒(méi)有晶格重構(gòu)的彈性奕變場(chǎng)中。這一假設(shè)是合理的?！鱁el正比于(b23-b22-b21)。當(dāng)△Eel為正時(shí)，位錯(cuò)不穩(wěn)定，且位錯(cuò)1和位錯(cuò)2互相排斥。當(dāng)△Eel為負(fù)時(shí)，位錯(cuò)是穩(wěn)定的，且位錯(cuò)1和位錯(cuò)2互相吸引。由于彈性能中有伯格斯矢量平方項(xiàng)，在一個(gè)位置上出現(xiàn)多重位錯(cuò)是罕見(jiàn)的(例如Eb3＞(Eb2+Eb1))。
可用于應(yīng)變能公式的某些典型的數(shù)值是G＝108psi(非常保守的數(shù)值);
b＝2.5A°R0＝1b;
R＝1μm應(yīng)變的最大半徑R被隨意地取為1μm。實(shí)際的最大半徑可能遠(yuǎn)達(dá)晶體的邊界。實(shí)際上，一個(gè)晶體缺陷的應(yīng)變場(chǎng)的范圍典型地是到達(dá)另一個(gè)缺陷以其自己的應(yīng)變場(chǎng)來(lái)消去前述應(yīng)變場(chǎng)的距離。
應(yīng)變場(chǎng)能量對(duì)R和R0是較不靈敏的。能量隨最大場(chǎng)半徑對(duì)最小場(chǎng)半徑之比值的對(duì)數(shù)而變化(在材料呈原子性之前)。這種使用上數(shù)值的例子是用來(lái)估計(jì)晶格可能行為的能量幅度的一種合理計(jì)算。利用上述數(shù)值，應(yīng)變能為17.8eV/A即單位鍵長(zhǎng)44.4eV。這一能量顯然足以打開(kāi)金剛石晶格的共價(jià)鍵并允許局部重構(gòu)。有可能使單鍵甚至雙鍵都被打開(kāi)而重構(gòu)。利用將鍵重新組合到保留在平面上的共價(jià)鍵中的方法，可形成一單層類(lèi)石墨材料，其電學(xué)性質(zhì)也同時(shí)出現(xiàn)。這一石墨結(jié)構(gòu)薄膜就將其性能添加到金剛石性能中，并形成電活性缺陷。
圖6示出了一層帶有電活性缺陷32的類(lèi)金剛石材料30。通常層30中的缺陷32的行為相似于由涂有厚度為數(shù)+A°的金剛石薄鍍層的金屬導(dǎo)體尖端(半徑為10A°)組成的電子發(fā)射體。從圖7-9可見(jiàn)，比之現(xiàn)有技術(shù)的場(chǎng)發(fā)射器件，這一結(jié)構(gòu)的改進(jìn)是明顯的。圖7和8分別示出了現(xiàn)有技術(shù)的場(chǎng)發(fā)射器件(如通常稱(chēng)為Spindt發(fā)射體的尖端)和圖6器件的電子發(fā)射性能曲線(xiàn)圖。圖7是發(fā)射電流Ⅰ同加于尖端的電壓即場(chǎng)勢(shì)的關(guān)系。圖7中采用了一個(gè)典型的現(xiàn)有技術(shù)的尖端，其半徑為200A°而材料的功函數(shù)為4.5eV。從圖8可見(jiàn)，圖6的發(fā)射體運(yùn)行時(shí)有如半徑為10A°而材料功函數(shù)為0.2eV的發(fā)射體尖端。再者，對(duì)圖6的發(fā)射體施加基本上較小的外加電壓(即場(chǎng)勢(shì))，即可獲得較大的電子發(fā)射。
由于圖6結(jié)構(gòu)如同尖端發(fā)射體，故還存在另一種變通的結(jié)構(gòu)。當(dāng)電活性缺陷32的位置使缺陷32中的自由電子面對(duì)無(wú)金剛石層的自由空間時(shí)(亦即在層30的表面上時(shí))，缺陷32如同一個(gè)簡(jiǎn)單的場(chǎng)發(fā)射體。圖9比較了上述表面缺陷(曲線(xiàn)36)同現(xiàn)有技術(shù)場(chǎng)發(fā)射器件(曲線(xiàn)35)的電子發(fā)射曲線(xiàn)圖。曲線(xiàn)35和36描述了在作為尖端半徑(tipradius)函數(shù)的電場(chǎng)中自由狀態(tài)的棒的電子發(fā)射，其中曲線(xiàn)35采用功函數(shù)為4.5eV的Mo棒，而曲線(xiàn)36采用功函數(shù)為0.5eV的上述表面缺陷。相對(duì)于尖端來(lái)說(shuō)，在直徑較小時(shí)，表面缺陷的較低功函數(shù)漸漸失去優(yōu)勢(shì)。若自由狀態(tài)的棒足夠尖銳，其功函數(shù)就變得不重要。功函數(shù)仍然希望低，但當(dāng)發(fā)射體直徑縮小時(shí)，對(duì)增強(qiáng)型發(fā)射來(lái)說(shuō)，其必要性就變小。由于上述缺陷(即在金剛石表面上)比現(xiàn)有技術(shù)場(chǎng)發(fā)射體的任何尖端都顯得尖銳，故在功函數(shù)及半徑二方面都有顯著的優(yōu)勢(shì)。
顯然，降低載流子的隧穿勢(shì)壘可大大提高發(fā)射電流。功函數(shù)的這種改變顯然是一個(gè)重要因素，這與缺陷對(duì)金剛石表面的作用有關(guān)。換言之，如果金剛石表面被沾污或重構(gòu)為非金剛石結(jié)構(gòu)(除上述例子外)，就可能失去增益。為確保即使在表面上，金剛石層也具有金剛石鍵結(jié)構(gòu)，在暴露的表面上可進(jìn)行周知的氫化處理。圖10用簡(jiǎn)化的金剛石鍵示出了這一處理。由此可見(jiàn)，未經(jīng)氫化處理的碳原子40和41已重構(gòu)為穩(wěn)定的低級(jí)結(jié)構(gòu)，它已不是體材料的延伸，因此不具有體材料的性能。在碳原子40和41之間組成了一個(gè)比周?chē)鷨捂I更強(qiáng)的雙重鍵，并使碳原子40和41稍微靠得更近。由碳原子40和41形成的低能結(jié)構(gòu)是一種很差的電子發(fā)射體，在要求金剛石發(fā)射性能的器件是不希望的。
碳原子42、43和44已被氫化，亦即氫原子45、46和47分別被一個(gè)單鍵所連接。于是，表面處由碳原子42、43和44組成的晶格結(jié)構(gòu)就同體材料相同并成為體材料的延伸部分。由于碳原子42、43和44的晶格結(jié)構(gòu)是體材料的延伸，它就具有體材料的性能，因而是一種良好的電子發(fā)射體。
圖11示出了使用帶有電活性缺陷53、54和55的氫化類(lèi)金剛石碳層52的場(chǎng)發(fā)射器件50的剖面圖。表面上的層56示出了層52的氫化作用。電活性缺陷53、54和55通常被周期性地隔開(kāi)，雖然缺陷的角度和分布間距可能出現(xiàn)一些變化與差別，但總的來(lái)說(shuō)是垂直于表面的?？梢哉J(rèn)為，例如，為了得到最佳結(jié)果，細(xì)長(zhǎng)的缺陷應(yīng)與類(lèi)金剛石碳層的表面成某一角度。進(jìn)一步可認(rèn)為如果使細(xì)長(zhǎng)的缺陷與表面成45°-90°之間的角度，則是最好的。
器件50還包括一個(gè)支撐襯底57，在其表面上形成有一個(gè)導(dǎo)電層58。導(dǎo)電層58(或多層結(jié)構(gòu))為缺陷53、54和55提供電連接手段。如圖所示，電流從源(未繪出)流進(jìn)導(dǎo)電層58，并由缺陷53、54和55發(fā)射到層56上方的自由空間。
晶格不完整性有很多可能的種類(lèi)空位、填隙、雜質(zhì)、位錯(cuò)、網(wǎng)狀和線(xiàn)狀子結(jié)構(gòu)、晶粒間界以及表面。晶格中的空位實(shí)際上可降低晶體的自由能，并因此處于平衡態(tài)。令人比較感興趣的位錯(cuò)不降低反而增加晶體的自由能。因此，位錯(cuò)是非平衡型缺陷，通常只由晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的非平衡條件引起。下列幾種擾動(dòng)能夠有效地產(chǎn)生位錯(cuò)(a)機(jī)械原因引起的外加應(yīng)力;(b)熱誘導(dǎo)應(yīng)力;(c)雜質(zhì)濃度梯度引起的局部應(yīng)力;(d)足夠多的空位的凝聚;(e)局部應(yīng)力引起的夾雜;以及(f)生長(zhǎng)過(guò)程中的錯(cuò)誤。金剛石鍵中的外加機(jī)械應(yīng)力通?？捎刹牧蠌?qiáng)度來(lái)消除。生長(zhǎng)過(guò)程中的熱應(yīng)力和生長(zhǎng)過(guò)程中的“錯(cuò)誤”是引起用來(lái)產(chǎn)生所希望的缺陷的金剛石材料中位錯(cuò)的二個(gè)主導(dǎo)原因。生長(zhǎng)中的“錯(cuò)誤”通常是多重成核位置催促晶粒生長(zhǎng)而互不相容所引起的。當(dāng)二個(gè)成核位置相距足夠遠(yuǎn)或取向不同時(shí)，生長(zhǎng)的晶體最終相遇而成為多晶材料的不同晶粒。若二個(gè)籽晶的取向非常相似但不完全一致，則生長(zhǎng)的晶格相遇結(jié)合并引致一個(gè)螺型位錯(cuò)。
C+離子注入過(guò)去已被用來(lái)制作n型導(dǎo)電的金剛石材料。這一離子注入由于改變了晶格中的鍵結(jié)構(gòu)而可以用來(lái)產(chǎn)生導(dǎo)電性缺陷。雖然這一技術(shù)現(xiàn)在不能產(chǎn)生對(duì)電子發(fā)射最佳的導(dǎo)電性長(zhǎng)絲狀缺陷，但應(yīng)理解使用這一技術(shù)可能得到某些好處，而且完全可預(yù)期這些均落入本發(fā)明的領(lǐng)域之中。
本發(fā)明揭示了一種具有改善的電流物性、包括改善的飽和電流的類(lèi)金剛石碳電子發(fā)射體。改善的電流特性是通過(guò)引入局部增強(qiáng)電子發(fā)射的電活性缺陷的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)的。具體地說(shuō)，缺陷是由具有不同結(jié)構(gòu)的相同基質(zhì)材料形成的。本發(fā)明進(jìn)一步揭示了一種具有電流特性經(jīng)改善的類(lèi)金剛石發(fā)射體的場(chǎng)發(fā)射器件。應(yīng)該指出，雖然本發(fā)明通篇都是以碳為例進(jìn)行描述的，但其它材料(如氮化鋁)的電子發(fā)射體也可用類(lèi)似的方式，亦即用引進(jìn)一種電活性缺陷的方法來(lái)增強(qiáng)。
權(quán)利要求
1.一種電子發(fā)射體，其特征是該發(fā)射體是由一層具有在發(fā)射位置有一種電活性缺陷的預(yù)定結(jié)構(gòu)的材料所組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子發(fā)射體，其進(jìn)一步特征是該材料層包括具有金剛石鍵結(jié)構(gòu)的金剛石或類(lèi)金剛石碳。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射體，其進(jìn)一步特征是該金剛石鍵結(jié)構(gòu)具有多個(gè)通常周期性地位于層中的缺陷。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子發(fā)射體，其進(jìn)一步特征是該材料層有一個(gè)含有發(fā)射位置的表面，而且此表面已被氫化。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子發(fā)射體，其進(jìn)一步特征是所述電活性缺陷位于材料層中，相對(duì)于氫化表面有一距離。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種由一層具有金剛石鍵結(jié)構(gòu)的類(lèi)金剛石碳組成的電子發(fā)射體，這種結(jié)構(gòu)在發(fā)射位置帶有電活性缺陷。電活性缺陷的作用類(lèi)似于一個(gè)功函數(shù)很低、具有改善了的電流特性(包括改善了的飽和電流)的很薄的電子發(fā)射體。
文檔編號(hào)H01J1/304GK1092904SQ94101129
公開(kāi)日1994年9月28日 申請(qǐng)日期1994年1月25日 優(yōu)先權(quán)日1993年2月1日
發(fā)明者詹姆斯·E·賈斯基 申請(qǐng)人:莫托羅拉公司