背光模塊的制作方法
【專利摘要】背光模塊，包括基板、導(dǎo)光板、電流源、發(fā)光單元與位移補償電路。其中導(dǎo)光板具有入光面，且導(dǎo)光板的下表面接觸基板的上表面。電流源用以輸出驅(qū)動電流。發(fā)光單元，設(shè)置于基板的上表面，發(fā)光單元具有發(fā)光面，發(fā)光面鄰接導(dǎo)光板的入光面，發(fā)光單元電性耦接于電流源與接地端，從電流源汲取第一電流而發(fā)光。位移補償電路，電性耦接至發(fā)光單元與電流源，用以依據(jù)位于導(dǎo)光板的入光面與發(fā)光單元的發(fā)光面間的間隙的大小，選擇性地從電流源汲取第二電流，調(diào)整第一電流的電流值以補償發(fā)光單元的亮度。
【專利說明】背光模塊
【【技術(shù)領(lǐng)域】】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種背光模塊，特別是一種可以補償導(dǎo)光板與發(fā)光單元之間相對位移所導(dǎo)致的出光強度變異的背光模塊。
【【背景技術(shù)】】
[0002]背光模塊的出光效率會隨著使用的時間而變。背光模塊是許多顯示器中重要的元件。而背光模塊出光的穩(wěn)定度更攸關(guān)顯示器的良莠。現(xiàn)有的背光模塊為了追求輕薄與出光均勻的特性，通常由發(fā)光單元與導(dǎo)光板所組成。然而，發(fā)光單元與導(dǎo)光板之間的相對位置關(guān)系著背光單元的出光效率。使用時，環(huán)境溫度與濕度變化使得導(dǎo)光板反復(fù)脹縮形成位移，或是制作時來自于治具的公差以及組裝人員的手法變異，都可能使發(fā)光單元與導(dǎo)光板之間的相對位置偏離于預(yù)設(shè)值，而其結(jié)果就是出光效率的變異。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003]有鑒于以上的問題，本發(fā)明提出一種背光模塊，依據(jù)導(dǎo)光板的入光面與發(fā)光單元的出光面的間隙，選擇性地調(diào)整驅(qū)動發(fā)光單元發(fā)光的電流大小，借此補償導(dǎo)光板與發(fā)光單元間相對位置的變化，使得背光模塊出光效率的變異得以被降低。
[0004]依據(jù)本發(fā)明一個或多個實施例所揭露之一種背光模塊,包括基板、導(dǎo)光板、電流源、發(fā)光單元與位移補償電路。其中導(dǎo)光板具有入光面，且導(dǎo)光板的下表面接觸基板的上表面。電流源用以輸出驅(qū)動電流。發(fā)光單元，設(shè)置于基板的上表面，發(fā)光單元具有發(fā)光面，發(fā)光面鄰接導(dǎo)光板的入光面，發(fā)光單元電性耦接于電流源與接地端，從電流源汲取第一電流而發(fā)光。位移補償電路，電性耦接至發(fā)光單元與電流源，用以依據(jù)間隙的大小，選擇性地從電流源汲取第二電流，調(diào)整第一電流的電流值以補償?shù)谝话l(fā)光單元的亮度。其中間隙位于導(dǎo)光板的入光面與發(fā)光單兀的發(fā)光面間，且第一電流的電流值與第二電流的電流值的總和等于驅(qū)動電流的電流值。
[0005]本發(fā)明所揭露的背光模塊，借由位移補償電路來判斷發(fā)光單元的出光面與導(dǎo)光板的入光面間的間隙大小，從而選擇性地調(diào)整流經(jīng)發(fā)光單元的電流值，從而使得背光模塊的出光效率獲得補償。
[0006]以上的關(guān)于本
【發(fā)明內(nèi)容】
的說明及以下的實施方式的說明是用以示范與解釋本發(fā)明的精神與原理，并且提供本發(fā)明的專利申請范圍更進一步的解釋。
【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0007]圖1A是依據(jù)本發(fā)明一實施例的背光模塊部分剖面示意圖。
圖1B是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的背光模塊部分剖面示意圖。
圖2A是依據(jù)本發(fā)明一實施例的背光模塊部分俯視示意圖。
圖2B是相對于圖2A的部分剖面示意圖。
圖2C是對應(yīng)于圖2A的電路示意圖。 圖2D是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較小的示意圖。
圖2E是對應(yīng)于圖2D的電路示意圖。
圖2F是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較大的示意圖。
圖2G是對應(yīng)于圖2F的電路示意圖。
圖3A是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的背光模塊部分俯視示意圖。
圖3B是相對于圖3A的部分剖面示意圖。
圖3C是對應(yīng)于圖3A的電路示意圖。
圖3D是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較小的示意圖。
圖3E是對應(yīng)于圖3D的電路示意圖。
圖3F是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較大的示意圖。
圖3G是對應(yīng)于圖3F的電路示意圖。
圖4A是依據(jù)本發(fā)明一實施例的背光模塊的部分俯視示意圖。
圖4B是關(guān)于圖4A之一個部分剖面示意圖。
圖4C是關(guān)于圖4A的另一個部分剖面示意圖。
圖4D是對應(yīng)于圖4A的電路不意圖。
圖4E是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單兀的相對位置的偏移較小的示意圖。
圖4F是對應(yīng)于圖4E的電路示意圖。
圖4G是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較大的示意圖。
圖4H是對應(yīng)于圖4G的電路示意圖。
圖5A是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的背光模塊部分俯視示意圖。
圖5B是相對于圖5A的部分剖面示意圖。
圖5C是對應(yīng)于圖5A的電路示意圖。
圖5D是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單兀的相對位置的偏移較小的示意圖。
圖5E是對應(yīng)于圖的電路示意圖。
圖5F是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較大的示意圖。
第5G圖是對應(yīng)于圖5F的電路示意圖。
圖6A是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的背光模塊部分俯視示意圖。
圖6B是相對于圖6A的部分剖面不意圖。
圖6C是對應(yīng)于圖6A的電路示意圖。
圖6D是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單兀的相對位置的偏移較小的示意圖。 圖6E是對應(yīng)于圖6D的電路示意圖。
圖6F是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較大的示意圖。
圖6G是對應(yīng)于圖6F的電路示意圖。
圖7A是依據(jù)本發(fā)明一實施例的背光模塊部分俯視示意圖。
圖7B是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板有位置偏移的示意圖。
圖7C是對應(yīng)于圖7B的電路示意圖。
【符號說明】
[0008]la、la’、lb、lb’、lb”、3背光模塊
II基板
III上表面
13導(dǎo)光板131下表面133入光面15、16發(fā)光單兀151,161出光面17電源模塊
171電流輸出端
172電流源
173接地端2支架21邊框部
Rill、RlllA、RlllB' Rl31A ?^131Ε阻抗元件
W11ia ?W111D、W131導(dǎo)線
LlllA、LniB、Lov距 1?
dG間隙
ID、I1 ?14、I2I > 122電流
【【具體實施方式】】
[0009]以下在實施方式中詳細敘述本發(fā)明的詳細特征以及優(yōu)點，其內(nèi)容足以使任何熟習(xí)相關(guān)技藝者了解本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實施，且根據(jù)本說明書所揭露之內(nèi)容、申請專利范圍及圖式，任何熟習(xí)相關(guān)技藝者可輕易地理解本發(fā)明相關(guān)的目的及優(yōu)點。圖式中各元件的比例、長度、相對位置等，除非特別注明，否則并非代表實際的比例、長度與相對位置。以下的實施例是進一步詳細說明本發(fā)明的觀點，但非以任何觀點限制本發(fā)明的范疇。
[0010]鑒于已知技術(shù)已存在的問題，本發(fā)明提出一種背光模塊，出光效率并不會因為導(dǎo)光板與發(fā)光單元之間的相對位置改變而有明顯的改變。
[0011]關(guān)于本發(fā)明一實施例中所揭示的背光模塊，請參照圖1A與圖1B，其中圖1A是依據(jù)本發(fā)明一實施例的背光模塊部分剖面示意圖，而圖1B是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的背光模塊部分剖面示意圖。如圖1A與圖1B所示，背光模塊Ia可以由支架(holder) 2所固定，背光模塊Ia包括基板11、導(dǎo)光板13、發(fā)光單元15與電源模塊17。背光模塊Ia與支架2的相對位置關(guān)系可以如圖1A所示，基板11位于支架2上，而導(dǎo)光板13位于基板11上并且導(dǎo)光板13夾設(shè)于基板11與支架2的邊框部21之間。此外，背光模塊Ia與支架2的相對位置關(guān)系也可以如圖1B所示，導(dǎo)光板13位于支架2上，而基板11位于導(dǎo)光板13上并且基板11夾設(shè)于導(dǎo)光板13與支架2的邊框部21之間。
[0012]以下以圖1A的結(jié)構(gòu)為例，以說明本發(fā)明一實施例中的背光模塊la，請參照圖2A與圖2B，其中圖2A是依據(jù)本發(fā)明一實施例的背光模塊部分俯視示意圖，而圖2B是相對于圖2A的部分剖面不意圖。如圖2A與圖2B所不,基板11的上表面111與導(dǎo)光板13的下表面131互相面對,而發(fā)光單兀15與電源模塊17位于基板11的上表面111。發(fā)光單兀15的出光面151相鄰于導(dǎo)光板13的入光面133,且發(fā)光單兀15的出光面151面向?qū)Ч獍?3的入光面133。電源模塊17中的電流源有電流輸出端171，并且電源模塊17定義了背光模塊Ia的接地端173。發(fā)光單元15透過電流輸出端171電性耦接于電流源，并且發(fā)光單元15還電性耦接于接地端173，也就是說發(fā)光單元15電性耦接于電流源與接地端171之間。電源模塊17中的電流源可以提供一個驅(qū)動電流，而發(fā)光單元15因為電性耦接于電流源與接地端173之間，所以發(fā)光單元15可以從電流源汲取第一電流而發(fā)光。
[0013]此外，于本發(fā)明中，在基板11的上表面111與導(dǎo)光板13的下表面131分別有電路。于本發(fā)明一個實施例中，阻抗兀件R13ia固定于導(dǎo)光板13的下表面131,并且R13ia之一端緣與導(dǎo)光板13的入光面133齊平，但不在此限，在其他實施例中R13ia也可不與導(dǎo)光板13的入光面133齊平,也就是與導(dǎo)光板13的入光面133離開有一間距。而導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib固定于基板11的上表面111。并且導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib分別電性耦接至發(fā)光單元15的正端與發(fā)光單元15的負端。借由這樣的配置方式，當(dāng)導(dǎo)光板13相對于基板11的位置改變時，阻抗元件R13ia、導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib之間的電性耦接關(guān)系也會隨的改變，導(dǎo)光板13相對于基板11的位置偏移可以因此被檢測。
[0014]具體來說，請一并參照圖2A、圖2C至圖2G，其中，圖2C是對應(yīng)于圖2A的電路示意圖，圖2D是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較小的示意圖，圖2E是對應(yīng)于圖2D的電路示意圖，圖2F是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較大的示意圖，圖2G是對應(yīng)于圖2F的電路示意圖。于圖2A中，導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151相接觸，因此兩者之間的間隙(距離)為零。此時，阻抗元件R13ia的兩端分別與導(dǎo)線W11ia以及導(dǎo)線W11ib相接觸而形成電性耦接關(guān)系。此時，背光模塊Ia的電路結(jié)構(gòu)大致可以描繪如圖2C所示，也就是電流源172透過電流輸出端171所提供的驅(qū)動電流Id被發(fā)光單元15以及阻抗元件R13ia所分流，其中，流過發(fā)光單元15的第一電流I1與流過阻抗元件R131的第二電流I2的和等于驅(qū)動電流ID。
[0015]請參考圖2D，圖2D顯示當(dāng)導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151不相接觸，且兩者之間的間隙de小于一預(yù)設(shè)距離的態(tài)樣。舉例來說，不論阻抗元件R13ia是否與入光面133齊平，導(dǎo)線W11ia及/或?qū)Ь€W11ib遠離入光面133的端緣與阻抗元件R13ia接近入光面133的端緣的距離L11ia與L11ib可用來做為第一距離(舉例來說，可以設(shè)定為I毫米至3毫米間的任意長度，也可以依據(jù)模擬結(jié)果而設(shè)置)，并以第一距離做為預(yù)設(shè)距離。當(dāng)間隙de小于等于第一距離時，阻抗元件R13ia的兩端與導(dǎo)線W11ia以及導(dǎo)線W11ib仍然相接觸而保持電性耦接關(guān)系。反之，當(dāng)間隙de大于第一距離時，阻抗元件R13ia的兩端不與導(dǎo)線W11ia以及導(dǎo)線W11ib相接觸。于圖2D的狀況下，背光模塊Ia的等效電路結(jié)構(gòu)大致可以描繪如圖2E所示，也就是電流源172所提供的驅(qū)動電流Id仍然分別流過發(fā)光單元15與阻抗元件R131A，換句話說，此時的第一電流I1等與圖2A至圖2C的狀況中的第一電流相同。
[0016]接著，請參考圖2F，圖2F顯示當(dāng)導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151不相接觸，且兩者之間的間隙de大于預(yù)設(shè)距離的態(tài)樣。于圖2F的狀況下，背光模塊Ia的等效電路結(jié)構(gòu)大致可以描繪如圖2G所示，也就是電流源172所提供的驅(qū)動電流Id只流過發(fā)光單元15，換句話說，此時的第一電流I1等于驅(qū)動電流ID。
[0017]總結(jié)來說，于本實施例中，借由導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib與阻抗元件R13ia的接觸(電性連接)與否，可以改變發(fā)光單元15所獲得的第一電流I1的大小。于一實施例中，發(fā)光單元15可以是發(fā)光二極管、有機發(fā)光二極管、冷陰極射線管或其他適于以電流驅(qū)動的發(fā)光元件，本發(fā)明不加以限制。以發(fā)光二極管作為發(fā)光單兀15來舉例，由于發(fā)光二極管的出光強度與流過發(fā)光二極管的電流呈現(xiàn)正相關(guān)，所以前述的結(jié)構(gòu)可以借由調(diào)整電流來調(diào)整發(fā)光單元15的出光強度。也就是當(dāng)間隙de小于等于第一距離(也就是距離L11ia或L11ib)時，發(fā)光單元15所獲得的第一電流I1較小，所以此時發(fā)光單元15的出光強度較小。而當(dāng)間隙de大于第一距離時，發(fā)光單兀15所獲得的第一電流I1較大，所以此時發(fā)光單兀15的出光強度較大。當(dāng)發(fā)光單元15與導(dǎo)光板13的耦合狀態(tài)偏離于預(yù)設(shè)狀態(tài)時，因為兩者之間耦合不良，所以從光線從發(fā)光單元15進入導(dǎo)光板13而往特定方向、區(qū)域散發(fā)的效率會下降。而應(yīng)用了本發(fā)明的背光模塊中，因為在發(fā)光單元15與導(dǎo)光板13的耦合狀態(tài)偏離于預(yù)設(shè)狀態(tài)時，發(fā)光單元15獲得的第一電流I1會大于預(yù)設(shè)狀態(tài)下發(fā)光單元15所獲得的第一電流I1，所以發(fā)光單元15的出光強度會提高，從而補償了前述所損失的出光效率。
[0018]由上述實施例，可以視為本發(fā)明的背光模塊Ia中有一個位移補償電路，于本實施例中的位移補償電路包括了阻抗元件與兩個導(dǎo)線。于本發(fā)明一實施例中，阻抗元件R13ia可以是透明導(dǎo)電線例如氧化銦錫(ITO)等金屬氧化物透明導(dǎo)電薄膜。此外，于本發(fā)明另一實施例中，阻抗元件R13ia的阻值可以是發(fā)光單元15的等效阻值的兩倍至十倍，因此第二電流I2最多抽取三分之一驅(qū)動電流Id。
[0019]于本發(fā)明一實施例中，阻抗元件R13ia可以是電致變色膜。當(dāng)阻抗元件R13ia電性耦接至導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib而可以從電流源172汲取第二電流I2的時候，阻抗元件R13ia具有第一反射率；當(dāng)阻抗元件R13ia沒有電性耦接至導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib時，阻抗元件R13ia具有第二反射率，且第二反射率大于第一反射率。因此，當(dāng)發(fā)光單元15與導(dǎo)光板13的耦合狀態(tài)偏離于預(yù)設(shè)狀態(tài)時，除了發(fā)光單元15本身的出光強度會提升以外，相較于預(yù)設(shè)狀態(tài)有更多的光線可以被阻抗元件R13ia反射，從而提高導(dǎo)光板13出光的效率，以補償因為耦合不良造成的出光效率下降。依據(jù)本發(fā)明的精神，阻抗元件(電致變色膜)的材料可以是氧化鎢(WO3)、氧化鑰(MoO3)、氧化鈮(Nb2O5)、氧化鈦(T12)或其他具有相同電致變色特性的材料，本發(fā)明不加以限制。
[0020]于本發(fā)明另一實施例中，請參照圖3A至圖3G，其中，圖3A是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的背光模塊部分俯視不意圖，而圖3B是相對于圖3A的部分剖面不意圖，圖3C是對應(yīng)于圖3A的電路示意圖，圖3D是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較小的示意圖，圖3E是對應(yīng)于圖3D的電路示意圖，圖3F是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較大的示意圖，圖3G是對應(yīng)于圖3F的電路示意圖。如圖3A與圖3B所示，背光模塊la’相較于背光模塊Ia更包括一個阻抗元件RmB。阻抗兀件RmB固定于導(dǎo)光板13的下表面131。如圖3A所不,導(dǎo)線W11ia及/或?qū)Ь€W11ib遠離入光面133的端緣與阻抗元件R13ia靠近入光面133的端緣的距離L111A/L111B可以作為第一距離，而距離Lw (也就是導(dǎo)線W11ia及/或?qū)Ь€W11ib遠離入光面133的端緣與阻抗元件R131b靠近入光面133的端緣的距離)可以做為第二距離，因此當(dāng)導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15貼合時(如圖3A所示)，其等效電路圖可以如圖3C所示。此時驅(qū)動電流Id等于第一電流I1、第二電流(也就是電流I21與電流I22的和)的總合。當(dāng)導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151間的間隙de小于等于第二距離時，阻抗元件R131b電性耦接導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W111B。再者，如圖3D所示，當(dāng)間隙de大于第二距離但是小于第一距離時，阻抗元件R131b不電性耦接導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib，此時的等效電路如圖3E所示。因此在這個狀況下，驅(qū)動電流Id等于第一電流I1與電流I21的和。再者，如圖3F所示，當(dāng)間隙dG大于第一距離時，阻抗元件R131b與阻抗元件R13ia都不電性耦接導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib，此時的等效電路如圖3G所示。因此在這個狀況下，驅(qū)動電流Id等于第一電流Ip借此，隨著導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單兀15的出光面151間的間隙de的改變,并聯(lián)于發(fā)光單兀15的電阻的數(shù)量與其等效電阻值也會改變。換句話說，隨著導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151間的間隙de的改變，第一電流I1的電流值也會分段的改變(間隙de越大，第一電流I1越大)，第一電流I1的電流值最大可以與驅(qū)動電流Id的電流值相等。
[0021]于本發(fā)明另一個實施例中，請一并參照圖4A、圖4B與圖4C，其中，圖4A是依據(jù)本發(fā)明一實施例的背光模塊的部分俯視示意圖，圖4B是關(guān)于圖4A之一個部分剖面示意圖，而圖4C是關(guān)于圖4A的另一個部分剖面示意圖。本實施例中的背光模塊Ib相較于圖2A的背光模塊Ia的差異在于導(dǎo)線與阻抗元件位置的不同。如圖4A、圖4B與圖4C所示，導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib固定于基板11的上表面111，阻抗元件R111固定于基板11的上表面111并且阻抗元件R111與導(dǎo)線W11ia相連接而形成電性耦接關(guān)系，在導(dǎo)光板13的下表面131固定有導(dǎo)線W131。導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib分別電性耦接至發(fā)光單元15的正端與發(fā)光單元15的負端，且當(dāng)導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151相接觸時，導(dǎo)線W131分別與阻抗元件R111以及導(dǎo)線W11ib接觸而形成電性耦接關(guān)系。借由這樣的配置方式，當(dāng)導(dǎo)光板13相對于基板11的位置改變時，阻抗元件Rm、導(dǎo)線W11ia、導(dǎo)線W11ib與導(dǎo)線W131之間的電性耦接關(guān)系也會隨的改變，從而能作為檢測導(dǎo)光板13位置偏移的手段。
[0022]具體來說，請一并參照圖4A、圖4D至圖4H，其中，圖4D是對應(yīng)于圖4A的電路示意圖，圖4E是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單元的相對位置的偏移較小的示意圖，圖4F是對應(yīng)于圖4E的電路示意圖，圖4G是依據(jù)本發(fā)明一實施例中背光模塊的導(dǎo)光板與發(fā)光單兀的相對位置的偏移較大的不意圖，圖4H是對應(yīng)于圖4G的電路不意圖。于圖4A中，導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151相接觸，因此兩者之間的間隙(距離)為零。此時，導(dǎo)線W131的兩端分別與阻抗元件R111以及導(dǎo)線W11ib相接觸而形成電性耦接關(guān)系。此時，背光模塊Ib的電路結(jié)構(gòu)大致可以描繪如圖4D所示，也就是電流源172所提供的驅(qū)動電流Id被發(fā)光單元15以及阻抗元件R111所分流，其中，流過發(fā)光單元15的第一電流I1與流過阻抗元件R111的第二電流I2的和等于驅(qū)動電流ID。
[0023]當(dāng)導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151不相接觸，但是兩者之間的間隙de小于一個第三距離時，則如圖4E所示。舉例來說，可以用導(dǎo)線W11ib遠離入光面133的端緣與導(dǎo)線W131靠近入光面133的端緣的距離L11ib來做為第三距離，當(dāng)間隙de小于等于第三距離時，導(dǎo)線W131的兩端與阻抗元件R111以及導(dǎo)線W11ib相接觸而形成電性耦接關(guān)系。此時背光模塊Ib的的等效電路可以描繪如圖4F，也就是驅(qū)動電流Id等于第一電流I1與第二電流I2的和。反之，當(dāng)間隙de大于第三距離時，導(dǎo)線W131的兩端不與阻抗元件R111以及導(dǎo)線W11ib相接觸，如圖4G所示。因此，于此狀況下，背光模塊Ib的等效電路結(jié)構(gòu)大致可以描繪如圖4H所示，也就是電流源172所提供的驅(qū)動電流Id只流過發(fā)光單元15，換句話說，此時的第一電流I1等于驅(qū)動電流ID。因此，可以視為本發(fā)明的背光模塊Ib中有一個位移補償電路，于本實施例中的位移補償電路包括了阻抗元件與三個導(dǎo)線。本發(fā)明一實施例中，阻抗元件R111可以是透明導(dǎo)電線例如氧化銦錫(ITO)等金屬氧化物透明導(dǎo)電薄膜。
[0024]于本發(fā)明一實施例中，阻抗元件R111可以是電致變色膜，因此當(dāng)導(dǎo)線W131電性耦接至阻抗元件R111與導(dǎo)線W11ib而可以從電流源172汲取第二電流I2的時候，阻抗元件R111具有第三反射率，當(dāng)導(dǎo)線W131沒有電性耦接至阻抗元件R111與導(dǎo)線W11ib時，阻抗元件R111具有第四反射率，且第四反射率大于第三反射率。依據(jù)本發(fā)明的精神，阻抗元件(電致變色膜)的材料可以是氧化鎢(WO3)、氧化鑰(MoO3)、氧化鈮(Nb2O5)、氧化鈦(T12)或其他具有相同電致變色特性的材料，本發(fā)明不加以限制。
[0025]于本發(fā)明另一實施例中，請參照圖5A與圖5B，其中，圖5A是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的背光模塊部分俯視不意圖，圖5B是相對于圖5A的部分剖面不意圖。如圖5A與圖5B所示，背光模塊lb’相較于背光模塊lb，阻抗元件R111可以被分割成彼此不相連接的阻抗元件Riua與阻抗元件R111B。并且，可以以如圖5A所示的距離Lw可以做為第四距離。更明確來說，不論導(dǎo)線W131及/或阻抗元件R11ib是否與入光面133齊平，距離Lw可以是阻抗元件Ruib遠離入光面133的端緣與導(dǎo)線W131靠近入光面133的端緣的距離。并且可把導(dǎo)線W11ia/導(dǎo)線W11ib及/或阻抗元件R11ia遠離入光面133的端緣與導(dǎo)線W131靠近入光面133的端緣的距離當(dāng)作第三距離。因此當(dāng)導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151間的間隙dG小于等于第四距離時，阻抗元件R11ia與阻抗元件R11ib都透過導(dǎo)線W131而與導(dǎo)線W11ib電性耦接，其等效電路示意圖描繪如圖5C所示。此時驅(qū)動電流Id等于第一電流I1與第二電流I2(也就是電流I21與電流I22的和)的總和。而當(dāng)間隙de大于第四距離而小于第三距離時，阻抗元件R11ib不透過導(dǎo)線W131與導(dǎo)線W11ib電性耦接，如圖所示，其等效電路示意圖描繪如圖5E所示。此時驅(qū)動電流Id等于第一電流I1與第二電流I2 (于此一狀態(tài)下也就是電流I21)的總和。而當(dāng)間隙de大于第三距離時，阻抗元件R11ib與阻抗元件R11ia都不透過導(dǎo)線W131與導(dǎo)線W11ib電性耦接，如圖5F所示，其等效電路示意圖描繪如第5G圖所示。此時驅(qū)動電流Id等于第一電流1:。借此，隨著導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單兀15的出光面151間的間隙de的改變，并聯(lián)于發(fā)光單元15的電阻的數(shù)量與其等效電阻值也會改變。換句話說，隨著導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單兀15的出光面151間的間隙de的改變,第一電流I1的電流值也會分段的改變(間隙de越大,第一電流I1越大)，第一電流I1的電流值最大可以與驅(qū)動電流Id的電流值相等。
[0026]于本發(fā)明另一實施例中，請參照圖6A與圖6B,其中，圖6A是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的背光模塊部分俯視示意圖，圖6B是相對于圖6A的部分剖面示意圖。如圖6A所示，背光模塊lb”相較于背光模塊Ib,導(dǎo)線W131可以被分割成彼此不相連接的阻抗兀件R13ic與阻抗元件R131D。不論阻抗元件Rme是否與入光面133齊平，導(dǎo)線W11ib遠離入光面133的端緣與阻抗元件R131。靠近入光面133的端緣的距離L11ib可以作為第五距離，而阻抗元件R131d靠近入光面133的端緣與導(dǎo)線W11ib遠離入光面133的端緣的距離Lw可以做為第六距離，因此當(dāng)導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151間的間隙de小于等于第六距離時，阻抗元件R111透過阻抗元件Rm。以及阻抗元件R131d而與導(dǎo)線W11ib電性耦接，其等效電路示意圖如圖6C所示，此時第二電流I2會分別經(jīng)由阻抗元件Rmc與阻抗元件R131d流至接地端173。當(dāng)間隙de大于第六距離而小于第五距離時，阻抗元件R111只透過阻抗元件R131。與導(dǎo)線Wiub電性耦接，其狀態(tài)示意圖如圖6D所示而其等效電路示意圖如圖6E所示，此時第二電流I2會只經(jīng)由阻抗元件Rmc流至接地端173。當(dāng)間隙de大于第五距離時，阻抗元件R111與導(dǎo)線W11ib之間沒有電性耦接，其狀態(tài)示意圖如圖6F所示而其等效電路示意圖如圖6G所示，此時第二電流I2無法流至接地端173因此為零。借此，隨著導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151間的間隙de的改變，并聯(lián)于發(fā)光單元15的電阻的數(shù)量與其等效電阻值也會改變。換句話說，隨著導(dǎo)光板13的入光面133與發(fā)光單元15的出光面151間的間隙dG的改變，第一電流I1的電流值也會分段的改變(間隙越大，第一電流I1越大)，第一電流I1的電流值最大可以與驅(qū)動電流Id的電流值相等。此外，隨著間隙de的改變，流過阻抗元件R111的第二電流I2的電流值也會改變，隨著間隙de變大，流過阻抗元件R111的第二電流I2的電流值會變小。于一個實施例中，阻抗元件R111可以是電致變色膜，且阻抗元件R111的反射率與第二電流I2電流值呈負相關(guān)。因此，當(dāng)間隙de變大時，阻抗元件R111的反射率變大。
[0027]于本發(fā)明一實施例中，背光模塊可以不只有一個發(fā)光單元。因此，請參照圖7A，其是依據(jù)本發(fā)明一實施例的背光模塊部分俯視示意圖。如圖7A所示，背光模塊3可以包括基板11、導(dǎo)光板13、發(fā)光單兀15、發(fā)光單兀16與電源模塊17。其中基板11的上表面111與導(dǎo)光板13的下表面131接觸,而發(fā)光單兀15、發(fā)光單兀16與電源模塊17位于基板11的上表面111。發(fā)光單兀15的出光面151與發(fā)光單兀16的出光面161都相鄰于導(dǎo)光板13的入光面133，且兩個出光面都面向?qū)Ч獍?3的入光面133。電源模塊17有電流源透過電流輸出端171輸出電流，并且電源模塊17定義了背光模塊3的接地端173。發(fā)光單元15的正端透過電流輸出端171電性耦接于電源模塊17中的電流源，發(fā)光單元15的負端與發(fā)光單元16的正端電性耦接，而發(fā)光單元16的負端電性耦接于接地端173。電源模塊17中的電流源可以透過電流輸出端171提供一個驅(qū)動電流，而發(fā)光單元15因為電性耦接于電流源與接地端173之間，所以發(fā)光單元15可以從電流源汲取第一電流而發(fā)光。同時，依據(jù)如圖6A的實施例，導(dǎo)線W11ia與導(dǎo)線W11ib分別電性耦接至發(fā)光單元15的正端與負端，而阻抗元件R13ia被固定于導(dǎo)光板13的下表面131且與導(dǎo)線W11ia以及導(dǎo)線W11ib接觸而形成電性耦接關(guān)系。并且，背光模塊3更包括了導(dǎo)線Wm。、導(dǎo)線W11id與阻抗元件R131E。導(dǎo)線W111。與導(dǎo)線W11id分別電性耦接至發(fā)光單元16的正端與負端，而阻抗元件R131e被固定于導(dǎo)光板13的下表面131且與導(dǎo)線Wm。以及導(dǎo)線W11id接觸而形成電性耦接關(guān)系。
[0028]當(dāng)導(dǎo)光板13與基板11有相對位移時，于一種非正常狀態(tài)下可以如圖7B所示。于此一異常狀態(tài)下，阻抗元件R13ia不與導(dǎo)線W11ia接觸，只與導(dǎo)線W11ib接觸而形成電性耦接關(guān)系。阻抗元件R131e同時與導(dǎo)線W111。以及導(dǎo)線W11111接觸而形成電性耦接關(guān)系。因此其等效電路示意圖如圖7C所示，由圖7C可以得知，電流源172透過電流輸出端171所送出的驅(qū)動電流Id流過發(fā)光單元15后被發(fā)光單元16以及阻抗元件R131e所分流。因此流過發(fā)光單元15的第一電流I1等于驅(qū)動電流ID，而流過發(fā)光單元16的第三電流I3等于第一電流I1與流過阻抗元件R131e的第四電流I4的差值，也就等于驅(qū)動電流Id與流過阻抗元件R131e的第四電流I4的差值。同樣地，雖然本實施例中的阻抗元件R13ia與阻抗元件&,與入光面133齊平，然而本實施例于此并不加以限制。阻抗元件R13ia與阻抗元件R131e也可以不與入光面133齊平，則第一距離必須定義為導(dǎo)線W11ia?W11id遠離入光面133的端緣與阻抗元件R13ia/R131e接近入光面133的端緣的距離。
[0029]本發(fā)明所揭露的多種背光模塊，都包括了位移補償電路。位移補償電路的第一部分的電路被固定在基板的上表面而與發(fā)光單元直接電性耦接，位移補償電路的第二部分的電路被固定在導(dǎo)光板的下表面而透過第一部分的電路與發(fā)光單元電性耦接。因此，當(dāng)導(dǎo)光板相對于基板有位移時，第二部分的電路可能不與第一部分的電路接觸，從而無法與發(fā)光單元電性耦接。如此一來，從電流源所提供的驅(qū)動電流可以隨著導(dǎo)光板相對于基板的位移而被第二部分電路分流或不分流，因此流過發(fā)光單元的電流的電流值可以隨的改變。于本發(fā)明一些實施例中，當(dāng)導(dǎo)光板的入光面與發(fā)光單元的出光面間的間隙大于一定距離時，位移補償電路的第二部分的電路不分流驅(qū)動電流，而使驅(qū)動電流完全流過發(fā)光單元。因此，本發(fā)明所揭示的背光模塊可以補償因為導(dǎo)光板的入光面與發(fā)光單元的出光面間的間隙造成的出光效率衰退的現(xiàn)象。
[0030]雖然本發(fā)明以前述的實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，所為的更動與潤飾，均屬本發(fā)明的專利保護范圍。關(guān)于本發(fā)明所界定的保護范圍請參考所附的申請專利范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種背光模塊，包括: 一基板，具有一基板上表面； 一導(dǎo)光板，具有一入光面以及與該入光面連接之一導(dǎo)光板下表面，該導(dǎo)光板下表面面對該基板上表面； 一電流源，用以輸出一驅(qū)動電流； 一第一發(fā)光單兀，設(shè)置于該基板的上表面，該第一發(fā)光單兀具有一第一發(fā)光面，該第一發(fā)光面鄰接該導(dǎo)光板的該入光面，該第一發(fā)光單元電性耦接于該電流源與一接地端，從該電流源汲取一第一電流而發(fā)光；以及 一第一位移補償電路，電性稱接至該第一發(fā)光單兀與該電流源，用以依據(jù)一第一間隙，選擇性地從該電流源汲取一第二電流，調(diào)整該第一電流的電流值以補償該第一發(fā)光單元的亮度； 其中該第一間隙位于該導(dǎo)光板的該入光面與該第一發(fā)光單元的該第一發(fā)光面間，且該第一電流的電流值與該第二電流的電流值的總和等于該驅(qū)動電流的電流值。
2.如權(quán)利要求1所述的背光模塊，其特征在于，該第一位移補償電路包括: 一第一導(dǎo)線，位于該基板的上表面，并電性耦接至該第一發(fā)光單元的正端； 一第二導(dǎo)線，位于該基板的上表面，并電性耦接至該第一發(fā)光單元的負端；以及 一第一阻抗元件，位于該導(dǎo)光板的下表面，當(dāng)該第一間隙小于等于一第一距離時，該第一阻抗元件電性耦接該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線，當(dāng)該第一間隙大于該第一距離時，該第一阻抗元件不電性耦接該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線。
3.如權(quán)利要求2所述的背光模塊，其特征在于，該第一距離由該第一導(dǎo)線遠離于該入光面的端緣與該第一阻抗元件靠近于該入光面的端緣所定義。
4.如權(quán)利要求2所述的背光模塊，其特征在于，該第一阻抗元件是一電致變色膜，當(dāng)該電致變色膜電性耦接該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線而汲取該第二電流時，該電致變色膜具有一第一反射率，當(dāng)該電致變色膜不電性耦接該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線時，該電致變色膜具有一第二反射率，該第二反射率大于該第一反射率。
5.如權(quán)利要求2所述的背光模塊，其特征在于，該第一阻抗元件的材料是透明導(dǎo)電材料。
6.如權(quán)利要求2所述的背光模塊，其特征在于，該第一位移補償電路更包括: 一第二阻抗元件，位于該導(dǎo)光板的下表面，當(dāng)該第一間隙小于等于一第二距離時，該第二阻抗元件電性耦接該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線，當(dāng)該第一間隙大于該第二距離時，該第二阻抗元件不電性耦接該第一導(dǎo)線與該第二導(dǎo)線，其中，該第一距離大于該第二距離。
7.如權(quán)利要求6所述的背光模塊，其特征在于，該第二距離由該第一導(dǎo)線遠離于該入光面的端緣與該第二阻抗元件靠近于該入光面的端緣所定義。
8.如權(quán)利要求1所述的背光模塊，其特征在于，該第一位移補償電路包括: 一第三導(dǎo)線，位于該基板的上表面，并電性耦接至該第一發(fā)光單元的正端； 一第四導(dǎo)線，位于該基板的上表面，并電性耦接至該第一發(fā)光單元的負端； 一第三阻抗元件，位于該基板的上表面，與該第三導(dǎo)線電性耦接；以及 一第五導(dǎo)線，位于該導(dǎo)光板的下表面，當(dāng)該第一間隙小于等于一第三距離時，該第五導(dǎo)線電性耦接于該第三阻抗元件與該第四導(dǎo)線之間，當(dāng)該第一間隙大于該第三距離時，該第五導(dǎo)線不電性耦接于該第三阻抗元件與該第四導(dǎo)線之間。
9.如權(quán)利要求8所述的背光模塊，其特征在于，該第三距離由該第三導(dǎo)線遠離于該入光面的端緣與該第五導(dǎo)線靠近于該入光面的端緣所定義。
10.如權(quán)利要求8所述的背光模塊，其特征在于，該第三阻抗元件是一電致變色膜，當(dāng)該第五導(dǎo)線電性耦接于該電致變色膜與該第四導(dǎo)線之間，該電致變色膜從該第三導(dǎo)線與該第四導(dǎo)線汲取該第二電流，并具有一第三反射率，當(dāng)該第五導(dǎo)線不電性耦接于該電致變色膜與該第四導(dǎo)線之間時，該電致變色膜具有一第四反射率，該第四反射率大于該第三反射率。
11.如權(quán)利要求8所述的背光模塊，其特征在于，該第一位移補償電路更包括: 一第四阻抗元件，位于該基板的上表面，與該第三導(dǎo)線電性耦接； 其中當(dāng)該第一間隙小于等于一第四距離時，該第五導(dǎo)線電性耦接于該第四阻抗元件與該第四導(dǎo)線之間，當(dāng)該第一間隙大于該第四距離時，該第五導(dǎo)線不電性耦接于該第四阻抗元件與該第四導(dǎo)線之間，該第三距離大于該第四距離。
12.如權(quán)利要求11所述的背光模塊，其特征在于，該第四距離由該第四阻抗元件遠離于該入光面的端緣與該第五導(dǎo)線靠近于該入光面的端緣所定義。
13.如權(quán)利要求1所述的背光模塊，其特征在于，該第一位移補償電路包括: 一第六導(dǎo)線，位于該基板的上表面，并電性耦接至該第一發(fā)光單元的正端； 一第七導(dǎo)線，位于該基板的上表面，并電性耦接至該第一發(fā)光單元的負端； 一第五阻抗元件，位于該基板的上表面，與該第六導(dǎo)線電性耦接； 一第六阻抗元件，位于該導(dǎo)光板的下表面，當(dāng)該第一間隙小于等于一第五距離時，該第六阻抗元件電性耦接于該第五阻抗元件與該第七導(dǎo)線之間，當(dāng)該第一間隙大于該第五距離時，該第六阻抗元件不電性耦接于該第五阻抗元件與該第七導(dǎo)線之間；以及 一第七阻抗元件，位于該導(dǎo)光板的下表面，當(dāng)該第一間隙小于等于一第六距離時，該第七阻抗元件電性耦接于該第五阻抗元件與該第七導(dǎo)線之間，當(dāng)該第一間隙大于該第六距離時，該第七阻抗元件不電性耦接于該第五阻抗元件與該第七導(dǎo)線之間，該第五距離小于該第六距離。
14.如權(quán)利要求13所述的背光模塊，其特征在于，該第五距離由該第六導(dǎo)線遠離于該入光面的端緣與該第六阻抗元件靠近于該入光面的端緣所定義。
15.如權(quán)利要求13所述的背光模塊，其特征在于，該第六距離由該第六導(dǎo)線遠離于該入光面的端緣與該第七阻抗元件靠近于該入光面的端緣所定義。
16.如權(quán)利要求13項至第15項中任一所述的背光模塊，其特征在于，該第五阻抗元件是一電致變色膜，該電致變色膜的反射率與流過該電致變色膜的電流值呈負相關(guān)。
17.如權(quán)利要求1所述的背光模塊，其特征在于，當(dāng)該第一位移補償電路從該電流源汲取該第二電流時，該第二電流的電流值與該驅(qū)動電流的電流值之一比值小于三分之一。
18.如權(quán)利要求1所述的背光模塊，其特征在于，更包括: 一第二發(fā)光單元(LED)，該第二發(fā)光單元具有一第二發(fā)光面，該第二發(fā)光面鄰接(adjacent to)該導(dǎo)光板的該入光面,該第二發(fā)光單元電性稱接于該第一發(fā)光單元與該接地端之間，從該第一發(fā)光單元汲取一第三電流而發(fā)光；以及 一第二位移補償電路，電性耦接至該第二發(fā)光單元的正端與該第二發(fā)光單元的負端，用以依據(jù)一第二間隙，選擇性地調(diào)整該第三電流的電流值以補償該第二發(fā)光單元的亮度；其中該第二間隙位于該導(dǎo)光板的該入光面與該第二發(fā)光單元的該第二發(fā)光面間。
【文檔編號】F21Y101/02GK104266113SQ201410488240
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月30日
【發(fā)明者】朱南叡, 陳志誠 申請人:友達光電股份有限公司