一種測量等離子體室放出的電子量的方法
【專利摘要】一種測量等離子體室放出的電子量的方法，其圖1工作流程框圖包括：PFG電子發(fā)生器(1)、PFG EMISSION CURRENT電子測量裝置(2)、PSI控制器(3)、燈絲電壓(4)、弧壓(5)。此方法檢測PFG電子發(fā)生器溢出的電子量情況。PFG EMISSION CURRENT原理圖圖2說明了測量裝置原理。其中包括采樣電阻、放大器AD8221、同相放大器、電壓跟隨器電路組成。說明書對本方法進(jìn)行了詳細(xì)的說明，并給出具體實施方案。
【專利說明】—種測量等離子體室放出的電子量的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是一種測量等離子體室放出的電子量的方法，安全可控的得到中和靶面上的正離子所需要的合適的電子流。

【背景技術(shù)】
[0002]集成電路制造技術(shù)及工藝是關(guān)乎國計民生的戰(zhàn)略性工程，對保障國家安全和增強(qiáng)綜合國力具有重大戰(zhàn)略意義，是一種高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)。集成電路芯片制造概括的來講就是將元器件做在極小半導(dǎo)體芯片上的過程。通常情況下，要完成集成電路芯片的制造過程需要數(shù)十種工藝設(shè)備的數(shù)百道工序。一條工藝線主要有曝光、刻蝕、離子注入、氧化、鍍膜等工藝，這些工藝多次循環(huán)往復(fù)進(jìn)行。離子注入技術(shù)與常規(guī)熱摻雜工藝相比具有高精度的劑量均勻性與重復(fù)性，橫向擴(kuò)散小等優(yōu)點。離子注入克服了常規(guī)工藝的限制，提高了電路的集成度、速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗，因此離子注入機(jī)廣泛用于摻雜工藝，當(dāng)代VLS1、ULSI等工藝重要特征之一就是“全離子注入”。離子注入對控制半導(dǎo)體的摻雜剖面，結(jié)深，保證器件各項電參數(shù)非常重要。
[0003]經(jīng)過對低能大束流項目的指標(biāo)參數(shù)和工藝要求分析，但由于工藝技術(shù)代和工藝特點不同，為了中和靶面上的正離子，所以需要得到合適的電子流，通過PFG Emiss1ncurrent測得不同弧流下的采樣值，從而測得此時的電子量，然后可以調(diào)節(jié)PFG自身的燈絲電壓和弧壓，從而產(chǎn)生更多的電子去中和靶面上的正離子，得到更高質(zhì)量的產(chǎn)品。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明針對一種測量等離子體室放出的電子量的方法，采用采樣隔離和控制電路。
[0005]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
[0006]1.一種測量等離子體室放出的電子量的方法，其圖1工作流程框圖包括:PFG電子發(fā)生器(I)、PFG EMISS1N CURRENT電子測量裝置(2)、PSI控制器(3)、燈絲電壓(4)、弧壓
(5)。PFG EMISS1N⑶RRENT原理圖圖2說明了測量裝置原理。其中包括采樣電阻、放大器AD8221、同相放大器、電壓跟隨器電路組成。此方法檢測PFG電子發(fā)生器溢出的電子情況。
[0007]2.如權(quán)利要求1所述一種測量等離子體室放出的電子量的方法，其特征在于，其中所述的采樣電阻的大小，控制輸出的值的取值量程公式U= I*R*K ;R = U/I*K (此電路的放大倍數(shù)K = 50，采樣電流為I = 10mA，對應(yīng)的AIN5為U= 10V)。為了使電路采樣信號穩(wěn)定放大，整個電路中用放大器AD8221和同相放大器，從而達(dá)到電路滿足電氣需要，通過電壓跟隨器，從而達(dá)到濾去電路內(nèi)部干擾波的目的。
[0008]3.如權(quán)利要求1所述的一種測量等離子體室放出的電子量的方法，其特征在于，其中所述的PFG EMISS1N CURRENT電子測量裝置(2)采樣量輸入給PSI控制器(3)，進(jìn)而輸出數(shù)字量給上位機(jī)，上位機(jī)通過設(shè)定的算法計算出顯示值，從而達(dá)到檢測電子量的目的。進(jìn)而達(dá)到提聞廣品質(zhì)量的目的。
[0009]本發(fā)明具有如下優(yōu)點:
[0010]為了中和靶面上的正離子，所以需要得到合適的電子流，通過PFG Emiss1ncurrent測得不同弧流下的采樣值，從而測得此時的電子量，然后可以調(diào)節(jié)PFG自身的燈絲電壓和弧壓，從而產(chǎn)生更多的電子去中和靶面上的正離子，得到更高質(zhì)量的產(chǎn)品。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1PFG Emiss1n current 工作流程圖
[0012]圖 2PFG EMISS1N CURRENT 原理圖

【具體實施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖的具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步介紹，這些描述都是說明性的，本發(fā)明不限于此。本發(fā)明的范圍僅由所附權(quán)利要求的范圍所限定。
[0014]一種測量等離子體室放出的電子量的方法，其圖1工作流程框圖包括:PFG電子發(fā)生器(I)、PFG EMISS1N⑶RRENT電子測量裝置⑵、PSI控制器(3)、燈絲電壓⑷、弧壓
(5)。此方法檢測PFG電子發(fā)生器溢出的電子情況。工作流程:首先(I)PFG中等離子體中的電子受到正離子束的吸引，產(chǎn)生的電子流進(jìn)入(2)PFG Emiss1n current裝置的采集信號，采集的信號通過處理后，送到(3) PSI處理器，PSI通過自身的算法得到一個反饋值到CPU顯示出來。從而達(dá)到測量等離子體中的電子受到正離子束的吸引的電子量大小的目的。通過調(diào)節(jié)(I)PFG電子發(fā)生器的燈絲電流(4)和弧壓(5)使電子量達(dá)到需要的效果。從而達(dá)到安全可控的為負(fù)載提供高壓能量。
[0015]PFG EMISS1N⑶RRENT原理圖圖2說明了測量裝置原理。其中包括采樣電阻、放大器AD8221、同相放大器、電壓跟隨器電路組成。如圖2從PFG采樣得到的信號進(jìn)入J8，通過一個采樣電阻獲得一個穩(wěn)定的電壓值，然后通過AD8221放大芯片放大10倍處理，通過各個電容濾去雜波，然后通過同相運放放大y5倍，再次通過一個電壓跟隨電路，達(dá)到消除負(fù)載變化對輸出電壓的影響，最終得到一個穩(wěn)定放大的信號，這就是本裝置所需要的信號。
[0016]以上所述已對本發(fā)明的內(nèi)容做了詳盡說明。對本領(lǐng)域一般技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都構(gòu)成對本發(fā)明專利的侵犯，將承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任。
【權(quán)利要求】
1.一種測量等離子體室放出的電子量的方法，其圖1工作流程框圖包括:？％電子發(fā)生器(1)、？？6 ￡118810^⑶尺腳丁電子測量裝置(2)、？81控制器(3)、燈絲電壓(4)、弧壓(5)。？？6 ￡118810^⑶冊冊I原理圖圖2說明了測量裝置原理。其中包括采樣電阻、放大器八08221、同相放大器、電壓跟隨器電路組成。此方法檢測？％電子發(fā)生器溢出的電子情況。
2.如權(quán)利要求1所述一種測量等離子體室放出的電子量的方法，其特征在于，其中所述的采樣電阻的大小，控制輸出的值的取值量程公式I = 1噸秘洱=此電路的放大倍數(shù)1( = 50，采樣電流為I = 10—，對應(yīng)的八爪5為I = 107)。為了使電路采樣信號穩(wěn)定放大，整個電路中用放大器仙8221和同相放大器，從而達(dá)到電路滿足電氣需要，通過電壓跟隨器，從而達(dá)到濾去電路內(nèi)部干擾波的目的。
3.如權(quán)利要求1所述的一種測量等離子體室放出的電子量的方法，其特征在于，其中所述的？％ ￡118810^⑶冊冊I電子測量裝置(2)采樣量輸入給？31控制器(3),進(jìn)而輸出數(shù)字量給上位機(jī)，上位機(jī)通過設(shè)定的算法計算出顯示值，從而達(dá)到檢測電子量的目的。進(jìn)而達(dá)到提聞廣品質(zhì)量的目的。
【文檔編號】H01J37/244GK104465285SQ201310415359
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月12日
【發(fā)明者】丁振理 申請人:北京中科信電子裝備有限公司