專利名稱：一種具有降溫功能的法拉第屏蔽裝置及等離子體處理設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制程設(shè)備，尤其是對(duì)于基板實(shí)施等離子體處理的等離子體處理設(shè)備，具體地，涉及一種法拉第屏蔽裝置以及具有該法拉第屏蔽裝置的等離子體處理設(shè)備。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備的制造過(guò)程中，例如蝕刻、沉積、氧化、濺射等處理過(guò)程中，通常會(huì)利用等離子體對(duì)基板(半導(dǎo)體晶片、玻璃基板等)進(jìn)行處理。一般地，對(duì)于等離子體處理設(shè)備來(lái)說(shuō)，作為生成等離子體的方式，大體上可分為利用電暈(glow)放電或者高頻放電，和利用微波等方式。在高頻放電方式的等離子體處理設(shè)備中，根據(jù)能量耦合方式不同又分為電容式耦 合及電感式耦合兩種。電容式耦合等離子體處理設(shè)備的反應(yīng)腔通常配置上部電極和下部電極，優(yōu)選地這兩個(gè)電極平行設(shè)置。而且，通常在下部電極之上載置被處理基板，經(jīng)由整合器將等離子體生成用的高頻電源施加于上部電極或者下部電極。通過(guò)由該高頻電源所生成的高頻電場(chǎng)來(lái)使電子加速，因電子與處理氣體的沖擊電離而發(fā)生射頻等離子體，從而進(jìn)行蝕刻的操作。在電感式耦合等離子體處理設(shè)備的反應(yīng)腔外，配置有電磁感應(yīng)線圈。高頻電磁場(chǎng)能量由線圈通過(guò)一個(gè)介質(zhì)窗口耦合進(jìn)出反應(yīng)腔產(chǎn)生等離子體。被處理基板通常也是放在下部電極之上，并用另一高頻電源施加于下部電極以控制離子的能量對(duì)基板進(jìn)行加工。用電感式耦合等離子體處理設(shè)備對(duì)基板進(jìn)行加工時(shí)，通過(guò)射頻線圈進(jìn)行的能量耦合一搬包括交流和直流兩部分。交流部分用于產(chǎn)生等離子體。而直流部分卻只用于增加離子對(duì)反應(yīng)腔表面的轟擊能量。由于離子對(duì)反應(yīng)腔表面的轟擊會(huì)造成表面的腐蝕，必須加以減少。法拉第屏蔽裝置的主要用途，就是減少或消除直流部分的能量耦合。在現(xiàn)有工藝中，法拉第屏蔽裝置往往在工作中容易升溫，進(jìn)而影響到法拉第屏蔽裝置所產(chǎn)生的效果。本實(shí)用新型希望提供一種具有降溫功能的，通過(guò)增加一個(gè)導(dǎo)熱的裝置使法拉第屏蔽裝置上的溫度降低，以此來(lái)解決這一問(wèn)題。
實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實(shí)用新型的目的是提供一種具有降溫功能的法拉第屏蔽裝置及等離子體處理設(shè)備。根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供一種具有降溫功能的法拉第屏蔽裝置，其包括一法拉第屏蔽板；以及一放置于所述法拉第屏蔽板之上或插入所述法拉第屏蔽板內(nèi)部的導(dǎo)熱部件，其特征在于，所述導(dǎo)熱部件內(nèi)裝有冷卻液，所述導(dǎo)熱部件至少包括一輸入接口以及一輸出接口，用于輸入及輸出冷卻液。優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱部件至少包括一根或多根導(dǎo)熱管，所述一根或多根導(dǎo)熱管組成扇葉形、螺旋形、圓形、菱形以及星形等形狀中的任一種。優(yōu)選地，所述多根導(dǎo)熱管均勻地布置于所述法拉第屏蔽板的表面或內(nèi)部。[0010]優(yōu)選地，所述多根導(dǎo)熱管在所述法拉第屏蔽板表面或內(nèi)部呈中心和邊緣分布，所述中心區(qū)域的導(dǎo)熱管的密度大于所述邊緣區(qū)域的導(dǎo)熱管的密度。優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱管包括兩根直徑不同環(huán)狀管和多根直管，所述多根直管與兩根環(huán)狀管相連通。優(yōu)選地，所述環(huán)狀管均包括各自的輸入接口以及輸出接口，且所述環(huán)狀管各自的輸入接口以及輸出接口同時(shí)連接一個(gè)冷卻裝置。優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱部件為一包含冷卻液的導(dǎo)熱板，所述導(dǎo)熱板布置在所述法拉第屏蔽板的表面或內(nèi)部，所述導(dǎo)熱板與所述法拉第屏蔽板的尺寸相適應(yīng)。優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱部件與法拉第屏蔽板之間通過(guò)焊接或使用導(dǎo)熱膠相連接。優(yōu)選地，所述法拉第屏蔽板的材料為鋁。
根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，還提供一種等離子體處理設(shè)備，其包括對(duì)被處理基板進(jìn)行蝕刻的反應(yīng)室；以及配置在所述反應(yīng)室上面并且與其隔開(kāi)的線圈，所述線圈具有輸入端、輸出端，其特征在于，還包括配置于所述反應(yīng)室與所述線圈之間并與所述反應(yīng)室以及所述線圈均隔開(kāi)設(shè)置的所述法拉第屏蔽裝置。根據(jù)本實(shí)用新型的又一個(gè)方面，還提供。本實(shí)用新型通過(guò)提供一種具有降溫功能的法拉第屏蔽裝置以及等離子體處理裝置，其通過(guò)增加一個(gè)導(dǎo)熱部件，使法拉第屏蔽板上的溫度降低，從而解決法拉第屏蔽裝置往往在工作中容易升溫，進(jìn)而影響到法拉第屏蔽裝置所產(chǎn)生的效果這一問(wèn)題。
通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯圖I示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體處理設(shè)備100的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中所述等離子體處理設(shè)備100的基本操作原理；圖3示出根據(jù)本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的，所述法拉第屏蔽裝置2的表面結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖4示出根據(jù)本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的，所述法拉第屏蔽裝置2的表面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行進(jìn)一步地說(shuō)明圖I示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子體處理設(shè)備100的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，所述等離子體處理設(shè)備100包括蝕刻反應(yīng)室101，其結(jié)構(gòu)是由反應(yīng)室壁102與反應(yīng)室窗104所界定。所述反應(yīng)室壁102通常由不銹鋼所構(gòu)成，所述反應(yīng)室窗104通常由石英制成。所述反應(yīng)室窗104對(duì)所述反應(yīng)室壁102提供了真空密封。半導(dǎo)體晶片110，被固定放置在所述蝕刻反應(yīng)室101的底部?jī)?nèi)表面上的夾盤108上。線圈116與法拉第屏蔽裝置2位于所述反應(yīng)室窗104之上，所述線圈116通過(guò)絕緣墊片(未示出)固定于所述反應(yīng)室101上，所述線圈116是由導(dǎo)電材料所制成且至少包含一匝完整的線圈，圖I中所示的線圈116包含三匝完整的線圈。具有“ X ”的線圈116符號(hào)表示線圈116往頁(yè)面里旋轉(zhuǎn)延伸。相反地，具有“·”的線圈116符號(hào)表示線圈116往頁(yè)面外旋轉(zhuǎn)延伸。法拉第屏蔽裝置2利用絕緣墊片114以一分離的間隔固定于線圈116下。所述法拉第屏蔽裝置2設(shè)置于緊鄰所述反應(yīng)室窗104之上。所述線圈116、法拉第屏蔽裝置2、與反應(yīng)室窗104被設(shè)置為基本上互相平行。此外，所述線圈116與所述法拉第屏蔽裝置2經(jīng)由一分接頭118而電連接。圖2示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中所述等離子體處理設(shè)備100的基本操作原理。在操作當(dāng)中，反應(yīng)氣體從氣體導(dǎo)入口(未示出)流過(guò)所述蝕刻反應(yīng)室101至氣體排出口(未示出)。然后高頻功率(即射頻(RF)功率)由電源(未示出)施加至所述線圈116，以產(chǎn)生流過(guò)所述線圈116的RF電流。流過(guò)所述線圈116的RF電流周圍產(chǎn)生電磁場(chǎng)120。所述電磁場(chǎng)120在所述蝕刻反應(yīng)室101內(nèi)產(chǎn)生了感應(yīng)電流122。所述感應(yīng)電流122作用于反應(yīng)氣體從而產(chǎn)生了等離子體123。高頻功率(即射頻功率)由一電源(未示出)施加至所述夾盤108以對(duì)所述等離子體123提供定向性，使得所述等離子體123被往下拉到所述晶片110的表面上而進(jìn)行蝕刻工藝。所述法拉第屏蔽裝置2確保由所述線圈116所產(chǎn)生的電磁能量均勻的分散到所述
等離子體123，從而使蝕刻工藝中的非揮發(fā)性反應(yīng)產(chǎn)物沉積于所述反應(yīng)室窗104上的現(xiàn)象會(huì)均勻的產(chǎn)生。同樣的，由所述反應(yīng)室窗104而來(lái)的非揮發(fā)性反應(yīng)產(chǎn)物的濺射也會(huì)均勻的發(fā)生。在整個(gè)所述反應(yīng)室窗104中的均勻電特性的存在有利于整個(gè)所述刻蝕反應(yīng)室101中的均勻所述等離子體123的特性的產(chǎn)生。圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的，所述法拉第屏蔽裝置2的表面結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，在本實(shí)施例中，所述法拉第屏蔽裝置2由一法拉第屏蔽板21以及一導(dǎo)熱部件22組成，所述法拉第屏蔽板21與所述導(dǎo)熱部件22為上下疊放，所述導(dǎo)熱部件22布置于所述法拉第屏蔽板21的表面上，并且所述導(dǎo)熱部件22與所述法拉第屏蔽板21相貼。更具體地，所述法拉第屏蔽板21上設(shè)置有多個(gè)徑向槽211，所述徑向槽211用于防止徑向電流在導(dǎo)電的法拉第屏蔽板21中流動(dòng)，其中所述徑向電流是圖I或圖2中所述線圈116上流動(dòng)的所述感應(yīng)電流122所形成的。更為具體地，所述導(dǎo)熱部件內(nèi)還裝有冷卻液，所述冷卻液通過(guò)所述導(dǎo)熱部件22的熱量傳遞進(jìn)而將熱量從所述法拉第屏蔽板21轉(zhuǎn)移。進(jìn)一步地，根據(jù)圖3所示實(shí)施例，所述導(dǎo)熱部件22為一根導(dǎo)熱管221，所述導(dǎo)熱管221在所述法拉第屏蔽板21的表面上呈扇葉形布置，并且所述導(dǎo)熱管221均勻地分布于所述法拉第屏蔽板21的表面上，其可以使所述法拉第屏蔽板21上的溫度均勻地傳遞給所述導(dǎo)熱管221，避免造成所述法拉第屏蔽板21的溫度均衡而局部溫度高的情況。更進(jìn)一步地，在不同的變化例中，所述導(dǎo)熱管221的布置形狀也可以是不同的。具體地，在一個(gè)變化例中，所述導(dǎo)熱管221的布置形狀可以為螺旋形的，所述導(dǎo)熱管221可以由所述法拉第屏蔽板21的中心呈螺旋狀延伸至所述法拉第屏蔽板21的邊緣。而在另一些變化例中，所述導(dǎo)熱管221的形狀也可以是圓形、菱形或星形的等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，這些變化例均可以結(jié)合圖3所示實(shí)施例予以實(shí)現(xiàn)，此處不予贅述。進(jìn)一步地，在本實(shí)施例中，所述法拉第屏蔽板21與所述導(dǎo)熱管221相貼。所述法拉第屏蔽板21與所述導(dǎo)熱管221之間通過(guò)焊接的形式相連，從而將所述導(dǎo)熱管221固定于所述法拉第屏蔽板21的表面上，同時(shí)采用焊接的形式也有利于所述法拉第屏蔽板21將工作時(shí)產(chǎn)生的熱量傳遞給所述導(dǎo)熱管221，以實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的目的。而本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，在一個(gè)變化例中，所述法拉第屏蔽板21與所述導(dǎo)熱管221之間還可以通過(guò)使用導(dǎo)熱膠連接固定，導(dǎo)熱膠的使用同樣可以很有效地進(jìn)行熱量的傳遞，所述變化例并不影響本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，此處不予贅述。進(jìn)一步地，根據(jù)圖3所示實(shí)施例，所述導(dǎo)熱管221上至少包括一個(gè)輸入接口 31以及一個(gè)輸出接口 32，所述輸入接口 31用于輸入冷卻液，而所述輸出接口 31用于輸出冷卻液，所述輸入接口 31以及所述輸出接口 32同時(shí)連接一個(gè)一冷卻裝置(圖3中未示出)，所述冷卻裝置用于提供冷卻液，降低所述法拉第屏蔽板21的溫度。進(jìn)一步地，參考圖3所示實(shí)施例，在本實(shí)施例中，所述法拉第屏蔽板21優(yōu)選地采用鋁材料，所述導(dǎo)熱管221采用銅材料，以此在達(dá)到良好性能的同時(shí)，也更節(jié)約成本。而在一些變化例中，所述法拉第屏蔽板21以及所述導(dǎo)熱管221也可以采用一些其他的材料。例如所述法拉第屏蔽板21采用銅材料、或鐵材料等一些導(dǎo)電性能較好的材料，而所述導(dǎo)熱管221采用鋁材料、或鐵材料等一些導(dǎo)熱性能較好的材料，此處不予贅述。更為具體地，結(jié)合圖3所示實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述法拉第屏蔽裝置2的降溫方式為首先所述冷卻裝置開(kāi)始提供冷卻液后，所述冷卻液從所述輸入接口 31中流入所述導(dǎo)熱管221，在導(dǎo)熱管221中由于所述導(dǎo)熱管221與所述法拉第屏蔽板21的接觸，并 且兩者之間均采用導(dǎo)熱性能良好的材料，因此溫度高的所述法拉第屏蔽板21可以通過(guò)熱傳導(dǎo)的方式將熱量傳遞給溫度低的所述冷卻液，進(jìn)而溫度升高后的所述冷卻液從再?gòu)乃鲚敵鼋涌?31中流出所述導(dǎo)熱管221回到所述冷卻裝置中。圖4示出了根據(jù)本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的，所述法拉第屏蔽裝置2的表面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4也可以理解為上述圖3的一個(gè)變化例。具體地,在本實(shí)施例中,所述導(dǎo)熱部件22由兩根所述導(dǎo)熱管221組成，兩根所述導(dǎo)熱管221均呈圓形，其中一根所述導(dǎo)熱管221的長(zhǎng)度大于另一根所述導(dǎo)熱管221，所述兩根導(dǎo)熱管221呈中心與邊緣分布，較長(zhǎng)的一根所述導(dǎo)熱管221位于所述法拉第屏蔽板21的邊緣，類似地，所述較短的一根所述導(dǎo)熱管221位于所述法拉第屏蔽板21的中心，兩根所述導(dǎo)熱管221處于同一平面上，并且所述法拉第屏蔽板21與所述導(dǎo)熱管221上下疊放。更具體地，兩根所述導(dǎo)熱管221上各自設(shè)置有一個(gè)輸入接口 31與一個(gè)輸出接口 32用于輸入以及輸出冷卻液。進(jìn)一步地，在一些變化例中，所述導(dǎo)熱管221可以設(shè)置更多，例如三根、四根、五根或更多，所述多根導(dǎo)熱管221可以是長(zhǎng)度不同的，由所述法拉第屏蔽板21的中心向所述法拉第屏蔽板21的邊緣等間距地設(shè)置?；蛘咚龆喔鶎?dǎo)熱管221可以由所述法拉第屏蔽板21的中心設(shè)置為中心位置與邊緣位置的密度不相等，例如布置在所述法拉第屏蔽板21中心位置的所述導(dǎo)熱管221密度大于布置在邊緣位置的所述導(dǎo)熱管221的密度。又或者所述多根導(dǎo)熱管221也可以長(zhǎng)度相等的,繞所述法拉第屏蔽板21的中心分散地均勻設(shè)置。每根所述導(dǎo)熱管221上均設(shè)有一個(gè)輸入接口 31以及一個(gè)輸出接口 32本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，這些變化例均可以結(jié)合圖4所示實(shí)施例予以實(shí)現(xiàn)，此處不予贅述。更進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，多根所述導(dǎo)熱管221也可以只設(shè)置一個(gè)所述輸入接口 31以及一個(gè)輸出接口 32，在此情況下，只需多根所述導(dǎo)熱管221之間設(shè)置一根連接管使多根所述導(dǎo)熱管221之間互相連通，即可使冷卻液通過(guò)一個(gè)所述輸入接口 31以及一個(gè)所述輸出接口 32流經(jīng)每根所述導(dǎo)熱管221，此處不予贅述。結(jié)合圖3以及圖4所示實(shí)施例，更進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述導(dǎo)熱部件22也可以是一個(gè)導(dǎo)熱板222。具體地，所述導(dǎo)熱板222的形狀。尺寸與所述法拉第屏蔽板21相適應(yīng)，所述導(dǎo)熱板222與所述法拉第屏蔽板21上下疊放，并且所述導(dǎo)熱板222同樣與所述法拉第屏蔽板21利用焊接或?qū)崮z的方式相連接固定，所述導(dǎo)熱板222也設(shè)置有一個(gè)所述輸入接口 31以及一個(gè)輸出接口 32。所述導(dǎo)熱板222的形式同樣可以實(shí)現(xiàn)實(shí)用新型所要達(dá)到的目的，此處不予贅述。更為進(jìn)一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，優(yōu)選地，所述導(dǎo)熱部件22設(shè)置在所述法拉第屏蔽板21的表面上與所述法拉第屏蔽板21為上下疊放，而在一些變化例中，所述導(dǎo)熱部件22設(shè)置于所述法拉第屏蔽板21的內(nèi)部。具體地，在一個(gè)變化例中，所述導(dǎo)熱部件22為導(dǎo)熱管221，所述法拉第屏蔽板21內(nèi)部設(shè)置有若干與所述導(dǎo)熱管221的形狀尺寸相適應(yīng)的通道，所述導(dǎo)熱管221可以從所述法拉第屏蔽板21的側(cè)面插入所述通道內(nèi)，以起到降溫的目的。而在另一個(gè)變化例中，所述導(dǎo)熱部件22為一塊所述導(dǎo)熱板222，所述法拉第屏蔽板21內(nèi)部設(shè)有一個(gè)與所述導(dǎo)熱板222相適應(yīng)的凹槽，所述導(dǎo)熱板222同樣可以從所述法拉第屏蔽板21的側(cè)面插入所述凹槽中，從而起到降溫的作用。這些變化例均可以結(jié)合上述圖3以及圖4所示實(shí)施例予以實(shí)現(xiàn)，此處不予贅述。以上對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本實(shí)用新型并不局限于上述特定實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改，這并不影響本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。
權(quán)利要求1.一種具有降溫功能的法拉第屏蔽裝置，其包括 一法拉第屏蔽板；以及 一放置于所述法拉第屏蔽板之上或插入所述法拉第屏蔽板內(nèi)部的導(dǎo)熱部件，其特征在于，所述導(dǎo)熱部件內(nèi)裝有冷卻液，所述導(dǎo)熱部件至少包括一用于輸入冷卻液輸入接口以及一用于輸出冷卻液輸出接口。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述導(dǎo)熱部件至少包括一根或多根導(dǎo)熱管，所述一根或多根導(dǎo)熱管組成如下形狀中的任一種或任幾種 扇葉形；螺旋形；圓形；菱形；以及星形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述多根導(dǎo)熱管均勻地布置于所述法拉第屏蔽板的表面或內(nèi)部。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述多根導(dǎo)熱管在所述法拉第屏蔽板表面或內(nèi)部呈中心和邊緣分布，所述中心區(qū)域的導(dǎo)熱管的密度大于所述邊緣區(qū)域的導(dǎo)熱管的密度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述導(dǎo)熱管包括兩根直徑不同環(huán)狀管和多根直管，所述多根直管與兩根環(huán)狀管相連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述環(huán)狀管均包括各自的輸入接口以及輸出接口，且所述環(huán)狀管各自的輸入接口以及輸出接口同時(shí)連接一個(gè)冷卻裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述導(dǎo)熱部件為一包含冷卻液的導(dǎo)熱板，所述導(dǎo)熱板布置在所述法拉第屏蔽板的表面或內(nèi)部，所述導(dǎo)熱板與所述法拉第屏蔽板的尺寸相適應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至4或6或7中任一項(xiàng)所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述導(dǎo)熱部件與法拉第屏蔽板之間通過(guò)焊接或使用導(dǎo)熱膠相連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至4或6或7中任一項(xiàng)所述的法拉第屏蔽裝置，其特征在于，所述法拉第屏蔽板的材料為鋁。
10.一種等離子體處理設(shè)備，其包括 對(duì)被處理基板進(jìn)行蝕刻的反應(yīng)室；以及 配置在所述反應(yīng)室上面并且與其隔開(kāi)的線圈，所述線圈具有輸入端、輸出端， 其特征在于，還包括配置于所述反應(yīng)室與所述線圈之間并與所述反應(yīng)室以及所述線圈均隔開(kāi)設(shè)置的根據(jù)權(quán)利I 11中任一項(xiàng)所述法拉第屏蔽裝置。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種具有降溫功能的法拉第屏蔽裝置，其包括一法拉第屏蔽板；以及一放置于所述法拉第屏蔽板之上或插入所述法拉第屏蔽板內(nèi)部的導(dǎo)熱部件，其中，所述導(dǎo)熱部件內(nèi)裝有冷卻液，所述導(dǎo)熱部件至少包括一輸入接口以及一輸出接口，用于輸入及輸出冷卻液。本實(shí)用新型通過(guò)增加一個(gè)導(dǎo)熱部件，降低法拉第屏蔽板上的溫度，從而解決法拉第屏蔽裝置往往在工作中容易升溫的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01J37/32GK202616187SQ20122022403
公開(kāi)日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月15日
發(fā)明者許頌臨, 左濤濤, 羅偉義, 徐朝陽(yáng), 倪圖強(qiáng), 張亦濤 申請(qǐng)人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司