專利名稱：H型陣列離子阱及在其中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種離子阱，具體地說，涉及一種用于小型化質(zhì)譜儀的H型陣列離子阱，該離子阱可以實(shí)現(xiàn)離子-離子反應(yīng)。
背景技術(shù)：
質(zhì)譜法是用來分析物質(zhì)分子是由何 種原子或基團(tuán)組成的一種方法。質(zhì)譜法也是唯一可以給出分子量，確定分子式的方法，而分子式的確定對(duì)化合物的結(jié)構(gòu)鑒定是至關(guān)重要的。首先，它將物質(zhì)分子擊碎成帶電的原子或基團(tuán)(即離子，其本質(zhì)是由一定原子組成的具有特殊性能的原子團(tuán))，然后按照帶電粒子質(zhì)荷比的不同將它們分離并進(jìn)行檢測，最終就可以定性或定量的分析物質(zhì)的組成。所謂質(zhì)荷比就是粒子的質(zhì)量與其所帶電量的比值。因?yàn)椴煌Ｗ拥馁|(zhì)荷比是不同的，所以可以用它來區(qū)分不同粒子。通過質(zhì)譜法檢測物質(zhì)，最終得到的是質(zhì)荷比按從小到大的順序排列的離子強(qiáng)度圖，即質(zhì)譜圖。通過對(duì)質(zhì)譜圖的解析就可以得到樣品定性或定量結(jié)果。質(zhì)譜儀作為一種常用的采用質(zhì)譜法進(jìn)行定性、定量檢測分析的儀器，其廣泛應(yīng)用在生物技術(shù)研究、石油礦藏分析、新型材料及藥品研發(fā)和監(jiān)督、食品安全、公共安全以及軍事技術(shù)和外太空探測等諸多重大領(lǐng)域。質(zhì)譜儀已經(jīng)成為眾多行業(yè)和領(lǐng)域不可或缺的儀器。目前，質(zhì)譜儀器的發(fā)展趨勢主要有兩個(gè)一是發(fā)展高性能的質(zhì)譜儀，包括大分子、高通量、高靈敏度、高分辨率和高準(zhǔn)確度，主要面向?qū)嶒?yàn)室精密檢測分析的需求；二是質(zhì)譜儀器的小型化，滿足在線快速檢測、實(shí)時(shí)分析的需求。傳統(tǒng)的質(zhì)譜儀多是在實(shí)驗(yàn)室里使用，一般都有著很高的性能指標(biāo)，可以實(shí)現(xiàn)高水平的定性定量分析，但其重量和體積較大，且對(duì)工作環(huán)境的要求比較苛刻，不便于攜帶進(jìn)行現(xiàn)場檢測，同時(shí)需要由專業(yè)人員操作使用，通常還需要對(duì)待測樣品進(jìn)行預(yù)處理，分析程序比較繁瑣，耗時(shí)較長，難以實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)檢測分析。此夕卜，這類儀器通常價(jià)格昂貴，難以普及。小型化質(zhì)譜儀雖然在性能上相比傳統(tǒng)質(zhì)譜儀有折扣，但在檢測效率、便攜性、簡易操作、價(jià)格等方面，有其無可取代的優(yōu)勢。面對(duì)當(dāng)前越來越多的復(fù)雜檢測環(huán)境的需求，尤其是現(xiàn)場快速檢測方面，小型化質(zhì)譜儀占據(jù)著極其重要的地位。小型化質(zhì)譜儀的發(fā)展到現(xiàn)在不過十幾年的時(shí)間，相比傳統(tǒng)質(zhì)譜儀器還有很多方面，包括進(jìn)樣方式，離化源，質(zhì)量分析器等，還不夠成熟，要開發(fā)出可以與傳統(tǒng)質(zhì)譜儀媲美的小型質(zhì)譜儀還有很多問題需要解決。盡管如此，小型化質(zhì)譜儀的性能也已經(jīng)滿足了諸多領(lǐng)域里的使用需求。質(zhì)量分析器是質(zhì)譜儀中的核心器件，它的作用是把離子按質(zhì)荷比大小依次區(qū)分開來，并將離子按次序送入離子檢測器。依工作原理的不同，質(zhì)量分析器可以分為磁扇形質(zhì)量分析器、飛行時(shí)間質(zhì)量分析器、離子回旋共振一傅立葉變換質(zhì)量分析器、四極桿質(zhì)量分析器、離子阱質(zhì)量分析器、軌道阱質(zhì)量分析器等。其中，離子阱質(zhì)量分析器組成離子阱裝置。本發(fā)明提供了一種用于小型化質(zhì)譜儀的H型陣列離子阱，目的是借助質(zhì)譜儀完成真空條件下靠離子之間撞擊進(jìn)行的離子-離子反應(yīng)，從而克服普通的離子反應(yīng)諸多的限制條件(如反應(yīng)一般都在溶液中進(jìn)行、生成難溶的物質(zhì)、生成難電離的物質(zhì)、生成揮發(fā)性物質(zhì)等)。此種真空條件下進(jìn)行的離子-離子反應(yīng)理論上可以使任何被電離的離子與另外一種離子反應(yīng)并產(chǎn)生新的物質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種H型陣列離子阱，能夠有效的減少離子在傳輸過程中的損耗，保證離子在不同離子阱間傳輸時(shí)的可靠性。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種H型陣列離子阱，包括左離子阱、右離子阱和中心離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱分別由X平行電極對(duì)、Y平行電極對(duì)和Z平行電極對(duì)構(gòu)成矩形離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱構(gòu)成H型陣列；所述左離子阱和所述右離子阱平行設(shè)置；所述左離子阱的X平行電極對(duì)和所述右離子阱的X平行電極對(duì)相對(duì)；所述中心離子阱設(shè)置在所述左離子阱和所述右離子阱之間；所述中心離子阱的Z平行 電極對(duì)分別與所述左離子阱的X平行電極對(duì)和所述右離子阱的X平行電極對(duì)相對(duì)。進(jìn)一步所述X平行電極對(duì)由兩塊中間有開口的平行設(shè)置的金屬板組成，所述Y平行電極對(duì)由兩塊中間有開口或者沒有開口的平行設(shè)置的金屬板組成，所述Z平行電極對(duì)由兩塊中心開有小孔的平行設(shè)置的金屬板組成。進(jìn)一步所述中心離子阱的Z平行電極對(duì)的小孔分別對(duì)準(zhǔn)所述左離子阱和所述右離子阱的X平行電極對(duì)的開口處。進(jìn)一步所述中心離子阱的X平行電極對(duì)與所述左離子阱和所述右離子阱的Y平行電極對(duì)平行。進(jìn)一步所述X平行電極對(duì)和所述Y平行電極對(duì)的兩塊金屬板間的距離小于所述Z平行電極對(duì)的兩塊金屬板間的距離。本發(fā)明能夠有效的減少離子在傳輸過程中的損耗，保證離子在不同離子阱間傳輸時(shí)的可靠性。同時(shí)，本發(fā)明還提供了一種在H型陣列離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法。本發(fā)明的技術(shù)方案如下一種在H型陣列離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法，包括將待反應(yīng)離子分別注入左離子阱和右離子阱；將注入的所述待反應(yīng)離子分別束縛在所述左離子阱和所述右離子阱中；將所述待反應(yīng)離子中比所述目標(biāo)離子質(zhì)荷比大的待反應(yīng)離子從所述左離子阱和所述右離子阱中掃描出阱；將所述待反應(yīng)離子中比所述目標(biāo)離子質(zhì)荷比小的待反應(yīng)離子從所述左離子阱和所述右離子阱中掃描出阱；將所述左離子阱和所述右離子阱中的所述目標(biāo)離子注入中心離子阱；所述目標(biāo)離子在所述中心離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)。進(jìn)一步所述H型陣列離子阱包括左離子阱、右離子阱和中心離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱分別由X平行電極對(duì)、Y平行電極對(duì)和Z平行電極對(duì)構(gòu)成矩形離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱構(gòu)成H型陣列；所述左離子阱和所述右離子阱平行設(shè)置，所述左離子阱的X平行電極對(duì)和所述右離子阱的X平行電極對(duì)相對(duì)；所述中心離子阱設(shè)置在所述左離子阱和所述右離子阱之間，所述中心離子阱的Z平行電極對(duì)分別和所述左離子阱的X平行電極對(duì)和所述右離子阱的X平行電極對(duì)相對(duì)。進(jìn)一步所述X平行電極對(duì)由兩塊中間有開口的平行設(shè)置的金屬板組成，所述Y平行電極對(duì)由兩塊中間有開口或者沒有開口的平行設(shè)置的金屬板組成，所述Z平行電極對(duì)由兩塊中心開有小孔的平行設(shè)置的金屬板組成；所述X平行電極對(duì)和所述Y平行電極對(duì)的兩塊金屬板間的距離小于所述Z平行電極對(duì)的兩塊金屬板間的距離。進(jìn)一步所述中心離子阱的Z平行電極對(duì)的小孔分別對(duì)準(zhǔn)所述左離子阱和所述右離子阱的X平行電極對(duì)的開口處。進(jìn)一步所述中心離子阱的X平行電極對(duì)與所述左離子阱和所述右離子阱的Y平 行電極對(duì)平行。本發(fā)明的技術(shù)效果如下I、本發(fā)明的H型陣列離子阱的結(jié)構(gòu)可以有效的減少離子在傳輸過程中的損耗，保證離子在不同離子阱間傳輸時(shí)的可靠性；2、本發(fā)明的H型陣列離子阱借助質(zhì)譜儀完成真空條件下離子之間撞擊進(jìn)行的離子-離子反應(yīng)，從而克服普通的離子反應(yīng)諸多的限制條件(如反應(yīng)一般都在溶液中進(jìn)行、生成難溶的物質(zhì)、生成難電離的物質(zhì)、生成揮發(fā)性物質(zhì)等)，理論上能使任何被電離的離子與另外一種離子反應(yīng)并產(chǎn)生新的物質(zhì)；3、本發(fā)明的H型陣列離子阱結(jié)構(gòu)可以順利的完成離子束縛、離子掃描和離子混合反應(yīng)過程。


圖I是本發(fā)明的H型陣列離子阱結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明的H型陣列離子阱左、右離子阱Z電極方向剖面結(jié)構(gòu)圖；圖3是本發(fā)明的H型陣列離子阱左、右離子阱X電極方向剖面結(jié)構(gòu)圖；圖4是本發(fā)明的矩形離子阱電壓加載示意圖；圖5是本發(fā)明的H型陣列離子阱應(yīng)用于離子-離子反應(yīng)的流程圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。如圖I所示，是本發(fā)明的H型離子阱陣列的結(jié)構(gòu)圖。本發(fā)明的H型陣列離子阱包括左離子阱I、右離子阱2和中心離子阱3 ;左離子阱
I、右離子阱2和中心離子阱3形狀和大小相似。左離子阱I、右離子阱2和中心離子阱3構(gòu)成H型陣列。左離子阱I、右離子阱2和中心離子阱3分別由X平行電極對(duì)、Y平行電極對(duì)和Z平行電極對(duì)構(gòu)成矩形離子阱。X平行電極對(duì)由兩塊中間有開口的平行設(shè)置的金屬板組成；Y平行電極對(duì)由兩塊中間有開口或者沒有開口的平行設(shè)置的金屬板組成，當(dāng)Y平行電極對(duì)有開口時(shí)，其結(jié)構(gòu)與X平行電極對(duì)相同；Z平行電極對(duì)由兩塊中心開有小孔的平行設(shè)置的金屬板組成，X平行電極對(duì)的兩塊金屬板間的距離小于Z平行電極對(duì)的兩塊金屬板間的距離。左離子阱I、右離子阱2和中心離子阱3相互不接觸。在本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施例中，各離子阱的X平行電極對(duì)的尺寸為40 X 8mm，X平行電極對(duì)的兩極板之間的距離為8mm ;Y平行電極對(duì)的尺寸為40X8mm，Y平行電極對(duì)的兩極板之間的距離為8mm ；Z平行電極對(duì)的尺寸為8X8mm, Z平行電極對(duì)的兩極板之間的距離為40mm。如圖2和圖3所示，分別是本發(fā)明的H型陣列離子阱左、右離子阱Z電極方向剖面結(jié)構(gòu)圖和本發(fā)明的H型陣列離子阱左、右離子阱X電極方向剖面結(jié)構(gòu)圖。本發(fā)明的H型陣列離子阱的具體結(jié)構(gòu)如下左離子阱I和右離子阱2平行設(shè)置，左離子阱I的X平行電極對(duì)和右離子阱2的X平行電極對(duì)相對(duì)；中心離子阱3設(shè)置在左離子阱I和右離子阱2之間，中心離子阱3的Z平行電極對(duì)分別和左離子阱I的X平行電極對(duì)和右離子阱2的X平行電極對(duì)相對(duì)。中心離子阱3的Z平行電極對(duì)的小孔分別對(duì)準(zhǔn)左離子阱I和右離子阱2的X平行電極對(duì)的開口處；左離子阱I、右離子阱2和中心離子阱3構(gòu)成H型陣列；中心離子阱3的X平行電極對(duì)與左離子阱I和右離子阱2的Y平行電極對(duì)平行。本發(fā)明的H型陣列離子阱用于實(shí)現(xiàn)離子-離子反應(yīng)，即控制目標(biāo)離子在離子阱中的位置并使之發(fā)生碰撞反應(yīng)。在極板上加上電壓后，離子阱的內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生電場，而帶電的離子就會(huì)在這個(gè)電場中運(yùn)動(dòng)，通過調(diào)節(jié)離子阱內(nèi)的電場的特性，就能控制離子在離子阱中的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。目標(biāo)離子從左、右離子阱的Z平行電極對(duì)進(jìn)入左、右離子阱。因?yàn)樽?、右離子阱的擺放位置和方向使得目標(biāo)離子從左、右離子阱的X平行電極注入到中心離子阱時(shí)運(yùn)動(dòng)距離較短，所以可以更好的對(duì)離子進(jìn)行束縛，防止目標(biāo)離子在運(yùn)動(dòng)過程中從左、右離子阱出阱，有利于減少離子消耗。中心離子阱的擺放位置和方向使目標(biāo)離子注入中心離子阱時(shí)運(yùn)動(dòng)距 離較長，因此可以使目標(biāo)離子注入時(shí)有充分的緩沖空間，使中心離子阱能更好的束縛目標(biāo)離子，并使離子-離子反應(yīng)順利進(jìn)行。如圖4所示，本發(fā)明的矩形離子阱電壓加載示意圖。Y平行電極對(duì)加載電壓402為U+Vsin(Qt)，X平行電極對(duì)加載電壓401為U-Vsin (Qt)，Z平行電極對(duì)加載電壓403為UZ_D。。其中U為極板的直流分量，V為極板的射頻(RF)分量，f為射頻(RF)波的頻率，Q =2 Hf。通過調(diào)整各離子阱電極上電壓分量的大小，就能控制離子阱中離子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。實(shí)現(xiàn)離子阱中離子-離子間的反應(yīng)分為三個(gè)過程，即離子束縛、離子掃描和離子混合。在離子束縛階段，把待反應(yīng)離子分別從左、右離子阱的Z平行電極對(duì)注入到左、右離子阱中，此時(shí)控制左右離子阱各電極對(duì)的電壓，把待反應(yīng)的離子束縛在左右離子阱的某一特定區(qū)域。在離子束縛階段，很大程度上會(huì)有雜質(zhì)離子隨待反應(yīng)目標(biāo)離子一起被束縛在左右離子阱中，這就需要通過離子掃描這一過程剔除這些雜質(zhì)離子，通過掃描比目標(biāo)離子質(zhì)荷比小的離子和掃描比目標(biāo)離子質(zhì)荷比大的離子就可以將除目標(biāo)離子外的離子掃描出離子阱，具體過程為控制左、右離子阱各極板上的電壓，把目標(biāo)離子束縛在左、右離子阱，同時(shí)，把非目標(biāo)離子從X平行電極對(duì)與中心離子阱相反方向的極板開口中排出，從而得到需要進(jìn)行反應(yīng)的目標(biāo)離子。離子混合的目的是將目標(biāo)離子從不同的離子阱中注入到同一個(gè)離子阱中進(jìn)行反應(yīng)，在本發(fā)明中具體是把左、右離子阱中的待反應(yīng)目標(biāo)離子輸入到中心離子阱中并使之發(fā)生反應(yīng)。為了驗(yàn)證本發(fā)明的H型陣列離子阱的性能，進(jìn)行了如下實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)使用SMION 8. 0仿真程序進(jìn)行，此實(shí)驗(yàn)的目的是使質(zhì)荷比分別為100和240的離子在離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)。如圖5所示，本發(fā)明的H型陣列離子阱應(yīng)用于離子-離子反應(yīng)的流程圖。在H型陣列離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法的具體步驟如下
步驟501 :開始仿真程序，待反應(yīng)離子分別注入左離子阱和右離子阱。向左離子阱中注入質(zhì)荷比為50、100和150的三種離子；向右離子阱中注入質(zhì)荷比為70、180和240的三種離子。其中，質(zhì)荷比為100和240的離子為準(zhǔn)備用于離子-離子反應(yīng)的待反應(yīng)目標(biāo)離子。步驟502 :注入的待反應(yīng)離子被分別束縛在左、右離子阱中。步驟503 :將比目標(biāo)離子質(zhì)荷比大的離子掃 描出阱，即將左離子阱和右離子阱中質(zhì)荷比大于100且質(zhì)荷比不等于240的離子掃描出阱。在這個(gè)步驟中，左離子阱中的質(zhì)荷比為150的離子和右離子阱中質(zhì)荷比為180的離子被掃描出阱。步驟504:將比目標(biāo)離子質(zhì)荷比小的待反應(yīng)離子掃描出阱，即將左離子阱和右離子阱中質(zhì)荷比小于240且質(zhì)荷比不等于100的離子掃描出阱。在這個(gè)步驟中，左離子阱中質(zhì)荷比為50的離子和右離子阱中質(zhì)荷比為70的離子被掃描出阱。步驟505 :將左離子阱中的目標(biāo)離子注入中心離子阱。左離子阱中質(zhì)荷比為100的離子從左離子阱的X平行電極對(duì)的開口處引出，然后從中心離子阱的Z平行電極對(duì)的中心小孔處注入到中心離子阱中。步驟506 :將右離子阱中的目標(biāo)離子注入中心離子阱。右離子阱中質(zhì)荷比為240的離子從右離子阱的X平行電極對(duì)的開口處引出，然后從中心離子阱的Z平行電極對(duì)的中心小孔處注入到中心離子阱中。步驟507 目標(biāo)離子在中心離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)。通過實(shí)驗(yàn)證明，在整個(gè)過程中質(zhì)荷比為100的離子和質(zhì)荷比為240的離子比較理想的注入到了離子阱中并進(jìn)行了反應(yīng)，因此本發(fā)明達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。
權(quán)利要求
1.一種H型陣列離子阱，包括左離子阱、右離子阱和中心離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱分別由X平行電極對(duì)、Y平行電極對(duì)和Z平行電極對(duì)構(gòu)成矩形離子阱，其特征在于所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱構(gòu)成H型陣列；所述左離子阱和所述右離子阱平行設(shè)置，所述左離子阱的X平行電極對(duì)和所述右離子阱的X平行電極對(duì)相對(duì)；所述中心離子阱設(shè)置在所述左離子阱和所述右離子阱之間，所述中心離子阱的Z平行電極對(duì)分別和所述左離子阱的X平行電極對(duì)和所述右離子阱的X平行電極對(duì)相對(duì)。
2.如權(quán)利要求I所述的H型陣列離子阱，其特征在于所述X平行電極對(duì)由兩塊中間有開口的平行設(shè)置的金屬板組成，所述Y平行電極對(duì)由兩塊中間有開口或者沒有開口的平行設(shè)置的金屬板組成，所述Z平行電極對(duì)由兩塊中心開有小孔的平行設(shè)置的金屬板組成。
3.如權(quán)利要求I或2所述的H型陣列離子阱，其特征在于所述中心離子阱的Z平行電極對(duì)的小孔分別對(duì)準(zhǔn)所述左離子阱和所述右離子阱的X平行電極對(duì)的開口處。
4.如權(quán)利要求I或2所述的H型陣列離子阱，其特征在于所述中心離子阱的X平行電極對(duì)與所述左離子阱和所述右離子阱的Y平行電極對(duì)平行。
5.如權(quán)利要求I或2所述的H型陣列離子阱，其特征在于所述X平行電極對(duì)和所述Y平行電極對(duì)的兩塊金屬板間的距離小于所述Z平行電極對(duì)的兩塊金屬板間的距離。
6.一種在H型陣列離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法，包括 將待反應(yīng)離子分別注入左離子阱和右離子阱； 將注入的所述待反應(yīng)離子分別束縛在所述左離子阱和所述右離子阱中； 將所述待反應(yīng)離子中比目標(biāo)離子質(zhì)荷比大的待反應(yīng)離子從所述左離子阱和所述右離子講中掃描出講； 將所述待反應(yīng)離子中比所述目標(biāo)離子質(zhì)荷比小的待反應(yīng)離子從所述左離子阱和所述右離子阱中掃描出阱； 將所述左離子阱和所述右離子阱中的所述目標(biāo)離子注入中心離子阱； 所述目標(biāo)離子在所述中心離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)。
7.如權(quán)利要求6所述的在H型陣列離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法，其特征在于所述H型陣列離子阱包括左離子阱、右離子阱和中心離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱分別由X平行電極對(duì)、Y平行電極對(duì)和Z平行電極對(duì)構(gòu)成矩形離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱構(gòu)成H型陣列；所述左離子阱和所述右離子阱平行設(shè)置，所述左離子阱的X平行電極對(duì)和所述右離子阱的X平行電極對(duì)相對(duì)；所述中心離子阱設(shè)置在所述左離子阱和所述右離子阱之間，所述中心離子阱的Z平行電極對(duì)分別和所述左離子阱的X平行電極對(duì)和所述右離子阱的X平行電極對(duì)相對(duì)。
8.如權(quán)利要求7所述的在H型陣列離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法，其特征在于所述X平行電極對(duì)由兩塊中間有開口的平行設(shè)置的金屬板組成，所述Y平行電極對(duì)由兩塊中間有開口或者沒有開口的平行設(shè)置的金屬板組成，所述Z平行電極對(duì)由兩塊中心開有小孔的平行設(shè)置的金屬板組成；所述X平行電極對(duì)和所述Y平行電極對(duì)的兩塊金屬板間的距離小于所述Z平行電極對(duì)的兩塊金屬板間的距離。
9.如權(quán)利要求6-8任一所述的在H型陣列離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法，其特征在于所述中心離子阱的Z平行電極對(duì)的小孔分別對(duì)準(zhǔn)所述左離子阱和所述右離子阱的X平行電極對(duì)的開口處。
10.如權(quán)利要求6-8任一所述的在H型陣列離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法，其特征在于所述中心離子阱的X平行電極對(duì)與所述左離子阱和所述右離子阱的Y平行電極對(duì)平行。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種H型陣列離子阱的設(shè)計(jì)，包括左離子阱、右離子阱和中心離子阱，所述左離子阱、所述右離子阱和所述中心離子阱分別由X平行電極對(duì)、Y平行電極對(duì)和Z平行電極對(duì)構(gòu)成矩形離子阱；所述左離子阱、右離子阱和中心離子阱構(gòu)成H型陣列；所述左離子阱和右離子阱平行設(shè)置，所述左離子阱的X平行電極對(duì)和所述右離子阱的X平行電極對(duì)相對(duì)；所述中心離子阱設(shè)置在所述左離子阱和右離子阱之間，所述中心離子阱的Z平行電極對(duì)分別和所述左離子阱的X平行電極對(duì)和所述右離子阱的X平行電極對(duì)相對(duì)。本發(fā)明提供了一種在H型陣列離子阱中進(jìn)行離子-離子反應(yīng)的方法。通過本發(fā)明能有效的減少離子在傳輸過程中的損耗，保證離子在離子阱間傳輸時(shí)的可靠性。
文檔編號(hào)H01J49/26GK102760635SQ20121025069
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2012年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月31日
發(fā)明者唐飛, 王曉浩, 陳一 申請(qǐng)人:清華大學(xué)