專(zhuān)利名稱(chēng)：可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室的耗材隔離環(huán)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型總體涉及等離子體處理室。
背景技術(shù)：
對(duì)于每一代后繼的半導(dǎo)體技術(shù)，晶片的直徑趨向于增大，而晶體管的尺寸則趨于減小，導(dǎo)致在襯底處理過(guò)程中要求更高程度的精確度和可重復(fù)性。半導(dǎo)體襯底材料如硅晶片的常規(guī)處理使用等離子體處理室。等離子體處理技術(shù)包括濺射沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、抗蝕劑剝離和等離子體蝕刻。可通過(guò)向等離子體處理室中的合適工藝氣體施加射頻(RF)功率而生成等離子體。等離子體處理室中的射頻電流可影響處理過(guò)程。等離子體處理室可依靠各種裝置例如電感耦合(變壓器耦合)、螺旋波、電子回旋共振、電容耦合(平行板)生成等離子體。舉例來(lái)說(shuō)，可以在變壓器耦合等離子體 (TCPTM)處理室中，或者在電子回旋共振(ECR)處理室中生成高密度等離子體。變壓器耦合等離子體處理室可以從美國(guó)加利福尼亞州弗里蒙特市的朗姆研究公司(Lam Research Corporation)獲得，其中射頻能量電感耦合到該室。在共有的專(zhuān)利號(hào)為5，948，704的美國(guó)專(zhuān)利中公開(kāi)了能夠提供高密度等離子體的高流量等離子體處理室的實(shí)施例，在此將該專(zhuān)利的公開(kāi)內(nèi)容引作參考。在共有的專(zhuān)利號(hào)為4，340，462,4, 948，458,5, 200，232和5，820，723 的美國(guó)專(zhuān)利中公開(kāi)了平行板等離子體處理室、電子回旋共振(ECR)等離子體處理室、以及變壓器耦合等離子體(TCP )處理室，在此將該些專(zhuān)利的公開(kāi)內(nèi)容引作參考。舉例來(lái)說(shuō)，等離子體可以產(chǎn)生于平行板處理室中，例如在共有的專(zhuān)利號(hào)為 6，090，304的美國(guó)專(zhuān)利中所描述的雙頻率等離子體蝕刻室，在此將該專(zhuān)利的公開(kāi)內(nèi)容引作參考。優(yōu)選的平行板等離子體處理室是包括了上部噴林頭電極和襯底支撐件的雙頻率電容耦合等離子體處理室。出于說(shuō)明的目的，參考平行板式等離子體處理室對(duì)此處的實(shí)施方式進(jìn)行描述。圖1說(shuō)明了用于等離子體蝕刻的平行板等離子體處理室。該等離子體處理室 100包含了腔室110、入口負(fù)荷鎖112、以及可選的出口負(fù)荷鎖114，在共有的專(zhuān)利號(hào)為 6，擬4，627的美國(guó)專(zhuān)利中描述了該等離子體處理室進(jìn)一步的細(xì)節(jié)，在此將該專(zhuān)利整體引作參考。負(fù)荷鎖112和114(如果提供了)包括傳送裝置以傳送襯底(例如來(lái)自晶片供應(yīng)部件162的晶片)穿過(guò)腔室110，并到達(dá)晶片接收部件164。負(fù)荷鎖泵176可提供負(fù)荷鎖112 和114中所期望的真空壓強(qiáng)。真空泵172例如渦輪泵適于在腔室110中保持所期望的壓強(qiáng)。在等離子體蝕刻過(guò)程中，腔室壓強(qiáng)是受控制的，并優(yōu)選地保持在足以維持等離子體的水平。太高的腔室壓強(qiáng)可能不利于蝕刻停止，而太低的腔室壓強(qiáng)則可能導(dǎo)致等離子體熄滅。在中等密度等離子體處理室例如平行板等離子體處理室中，優(yōu)選地保持腔室壓強(qiáng)低于大約200毫托(如小于100 毫托，比如20到50毫托)(此處的“大約”意指士 10% )。為了控制腔室中的壓強(qiáng)，真空泵172可連接到在腔室110壁中的出口，并可通過(guò)閥173調(diào)節(jié)。優(yōu)選地，真空泵在蝕刻氣體流入腔室110中時(shí)能夠保持腔室110中的壓強(qiáng)小于 200毫托。腔室110包括上電極組件120，該上電極組件120包括上電極125 (例如噴淋頭電極)和襯底支撐件150。上電極組件120安裝在上殼體130中。上殼體130可通過(guò)裝置132 豎直移動(dòng)以調(diào)節(jié)上電極125和襯底支撐件150之間的間隔。工藝氣體源170可連接到殼體130以傳送包含了一種或多種氣體的工藝氣體到上電極組件120。在優(yōu)選的等離子體處理室中，上電極組件包含配氣系統(tǒng)，該系統(tǒng)可用于傳送工藝氣體到鄰近襯底表面的區(qū)域。在共有的專(zhuān)利號(hào)為6，333，272,6, 230，651,6, 013，155和 5，824，605的美國(guó)專(zhuān)利中公開(kāi)了可包含一個(gè)或多個(gè)氣體環(huán)、注入器和/或噴淋頭的配氣系統(tǒng)，在此將該些專(zhuān)利的公開(kāi)內(nèi)容引作參考。上電極125優(yōu)選地包含噴淋頭電極，該噴淋頭電極包括了氣孔(未圖示)以由氣孔分送工藝氣體。氣孔直徑可在0.02到0.2英寸之間。噴淋頭電極可包含一個(gè)或多個(gè)豎直空間分隔擋板(vertically spaced-apart baffle plates)，該些擋板可促進(jìn)期望的工藝氣體分送。上電極和襯底支撐件可以由任意合適的材料如石墨、硅、碳化硅、鋁(如陽(yáng)極氧化鋁)、或這些材料的組合物制成。傳熱液體源174可連接到上電極組件120，另一個(gè)傳熱液體源可連接到襯底支撐件150。襯底支撐件150可有一個(gè)或多個(gè)嵌入式夾持電極，用于靜電夾持襯底支撐件150 的上表面155(支撐表面)上的襯底。襯底支撐件150可由射頻源及伴隨的電路系統(tǒng)(未圖示)如射頻匹配電路系統(tǒng)供電。襯底支撐件150優(yōu)選是溫度控制的，且可以可選地包括加熱裝置(未圖示)。在共同轉(zhuǎn)讓的專(zhuān)利號(hào)為6，847，014和7，161，121的美國(guó)專(zhuān)利中公開(kāi)了加熱裝置的實(shí)施例，在此將該些專(zhuān)利引作參考。襯底支撐件150可支撐半導(dǎo)體襯底如支撐表面155上的平面板(flat panel)或者200毫米或300毫米晶片。襯底支撐件150優(yōu)選地包括位于其中的通道，用于在受支撐表面155支撐的襯底下面供應(yīng)傳熱氣體如氦，以在等離子體處理過(guò)程中控制襯底溫度。舉例來(lái)說(shuō)，氦背面冷卻 (helium back cooling)可保持晶片溫度足夠低以防止襯底上的光刻膠燃燒。在共有的專(zhuān)利號(hào)為6，140,612的美國(guó)專(zhuān)利中公開(kāi)了通過(guò)向襯底和襯底支撐表面之間的空間引入增壓氣體來(lái)控制襯底溫度的方法，在此將該專(zhuān)利引作參考。襯底支撐件150可包括起模銷(xiāo)孔(lift pin holes)(未圖示)，通過(guò)這些起模銷(xiāo)孔起模銷(xiāo)可被合適的裝置豎直驅(qū)動(dòng)，并可升高襯底脫離支撐表面155以便運(yùn)入腔室110以及從腔室110運(yùn)出。起模銷(xiāo)直徑可在0.08英寸左右。在共有的專(zhuān)利號(hào)為5，885，423和 5，796，066的美國(guó)專(zhuān)利中公開(kāi)了起模銷(xiāo)孔的細(xì)節(jié)，在此將該些專(zhuān)利的公開(kāi)內(nèi)容引作參考。圖2示出了電容耦合等離子體處理室200的框圖來(lái)說(shuō)明其中射頻電流的流動(dòng)路徑。襯底206在處理室200中進(jìn)行處理。為點(diǎn)燃等離子體以蝕刻襯底206，向室200中的工藝氣體施加射頻功率。在襯底處理過(guò)程中，射頻電流可以從射頻供應(yīng)件222沿電纜2M經(jīng)過(guò)射頻匹配網(wǎng)絡(luò)220流入處理室200。射頻電流可以沿路徑240流動(dòng)以與工藝氣體耦合以在限定室容積腔210中生成等離子體，用于處理位于底電極204上面的襯底206。為了控制等離子體的形成以及保護(hù)處理室壁，可使用限定環(huán)212。在共有的于 2009年8月31日提交申請(qǐng)的臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)序列號(hào)為61/238656、61/238665、61/238670的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中以及公開(kāi)號(hào)為2008/0149596的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中描述了典型限定環(huán)的細(xì)節(jié)，在此將該些專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容引作參考。限定環(huán)212可由導(dǎo)電材料如硅、多晶硅、碳化硅、碳化硼、陶瓷、鋁、以及類(lèi)似的材料制成。通常限定環(huán)212可配置為圍繞在其中形成等離子體的限定室容積腔210的外圍。除限定環(huán)212之外，限定室容積腔210的外圍也可以由上電極202、底電極204、一個(gè)或多個(gè)絕緣環(huán)如216和218、邊緣環(huán)214以及下電極支撐結(jié)構(gòu)2 來(lái)限定。為了排放來(lái)自限定區(qū)域(限定室容積腔210)的中性氣體簇，限定環(huán)212可包括多個(gè)槽(比如槽2^a、226b和。中性氣體簇在由渦輪泵234抽出處理室200之前可橫穿限定室容積腔210進(jìn)入處理室200的外部區(qū)域232 (external region)(在室容積腔外面)°襯底處理過(guò)程中形成的等離子體應(yīng)當(dāng)保持在限定室容積腔210中。然而，在一定條件下，等離子體可能在限定室容積腔210之外點(diǎn)燃。舉例來(lái)說(shuō)，給定高增壓環(huán)境，中性氣體簇(從處理室200的限定室容積腔210排出到外部區(qū)域23 可能遭遇射頻場(chǎng)。射頻場(chǎng)在外室(outside chamber)的存在可能引起非限定等離子體250的形成。在典型的處理環(huán)境中，射頻電流從射頻發(fā)生器流入限定室容積腔210，然后電接地。射頻電流從室容積腔210到電接地的流動(dòng)路徑被稱(chēng)作射頻返回路徑。參照?qǐng)D2，射頻返回路徑242可包括沿一組限定環(huán)212的內(nèi)部流動(dòng)的射頻返回電流。在點(diǎn)252，射頻返回路徑可沿限定環(huán)212的外部流動(dòng)以橋接處理室200的內(nèi)壁表面。射頻返回電流可從室壁隨一組帶230流到下電極支撐結(jié)構(gòu)228。射頻返回電流可從下電極支撐結(jié)構(gòu)228的表面經(jīng)由射頻匹配網(wǎng)絡(luò)220流回射頻源222。從上述內(nèi)容可知，沿著路徑M2，射頻電流在其電接地的途中流過(guò)限定室容積腔 210的外面。所以，射頻場(chǎng)可產(chǎn)生于外室區(qū)域。這樣的射頻場(chǎng)的存在可能引起非限定等離子體250形成于處理室200的外部區(qū)域232中。因此，用于提供短的射頻返回路徑同時(shí)防止非限定等離子體點(diǎn)燃的裝置是需要的。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室的耗材隔離環(huán)。此處描述的是可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室的耗材隔離環(huán)，該耗材隔離環(huán)具有內(nèi)徑大約 14. 8英寸，外徑大約15. 1英寸，高大約0. 3英寸的矩形截面，具有三個(gè)設(shè)置于該耗材隔離環(huán)下外緣(IOwer outer edge)、方位角間距120°的凹處，其中每個(gè)凹處具有直徑大約為0. 1英寸的半圓柱壁部分(walled portion)，該半圓柱壁部分的中心軸位于離耗材隔離環(huán)的中心軸大約7. 5英寸的半徑上；每個(gè)凹處具有在耗材隔離環(huán)外表面上有開(kāi)口的直壁部分，該直壁部分寬度等于半圓柱壁部分的直徑，并且與半圓柱壁部分相連接；每個(gè)凹處深度大約為0.09英寸。所述凹處的所有邊緣具有大約0.02英寸寬的45°切角。所述耗材隔離環(huán)配置為被支撐于可移動(dòng)接地環(huán)的臺(tái)階之上，其中所述可移動(dòng)接地環(huán)被配置為適配可移動(dòng)襯底支撐組件的固定接地環(huán)并提供至可移動(dòng)襯底支撐組件的固定接地環(huán)的射頻返回路徑，所述可移動(dòng)襯底支撐組件被配置為支撐進(jìn)行等離子體處理的半導(dǎo)體襯底，所述可移動(dòng)接地環(huán)包含環(huán)形底部壁和從所述底部壁的內(nèi)圓周向上延伸的側(cè)壁，所述側(cè)壁具有被配置為圍繞所述固定接地環(huán)外圓周的內(nèi)表面，使得所述可移動(dòng)接地環(huán)相對(duì)于所述固定接地環(huán)可豎直移動(dòng)，所述臺(tái)階由從所述側(cè)壁的上表面延伸而來(lái)的豎直表面和延伸于所述內(nèi)表面與所述豎直表面之間的水平表面形成，所述水平表面包括多個(gè)適于接收銷(xiāo)的盲孔，所述銷(xiāo)與所述耗材隔離環(huán)的所述凹處配對(duì)。當(dāng)所述耗材隔離環(huán)被支撐于所述可移動(dòng)接地環(huán)的所述臺(tái)階之上時(shí)，所述耗材隔離環(huán)的內(nèi)表面與所述可移動(dòng)接地環(huán)的所述側(cè)壁的所述內(nèi)表面基本上是同延的，并且所述耗材隔離環(huán)的上表面與所述可移動(dòng)接地環(huán)的所述側(cè)壁的所述上表面基本上是同延的。所述耗材隔離環(huán)配置為電隔離所述可移動(dòng)接地環(huán)和所述可移動(dòng)襯底支撐組件的介電環(huán)，其中所述介電環(huán)具有圍繞邊緣環(huán)的等離子體暴露面。此處所述的耗材隔離環(huán)提供短的射頻返回路徑，同時(shí)防止非限定等離子體點(diǎn)燃。

圖1所示為典型等離子體處理室的示意圖。圖2所示為現(xiàn)有技術(shù)中電容耦合等離子體處理室及其射頻返回路徑的框圖。圖3A所示為當(dāng)可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室的可移動(dòng)襯底支撐組件處于上部位置時(shí)，該典型可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室的部分截面。圖;3B所示為當(dāng)可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室的可移動(dòng)襯底支撐組件處于下部位置時(shí)，圖3A中的典型可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室的部分截面。圖4A-4C所示為可移動(dòng)襯底支撐組件的可移動(dòng)接地環(huán)的細(xì)節(jié)。圖5A-5C所示為有多個(gè)凹處的耗材隔離環(huán)的細(xì)節(jié)。
具體實(shí)施方式
此處描述的是圍繞可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室中的可移動(dòng)襯底支撐組件的耗材隔離環(huán)。圖3A和:3B所示為典型可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室300的部分截面。 室300包含可移動(dòng)襯底支撐組件310和上電極，該上電極包括中心電極板303、環(huán)形外部電極304以及從環(huán)形外部電極304向外延伸的導(dǎo)電限定環(huán)305，該導(dǎo)電限定環(huán)305包括上水平部分30 、從上水平部分30 的外端向下延伸的豎直部分30 以及從豎直部分30 的下端向內(nèi)延伸的下水平部分305c，該下水平部分305c包括徑向擴(kuò)展槽，經(jīng)由這些擴(kuò)展槽工藝氣體和反應(yīng)副產(chǎn)品被抽出等離子體處理室300。當(dāng)可移動(dòng)襯底支撐組件310處于如圖3A 中所示的上部位置時(shí)，下水平部分305c內(nèi)端的下表面與可移動(dòng)接地環(huán)400的上端電接觸。 下水平部分305c內(nèi)端的下表面優(yōu)選地包括適于增強(qiáng)與可移動(dòng)接地環(huán)400電接觸的導(dǎo)電涂層。當(dāng)可移動(dòng)襯底支撐組件310處于上部位置時(shí)，對(duì)支撐于可移動(dòng)襯底支撐組件310之上的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行等離子體處理。限定環(huán)305可包括至少一個(gè)位于下水平部分305c下面的開(kāi)槽環(huán)307，該開(kāi)槽環(huán)307相對(duì)于下水平部分305c可旋轉(zhuǎn)以便調(diào)整通過(guò)徑向擴(kuò)展槽的氣流傳導(dǎo)(gas flow conductance) 0圖所示為可移動(dòng)襯底支撐組件310處于下部位置，在該位置時(shí)，半導(dǎo)體襯底可傳送到可移動(dòng)襯底支撐組件310上面?？梢苿?dòng)襯底支撐組件310包含可移動(dòng)接地環(huán)400、下電極317、靜電卡盤(pán)(ESC)312、 邊緣環(huán)311、介電環(huán)306、至少一個(gè)絕緣環(huán)315、固定接地環(huán)340，其中，在靜電卡盤(pán)312上半導(dǎo)體襯底被靜電夾持，邊緣環(huán)311具有圍繞ESC 312的等離子體暴露面，介電環(huán)306具有圍繞邊緣環(huán)311的等離子體暴露面，絕緣環(huán)315位于邊緣環(huán)311的下面，固定接地環(huán)340由導(dǎo)電材料組成、位于介電環(huán)306的下面并圍繞絕緣環(huán)315?？梢苿?dòng)接地環(huán)400被支撐于可抑壓的柱塞350之上，該柱塞350被支撐于固定接地環(huán)340之上。可移動(dòng)接地環(huán)400相對(duì)于固定接地環(huán)340可豎直移動(dòng)以便在可移動(dòng)襯底支撐組件310移動(dòng)到上部位置時(shí)使可移動(dòng)接地環(huán)400與限定環(huán)305電接觸?？梢苿?dòng)襯底支撐組件310可被支撐于電接地偏壓殼體360之上。固定接地環(huán)340可包括三個(gè)柱塞支撐孔，在底部壁(bottom wall)的外層部分沿圓周間隔分開(kāi)(circumferentially spaced apart)，每個(gè)柱塞支撐孔與含有可抑壓銷(xiāo)的柱塞支撐殼體嚙合，使得銷(xiāo)的上端延伸到底部壁的上表面之上。圖4A-4C所示為可移動(dòng)接地環(huán)400的細(xì)節(jié)?？梢苿?dòng)接地環(huán)400包含環(huán)形底部壁402 和從該底部壁402的內(nèi)圓周向上延伸的側(cè)壁401。側(cè)壁401具有內(nèi)表面401a，內(nèi)表面401a 被配置為圍繞固定接地環(huán)；340的外圓周，使得可移動(dòng)接地環(huán)400相對(duì)于固定接地環(huán)340可豎直移動(dòng)。如圖4B中所示，可移動(dòng)接地環(huán)400優(yōu)選地在內(nèi)表面401a中具有臺(tái)階(st印)440， 該臺(tái)階440由從側(cè)壁401的上表面401b延伸而來(lái)的豎直表面440a和延伸于內(nèi)表面401a 與豎直表面440a之間的水平表面440b形成。如圖4C中所示，水平表面440b包括多個(gè)適于接收豎直銷(xiāo)499的盲孔440h，這些豎直銷(xiāo)499與耗材隔離環(huán)320(見(jiàn)圖3A-3B)下表面中的定位孔配對(duì)，該耗材隔離環(huán)320適于在可移動(dòng)襯底支撐組件310處于下部位置時(shí)電隔離側(cè)壁401的上端和介電環(huán)306。如圖5A中所示，耗材隔離環(huán)320在其下表面中包括多個(gè)定中心的凹處321。這些凹處321被配置為接收從臺(tái)階440水平表面440b中的盲孔440h延伸而來(lái)的豎直銷(xiāo)499，每個(gè)豎直銷(xiāo)499被定位于各自的一個(gè)定中心凹處321中。在一種實(shí)施方式中，如圖5A-5C中所示，耗材隔離環(huán)320具有內(nèi)徑大約14. 8英寸， 外徑大約15. 1英寸，高大約0.3英寸的矩形截面。三個(gè)方位角間距120°的凹處被設(shè)置于該耗材隔離環(huán)320的下外角(lower outer corner)。每個(gè)凹處321具有直徑大約為0. 1英寸的半圓柱壁部分321a。半圓柱壁部分321a的中心軸位于離耗材隔離環(huán)320的中心軸大約7. 5英寸的半徑上。半圓柱壁部分321a與在耗材隔離環(huán)320外表面上有開(kāi)口的直壁部分321b相連接。直壁部分321b的寬度等于半圓柱壁部分321a的直徑。凹處321的深度大約為0.09英寸。凹處321的所有邊緣優(yōu)選地具有大約0.02英寸寬的45°切角。凹處 321被配置為消解耗材隔離環(huán)320和可移動(dòng)接地環(huán)400的熱膨脹系數(shù)的偏差，凹處321優(yōu)選地由鋁制成，且在耗材隔離環(huán)320和可移動(dòng)接地環(huán)400所處的溫度范圍內(nèi)將耗材隔離環(huán)320 中心對(duì)齊可移動(dòng)接地環(huán)400的中心。如圖3A、;3B、4B、4C和5C中所示，當(dāng)耗材隔離環(huán)320被支撐于可移動(dòng)接地環(huán)400的臺(tái)階440之上時(shí)，耗材隔離環(huán)320的內(nèi)表面320b與可移動(dòng)接地環(huán)400的側(cè)壁401的內(nèi)表面401a基本上是同延的(coextensive)，耗材隔離環(huán)320的上表面320a與可移動(dòng)接地環(huán)400的側(cè)壁401的上表面401b基本上是同延的。耗材隔離環(huán)320可由一種或多種合適的材料如石英、硅、碳化硅、氧化釔、氧化鋁、 或者噴涂涂層后的金屬制成。優(yōu)選地，耗材隔離環(huán)320由石英制成。盡管已參照耗材隔離環(huán)的具體實(shí)施方式
對(duì)其進(jìn)行了詳細(xì)描述，但對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然可以作出各種變更和修改以及使用等同方式，而不背離所附權(quán)利要求書(shū)的范圍。
權(quán)利要求1.一種可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室的耗材隔離環(huán)，所述耗材隔離環(huán)具有內(nèi)徑大約14. 8英寸、外徑大約15. 1英寸、高大約0. 3英寸的矩形截面，以及設(shè)置于所述耗材隔離環(huán)的下外緣、方位角間距為120°的三個(gè)凹處，其中每個(gè)凹處具有直徑大約為0. 1英寸的半圓柱壁部分，所述半圓柱壁部分的中心軸位于離所述耗材隔離環(huán)的中心軸大約7. 5英寸的半徑上；每個(gè)凹處具有在所述耗材隔離環(huán)外表面上有開(kāi)口的直壁部分，所述直壁部分寬度等于所述半圓柱壁部分的直徑，并且與所述半圓柱壁部分相連接；以及每個(gè)凹處深度大約為0. 09英寸。
2.如權(quán)利要求1所述的耗材隔離環(huán)，其中所述凹處的所有邊緣具有大約0.02英寸寬的 45°切角。
3.如權(quán)利要求1所述的耗材隔離環(huán)，其配置為被支撐于可移動(dòng)接地環(huán)的臺(tái)階之上，其中所述可移動(dòng)接地環(huán)被配置為適配可移動(dòng)襯底支撐組件的固定接地環(huán)并提供至可移動(dòng)襯底支撐組件的固定接地環(huán)的射頻返回路徑，所述可移動(dòng)襯底支撐組件被配置為支撐進(jìn)行等離子體處理的半導(dǎo)體襯底，所述可移動(dòng)接地環(huán)包含環(huán)形底部壁和從所述底部壁的內(nèi)圓周向上延伸的側(cè)壁，所述側(cè)壁具有被配置為圍繞所述固定接地環(huán)外圓周的內(nèi)表面，使得所述可移動(dòng)接地環(huán)相對(duì)于所述固定接地環(huán)可豎直移動(dòng)，所述臺(tái)階由從所述側(cè)壁的上表面延伸而來(lái)的豎直表面和延伸于所述內(nèi)表面與所述豎直表面之間的水平表面形成，所述水平表面包括多個(gè)適于接收銷(xiāo)的盲孔，所述銷(xiāo)與所述耗材隔離環(huán)的所述凹處配對(duì)。
4.如權(quán)利要求1所述的耗材隔離環(huán)，其中當(dāng)所述耗材隔離環(huán)被支撐于所述可移動(dòng)接地環(huán)的所述臺(tái)階之上時(shí)，所述耗材隔離環(huán)的內(nèi)表面與所述可移動(dòng)接地環(huán)的所述側(cè)壁的所述內(nèi)表面基本上是同延的，并且所述耗材隔離環(huán)的上表面與所述可移動(dòng)接地環(huán)的所述側(cè)壁的所述上表面基本上是同延的。
5.如權(quán)利要求1所述的耗材隔離環(huán)，其配置為電隔離所述可移動(dòng)接地環(huán)和所述可移動(dòng)襯底支撐組件的介電環(huán)，其中所述介電環(huán)具有圍繞邊緣環(huán)的等離子體暴露面。
專(zhuān)利摘要描述了可調(diào)間隔電容耦合等離子體處理室的耗材隔離環(huán)。該耗材隔離環(huán)配置為被支撐于適配固定接地環(huán)的可移動(dòng)接地環(huán)的臺(tái)階之上。該耗材隔離環(huán)配置為電隔離可移動(dòng)接地環(huán)和可移動(dòng)襯底支撐組件的介電環(huán)。
文檔編號(hào)H01J37/32GK202307788SQ20112022171
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者拉金德?tīng)枴さ隙髟? 邁克爾·C·凱洛格, 阿列克謝·馬拉什塔內(nèi)夫 申請(qǐng)人:朗姆研究公司