專利名稱：等離子顯示屏中尋址電極及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示屏領(lǐng)域，尤其是涉及一種等離子顯示屏中尋址電極及其制備方法。
背景技術(shù)：
在等離子顯示屏制造過(guò)程中，尋址電極的一個(gè)重要制造工藝是金屬濺射法，選取適當(dāng)靶材，通過(guò)濺射的方法在后基板玻璃上形成金屬膜層，通過(guò)曝光顯影剝膜等工藝可以形成尋址電極。然而，這種工藝方法具有嚴(yán)重的弊端。目前，制備等離子顯示屏中尋址電極的過(guò)程中，通常采用多層濺射的方式，即使用多種金屬的復(fù)合結(jié)構(gòu)，例如使用鉻銅鉻(Cr-Cu-Cr)電極，這是因?yàn)閱我唤饘匐y以同時(shí)滿足導(dǎo)電性優(yōu)良、成本低、化學(xué)性能穩(wěn)定。然而，多層電極結(jié)構(gòu)導(dǎo)致工藝復(fù)雜，對(duì)成本和良率都有
一定影響。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中多層電極結(jié)構(gòu)導(dǎo)致工藝復(fù)雜，對(duì)成本和良率都有一定影響的不足，提供一種等離子顯示屏中尋址電極及其制備方法。在本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種等離子顯示屏中尋址電極的制備方法，包括以下步驟在玻璃基板上形成至少一層第一電極部，第一電極部由第一金屬濺射形成；將表面設(shè)置有第一電極部的玻璃基板浸漬在第二金屬溶液中，在第一電極部的表面形成第二電極部；第二金屬的化學(xué)活性小于第一金屬。進(jìn)一步地，上述形成第一電極的步驟包括將第一金屬濺射在玻璃基板上，形成第一金屬層；根據(jù)所需形狀，將第一金屬層曝光、顯影、刻蝕形成第一電極部。進(jìn)一步地，上述第一金屬為選自由Mg、Am、Dy、Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Ru Th、Np、Be、U、 Hf、Al、Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po 組成的組中的至少一種。進(jìn)一步地，上述第一金屬為Cr或Cu。進(jìn)一步地，上述第二金屬為Ag，第二金屬溶液的濃度為0. 015 0. 08mol/L。在本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種等離子顯示屏中的尋址電極，包括至少一層第一電極部，由第一金屬材料濺射形成，呈所需形狀地設(shè)置在玻璃基板上；第二電極部， 包裹在所述第一電極部的外周，由第二金屬材料和位于最外層的所述第一電極部的外表面的第一金屬置換形成；第二金屬的化學(xué)活性小于第一金屬。進(jìn)一步地，上述第一金屬為選自由Mg、Am、Dy、Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Ru Th、Np、Be、U、 Hf、Al、Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po 組
成的組中的至少一種。進(jìn)一步地，上述第一金屬為Cr或Cu。進(jìn)一步地，上述第二金屬為Ag。
進(jìn)一步地，上述尋址電極的厚度為0. 5-10 μ m,寬度為30-120 μ m，其中第二電極部的厚度為0.01 μ-5 μ m。在本發(fā)明的另一個(gè)方面，還提供了一種等離子顯示屏，其包括的尋址電極為上述的尋址電極。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明所提供的等離子顯示屏中尋址電極及其制備方法，通過(guò)采用化學(xué)活性相對(duì)較差的金屬離子與玻璃基板表面上濺射形成的金屬層進(jìn)行離子置換， 至少減少了一次濺射形成金屬層的步驟，簡(jiǎn)化了工藝步驟，且減少了工藝和材料的投入，降低了成本。同時(shí)，這種方法制備尋址電極的良率高，且產(chǎn)品的導(dǎo)電性優(yōu)良、化學(xué)性能穩(wěn)定。除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)之外，本發(fā)明還有其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。 下面將參照?qǐng)D，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
附圖構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分、用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，附圖示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并與說(shuō)明書一起用來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的原理。圖中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例尋址電極中第一電極部的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的尋址電極中第一電極部和第二電極部的復(fù)合結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，但如下實(shí)施例以及附圖僅是用以理解本發(fā)明，而不能限制本發(fā)明，本發(fā)明可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。在本發(fā)明的一種典型的實(shí)施方式中，一種等離子顯示屏中尋址電極的制備方法包括以下步驟在玻璃基板上形成至少一層第一電極部，第一電極部由第一金屬濺射形成； 將表面設(shè)置有第一電極部的玻璃基板浸漬在第二金屬溶液中，在第一電極部的表面形成第二電極部；第二金屬的化學(xué)活性小于第一金屬。上述等離子顯示屏中尋址電極及其制備方法，通過(guò)采用化學(xué)活性相對(duì)較差的金屬離子與玻璃基板表面上濺射形成的金屬層進(jìn)行離子置換，至少減少了一次濺射形成金屬層的步驟，簡(jiǎn)化了工藝步驟，且減少了工藝和材料的投入，降低了成本。同時(shí)，這種方法制備尋址電極的良率高，且產(chǎn)品的導(dǎo)電性優(yōu)良、化學(xué)性能穩(wěn)定。優(yōu)選地，上述形成第一電極的步驟包括將第一金屬濺射在玻璃基板上，形成第一金屬層；根據(jù)所需形狀，將第一金屬層曝光、顯影、刻蝕形成第一電極部。該第一電極部可以是多層結(jié)構(gòu)，每層中分別濺射不同的金屬材料。優(yōu)選地，第一金屬為選自由MgJnuDyAHcKErJnKLiuScJiuTKNpABeA^Hf^Al、 Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po 組成的組
中的至少一種。更為優(yōu)選地，第一金屬為Cr或Cu。采用Cr或Cu金屬能夠使得尋址電極的導(dǎo)電性優(yōu)良、化學(xué)性能穩(wěn)定。優(yōu)選地，第二金屬為Ag。Ag金屬的使用量極低，整體成本較低，有利于降低等離子顯示屏的制備成本，且Ag金屬的化學(xué)活性較差，一般金屬都能與其進(jìn)行置換反應(yīng)。
在上述尋址電極的制備方法中，將表面設(shè)置有第一電極部的玻璃基板浸漬在第二金屬溶液中進(jìn)行置換反應(yīng)的過(guò)程中，第二金屬溶液的濃度并沒(méi)有特殊要求，只要適于這種置換反應(yīng)的要求即可。優(yōu)選地，第二金屬溶液的濃度為0.015 0.08mol/L。為了加快置換反應(yīng)，也可以通過(guò)采取適當(dāng)?shù)募夹g(shù)手段，例如，通過(guò)加熱、通電、或調(diào)解溶液酸度等方式激發(fā)金屬化學(xué)活性，進(jìn)而提高反應(yīng)速度。采用調(diào)解溶液酸度的方式時(shí)，優(yōu)選溶液的PH值為 5.8-6.2。這些方法都是本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠合理運(yùn)用的。在本發(fā)明中只要在第一電極部的表面形成第二金屬層即可。在本發(fā)明所提供的尋址電極的制備方法主要是提出了一種利用金屬元素與金屬元素之間的化學(xué)活性的差距，在已經(jīng)含有至少一種金屬層的基礎(chǔ)上，用第二種金屬通過(guò)化學(xué)置換法在第一種金屬層的表面形成第二種金屬層。這種方法相對(duì)于現(xiàn)有的濺射方法，不但工藝簡(jiǎn)單、成本低，而且產(chǎn)品良品率高，品質(zhì)高。如圖1和圖2所示，在本發(fā)明的一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種等離子顯示屏中的尋址電極，這種尋址電極具有復(fù)合結(jié)構(gòu)，包括至少一層第一電極部2和第二電極部3。 第一電極部2由第一金屬材料濺射形成，呈所需形狀地設(shè)置在玻璃基板上；第二電極部3包裹在第一電極部2的外周，由第二金屬材料和位于最外層的第一電極部2的外表面上的第一金屬置換形成；第二金屬的化學(xué)活性小于第一金屬。具有這種結(jié)構(gòu)的尋址電極，包含有至少兩種金屬材料，使其導(dǎo)電性能優(yōu)良，而且， 第一電極部的外表面完全被第二電極部3覆蓋，只有第二電極部3裸露在外，這就使得尋址電極具有好的化學(xué)穩(wěn)定性。其中第一金屬為選自由Mg、Am、Dy、Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Pu、Th、Np、Be、U、Hf、Al、 Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po 組成的組
中的至少一種。優(yōu)選為Cr或Cu。其中第二金屬包括但不限于Ag。優(yōu)選地，上述尋址電極的厚度為0. 5-10 μ m,寬度為30-120 μ m，其中第二電極部的厚度為0. 01 μ -5μ m。在該厚度范圍內(nèi)，第二電極部能夠形成結(jié)構(gòu)緊密的金屬層，進(jìn)而保證尋址電極的導(dǎo)電性，以及化學(xué)穩(wěn)定性。采用上述尋址電極結(jié)構(gòu)所制備的等離子顯示屏，性能較好，且使用壽命得到了延長(zhǎng)。以下將結(jié)合實(shí)施例1-3以及對(duì)比例1進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明等離子顯示屏中尋址電極的制備方法及設(shè)備的有益效果。實(shí)施例1制備方法將Cr金屬濺射在所述玻璃基板上，形成Cr層，根據(jù)所需形狀，將Cr層曝光、顯影、 刻蝕形成厚度為0. 49 μ m,寬度為29. 98 μ m的第一電極部。將表面設(shè)置有第一電極部的玻璃基板浸漬在Ag溶液中，Ag溶液Ag+含量為 0. 125mol/L,溶液PH值6，溫度60°C，使第一電極部的Cr金屬與Ag+發(fā)生置換反應(yīng)，形成包括在第一電極部外表面的第二電極部，第二電極部的厚度為0. 01 μ m。實(shí)施例2制備方法將Cr金屬濺射在所述玻璃基板上，形成Cr層，厚度2. 5 μ m，在Cr層上濺射Cu金屬形成Cu層，厚度4. 5 μ m，在Cu層上濺射Cu金屬形成Cr層，厚度2. 5 μ m根據(jù)所需形狀， 將Cr層和Cu層曝光、顯影、刻蝕形成寬度為119 μ m的第一電極部。將表面設(shè)置有第一電極部的玻璃基板浸漬在Ag溶液中，Ag溶液Ag+含量為 0. 08mol/L,使第一電極部表面的Cr金屬和Cu金屬與Ag+發(fā)生置換反應(yīng)，形成包括在第一電極部外表面的第二電極部，第二電極部的厚度為0.5μπι。實(shí)施例3制備方法將Cr金屬濺射在所述玻璃基板上，形成Cu層，根據(jù)所需形狀，將Cr層曝光、顯影、 刻蝕形成厚度為2 μ m,寬度為80 μ m的第一電極部。將表面設(shè)置有第一電極部的玻璃基板浸漬在Ag溶液中，Ag溶液Ag+含量為 0. 03mol/L，使第一電極部表面的Cr金屬與Ag金屬發(fā)生置換反應(yīng)，形成包括在第一電極部外表面的第二電極部，第二電極部的厚度為0. 5 μ m。對(duì)比例1制備方法將Cr金屬濺射在玻璃基板上，形成Cr層，根據(jù)所需形狀，將Cr層曝光、顯影、刻蝕形成厚度為2 μ m,寬度為80 μ m的第一電極部。對(duì)比例2制備方法將Cr金屬濺射在玻璃基板上，形成厚度為0. 5 μ m的Cr層，在Cr層上濺射Cu金屬形成厚度為1 μ m的Cu層，在Cu層上濺射Cr金屬形成厚度為0. 5 μ m的Cr層，根據(jù)所需形狀，將Cr層和Cu層曝光、顯影、刻蝕形成寬度為80 μ m的第一電極部。將實(shí)施例1-3所制備的尋址電極與對(duì)比例1-2所制備的尋址電極進(jìn)行檢測(cè)，結(jié)果如表1所示，表 權(quán)利要求
1.一種等離子顯示屏中尋址電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 在玻璃基板上形成至少一層第一電極部，所述第一電極部由第一金屬濺射形成；將表面設(shè)置有第一電極部的玻璃基板浸漬在第二金屬溶液中，在所述第一電極部的表面形成第二電極部；所述第二金屬的化學(xué)活性小于所述第一金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成所述第一電極的步驟包括 將第一金屬濺射在所述玻璃基板上，形成第一金屬層；根據(jù)所需形狀，將所述第一金屬層曝光、顯影、刻蝕形成所述第一電極部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬為選自由Mg、Am、Dy、 Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Pu、Th、Np、Be、U、Hf、Al、Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、 Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po 組成的組中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述第一金屬為Cr或Cu。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二金屬為Ag，所述第二金屬溶液的濃度為0. 015 0. 08mol/Lo
6.一種等離子顯示屏中的尋址電極，其特征在于，包括至少一層第一電極部0)，由第一金屬材料濺射形成，呈所需形狀地設(shè)置在玻璃基板上；第二電極部(3)，包裹在所述第一電極部O)的外周，由第二金屬材料和位于最外層的所述第一電極部O)的外表面的第一金屬置換形成； 所述第二金屬的化學(xué)活性小于所述第一金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的尋址電極，其特征在于，所述第一金屬為選自由Mg、Am、Dy、 Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Pu、Th、Np、Be、U、Hf、Al、Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、 Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po 組成的組中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的尋址電極，其特征在于，所述第一金屬為Cr或Cu。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的尋址電極，其特征在于，所述第二金屬為Ag。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的尋址電極，其特征在于，所述尋址電極的厚度為0.5-10 μ m, 寬度為30-120 μ m，其中所述第二電極部的厚度為0. 01 μ-5 μ m。
11.一種等離子顯示屏，其特征在于，所述等離子顯示屏中尋址電極為權(quán)利要求6-10 中任一項(xiàng)所述的尋址電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種等離子顯示屏中尋址電極及其制備方法。該制備方法包括以下步驟在玻璃基板上形成至少一層第一電極部，第一電極部由第一金屬濺射形成；將表面設(shè)置有第一電極部的玻璃基板浸漬在第二金屬溶液中，在第一電極部的表面形成第二電極部；第二金屬的化學(xué)活性小于第一金屬。本發(fā)明所提供的等離子顯示屏中尋址電極及其制備方法，通過(guò)采用化學(xué)活性相對(duì)較差的金屬離子與玻璃基板表面上濺射形成的金屬層進(jìn)行離子置換，至少減少了一次濺射形成金屬層的步驟，簡(jiǎn)化了工藝步驟，且減少了工藝和材料的投入，降低了成本。同時(shí)，這種方法制備尋址電極的良率高，且產(chǎn)品的導(dǎo)電性優(yōu)良、化學(xué)性能穩(wěn)定。
文檔編號(hào)H01J11/26GK102496547SQ20111045807
公開日2012年6月13日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者張小芳, 王沖 申請(qǐng)人:四川虹歐顯示器件有限公司