專利名稱：場發(fā)射顯示器的陰極結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種場發(fā)射顯示器，且特別是有關(guān)于一種場發(fā)射顯示器的陰極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
場發(fā)射顯示器(Field Emission Display, FED)是一種新型的平板顯示器。該顯示器采用場發(fā)射體作為電子源。如果對(duì)場發(fā)射體施加一很強(qiáng)的電場，由于隧道效應(yīng)，電子可由發(fā)射體逸出至真空，產(chǎn)生場發(fā)射。從電子源發(fā)射出的電子經(jīng)過聚焦后轟擊到熒光粉，激發(fā)熒光粉發(fā)光，實(shí)現(xiàn)圖象顯示。由于場發(fā)射顯示器件的圖象顯示機(jī)理與傳統(tǒng)的陰極射線管 (Cathode Ray Tube)非常接近，因此場發(fā)射顯示器件可以達(dá)到與CRT相同的圖像顯示質(zhì)量。現(xiàn)有的場發(fā)射顯示器，其結(jié)構(gòu)一般包括陽極和陰極，其中，對(duì)于陰極結(jié)構(gòu)，一般包含有一電阻層，而對(duì)于電阻層，其材料一般采用碳化硅(SiC)，且該電阻層是將原材料碳化硅靶材通過物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)來形成，但是，采用碳化硅靶材來形成電阻層，其阻抗值難以控制，且采用PVD方法，由于受PVD機(jī)臺(tái)的功率與載體傳輸速度的限制而影響產(chǎn)能，另，使用碳化硅靶材將增加成本，再，碳化硅靶材粒子非常不穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，本發(fā)明提出了一種場發(fā)射顯示器的陰極結(jié)構(gòu)，包括基板；陰極層位于所述基板之上；電阻層，位于所述陰極層上，其材料為非晶硅(a-Si)；層間介電層，位于所述電阻層上，所述層間介電層具有一第一開口暴露出所述電阻層的部分上表面； 以及場發(fā)射尖端，位于所述第一開口內(nèi)的電阻層的部分上表面上并與之電性連接。優(yōu)選地，所述基板為玻璃基板。優(yōu)選地，上述電阻層通過化學(xué)氣相沉積(CVD)形成。優(yōu)選地，上述電阻層通過將氣體硅烷(SiH4)、氫氣(H2)經(jīng)電漿(Plasma)解離而形成。優(yōu)選地，所述陰極層的材料為鉬、銣、鋇、飴、鈮、鎢、硅、碳化鈦、鎢硅雙層或銫鉬雙層。優(yōu)選地，所述場發(fā)射尖端的材料是納米碳管。優(yōu)選地，所述陰極結(jié)構(gòu)更包括聚焦極位于所述層間介電層之上。優(yōu)選地，所述聚焦極具有第二開口環(huán)繞所述場發(fā)射尖端。優(yōu)選地，所述聚焦極的材料為金屬。優(yōu)選地，所述聚焦極的材料與陰極層的材料相同。本發(fā)明所提出的一種場發(fā)射顯示器的陰極結(jié)構(gòu)，其電阻層的材料采用非晶硅 (a-Si)，取代了現(xiàn)有的碳化硅(SiC)，并通過化學(xué)氣相沉積(CVD)形成，即，通過將氣體硅烷 (SiH4)、氫氣(H2)經(jīng)電漿(Plasma)解離而形成電阻層(a_Si膜)，使得本發(fā)明至少具有如下優(yōu)點(diǎn)
1)降低成本；2)改善電阻層粒子不穩(wěn)定情形；3)獲得穩(wěn)定的阻抗值；4)提高產(chǎn)能。為讓本發(fā)明之上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。


讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
以后，將會(huì)更清楚地了解本發(fā)明的各個(gè)方面。其中，圖1所繪示為本發(fā)明一實(shí)施例之場發(fā)射顯示器的陰極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式參照?qǐng)D1，圖1所繪示為本發(fā)明一實(shí)施例之場發(fā)射顯示器的陰極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，場發(fā)射體顯示器的陰極結(jié)構(gòu)100，包括基板105、陰極層110、電阻層120、 層間介電層130、場發(fā)射尖端140、聚焦極150和支撐結(jié)構(gòu)160。其中，支撐結(jié)構(gòu)160位于基板 105之上以定義出一個(gè)發(fā)光單元，面板(未繪示)位于支撐結(jié)構(gòu)160的上方，面板具有熒光粉和電極，是作為場發(fā)射顯示器的陽極。陰極層110位于基板105之上，電阻層120位于陰極層110上，層間介電層130位于電阻層120上，層間介電層130具有開口 135并暴露出電阻層120的部分上表面。場發(fā)射尖端140位于層間介電層130的開口 135內(nèi)的電阻層120 的部分上表面并與電阻層120電性連接，場發(fā)射尖端140用于發(fā)射電子。聚焦極150位于層間介電層130上并具有開口 155環(huán)繞場發(fā)射尖端140。在本實(shí)施例中，基板105為玻璃基板。電阻層120的材料，為非晶硅(a_Si)，特別地，電阻層120通過化學(xué)氣相沉積(CVD)形成。在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，使用CVD通入制程氣體硅烷(SiH4)與氫氣(H2)經(jīng)電漿(Plasma)解離而形成電阻層，也即非晶硅膜。陰極層110的材料可以為鉬(Mo)、銣(Rb)、鋇(Ba)、飴(Hf)、鈮(Nb)、鎢(W)、硅 (Si)、碳化鈦(TiC)、鎢硅雙層(W on Si)、銫鉬雙層(Cs on Mo)等等。場發(fā)射尖端140的材料則是採用納米碳管。聚焦極150的材料金屬，一般而言，可以使用與陰極層110相同的材料。本發(fā)明所提出的一種場發(fā)射顯示器的陰極結(jié)構(gòu)，其電阻層的材料采用非晶硅 (a-Si)，取代了現(xiàn)有的碳化硅(SiC)，并通過化學(xué)氣相沉積(CVD)形成，即，通過將氣體硅烷 (SiH4)、氫氣(H2)經(jīng)電漿(Plasma)解離而形成電阻層(a_Si膜)，使得本發(fā)明至少具有如下優(yōu)點(diǎn)1)降低成本；幻改善電阻層粒子不穩(wěn)定情形；幻獲得穩(wěn)定的阻抗值；4)提高產(chǎn)能。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與潤飾，故本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視后附之權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種場發(fā)射顯示器的陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 基板；陰極層位于所述基板之上；電阻層，位于所述陰極層上，其材料為非晶硅(a-Si)；層間介電層，位于所述電阻層上，所述層間介電層具有一第一開口暴露出所述電阻層的部分上表面；以及場發(fā)射尖端，位于所述第一開口內(nèi)的電阻層的部分上表面上并與之電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板為玻璃基板。
3.如權(quán)利要求1所述的陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電阻層通過化學(xué)氣相沉積(CVD)形成。
4.如權(quán)利要求2所述的陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電阻層通過將氣體硅烷(SiH4)、氫氣(H2)經(jīng)電漿(Plasma)解離而形成。
5.如權(quán)利要求1所述的陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陰極層的材料為鉬、銣、鋇、飴、鈮、 鎢、硅、碳化鈦、鎢硅雙層或銫鉬雙層。
6.如權(quán)利要求1所述的陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述場發(fā)射尖端的材料是納米碳管。
7.如權(quán)利要求1所述的陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陰極結(jié)構(gòu)更包括聚焦極位于所述層間介電層之上。
8.如權(quán)利要求7所述的陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述聚焦極具有第二開口環(huán)繞所述場發(fā)射尖端。
9.如權(quán)利要求7所述的陰極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述聚焦極的材料為金屬。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種場發(fā)射顯示器的陰極結(jié)構(gòu)，包括基板；陰極層位于所述基板之上；電阻層，位于所述陰極層上，其材料為非晶硅(a-Si)；層間介電層，位于所述電阻層上，所述層間介電層具有一第一開口暴露出所述電阻層的部分上表面；以及場發(fā)射尖端，位于所述第一開口內(nèi)的電阻層的部分上表面上并與之電性連接。其中，電阻層通過化學(xué)氣相沉積(CVD)形成。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)1)降低成本；2)改善電阻層粒子不穩(wěn)定情形；3)獲得穩(wěn)定的阻抗值；4)提高產(chǎn)能。
文檔編號(hào)H01J29/04GK102201317SQ201110092518
公開日2011年9月28日 申請(qǐng)日期2011年4月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月8日
發(fā)明者吳德鈞, 吳欣桓, 張慶明, 李仁智, 賴穎輝, 郭柏佑, 黃瀚毅 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司