專利名稱：圖像顯示設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及圖像顯示設備，并且更具體地涉及圖像顯示設備的熒光體基板的結構。
背景技術：
通過電子發(fā)射裝置射出的電子束來發(fā)射熒光體的系統(tǒng)的平板顯示器是已知的。這 種類型的圖像顯示設備包括電子源基板，該電子源基板具有多個電子發(fā)射裝置(后板)和 其上布置有與相應裝置對應的熒光體膜的熒光體基板(面板)。面板布置有作為陽極的金 屬背，并且向金屬背施加例如大約10kV的高壓以加速所射出的電子。 當面板和后板之間出現(xiàn)放電時，金屬背聚積的電荷流向后板。當電荷具有較大電 流時，可能破壞諸如電子發(fā)射裝置、導線及類似物的構件并破壞驅動電路。為了處理上述問 題，優(yōu)選的是增加面板的阻抗以限制放電操作中的電流。作為增加阻抗的一種有效手段，劃 分金屬背并且通過高阻抗元件相互連接所劃分的金屬背的布置(arrangement)是已知的 (參見日本專利申請公布2006-173094)。 然而，在通過高阻抗元件連接所劃分的金屬背的布置中，因為放電過程中高阻抗 元件中流過的電流而出現(xiàn)電壓降。因而，在相鄰金屬背之間或者在金屬背與高阻抗元件之 間出現(xiàn)與電壓降相對應的電位差。當電位差增加至一定的高電平，在金屬背之間或者在金 屬背與高阻抗元件之間出現(xiàn)放電。以下，該現(xiàn)象被稱為金屬背之間或者金屬背與高阻抗元 件之間的崩潰(collapse)。 為了防止金屬背之間的崩潰，減小在放電過程中施加于相鄰金屬背之間以及金屬 背與高阻抗元件之間的電場強度是足夠的。解決上述問題有如下對策(l)通過減小高阻 抗元件的阻抗值來減小電壓降的量以及(2)增加金屬背之間的距離以及金屬背與高阻抗 元件之間的距離。由于阻抗值的減少增加了放電電流，所以對策(1)不是優(yōu)選的。對策(2) 限制了金屬背的形狀和大小。 金屬背需要具有能夠覆蓋熒光體膜的大小。這是因為金屬背的作用是將加速電壓 施加至熒光體膜并且反射熒光體膜所產生的光線。從增加亮度的角度來看，優(yōu)選的是每個 熒光體膜具有較大的面積。因此，期望覆蓋熒光體膜的金屬背也具有大面積。
根據上述情形，在期望盡可能地增加金屬背之間的距離以及金屬背與高阻抗元件 之間的距離而同時增加金屬背的面積時，出現(xiàn)需要進行權衡的問題。

發(fā)明內容
鑒于上述情形而做出的本發(fā)明的目的是提供一種增加金屬背之間的距離以及金
屬背與高阻抗元件之間的距離而同時保證金屬背的面積的技術。 為了達到該目的，本發(fā)明被構造如下。 —種圖像顯示設備，包含 二維地布置在基板上的多個熒光體膜；
形成在基板上以分隔熒光體膜的矩陣圖案的肋材(matrix-pattern rib);
多個金屬背，每一個金屬背覆蓋至少一個熒光體膜；以及 電阻布線，其薄層電阻高于金屬背的薄層電阻，并且將多個金屬背相互電連接，
其中，電阻布線布置在矩陣圖案的肋材的頂點處并且由多條列線和多條行線組 成， 金屬背具有覆蓋基板上的熒光體膜的第一部分和沿著肋材形成的將第一部分連 接至列線的第二部分，以及 在肋材的頂點處第二部分在列方向上的寬度小于第一部分在列方向上的寬度。
根據本發(fā)明，能夠增加金屬背之間的距離以及金屬背與高阻抗元件之間的距離而 同時保證金屬背的面積。 根據示例性實施例的下列描述并參考附圖，本發(fā)明的進一步特征將變得明顯。


圖1A是第一實施例的面板的示意平面圖，圖IB是圖1A的A-A剖視圖，以及圖1C 是圖1A的B-B剖視圖； 圖2A是面板的示意平面圖，圖2B是圖2A的A_A剖視圖，以及圖2C是圖2A的B_B 剖視圖； 圖3A是第二實施例的面板的示意平面圖，圖3B是圖3A的A_A剖視圖，以及圖3C 是圖3A的B-B剖視圖； 圖4是解釋公共電極的布置的視圖； 圖5A至5C例示了布置實例1的掩模的方法和蒸鍍的方向性；
圖6A至6C是解釋實例1的蒸鍍的方向性的視圖；
圖7A至7C例示了布置實例2的掩模的方法和蒸鍍的方向性；以及
圖8A至8C是解釋實例2的蒸鍍的方向性的視圖。
具體實施例方式
下面將參考附圖詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。 根據本發(fā)明實施例的圖像顯示設備是通過電子束發(fā)射熒光體的系統(tǒng)的電子束顯 示器，并且包括場發(fā)射顯示器(FED)、表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器(SED)以及陰極射線管顯示 器(CRT顯示器)。因為其上布置有電子發(fā)射裝置的電子源基板(后板)與其上布置有熒光 體的熒光體基板(面板)之間的距離短并且因而兩個基板之間的靜電電容大，SED和FED具 有流向它們的電流在放電操作中增加的趨勢。因此，SED和FED是特別期望具有本發(fā)明優(yōu) 點的模式。注意，F(xiàn)ED中使用的電子發(fā)射裝置的實例是Spindt型、金屬絕緣體金屬型(MIM 型)、碳納米管型和彈道電子表面發(fā)射裝置型(BSD型)電子發(fā)射裝置及類似物。下面所描 述的實施例將例示一種使用表面?zhèn)鲗碗娮影l(fā)射裝置的圖像顯示設備。
(第一實施例) 將參考圖1A、1B和1C來描述本發(fā)明第一實施例的圖像顯示設備。圖1A是第一實 施例的面板1的示意平面圖并且例示了從后板(未示出)側的視角來觀看的模式。圖IB 是圖1A的A-A剖視圖，而圖1C是圖1A的B-B剖視圖。具有如下定義X方向和Y方向與
4面板l平行，從面板l(XY平面)到后板的方向是Z方向。為方便起見，X方向還被稱為行方向，Y方向還被稱為列方向，而Z方向還被稱為高度方向。 面板1上二維地布置有多個熒光體膜2。為了在熒光體膜2之間進行分隔，矩陣圖案的肋材結構(隔壁)3形成于面板1的基板上。而且，布置有多個覆蓋熒光體膜2表面的金屬背4以及將金屬背相互電連接且向金屬背饋送加速電壓的饋電元件(電阻布線)5。
優(yōu)選地使用透明絕緣體基板作為面板1的材料以觀察經過其的熒光體的光發(fā)射，而除上述材料之外優(yōu)先地使用諸如鈉鈣玻璃及類似物的平板玻璃，還優(yōu)選地使用在等離子體顯示面板領域中使用的高應變點玻璃及類似物。 熒光體膜2是由通過電子束的照射而發(fā)射光線的熒光體材料組成的多層。優(yōu)選地使用諸如CRT中使用的由電子束激活并且發(fā)射光線的P22熒光體的熒光粉作為熒光體。特別地，可以優(yōu)選地使用P22熒光體，因為其在發(fā)光顏色、發(fā)光效率、色彩平衡及類似方面性能卓越。熒光體膜2通過絲網印刷、光刻、噴墨及類似工藝來形成。特別地，從材料使用效率的角度來看，優(yōu)選地使用絲網印刷。 肋材結構3具有(1)在相鄰熒光體膜2之間形成隔壁的作用，以及(2)增加沿著相鄰金屬背之間的平面的距離(不是直線距離)和沿著隨后描述的金屬背的第一部分4a中的每一個與饋電元件中的每一個之間的表面的距離的作用。條目(1)的作用是防止電子發(fā)射裝置放出的電子入射于其它熒光體膜上以及防止熒光體膜所產生的反射電子和二次電子入射于周邊熒光體膜。條目(2)的作用是防止金屬背之間的放電。
可以使用絕緣元件(其列電阻率充分高于饋電元件5的列電阻率的材料)作為肋材結構3的材料。例如，可以使用玻璃料、諸如氧化鋁的金屬氧化物的煅燒體、玻璃及類似物。特別地，從煅燒溫度和強度的角度來看，可以優(yōu)選地使用由諸如氧化鋁的金屬氧化物和玻璃料的混合物所組成的材料。 肋材結構3的形狀優(yōu)選地形成為具有XY方向上的矩陣圖案以在其上布置饋電元件5?；迳侠卟慕Y構3在Z方向上的高度優(yōu)選地為50 ii m或更多并且更優(yōu)選地為100 y m或更多以充分地將金屬背相互分離或者分離金屬背和饋電元件。同時，從易于制造的角度來看，基板上肋材結構3在Z方向上的高度優(yōu)選地為lmm或更少并且更優(yōu)選地為500 ii m或更少。肋材結構3可以通過絲網印刷、光刻、噴砂及類似工藝來形成。特別地，可以優(yōu)選地應用噴砂至作為平面基板的面板。 金屬背4是具有如下作用的元件(l)施加來自電子發(fā)射裝置的加速電壓以加速放電電子的陽極的作用；以及(2)反射按照從熒光體射向面板側的光線的后板方向發(fā)射的光線的作用。優(yōu)選地將類似薄膜的金屬用于金屬背4，因為其必需提高光線的反射率而同時最小化所加速電子束的能量損耗。特別優(yōu)選地將鋁用作金屬背4的材料。金屬背4通過鍍膜方法、轉印方法以及CRT中公知的類似方法來形成。特別地，使用樹脂中間膜的鍍膜方法被優(yōu)選使用，因為其能夠提高金屬背的反射率。 在面板平面的X方向和Y方向上分割(segment)金屬背4 (這種布置被稱為二維分割)。換言之，多個金屬背4二維地布置在X方向和Y方向上。金屬背4通過高阻抗饋電元件(電阻布線)5相互電連接。如上所述地分割金屬背具有在放電操作中能夠限制電流的優(yōu)點，因為每個金屬背上聚積的電荷量能夠被減少。 饋電元件5具有將金屬背相互電連接并且讓電子束所產生的電流流過的作用。在驅動操作中，通過饋電元件5從未示出的高電壓電源施加加速電壓至金屬背。如圖1A所示，饋電元件5布置在矩陣圖案的肋材結構3的頂點(頂點表面)并且通過多個Y方向(列)線5a和多個X方向(行)線5b連線至矩陣圖案。矩陣圖案(二維)布線結構的采用具有能夠在放電操作和驅動操作中盡可能減小平面中金屬背電位(陽極電位)的離散度的優(yōu)點。 饋電元件5的薄層電阻高于金屬背4的薄層電阻。饋電元件5的電阻值根據電子束源的特性和顯示器的規(guī)范來設置。電阻值上限的條件通過電壓降的量(當電子束所產生的電流或者放電電流在驅動操作中流動時的電壓降的量)來確定。當電阻值過高時，在驅動操作中加速電壓改變并且亮度降低。而且，電阻值下限的條件通過允許的放電電流來確定。當電阻值過低時，因為大量的放電電流流過，諸如電子發(fā)射裝置的裝置被破壞。根據上面所描述的內容，用于連接相鄰金屬背4的饋電元件5的電阻值優(yōu)選地為大約100Q至100MQ并且更優(yōu)選地為10kQ至1MQ 。例如，采用絲網印刷和光刻來圖案化氧化釕漿料或布置有諸如ITO和ATO的傳導元件的漿料的方法可以用作形成具有上述電阻值的饋電元件的方法。此外，可以使用通過對諸如ITO、ATO的氧化物、以及諸如非晶硅的半導體進行氣相生成來形成膜并通過光刻來圖案化該膜的方法。 因為將金屬背相互連接的饋電元件5具有高電阻，當通過電子束施加電流至熒光體膜2時，饋電元件5的電壓由于該電流(陽極電流)而下降。當出現(xiàn)電壓降時，因為用于激活熒光體的電子的能量減小，亮度被降低。因為饋電元件5的電壓降的量通過來自饋電單元(高電壓電源)的電阻值來確定，所以遠離饋電單元的部分具有更多的電壓降。電壓降的量的平面內離散是不合適的，因為這被認為是亮度的不均勻。 因而，優(yōu)選地是將饋電元件5的每條線連接至圖4中所示的薄層電阻低于饋電元件5的薄層電阻的公共電極12。公共電極對應于本發(fā)明的電位限定元件。在圖4的實例中，Y方向的線5a共同連接至X方向的公共電極12。利用該布置，能夠減小X方向上的亮度不均勻。注意，X方向的線5b連接至公共電極或者Y方向的線5a和X方向的線5b均連接至公共電極的布置也是優(yōu)選的。
(金屬背的布置) 將參考圖2A至2C描述金屬背的詳細布置。圖2A是面板的示意平面圖，圖2B是圖2A的A-A剖視圖，而圖2C是圖2A的B-B剖視圖。 金屬背4具有覆蓋基板上的熒光體膜2的表面的第一部分4a和沿著肋材結構3形成的將第一部分4a連接至列線5a的第二部分4b。可以說第二部分4b是金屬背的引出線(drawing-out line)。如圖2B所示，作為引出線的第二部分4b的列方向上的寬度(Y方向上的大小)隨著向上而逐漸變窄并且在肋材結構3的頂點處變得最窄。第二部分4b的在肋材結構3的頂點處的部分被稱為在列方向上與線5a的接點(junction)。
因為金屬背4用作反射膜，它們優(yōu)選地覆蓋整個熒光體膜2。必需盡可能地增加熒光體膜2的大小以提高亮度，由此自然需要增加金屬背4的大小。另一方面，需要保證金屬背之間以及金屬背和饋電元件之間的距離以防止放電。 因而，在第一實施例中，如圖2A至2C所示，肋材結構3布置在相鄰熒光體膜2之間。利用這種布置，能夠增加相鄰金屬背4(第一部分4a)之間的爬電距離。而且，饋電元件5形成在肋材結構3的頂點處，而金屬背4(第一部分4a)通過在Z方向上與饋電元件5相偏離而形成。利用這種布置，能夠增加金屬背4(第一部分4a)和Y方向線5a之間的距離(參見箭頭7)以及金屬背4和X方向線5b之間的距離(參見箭頭6)。因此，能夠有效地保證金屬背4之間的距離以及金屬背與饋電元件之間的距離而同時增加金屬背4的第一部分4a的大小(參見箭頭8)。 而且，在第一實施例中，使得第二部分4b在Y方向上的大小小于第一部分4a在Y方向上的大小，并且，特別地，第二部分4b在Y方向上的大小(參見箭頭13)在易于出現(xiàn)電場集中的肋材結構3的頂點處最小。利用這種布置，保證了作為金屬背4的引出線的第二部分4b與X方向線5b之間的距離并且甚至能夠防止第二部分4b和X方向線5b之間的放電。第二部分4b和X方向線5b之間的距離(參見箭頭12)優(yōu)選地與第一部分4a和饋電元件5之間的距離(參見箭頭6和7)相同。例如，當肋材結構3具有l(wèi)OOym的高度時，因為箭頭6和7所示的距離大約是100 ii m，優(yōu)選地保證箭頭12所示的距離為大約100 y m。
(第二實施例) 將參考圖3A至3C描述第二實施例的金屬背的布置。圖3A是面板的示意平面圖，圖3B是圖3A的A-A剖視圖，而圖3C是圖3A的B-B剖視圖。 第一實施例布置成一個金屬背覆蓋一個熒光體膜( 一個子像素)，而第二實施例布置成一個金屬背覆蓋構成一個像素的N個熒光體膜(N是大于等于2的整數(shù))。例如，當一個像素由對于RGB的三個熒光體膜組成時，一個金屬背覆蓋一個像素的三個熒光體膜。
如圖3A至3C所示，金屬背4具有布置在X方向上的覆蓋對于RGB的熒光體膜的三個第一部分4a，和沿著肋材結構3形成的在相互相鄰的兩個第一部分4a之間進行連接的第三部分4c。第三部分4c被形成為橫跨(across)肋材結構3，并且其列方向寬度(Y方向大小)隨著向上而逐漸變窄并且在肋材結構3的頂點處變得最窄。 饋電元件5的Y方向線5a形成于相應的金屬背處(S卩，形成于每三個熒光體膜處)。在圖3A的實例中，第三部分4c 一方面還具有第二部分4b的在第一部分4a和饋電元件5之間進行連接的作用。 根據第二實施例的布置，能夠如第一實施例一樣盡可能地防止肋材結構3的頂點處的金屬背(第三部分4c和第二部分4b)和X方向線之間的崩潰。 而且，能夠減少饋電元件5的Y方向線的數(shù)目。在第二實施例中，Y方向線的數(shù)目能夠減少至例如第一實施例中針對每個子像素布置金屬背和Y方向線的布置的1/3。
當如第一實施例中針對相應的R、G、B單獨布置金屬背和Y方向線時，電壓降的量可能因為相應顏色中的陽極電流而散布(dispersed)。因為各自顏色中金屬背的電位(加速電壓)散布，RGB的光發(fā)射強度比發(fā)生變化，S卩，出現(xiàn)色差。色差是不合適的，因為其容易被視覺地觀察到。關于這點，第二實施例通過單個金屬背覆蓋組成一個像素的所有顏色的熒光體膜而具有能夠防止色差并且提高圖像質量的優(yōu)點。
下面將通過實例詳細地描述本發(fā)明。
(實例1) 實例1顯示了使用圖1和4中所示的面板的電子束顯示器。
(步驟l:肋材結構的形成) 使用鈉鈣玻璃基板作為面板1。使用由氧化鋁粉、玻璃料、樹脂粘合劑和溶劑制成的漿料作為肋材結構3的材料。使用用于等離子體顯示面板(PDP)的噴砂作為制造方法。肋材結構3以二維矩陣狀態(tài)來布置并且具有設置為200ym的X方向距離(pitch)、設置為
600 m的Y方向距離、設置為100 m的X禾P Y方向寬度以及設置為150 y m的高度。由肋材
結構3分隔的相應開口 (單元)對應于子像素。在通過噴砂形成肋材結構3之后，在50(TC
的溫度下對它們進行煅燒。(步驟2 :饋電元件的形成) 饋電元件(電阻布線)5形成在所形成的肋材結構3的上表面處。使用氧化釕漿料作為饋電元件5的材料。使用絲網印刷作為形成饋電元件的方法，并且以二維矩陣狀態(tài)來布置饋電元件且在480°C的溫度下煅燒饋電元件。在饋電元件被煅燒之后，它們被設置為具有70 ii m的寬度和5 ii m的厚度。此時，Y方向上相互相鄰的金屬背4相互之間具有100k Q的電阻值。(步驟3 :熒光體膜的形成) 熒光體膜2形成在如此制造的具有饋電結構的基板的肋材的開口處。作為熒光體膜2的材料，使用CRT領域中公知的并且由樹脂粘合劑和溶劑粘合(pasted)的P22熒光體(紅Y202S:EU/綠Zns:Cu、AI/藍ZnS ;Ag，Cl)。通過絲網印刷滴落(drop)和印刷材料。在印刷之后，在45(TC的溫度下對材料進行煅燒。熒光體膜2在它們被煅燒之后的膜厚為10_20iim。(步驟4:金屬背的形成) 金屬背4形成在如此形成的熒光體膜2處。作為形成金屬背的方法，在通過噴涂丙烯酸乳液形成樹脂中間膜(未示出)之后，通過掩模蒸鍍來圖案化鋁以獲得期望的圖案。鋁的膜厚度設置為100nm。 圖5A至5C例示了布置掩模9和蒸鍍方向性的方法。圖5A的斜線所示的部分是由掩模9掩蓋的區(qū)域。 在實例1中，使用X方向上的條狀掩模9。掩模的開口寬度(Y方向上的寬度)對應Y方向上的金屬背4在肋材結構3的頂點處的寬度。掩模的開口寬度設置為200ym。通過具有方向性的蒸鍍使用掩模9來形成金屬背。 圖6A至6C是解釋蒸鍍的方向性的視圖。如圖6A所示，蒸發(fā)源11布置在與基板1在X方向上偏離的位置。當在Y方向上傳輸基板1或者蒸發(fā)源11時執(zhí)行蒸鍍。圖6B例示了 X方向上的蒸鍍的方向性。因為基板1在X方向上與蒸發(fā)源11相偏離，所以有效到達基板的金屬蒸汽以預定角度或者更大角度入射在基板上。因此，僅僅從熒光體膜2的表面到由肋材結構3分隔的單元中的一個壁面和肋材結構3的頂點處形成金屬背4。圖6C例示了 Y方向上的蒸鍍的方向性。蒸發(fā)源11和基板1(掩模9)之間的位置關系影響方向性。然而，當基板1和蒸發(fā)源11在Y方向上相對移動時，Y方向上的方向性被消除，并且可以在Y方向上獲得對稱的金屬背。 金屬背4的Y方向上的寬度在肋材結構3的頂點(連接至饋電元件5的部分)的接點處被最小化為200iim并且隨著基板的表面而增加。在實例1中，覆蓋熒光體膜2的第一部分4a的Y方向上的寬度(參見圖2的箭頭8)為400ym。此時，金屬背4的第一部分4a與X方向線5b之間的距離(參見圖2的箭頭6)為175 y m，并且肋材結構3的相應頂點處的金屬背4與X方向線5b之間的距離為165 ii m(參見圖2的箭頭12)。
在蒸鍍鋁之后，通過在45(TC的溫度下進行煅燒來移除樹脂中間膜。
8[OO74](步驟5 :公共電極的形成) 接下來，形成公共電極12以將饋電元件5連接至高電壓電源。公共電極是共同連接至饋電元件5的多個列線或者多個行線的電位限定元件。公共電極將饋電元件5限定為從高電壓電源所提供的電位(加速電壓)。公共電極形成為具有低于饋電元件5的薄層電阻。 如圖4所示，公共電極12布置在饋電元件5的Y方向線的端點。通過使用包含銀粒子、玻璃料和樹脂粘合劑的漿料的絲網印刷來形成公共電極12。所形成的公共電極12的端點之間的電阻值為30Q 。在通過絲網印刷形成公共電極12之后，在45(TC的溫度下對其進行煅燒。(步驟6:面板的形成) 顯示面板通過使用已形成的面板和其上布置有表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射裝置的后板來形成。當通過公共電極12將10kV的電壓施加至金屬背4以及通過將驅動電壓施加至電子發(fā)射裝置來顯示圖像時，可以獲得具有高亮度的良好圖像。 而且，施加過電壓至特定電子發(fā)射裝置并且破壞該裝置，從而引發(fā)電子發(fā)射裝置與面板1之間的放電。然而，因為充分地限制了放電電流，位于上述有意破壞的裝置周圍的裝置處于正常狀態(tài)。而且，金屬背之間以及金屬背與饋電元件之間不會出現(xiàn)崩潰。
(實例2) 實例2顯示了使用圖3A至3C所示的面板的電子束顯示器。然而，形成肋材結構和熒光體膜的方法與實例1相同，將不再重復對其的描述。 圖7A至7C以及圖8A至8C例示了形成實例2的金屬背的方法。圖7A至7C例示了將作為金屬背的材料的鋁形成膜時掩模9的布置以及蒸鍍的方向性10。圖7A的斜線所示的部分是由掩模9掩蓋的區(qū)域。在掩模9上形成具有與構成一個像素的三個子像素相對應的形狀的開口 。當使用掩模9執(zhí)行具有方向性10的蒸鍍時，獲得如圖7C所示的具有連續(xù)覆蓋RGB的三個熒光體膜2的形狀的金屬背4。 圖8A至8C是解釋蒸鍍方向性的視圖。如圖8A所示，使用在X-方向上比基板1長的蒸發(fā)源ll，通過使基板在蒸發(fā)源11的正上方通過來形成膜。圖8B例示了 X方向上的蒸鍍的方向性。因為蒸發(fā)源11在X方向上比基板1長，所以通過掩模的開口從各個方向蒸發(fā)鋁。根據該操作，鋁膜布置在除位于掩模之后的肋材結構3的壁面之外的肋材結構3上，并且形成具有連續(xù)覆蓋三個熒光體膜的形狀的金屬背。圖8C例示了 Y方向上的方向性。蒸發(fā)源11和基板1之間的位置關系影響方向性。然而，當基板1和蒸發(fā)源11在Y方向上相對移動時，Y方向上的方向性被消除，并且可以在Y方向上獲得對稱的金屬背。
顯示面板通過使用已形成的面板和其上布置有表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射裝置的后板來形成。當通過公共電極12將10kV的電壓施加至金屬背4以及通過將驅動電壓施加至電子發(fā)射裝置來顯示圖像時，可以獲得具有高亮度的良好圖像。 而且，施加過電壓至特定裝置并且破壞該裝置，從而引發(fā)電子發(fā)射裝置與面板1
之間的放電。然而，因為充分地限制了放電電流，位于上述有意破壞的裝置周圍的裝置處于
正常狀態(tài)。而且，金屬背之間以及金屬背與饋電元件之間不會出現(xiàn)崩潰。 盡管已經結合實例性實施例描述了本發(fā)明，但將會理解本發(fā)明不限于所公開的示
例性實施例。所附權利要求的范圍按照最廣義的解釋，從而包含所有修改以及等同的結構
9和功能。
權利要求
一種圖像顯示設備，包含二維地布置在基板上的多個熒光體膜；形成在所述基板上以分隔所述熒光體膜的矩陣圖案的肋材；多個金屬背，每一個金屬背覆蓋至少一個所述熒光體膜；以及電阻布線，其薄層電阻高于所述金屬背的薄層電阻，并且將所述多個金屬背相互電連接；其中，所述電阻布線布置在所述矩陣圖案的肋材的頂點處并且由多條列線和多條行線組成，所述金屬背具有覆蓋所述基板上的熒光體膜的第一部分和沿著所述肋材形成的將第一部分連接至所述列線的第二部分，以及在所述肋材的頂點處第二部分在列方向上的寬度小于第一部分在所述列方向上的寬度。
2. 如權利要求l所述的圖像顯示設備，其中所述金屬背具有多個第一部分和第三部分，所述第一部分覆蓋在行方向上隔著所述 肋材布置的多個熒光體膜，所述第三部分沿著肋材形成以在兩個相鄰第一部分之間進行連 接，以及在所述肋材的頂點處第三部分在列方向上的寬度小于第一部分在所述列方向上的寬度。
3. 如權利要求1或2所述的圖像顯示設備，其中 一個像素由N個熒光體膜組成，N是大于等于2的整數(shù)，以及 一個金屬背覆蓋一個像素的N個熒光體膜。
4. 如權利要求1或2所述的圖像顯示設備，其中所述多條列線或所述多條行線連接至薄層電阻低于電阻布線的薄層電阻的電位限定 元件。
全文摘要
一種圖像顯示設備，具有二維地布置在基板上的多個熒光體膜，形成在基板上以分隔熒光體膜的矩陣圖案的肋材，多個金屬背，每一個覆蓋至少一個熒光體膜，以及將多個金屬背相互電連接的具有高于金屬背的薄層電阻的電阻布線。電阻布線布置在矩陣圖案的肋材的頂點處并且由多條列線和多條行線組成，金屬背具有覆蓋基板上的熒光體膜的第一部分和沿著肋材形成的將第一部分連接至列線的第二部分。
文檔編號H01J29/28GK101764027SQ20091026086
公開日2010年6月30日 申請日期2009年12月21日 優(yōu)先權日2008年12月24日
發(fā)明者大西智也 申請人:佳能株式會社