專利名稱：：磁控濺射設(shè)備和薄膜制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于制造含有硼和鑭的硼鑭化合物薄膜的設(shè)備以及該薄膜的制造方法。
背景技術(shù)：
：如在日本特開平1-286228、日本特開平3-232959和日本特開平3-101033中所公開的，作為電子產(chǎn)生膜，已知有如LaB6等的硼鑭化合物薄膜。另外，在日本特開平1-286228、日本特開平3-232959和日本特開平3-101033中公開的傳統(tǒng)發(fā)明中，使用濺射方法沉積硼鑭化合物晶體薄膜。然而，當(dāng)將通過傳統(tǒng)的濺射設(shè)備和濺射方法形成的硼鑭化合物薄膜應(yīng)用于電子源膜時(shí)，這種電子源膜的電子產(chǎn)生效率不高。特別是，當(dāng)將如LaB6等的硼鑭化合物薄膜用于FED(場致發(fā)射顯示器)或SED(表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射器顯示器)時(shí)，在實(shí)際情況下不能獲得作為顯示器的足夠亮度。
發(fā)明內(nèi)容發(fā)明要解決的問題根據(jù)本發(fā)明人的研究，上述問題是由硼鑭化合物薄膜的不充分的晶體生長所導(dǎo)致的。特別是，在如10nm或更薄等的非常薄的膜厚度的情況下，寬區(qū)域方向上的單晶特性不足，并且由于晶粒邊界而不能形成寬區(qū)域。另外，根據(jù)本發(fā)明人的研究，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)寬區(qū)域方向上的單晶特性的提高可以顯著地提高電子產(chǎn)生效率，特別是在FED或SED等的電子產(chǎn)生設(shè)備中，能夠使得亮度提高。亮度的提高使得FED或SED的陽極電壓減小，并且同時(shí)使得可以使用的熒光體的可用范圍或選擇范圍變大。用于解決問題的方案本發(fā)明的目的是提供一種能夠在如LaB6等的硼鑭化合物薄膜的形成中提高寬區(qū)域方向上的單晶特性的制造設(shè)備以及該硼鑭化合物薄膜的制造方法。本發(fā)明的第一方面是一種磁控濺射設(shè)備，包括陰極，其能夠安裝包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材；第一直流電源，用于向所述陰極施加直流電力；濾波器，用于截除來自所述第一直流電源的高頻分量；磁場發(fā)生設(shè)備，用于將所述靶材的表面暴露至磁場；第一基板座，用于將基板保持在與所述陰極相對的位置；以及第二直流電源，用于向所述第一基板座施加直流電力。另外，本發(fā)明的第二方面是一種磁控濺射設(shè)備，包括陰極，其能夠安裝包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材；第一直流電源，用于向所述陰極施加直流電力；磁場發(fā)生設(shè)備，用于將所述耙材的表面暴露至磁場；第一基板座，用于將基板保持在與所述陰極相對的位置；第二直流電源，用于向所述第一基板座施加直流電力；以及濾波器，用于截除來自所述第二直流電源的高頻分量。另外，本發(fā)明的第三方面是一種磁控濺射設(shè)備，用于向靶材施加磁場以進(jìn)行'減射，包括陰極，其能夠安裝包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材；高頻電源，用于向所述陰極施加高頻電力；第一直流電源，用于在施加所述高頻電力期間向所述陰極施加直流電力；以及第一基板座，用于將基板保持在與所述陰極相對的位置，其中，所述磁控濺射設(shè)備還包括用于截除來自所述高頻電源的低頻分量的濾波器和用于向所述第一基板座施加直流電力的第二直流電源至少之一。另外，本發(fā)明的第四方面是一種磁控賊射設(shè)備，用于向靶材施加磁場以進(jìn)行濺射，包括陰極，其能夠安裝包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的耙材；第一直流電源，用于向所述陰極施加直流電力；第一基板座，用于將基板保持在與所述陰極相對的位置；以及第二直流電源，用于向所述第一基板座施加直流電力。另外，本發(fā)明的第五方面是一種薄膜制造方法，包括如下工序?qū)⒒宸胖迷诨遄?；以及使用包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材，通過磁控濺射方法，在進(jìn)行了真空排氣的環(huán)境下在保持在所述基板座上的所述基板上沉積硼鑭化合物的薄膜，其中，向所述靶材施加高頻電力以及在截除來自第一直流電源的高頻分量之后的第一直流電力，并且向所述基板座施加來自第二直流電源的第二直流電力。另外，本發(fā)明的第六方面是一種薄膜制造方法，包括如下工序?qū)⒒宸胖迷诨遄?；以及使用包括含有硼和鑭的硼锎化合物的靶材，通過磁控濺射方法，在進(jìn)行了真空排氣的環(huán)膜，其中，向所述靶材施加高頻電力以及來自第一直流電源的第一直流電力，并且向所述基板座施加在截除來自第二直流電源的高頻分量之后的第二直流電力。另外，本發(fā)明的第七方面是一種薄膜制造方法，包括如下工序?qū)⒒宸胖迷诨遄?；以及使用包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材，通過磁控濺射方法，在進(jìn)行了真空排氣的環(huán)境下在保持在所述基板座上的所述基板上沉積硼鑭化合物的薄膜，其中，向所述靶材施加低頻分量被截除的高頻電力以及來自直流電源的直流電力。另外，本發(fā)明的第八方面是一種薄膜制造方法，包括如下工序?qū)⒒宸胖迷诨遄?；以及使用包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材，通過磁控濺射方法，在進(jìn)行了真空排氣的環(huán)境下在保持在所述基板座上的所述基板上沉積硼鑭化合物的薄膜，其中，向所述基板座施加來自直流電源的直流電力。此外，本發(fā)明的第九方面是一種薄膜制造方法，包括如下工序?qū)⒒宸胖迷诨遄?；以及使用包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材，通過磁控濺射方法，在進(jìn)行了真空排氣的環(huán)境下在保持在所述基板座上的所述基板上沉積硼鑭化合物的薄膜，其中，向所述靶材施加低頻分量被截除的高頻電力以及來自第一直流電源的第一直流電力，并且向所述基板座施加來自第二直流電源的第二直流電力。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，提高了如LaB6等的硼鑭化合物薄膜的電子產(chǎn)生效率。另外，根據(jù)本發(fā)明，提高了FED或SED顯示器的亮度。圖l是示出本發(fā)明第一實(shí)施例的磁控賊射設(shè)備的截面圖。圖2是本發(fā)明的電子產(chǎn)生設(shè)備的示意性截面圖。圖3A是通過根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的方法形成的LaB6薄膜的放大截面圖。圖3B是通過并非為本發(fā)明的實(shí)施例的方法形成的LaB6薄膜的放大截面圖。圖4是示出本發(fā)明第二實(shí)施例的垂直型在線磁控濺射設(shè)備的截面圖。圖5是示出本發(fā)明第三實(shí)施例的磁控濺射設(shè)備的截面圖。具體實(shí)施例方式圖l是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的設(shè)備的示意圖。附圖標(biāo)記l表示第一容器，附圖標(biāo)記2表示與第一容器1真空連接的第二容器(退火單元)，并且附圖標(biāo)記5表示閘閥。附圖標(biāo)記ll表示使用如LaB6等硼鑭化合物的靶材，附圖標(biāo)記12表示基板，附圖標(biāo)記13表示用于保持基板12的基板座(第一基板座)，并且附圖標(biāo)記14表示濺射氣體導(dǎo)入系統(tǒng)。附圖標(biāo)記15表示基板座(第二基板座)，附圖標(biāo)記16表示加熱機(jī)構(gòu)，附圖標(biāo)記17表示等離子體電極，并且附圖標(biāo)記18表示用于等離子體源的氣體導(dǎo)入系統(tǒng)。附圖標(biāo)記19表示用于濺射的高頻電源系統(tǒng)，附圖標(biāo)記101表示可安裝包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的耙材11的陰極，附圖標(biāo)記102表示磁場發(fā)生i殳備，附圖標(biāo)記103表示磁場區(qū)，附圖標(biāo)記191表示隔直電容器，附圖標(biāo)記192表示匹配電路，附圖標(biāo)記193表示高頻電源，并且附圖標(biāo)記194表示用于濺射的偏置電源。附圖標(biāo)記20表示基板偏置電源(用于退火)(第三直流電源)，附圖標(biāo)記21表示基板偏置電源(第二直流電源)，附圖標(biāo)記22表示用于等離子體源的高頻電源系統(tǒng)，附圖標(biāo)記221表示隔直電容器，附圖標(biāo)記222表示匹配電路，并且附圖標(biāo)記223表示高頻電源。附圖標(biāo)記23表示截除來自高頻電源193的低頻分量以提供高頻分量電力的低頻截止濾波器(濾波器)。附圖標(biāo)記24表示截除來自直流電源21和194的直流電力中所包含的高頻分量(例如，lKHz以上特別是lMHz的高頻分量)的高頻截止濾波器?；?2放置在第一容器1中的基板座13上并且與陰極101相對，并且在該容器中進(jìn)行真空排氣和加熱(升溫至隨后進(jìn)行濺射時(shí)的溫度)。由加熱機(jī)構(gòu)16執(zhí)行加熱。然后，在預(yù)定氣壓(0.01Pa到50Pa,優(yōu)選為0.1Pa到10Pa)下通過濺射氣體導(dǎo)入系統(tǒng)14導(dǎo)入濺射氣體(氦氣、氬氣、氪氣或氙氣)，然后，使用濺射電源19開始成膜(沉積)。然后，從高頻電源193施加高頻電力(頻率為O.lMHz到10GHz,優(yōu)選為lMHz到5GHz,并且輸入電力為100瓦到3000瓦，優(yōu)選為200瓦到2000瓦)以產(chǎn)生等離子體，并且在第一直流電源194中將直流電力(電壓)i殳置成預(yù)定電壓(-50伏到-1000伏，優(yōu)選為-10伏到-500伏)以進(jìn)行濺射成膜。在基板12側(cè)，通過第二直流電源21以預(yù)定電壓(0伏到-500伏，優(yōu)選為-10伏到-1OO伏)將直流電力(電壓)施加到基板座13?？梢栽谑┘觼碜愿哳l電源193的高頻電力之前輸入來自第一直流電源194的直流電力(第一直流電力)，也可以在施加高頻電力的同時(shí)輸入該直流電力，或者還可以在施加高頻電力完成之后繼續(xù)輸入該直流電力。來自以上第二直流電源21和/或用于濺射的高頻電源19的直流電力和/或高頻電力輸入至陰極11的位置優(yōu)選為關(guān)于陰極11的中心點(diǎn)對稱的多個(gè)點(diǎn)。例如，關(guān)于陰才及11的中心點(diǎn)對稱的位置可以是輸入直流電力和/或高頻電力的多個(gè)位置。由永磁體或電》茲體形成的磁場發(fā)生i殳備102力文置在陰極IOI的背面，并且靶材11的表面可以暴露至》茲場103。另外，理想地，磁場103不達(dá)到基板12的表面，但只要是不使硼鑭化合物膜的寬單晶區(qū)域窄化的程度，,茲場103可以到達(dá)基板12的表面。作為另一個(gè)效果，在本發(fā)明中使用的第一直流電源194側(cè)設(shè)置的高頻截止濾波器24可以保護(hù)第一直流電源194。可以將磁場發(fā)生設(shè)備102的南極和北極布置成極性在相對于陰極101平面的垂直方向上彼此相反。此時(shí)，在相對于陰極IOI平面的水平方向上，相鄰的磁體具有彼此相反的極性。另外，可以將磁場發(fā)生設(shè)備102的南極和北極布置成極性在相對于陰極101平面的水平方向上彼此相反。同樣，此時(shí)，在相對于陰極101平面的水平方向上，相鄰的^茲體具有^f皮此相反的極性。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選的方面，磁場發(fā)生設(shè)備102可以在相對于陰極101平面的水平方向上振蕩。在本發(fā)明中使用的濾波器23可以截除來自高頻電源193的低頻分量(0.01MHz以下特別是0.001MHz以下的頻率分量)。很明顯，在使用該濾波器23時(shí)和在未使用該濾波器23時(shí)，單晶區(qū)域的大小不同。當(dāng)使用該濾波器23時(shí)，單晶區(qū)域的面積平均為lnm2到lmm2，優(yōu)選為5^1112到500|im2，而當(dāng)未使用該濾波器23時(shí)，單晶區(qū)域的面積平均為0.01|11112到1(im2。另外，在本發(fā)明中，可以通過將來自基板12側(cè)的第二直流電源21的直流電力(電壓)施加至基板座13來增加單晶區(qū)域的平均面積。該第二直流電力(電壓)可以是在時(shí)間平均上具有直流分量(對于地的直流分量)的脈沖波形電力。另外，在本發(fā)明中，可以通過添加退火處理來實(shí)現(xiàn)單晶區(qū)域的平均面積的增加。在通過上述磁控濺射方法的成膜完成之后，在不破壞真空的情況下經(jīng)由閘閥5將基板12運(yùn)送至第二容器中，并且放置在第二容器2中的基^反座15上，并且通過加熱^/L構(gòu)16開始退火(200。C到800。C,優(yōu)選為300。C到500。C)。在退火處理期間，可以在將基板12暴露至來自用于等離子體源的氣體導(dǎo)入系統(tǒng)18的等離子體源氣體(氬氣、氪氣、氙氣、氫氣、氮?dú)獾?等離子體的同時(shí)，通過第三直流電源20向基板12施加預(yù)定電壓(-10伏到-1000伏，優(yōu)選為-100伏到-500伏)。在退火完成之后，將第二容器2的內(nèi)部恢復(fù)為大氣壓，并且取出基板12。另外，用于等離子體源的電源系統(tǒng)22包括隔直電容器221、匹配電^各222和高頻電源223,并且可以乂人高頻電源223施力口高頻電力(頻率為0.1MHz到10GHz，優(yōu)選為lMHz到5GHz，并且輸入電力為100瓦至'J3000瓦，4尤選為200瓦至'j2000瓦)。通過加熱機(jī)構(gòu)16將基板座15加熱至預(yù)定溫度，并且對放置在基板座15上的基板12進(jìn)行退火處理。這里，根據(jù)所要求的膜特性，將加熱機(jī)構(gòu)16的設(shè)置溫度和退火處理時(shí)間調(diào)整為最佳值。此時(shí)，能夠通過將基板12暴露至離子、電子或游離基(活性物種)的粒子束來進(jìn)一步提高退火的效果。可以在以上基板12的加熱期間、之后或之前，將基板12暴露至離子、電子或游離基(活性物種)。本實(shí)施例示出使用平行板型高頻放電電極17(等離子體電極17)的等離子體源的例子，但還可以使用桶型離子源、ECR(電子回旋加速器)離子源、電子束暴露設(shè)備等。另外，此時(shí)，放置有基板12的基板座15可以為浮動(dòng)電位，但是為了使入射粒子的能量為恒定水平，從第三直流電源20施加預(yù)定偏置電壓也是有效的。在退火處理完成之后，經(jīng)由未示出的運(yùn)送室和運(yùn)送機(jī)構(gòu)、準(zhǔn)備室、以及取出室將基板12取出到大氣中。在該設(shè)備中，在沉積LaB6薄膜之后，在不將基板12取出到大氣中的情況下進(jìn)行退火處理等，以使得LaB6表面不被大氣中的成分污染，并且能夠獲得具有良好晶體結(jié)構(gòu)的LaB6薄膜。在本發(fā)明中，對于沉積的LaB。可以通過^f吏用具有化學(xué)計(jì)量成分的靶材來形成(沉積)化學(xué)計(jì)量薄膜。另外，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，可以利用化學(xué)計(jì)量的LaB6靶材和La靶材通過使用同時(shí)濺射方法來形成非化學(xué)計(jì)量薄膜。在本發(fā)明中使用的LaB6薄膜還可以包含例如Ba金屬等的其它成分。圖2中的附圖標(biāo)記208表示形成有鉬膜(陰極電極)202和LaB6膜203的電子源基板，其中鉬膜202形成有錐形突起209,LaB6膜203覆蓋鉬膜的突起209。附圖標(biāo)記210表示包括如下各部分的熒光體基板玻璃基板207、玻璃基板207上的熒光體膜206以及由鋁薄膜制成的陽極電極205。該電子源基板208和焚光體基板210之間的空間204是真空空間。通過在陰極電極202和陽極電極205之間施力口IOOO伏到3000伏的直流電壓，從由LaBJ莫束，并且該電子束穿透陽極電極205，并撞擊在熒光體膜上，從而能夠產(chǎn)生熒光。圖3A和3B是由圖2中的LaBJ莫203覆蓋的突起209的放大截面圖。由根據(jù)本發(fā)明形成的LaBJ莫203覆蓋圖3A中的突起209,并且在該膜中形成由晶粒邊界301包圍的單晶寬區(qū)域302。這些單晶寬區(qū)域302的面積平均為lpm2到lmm2，優(yōu)選為5^11112到500,2。由并非根據(jù)本發(fā)明形成的LaBj莫203覆蓋圖3B中的突起209,并且在該膜中形成單晶窄區(qū)域303。這些單晶窄區(qū)域303的面積平均為0.01jim2到1pm2。接著，制作在圖2中示出的電子產(chǎn)生設(shè)備，并且在視覺上觀測并判定亮度。在下面的表l中示出了判定結(jié)果。使用如下工序制作電子源基板208:在玻璃基板201上形成膜厚為3[im并具有突起209的鉬膜202,其中突起209具有l(wèi)pm的錐半徑和2pm的高度，然后使用磁控偏置濺射方法形成膜厚為5nm的LaB6月莫203。在這里所4吏用的LaB6膜203的形成中，如下面的表l中所示，改變來自第一直流電源(-250伏)和第二直流電源(-100伏)的直流電力的使用以及濾波器的使用。另外，對于高頻電源193，使用13.56MHz的頻率和800瓦的電力。在電子產(chǎn)生設(shè)備中，通過上面的電子源基板208、具有陽極電極205的熒光體基板210、以及厚度為2mm的密封部件(未示出)來制作真空容器，并且將陽極電極205和陰極電極202連接至500伏的直流電源211。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的垂直型在線濺射設(shè)備的例子，并且該圖是從上方觀察的設(shè)備的截面圖。與圖l中相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。兩個(gè)基板12分別固定至兩個(gè)基板座42，由基板座42從大氣側(cè)經(jīng)由閘閥51運(yùn)送至準(zhǔn)備室3，并進(jìn)行隨后的處理。當(dāng)將托盤(未示出)運(yùn)送至準(zhǔn)備室3中時(shí)，關(guān)閉閘閥51,并且由未示出的真空排氣系統(tǒng)在內(nèi)部進(jìn)行真空排氣。當(dāng)將內(nèi)部真空排氣至預(yù)定氣壓或更低時(shí)，打開準(zhǔn)備室3和第一容器l之間的閘閥52，并且將托盤運(yùn)送至第一容器l中，然后，再次關(guān)閉閘閥52。之后，通過類似于在第一實(shí)施例中示出的處理形成LaB6薄膜，然后，通過類似于在第一實(shí)施例中示出的處理進(jìn)行濺射氣體的真空排氣。在真空排氣進(jìn)行至預(yù)定氣壓之后，打開第一容器l和第二容器2之間的閘閥53，并將托盤運(yùn)送至第二容器2中。在第二容器2中放置有保持在預(yù)定溫度的加熱機(jī)構(gòu)16，并且可以對基板12和基板座15—同進(jìn)行退火處理。此時(shí)，如在圖l所示的實(shí)施例中，可以使用電子、離子、游離基等。在退火完成之后，對內(nèi)部進(jìn)行真空排氣，然后，打開第二容器2和取出室4之間的閘閥54,將托盤運(yùn)送至取出室4中，并且將基板12固定至基板座43。再次關(guān)閉閘閥54。在取出室4中放置有用于降低退火后的基板溫度的冷卻板44,并且在溫度降低到預(yù)定溫度之后，通過漏氣(氦氣、氮?dú)?、氫氣、氬氣?使取出室4的內(nèi)部恢復(fù)為大氣壓，打開閘閥55，并將托盤取出至大氣側(cè)。在該例子中，在第一容器1和第二容器2中，盡管在托盤停止的情況下進(jìn)行處理，但可以在移動(dòng)托盤的同時(shí)進(jìn)行這些處理。在這種情況下，出于與整個(gè)設(shè)備的更高的處理速度相平衡的目的，可以適當(dāng)?shù)靥砑拥谝蝗萜?和第二容器2。另外，盡管在這里作為磁控濺射方法示出了同時(shí)使用高頻電力和直流電力兩者的方法，但依賴于所要求的膜質(zhì)量，可以進(jìn)行通過未施加有高頻的第一直流電源194的控濺射。在這種情況下，高頻電源193和匹配電路192是不必要的，從而具有可以減少設(shè)備成本的優(yōu)勢。圖5是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的設(shè)備的示意圖。在該實(shí)施例的設(shè)備中，還將用于基板的高頻電源系統(tǒng)505安裝在圖l中的設(shè)備中。用于基板的高頻電源系統(tǒng)505用來經(jīng)由基板座13向基板12施加高頻電力。與圖1中的i殳備一樣，該實(shí)施例中的用于濺射的高頻電源系統(tǒng)19包括隔直電容器191、匹配電路192、以及高頻電源(第一高頻電源)193。另外，截除來自高頻電源193的低頻分量的濾波器(第一濾波器)23連接至用于濺射的高頻電源系統(tǒng)19。本實(shí)施例中添加的用于基板的高頻電源系統(tǒng)505包括隔直電容器502、匹配電i各503、以及高頻電源(第二高頻電源)504。另外，截除來自高頻電源504的低頻分量的濾波器(第二濾波器)501連接至用于基板的高頻電源系統(tǒng)505。用于基板的高頻電源系統(tǒng)505可以從高頻電源504輸出高頻電力(頻率為0.1MHz到lOGHz，優(yōu)選為lMHz到5GHz,并且輸入電力為100瓦到3000瓦，優(yōu)選為200瓦到2000瓦)，并且經(jīng)由隔直電容器502、匹配電路503、以及用于截除來自高頻電源504的低頻分量的濾波器501向基板12施加高頻電力。此時(shí)，還可以省略濾波器501的使用。使用圖5所示的設(shè)備制成的電子產(chǎn)生設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過由上面第一實(shí)施例實(shí)現(xiàn)的熒光體亮度的亮度。另外，在本發(fā)明中，對于在磁控濺射中使用的磁體單元，可以使用通常使用的7JC磁體。另外，當(dāng)在上面的托盤的運(yùn)動(dòng)停止的情況下進(jìn)行磁控濺射時(shí)，可以通過如下方式獲得良好的膜厚度均勻性和高的靶材利用率準(zhǔn)備具有比基板12面積略大的靶材，以適當(dāng)?shù)拈g隔在靶材的背面放置多個(gè)磁體單元，并且在平行于靶材表面的方向上平移這些磁體單元。另外，當(dāng)在移動(dòng)托盤的同時(shí)進(jìn)行濺射時(shí)，對于基板的運(yùn)動(dòng)的方向，可以使用寬度短于基板的長度的靶材和磁體單元。盡管已經(jīng)參考附圖對本申請的優(yōu)選實(shí)施例和例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施例和例子，并且能夠在從權(quán)利要求書中所理解的技術(shù)范圍內(nèi)改變成多種形式。權(quán)利要求1.一種磁控濺射設(shè)備，包括陰極，其能夠安裝包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材；第一直流電源，用于向所述陰極施加直流電力；濾波器，用于截除來自所述第一直流電源的高頻分量；磁場發(fā)生設(shè)備，用于將所述靶材的表面暴露至磁場；第一基板座，用于將基板保持在與所述陰極相對的位置；以及第二直流電源，用于向所述第一基板座施加直流電力。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述硼鑭化合物是化學(xué)計(jì)量或非化學(xué)計(jì)量的LaB6。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的磁控賊射設(shè)備，其特征在于，還包括用于向所述陰極施加高頻電力的高頻電源，其中，在施加所述高頻電力期間，所述第一直流電源向所述陰極施加所述直流電力。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控賊射設(shè)備，其特征在于，還包括用于截除來自所述高頻電源的低頻分量的濾波器。5.—種磁控濺射設(shè)備，包括陰極，其能夠安裝包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材；第一直流電源，用于向所述陰極施加直流電力；磁場發(fā)生設(shè)備，用于將所述靶材的表面暴露至磁場；第一基板座，用于將基板保持在與所述陰極相對的位置；第二直流電源，用于向所述第一基板座施加直流電力；以及濾波器，用于截除來自所述第二直流電源的高頻分量。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控賊射設(shè)備，其特征在于，所述硼鑭化合物是化學(xué)計(jì)量或非化學(xué)計(jì)量的LaB6。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，還包括用于向所述陰極施加高頻電力的高頻電源，其中，在施加所述高頻電力期間，所述第一直流電源向所述陰極施加所述直流電力。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，還包括用于截除來自所述高頻電源的低頻分量的濾波器。9.一種磁控濺射設(shè)備，用于向輩巴材施加^茲場以進(jìn)行濺射，包括陰極，其能夠安裝包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的耙材；高頻電源，用于向所述陰才及施加高頻電力；第一直流電源，用于在施加所述高頻電力期間向所述陰極施加直流電力；以及第一基板座，用于將基板保持在與所述陰極相對的位置，其中，所述磁控濺射設(shè)備還包括用于截除來自所述高頻電源的低頻分量的濾波器和用于向所述第一基板座施加直流電力的第二直流電源至少之一。10.—種磁控濺射設(shè)備，用于向靶材施加磁場以進(jìn)行濺射，包括陰極，其能夠安裝包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材；第一直流電源，用于向所述陰極施加直流電力；第一基板座，用于將基板保持在與所述陰極相對的位置；以及第二直流電源，用于向所述第一基板座施加直流電力。11.一種薄膜制造方法，包括如下工序?qū)⒒宸胖迷诨遄?；以?吏用包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的靶材，通過^茲控濺射方法，在進(jìn)行了真空排氣的環(huán)境下在保持在所述基板座上的所述基板上沉積硼鑭化合物的薄膜，其中，向所述靶材施加高頻電力以及在截除來自第一直流電源的高頻分量之后的第一直流電力，并且向所述基板座施加來自第二直流電源的第二直流電力。12.根據(jù)權(quán)利要求ll所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述硼鑭化合物是化學(xué)計(jì)量或非化學(xué)計(jì)量的LaB6。13.—種薄膜制造方法，包括如下工序?qū)⒒宸胖迷诨遄?；以及使用包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的耙材，通過》茲控賊射方法，在進(jìn)行了真空排氣的環(huán)境下在保持在所述基板座上的所述基板上沉積硼鑭化合物的薄膜，其中，向所述靶材施加高頻電力以及來自第一直流電源的第一直流電力，并且向所述基板座施加在截除來自第二直流電源的高頻分量之后的第二直流電力。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜制造方法，其特征在于，所述硼鑭化合物是化學(xué)計(jì)量或非化學(xué)計(jì)量的LaB6。15.—種薄膜制造方法，包括如下工序?qū)⒒宸胖迷诨遄希灰约笆褂冒ê信鸷丸|的硼鑭化合物的靶材，通過》茲控濺射方法，在進(jìn)行了真空排氣的環(huán)境下在保持在所述基板座上的所述基板上沉積硼鑭化合物的薄膜，其中，向所述靶材施加低頻分量被截除的高頻電力以及來自直流電源的直流電力。16.—種薄膜制造方法，包括如下工序?qū)⒒宸胖迷诨遄?；以及使用包括含有硼和鑭的硼鑭化合物的耙材，通過磁控濺射方法，在進(jìn)行了真空排氣的環(huán)境下在保持在所述基板座上的所述基板上沉積硼鑭化合物的薄膜，其中，向所述基板座施加來自直流電源的直流電力。17.—種薄膜制造方法，包括如下工序?qū)⒒宸胖迷诨遄希灰约笆褂冒ê信鸷丸|的硼鑭化合物的耙材，通過i"茲控賊射方法，在進(jìn)行了真空排氣的環(huán)境下在保持在所述基板座上的所述基板上沉積硼鑭化合物的薄膜，其中，向所述靶材施加低頻分量被截除的高頻電力以及來自第一直流電源的第一直流電力，并且向所述基板座施加來自第二直流電源的第二直流電力。全文摘要提供了一種磁控濺射設(shè)備和薄膜制造方法。在本發(fā)明中，在通過濺射形成LaB₆薄膜中，提高了所獲得的LaB₆薄膜中的寬區(qū)域方向上的單晶特性。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，向靶材施加來自高頻電源的高頻電力以及在截除來自第一直流電源的高頻分量之后的第一直流電力，并且在施加高頻電力和第一直流電力期間向基板座施加來自第二直流電源的直流電力。文檔編號(hào)H01J1/316GK101575698SQ200910136650公開日2009年11月11日申請日期2009年5月8日優(yōu)先權(quán)日2008年5月8日發(fā)明者中村昇,栗林正樹申請人:佳能安內(nèi)華股份有限公司