專利名稱：一種用于印刷型場發(fā)射顯示器的下基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于印刷型場發(fā)射顯示器的下基板制作方法，特別涉及
一種下柵極2場發(fā)射顯示器下基板制作方法。
背景技術(shù)：
眾所周知，下柵極2場發(fā)射顯示器(FED)結(jié)構(gòu)中，柵極2與陰極5圖形 呈正交排布，柵極2與陰極5中間由絕緣介質(zhì)隔離，并且在陰柵電極的正交 區(qū)域上方制作發(fā)射源材料。當(dāng)在陰極5與柵極2之間施加電壓時，每個陰極 5與柵極2交匯處便產(chǎn)生電場，當(dāng)電場強(qiáng)度足夠大時，發(fā)射源中的電子便被 引出發(fā)射體。隨后在陽極電場作用下，電子向陽極加速，轟擊陽極熒光粉實 現(xiàn)發(fā)光。
FED的整體性能要得到保障，發(fā)射體必須能夠在電場下均勻地發(fā)射電子， 于是就要保證下基板陰極5與柵極2之間的介質(zhì)具有足夠高的抗壓強(qiáng)度。如 果介質(zhì)材料性能不好或者制備的介質(zhì)存在缺陷，那么在電場作用下介質(zhì)就很 容易被擊穿，使得陰極5與柵極2之間短路?，F(xiàn)在普遍采用的是印刷法制備 介質(zhì)，不論采用普通的印刷性介質(zhì)漿料，還是感光性介質(zhì)漿料，瑪是刻蝕型 介質(zhì)漿料，其中都包含著不同比例的有機(jī)助劑或載體，而這些有機(jī)物在燒結(jié) 過程中就會被燒掉或者揮發(fā)掉，留下許多的孔洞或缺陷在介質(zhì)中間，而這些 孔洞與缺陷在下一制程中就會存在隱患即上層的電極漿料印刷后其中的高 導(dǎo)電成份銀顆粒就會滲入這些孔洞與缺陷中，增加了上下電極短路的可能性， 也使得介質(zhì)耐擊穿強(qiáng)度大大降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，提供一種用于印刷型場發(fā)射 顯示器的下基板制作方法，按照以下步驟
(1) 、制作柵極用去污粉和去離子水分別超聲清洗玻璃基板1并用氣槍 吹干，然后用精密絲網(wǎng)印刷機(jī)在玻璃基板1上印刷柵極2，玻璃基板1上的印
刷柵極2在IO(TC干燥20min后燒結(jié)，燒結(jié)制度為37(TC保溫20min， 570。C保 溫20min，升溫速率5。C/min，得到柵極2;
(2) 、制作絕緣介質(zhì)層在柵極2上印刷絕緣介質(zhì)層3，印刷好的絕緣介 質(zhì)層3在IO(TC干燥20min后燒結(jié)，燒結(jié)制度為370'C保溫20min， 580"C保溫 20min，升溫速率5'C/min，得到絕緣介質(zhì)層3;
(3) 、制作Si02絕緣層利用磁控濺射法，用鎳合金片制作掩膜，在絕 緣介質(zhì)層3上濺射Si02膜，獲得帶Si02絕緣層4， Si02絕緣層4厚度為200rnn; 所述磁控濺射法采用Si02陶瓷靶作靶材，襯底溫度為40(TC，工作氣體為Ar， 背底真空度為4X10—3Pa，工作氣壓為0.8Pa，濺射功率為350W,濺射時間為 10min;
(4) 、制作陰極在Si02絕緣層4上印刷陰極5銀漿料，印刷好的陰極5 銀漿料在IO(TC千燥20min后燒結(jié)，燒結(jié)制度為37(TC保溫20min， 570'C保溫 20min，升溫速率5。C/min，得到陰極5;
(5) 、制作陰極發(fā)射體碳納米管、有機(jī)載體和金屬填料混合均勻配制成
漿料，其中碳納米管的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8%-20%，金屬填料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4%-10%，
余量為有機(jī)載體；將漿料印刷在陰極5上并在12(TC干燥20min后燒結(jié)，燒
結(jié)制度為340。C保溫20min，45(TC保溫20min，升溫速率5°C/min，得到陰極
發(fā)射體6，完成下基板的制作。
所述有機(jī)載體由松油醇和乙基纖維素按照質(zhì)量比9: 1的比例構(gòu)成。所述金屬填料為銀納米顆粒。
所述下基板包括Si02絕緣層4。
所述Si02絕緣層4設(shè)置在絕緣介質(zhì)層3和陰極5之間。 下基板包括玻璃基板l、印制在玻璃基板1上的柵極2、柵極2上的絕緣
介質(zhì)層3和下基板最上部的陰極5，所述下基板包括設(shè)置在絕緣介質(zhì)層3和陰
極5之間的Si02絕緣層4。
本發(fā)明的改進(jìn)印刷型FED下基板的制作工藝，提高下柵極2結(jié)構(gòu)FED下
基板柵極2與陰極5之間的的絕緣性能，保證整個FED的可靠性和穩(wěn)定性。


圖l為本發(fā)明的方法示意圖2為制作柵極示意圖。
圖3為制作介質(zhì)層示意圖。
圖4為制作Si02絕緣層示意圖。
圖5為制作陰極示意圖。
圖6為制作陰極發(fā)射體示意圖。 圖7本發(fā)明的下基板的俯視圖。
圖中1為玻璃基板、2為柵極、3為絕緣介質(zhì)層、4為Si02絕緣層、5 為陰極、6為陰極發(fā)射體。
具體實施例方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述
參見圖l、 2、 3、 4、 5、 6、 7， 一種用于印刷型場發(fā)射顯示器的下基板制 作方法，按照以下步驟
(1)、制作柵極用去污粉和去離子水分別超聲清洗玻璃基板l (所用玻璃基板1為日本旭硝子公司生產(chǎn)的PD200玻璃)并用氣槍吹干，然后用精密 絲網(wǎng)印刷機(jī)在玻璃基板1上印刷柵極2 (柵極2漿料為杜邦公司Vg903)，玻 璃基板1上的印刷柵極2在IO(TC干燥20min后燒結(jié)，燒結(jié)制度為370'C保溫 20min，57(TC保溫20min，升溫速率5°C/min，得到柵極2;
(2) 、制作絕緣介質(zhì)層在柵極2上印刷絕緣介質(zhì)層3 (絕緣介質(zhì)為杜邦 公司Vg904)，印刷好的絕緣介質(zhì)層3在10(TC干燥20min后燒結(jié)，燒結(jié)制度 為370。C保溫20min，580。C保溫20min,升溫速率5°C/min，得到絕緣介質(zhì)層 3;
(3) 、制作Si02絕緣層利用磁控濺射法，用鎳合金片制作掩膜，在絕 緣介質(zhì)層3上濺射Si02膜，獲得帶Si02絕緣層4， Si02絕緣層4厚度為200nm; 所述磁控濺射法采用Si02陶瓷靶作靶材，襯底溫度為400°C，工作氣體為Ar， 背底真空度為4Xl(TPa，工作氣壓為0.8Pa，濺射功率為350W，濺射時間為 lOminj
(4) 、制作陰極在Si02絕緣層4上印刷陰極5銀漿料(陰極5銀漿料 為杜邦公司Vg903)，印刷好的陰極5銀漿料在100'C干燥20min后燒結(jié)，燒 結(jié)制度為37(TC保溫20min，57(TC保溫20min，升溫速率5°C/min，得到陰極 5;
(5) 、制作陰極發(fā)射體碳納米管、有機(jī)載體和金屬填料混合均勻配制成
混合漿料，其中碳納米管的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8%_20%，金屬填料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為
4%-10%，余量為有機(jī)載體；將漿料印刷在陰極5上(與柵極2交叉的部分)
并在120。C干燥20min后燒結(jié)，燒結(jié)制度為34(TC保溫20min, 45(TC保溫20min，
升溫速率5'C/min，得到陰極發(fā)射體6，完成下基板的制作。
所述有機(jī)載體由松油醇和乙基纖維素按照質(zhì)量比9: 1的比例構(gòu)成。所述金屬填料為銀納米顆粒。
所述下基板包括Si02絕緣層4。
所述Si02絕緣層4設(shè)置在絕緣介質(zhì)層3和陰極5之間。 下基板包括玻璃基板l、印制在玻璃基板1上的柵極2、柵極2上的絕緣 介質(zhì)層3和下基板最上部的陰極5，所述下基板包括設(shè)置在絕緣介質(zhì)層3和陰 極5之間的Si02絕緣層4。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明， 不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實施方式
僅限于此，對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單的推演 或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明由所提交的權(quán)利要求書確定專利保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種用于印刷型場發(fā)射顯示器的下基板，包括玻璃基板(1)、印制在玻璃基板(1)上的柵極(2)、柵極(2)上的絕緣介質(zhì)層(3)和下基板最上部的陰極(5)，其特征在于所述下基板包括設(shè)置在絕緣介質(zhì)層(3)和陰極(5)之間的SiO2絕緣層(4)。
2、 一種用于印刷型場發(fā)射顯示器的下基板制作方法，其特征在于，按照 以下步驟(1) 、制作柵極用去污粉和去離子水分別超聲清洗玻璃基板(l)并用氣槍吹干，然后用精密絲網(wǎng)印刷機(jī)在玻璃基板(1)上印刷柵極(2)，玻璃基板(l) 上的印刷柵極(2)在IO(TC干燥20min后燒結(jié)，燒結(jié)制度為37(TC保溫 20min，570。C保溫20min，升溫速率5。C/min，得到柵極(2);(2) 、制作絕緣介質(zhì)層在柵極(2)上印刷絕緣介質(zhì)層(3)，印刷好的絕緣 介質(zhì)層(3)在IO(TC干燥20min后燒結(jié)，燒結(jié)制度為370。C保溫20min， 580°C 保溫20min，升溫速率5。C/min，得到絕緣介質(zhì)層(3);(3) 、制作Si02絕緣層利用磁控濺射法，用鎳合金片制作掩膜，在絕 緣介質(zhì)層(3)上濺射Si02膜，獲得帶Si02絕緣層(4)， Si02絕緣層(4)厚度為 200nm;所述磁控濺射法采用Si02陶瓷靶作靶材，襯底溫度為400'C，工作氣 體為Ar，背底真空度為4Xl(TPa，工作氣壓為0. 8Pa，濺射功率為350W，濺 射時間為10min;(4) 、制作陰極在Si02絕緣層(4)上印刷陰極(5)銀漿料，印刷好的陰 極(5)銀漿料在IOO"C干燥20min后燒結(jié)，燒結(jié)制度為37(TC保溫20min， 570°C 保溫20min，升溫速率5"C/min，得到陰極(5);(5) 、制作陰極發(fā)射體碳納米管、有機(jī)載體和金屬填料混合均勻配制成 漿料，漿料中碳納米管的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8%-20%，金屬填料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4%-10%， 余量為有機(jī)載體；將漿料印刷在陰極(5)上并在12(TC干燥20min后燒結(jié)，燒結(jié)制度為340。C保溫20min， 45(TC保溫20min，升溫速率5"C/min，得到陰極發(fā)射體(6)，完成下基板的制作。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于印刷型場發(fā)射顯示器的下基板制作方法，其特征在于所述有機(jī)載體由松油醇和乙基纖維素按照質(zhì)量比9: l的比 例構(gòu)成。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于印刷型場發(fā)射顯示器的下基板制作方 法制作的下基板，其特征在于所述金屬填料為銀納米顆粒。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種印刷型場發(fā)射顯示器下基板制作方法，按照以下步驟(1)制作柵極；(2)制作絕緣介質(zhì)層；(3)制作SiO₂絕緣層，SiO₂絕緣層厚度為200nm；(4)制作陰極；(5)制作陰極發(fā)射體，完成下基板的制作。本發(fā)明的改進(jìn)印刷型FED下基板的制作工藝，提高下柵極2結(jié)構(gòu)FED下基板柵極與陰極之間的絕緣性能，保證整個FED的可靠性和穩(wěn)定性。
文檔編號H01J29/00GK101620969SQ20091002266
公開日2010年1月6日 申請日期2009年5月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月22日
發(fā)明者軍 李 申請人:彩虹集團(tuán)公司