專(zhuān)利名稱(chēng)：一種常溫下提高微光成像系統(tǒng)探測(cè)性能的像增強(qiáng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微光成像探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種常溫下提高微光成像系統(tǒng)探測(cè)性能的像增強(qiáng)器。

背景技術(shù)：
微光夜視技術(shù)廣泛應(yīng)用于交通、電視、通訊、醫(yī)藥衛(wèi)生、軍事等領(lǐng)域。經(jīng)過(guò)近30年的高速發(fā)展，已研制出探測(cè)極限為10-9lx照度的CCD(chargecoupled device)攝像機(jī)，德國(guó)B&M光譜公司在-150℃溫度下，將CCD攝像機(jī)的探測(cè)極限提高至10-11lx。低溫微光探測(cè)器件具有很高的信噪比，但其體積笨重、技術(shù)難度高、造價(jià)昂貴，導(dǎo)致應(yīng)用領(lǐng)域十分有限，因此，提高常溫下微光成像系統(tǒng)的探測(cè)極限更為切合實(shí)際。
我國(guó)已在微光(10-6lx)領(lǐng)域展開(kāi)了廣泛的研究，中科院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所和長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械研究所對(duì)超二代像增強(qiáng)器進(jìn)行了深入的研究，北京理工大學(xué)、南京理工大學(xué)在提高夜視儀成像質(zhì)量方面也已進(jìn)行了多年的研究探討，西安應(yīng)用光學(xué)研究所及北方夜視技術(shù)股份有限公司在三代像增強(qiáng)器的研究中也已進(jìn)入了實(shí)驗(yàn)室階段。
但是，常溫下，要達(dá)到更高的微光照度探測(cè)極限，必須解決低照度下如何進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間光子信號(hào)積累的問(wèn)題。目前，所應(yīng)用的各種微光探測(cè)裝置，如像增強(qiáng)型ICCD(Intensified Charge Coupled Devices)和電子倍增型EMCCD(Electron Multiplying CCD)等，雖然各自采用不同的光信號(hào)增強(qiáng)方式，但對(duì)光信號(hào)的積累卻都是通過(guò)CCD的長(zhǎng)時(shí)間積分來(lái)完成，在此過(guò)程中，產(chǎn)生的熱噪聲和邊角亮光等諸多因素嚴(yán)重影響成像質(zhì)量，因此，CCD的性能直接限制了微光探測(cè)極限的提高。
上述研究開(kāi)發(fā)的各種裝置雖然對(duì)像增強(qiáng)器所產(chǎn)生的電子有加強(qiáng)和倍增的作用，但并沒(méi)有能夠?qū)㈦娮舆M(jìn)行有效的積累，而僅僅是通過(guò)CCD對(duì)光子信號(hào)進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的積累，因此，在很大程度上限制了微光探測(cè)極限由10-6lx提高到10-8lx。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種常溫下提高微光成像系統(tǒng)探測(cè)性能的像增強(qiáng)器，對(duì)光電陰極逸出的電子進(jìn)行約束，取代使用CCD長(zhǎng)時(shí)間積分的方式，突破CCD對(duì)微光探測(cè)性能的限制，常溫下，經(jīng)過(guò)幾個(gè)小時(shí)的積累時(shí)間，能實(shí)現(xiàn)微光10-8lx照度的微光成像探測(cè)能力。
本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是，一種常溫下提高微光成像系統(tǒng)探測(cè)性能的像增強(qiáng)器，包括相對(duì)設(shè)置的光電陰極和微通道板，光電陰極和微通道板之間、由光電陰極向微通道板依次設(shè)置有前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)和后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)，微通道板的外側(cè)設(shè)置有熒光屏，前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)與后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)之間設(shè)置有一磁鏡陣列裝置。
本發(fā)明的特征還在于， 磁鏡陣列裝置為二維柵狀面陣，包括環(huán)形支架，支架的環(huán)內(nèi)設(shè)置有柵狀永磁體，柵狀永磁體橫向并排設(shè)置有多個(gè)通孔，通孔穿過(guò)柵狀永磁體的每道柵，每道柵上相對(duì)應(yīng)的通孔位于同一條軸線，構(gòu)成柵狀且整齊排列的多個(gè)微磁鏡陣列，柵狀永磁體沿支架軸線方向的兩側(cè)分別設(shè)置有電極，電極與柵狀永磁體之間設(shè)置有墊圈。
電極為滲透電極，或?yàn)榻饘僦瞥傻臇烹姌O。
柵狀永磁體選用永磁材料銣鐵硼制成。
墊圈選用陶瓷制成。
支架選用銅或陶瓷制成。
本發(fā)明像增強(qiáng)器的有益效果是 1.在像管內(nèi)部對(duì)光電子進(jìn)行積累，取代了通常采用的CCD積累光信號(hào)方式，從而在一定程度上減小了對(duì)CCD的依賴(lài)性，構(gòu)成了一種新型的微光成像探測(cè)器件。
2.擴(kuò)大了對(duì)微光像增強(qiáng)器所產(chǎn)生的電子的有效利用，提出一種二維面陣磁鏡陣列裝置，降低了光電陰極出射電子在磁鏡中的逃逸概率，對(duì)光電子信號(hào)進(jìn)行更加有效的積累。
3.不需要低溫裝置，在常溫下將微光成像探測(cè)極限增至10-8lx的照度。
4.由于磁鏡采用剩磁較大的銣鐵硼永磁材料，居里溫度為312℃，可以在常溫下很好地對(duì)光電子進(jìn)行積累，并可以通過(guò)較長(zhǎng)時(shí)間的積累實(shí)現(xiàn)對(duì)極微弱光信號(hào)的增強(qiáng)，從而達(dá)到在10-8lx照度下的清晰成像。



圖1是本發(fā)明像增強(qiáng)器的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明像增強(qiáng)器中磁鏡陣列裝置的側(cè)視圖； 圖3是本發(fā)明像增強(qiáng)器中磁鏡陣列裝置的主視圖； 圖4是本發(fā)明像增強(qiáng)器中磁鏡陣列裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)視圖； 圖5是本發(fā)明像增強(qiáng)器的磁鏡陣列裝置中單個(gè)微磁鏡單元產(chǎn)生磁鏡場(chǎng)的原理圖； 圖6是本發(fā)明像增強(qiáng)器中磁鏡陣列裝置的調(diào)制傳遞函數(shù)與空間頻率的關(guān)系曲線；其中，a是分辨率沿X軸方向與空間頻率的關(guān)系曲線，b是分辨率沿Y軸方向與空間頻率的關(guān)系曲線。
圖中，1.微磁鏡陣列，2.柵狀永磁體，3.支架，4.電極，5.墊圈，6.光電陰極，7.微通道板，8.前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)，9.熒光屏，10.磁鏡陣列裝置，11.后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)。

具體實(shí)施例方式 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
本發(fā)明像增強(qiáng)器的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。包括光電陰極6和微通道板7，光電陰極6和微通道板7之間、由光電陰極6向微通道板7依次設(shè)置有前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)8、磁鏡陣列裝置10和后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)11，微通道板7的外側(cè)設(shè)置有熒光屏9。
本發(fā)明像增強(qiáng)器中磁鏡陣列裝置的結(jié)構(gòu)，如圖2、圖3、圖4所示。包括采用銅或陶瓷制成的外圓內(nèi)方的環(huán)形支架3，支架3的內(nèi)側(cè)壁為卡口，支架3的方形環(huán)內(nèi)設(shè)置有由永磁材料銣鐵硼制成的柵狀永磁體2，柵狀永磁體2通過(guò)支架3內(nèi)側(cè)壁的卡口與支架3固接，柵狀永磁體2在垂直于柵狀磁片的方向(橫向)充磁并設(shè)置有多個(gè)通孔，柵狀永磁體2沿支架3軸線方向的兩側(cè)各設(shè)置有一層電極4，該電極4為柵狀永磁體2兩側(cè)分別鍍的一層滲透電極，或由金屬制成的柵電極，電極4與柵狀永磁體2之間設(shè)置有陶瓷制成的墊圈5，柵狀永磁體2的每道柵上相對(duì)應(yīng)的通孔位于同一條軸線，構(gòu)成柵狀且整齊排列的多個(gè)微磁鏡陣列1。
本發(fā)明像增強(qiáng)器中的微通道板7和CCD的像素單元排列呈二維面陣分布，為與微通道板7及CCD相匹配，并降低對(duì)成像系統(tǒng)空間分辨率的影響，將磁鏡陣列裝置10設(shè)計(jì)為二維柵狀面陣結(jié)構(gòu)，磁鏡陣列裝置10中的每一微磁鏡陣列1的限度由小孔孔徑及相鄰孔間距的大小控制，并通過(guò)前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)8和后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)11將磁鏡陣列裝置10與微通道板7的微通道進(jìn)行耦合，以達(dá)到每個(gè)微磁鏡陣列1與微通道板7的各個(gè)微通道一一對(duì)應(yīng)。該磁鏡陣列裝置10通過(guò)每個(gè)微磁鏡陣列1收集光電陰極6射出的電子，并對(duì)電子進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的磁約束，構(gòu)成一種新的光電子接收器。
核聚變中的磁鏡裝置采用線圈通強(qiáng)電流產(chǎn)生磁場(chǎng)，若將該線圈引入本發(fā)明像增強(qiáng)器中，線圈產(chǎn)生的熱輻射將給系統(tǒng)帶來(lái)很大的噪聲，因此，本發(fā)明像增強(qiáng)器中的磁鏡陣列裝置10采用不受溫度影響的永磁材料制成。為了盡可能降低微磁鏡陣列1的結(jié)構(gòu)對(duì)系統(tǒng)空間分辨率的影響，在光電陰極6與磁鏡陣列裝置10之間設(shè)置了前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)8，在磁鏡陣列裝置10與微通道板7之間設(shè)置了后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)11。
本發(fā)明像增強(qiáng)器的工作原理 拍攝圖像開(kāi)始，開(kāi)啟光電陰極6及靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)，后續(xù)部件電位保持與前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)8相同，此時(shí)只通過(guò)微磁鏡陣列1對(duì)光電陰極6出射的光電子進(jìn)行積累；當(dāng)光電子積累到正常成像所需的條件，調(diào)高后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)11和微通道板7的電位，并在兩個(gè)柵電極4增加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)力，通過(guò)電場(chǎng)力的作用將磁鏡中的電子引出，經(jīng)靜電聚焦系統(tǒng)進(jìn)入微通道板7。由于每個(gè)微磁鏡陣列1對(duì)應(yīng)微通道板7的一個(gè)通道，所以，電子在各磁鏡場(chǎng)中磁力線的躍遷不會(huì)對(duì)圖像信息產(chǎn)生影響，圖像信息保持完整，完成二維電子圖像的傳遞。
磁鏡陣列裝置10為柵狀，在磁鏡兩端增加電壓后，從磁鏡射出的電子流也為柵狀，因此經(jīng)過(guò)微通道板7及CCD成像后的圖形是不完整的柵狀圖像，在像增強(qiáng)器內(nèi)部設(shè)置一個(gè)機(jī)械裝置或壓電陶瓷裝置，將磁鏡陣列沿z軸方向進(jìn)行微小距離的往返移動(dòng)，每次移動(dòng)的距離根據(jù)柵狀永磁體2每道柵之間的縫隙與每道柵的厚度決定。例如，縫隙為15μm，每道柵厚度為30μm，第一次拍攝結(jié)束后需將磁鏡陣列移動(dòng)兩次15μm的距離，即對(duì)目標(biāo)進(jìn)行三次曝光拍攝，得到三幅柵狀圖片，然后，通過(guò)圖像處理技術(shù)將該三幅柵狀圖片整合為一幅完整的圖像，完成一次完整的微光圖像拍攝。若像增強(qiáng)器內(nèi)部不設(shè)置機(jī)械裝置，則在鏡頭處設(shè)置一個(gè)能夠往返移動(dòng)的微型馬達(dá)，用于拍攝靜物時(shí)進(jìn)行微小距離的往返移動(dòng)，效果與磁鏡陣列中的移動(dòng)裝置相同，可彌補(bǔ)無(wú)法一次完成整幅圖像拍攝的缺點(diǎn)。
磁鏡應(yīng)用于成像系統(tǒng)提高探測(cè)極限的原理 1.磁鏡約束電子的原理 磁鏡是一種中間弱(設(shè)為B1)、兩端強(qiáng)(設(shè)為B2)的特殊磁場(chǎng)位形。圖5所示的是兩個(gè)磁場(chǎng)方向相同且間隔一段距離平行放置的永磁環(huán)所構(gòu)成的簡(jiǎn)單磁鏡場(chǎng)，磁鏡中的緩變磁場(chǎng)約束電子是通過(guò)電子產(chǎn)生的磁矩守恒效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)磁場(chǎng)B隨時(shí)間和空間緩變時(shí)，磁場(chǎng)中電子的磁矩大小為一常數(shù)，電子磁矩可用以下公式表示 式中，v⊥是垂直于磁場(chǎng)方向電子的橫向速度；m為電子質(zhì)量；B為磁感應(yīng)強(qiáng)度。
由于洛倫茲力對(duì)電子不作功，因此從磁鏡中部入射的電子，其總能量守恒，即橫向動(dòng)能和平行于磁場(chǎng)方向的縱向動(dòng)能之和不變。當(dāng)電子在磁鏡場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，磁場(chǎng)B的變化導(dǎo)致橫向動(dòng)能不斷變化，從而導(dǎo)致橫向動(dòng)能與縱向動(dòng)能互相轉(zhuǎn)化，電子運(yùn)動(dòng)軌跡也就形成了類(lèi)似“反射”現(xiàn)象的運(yùn)動(dòng)。
磁鏡場(chǎng)對(duì)電子的束縛能力越強(qiáng)越好，但總有一部分電子穿過(guò)磁鏡兩端(也叫磁喉)的最大磁場(chǎng)B2處逃出磁鏡。電子逃出磁鏡束縛的條件是在磁鏡中心最弱磁場(chǎng)B1處的電子速度分量V和V⊥需滿足如下關(guān)系 其中，γ＝B2/B1為磁鏡比；V0為電子進(jìn)入磁鏡的初始速度。制備完成的磁鏡陣列裝置10，其磁鏡比γ為固定值。從(2)式可知，如果V⊥/V0足夠大，且大于

時(shí)，電子就不能從磁鏡中逃出；而且磁鏡比γ越大，從磁喉處跑出來(lái)的電子就越少，磁鏡的約束效果就越好。
2.磁鏡陣列裝置的工作原理 磁鏡陣列裝置10中的一個(gè)微磁鏡單元，利用矩形永磁環(huán)所產(chǎn)生的單個(gè)磁鏡場(chǎng)的示意圖，圖5所示。從光電陰極6和磁鏡陣列裝置10之間設(shè)置的靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)8出射的光電子流正入射至磁鏡場(chǎng)的中部，即從垂直于z軸方向射入兩個(gè)永磁環(huán)之間的任意位置，且當(dāng)光電子流的入射能量與磁場(chǎng)強(qiáng)度相匹配時(shí)，光電子被磁鏡場(chǎng)所束縛。采用該正入射方式，光電子的逃逸概率降至最低。對(duì)于入射到永磁體表面，沒(méi)有入射到縫隙中的光電子，由于永磁材料具有較強(qiáng)的導(dǎo)電能力，該光電子通過(guò)永磁體兩側(cè)的柵電極4導(dǎo)出像增強(qiáng)器。
3.磁鏡陣列裝置的噪聲 將磁鏡陣列裝置引入像增強(qiáng)器后，作為中間部件，它本身的結(jié)構(gòu)和性能將對(duì)整個(gè)成像系統(tǒng)產(chǎn)生一定的影響，包括由于碰撞導(dǎo)致電子在磁力線間的躍遷，以及磁鏡本身所固有的逃逸錐等因素。在像素尺寸內(nèi)的磁力線躍遷不會(huì)對(duì)圖像的完整傳遞產(chǎn)生影響，因此，逃逸錐給系統(tǒng)帶來(lái)的噪聲才是在微光成像過(guò)程中需要關(guān)心的問(wèn)題。
根據(jù)上述磁鏡原理，電子入射到軸線附近某一位置時(shí)，該點(diǎn)的磁場(chǎng)強(qiáng)度與磁喉處最大磁場(chǎng)的比值B(z)/Bmax決定了該位置逃逸錐角θ(z)的大小，通過(guò)推導(dǎo)得出軸線上任意位置逃逸錐角的表達(dá)式為
只有入射方向與軸線夾角大于逃逸錐角的電子才能被磁場(chǎng)束縛，否則，電子將從磁鏡裝置中逃逸，影響微光信號(hào)的長(zhǎng)時(shí)間積累和成像效果。
控制磁鏡內(nèi)部磁場(chǎng)分布的參量永磁材料的剩磁Br、永磁環(huán)的長(zhǎng)a、永磁環(huán)的寬b、永磁環(huán)的厚度h、永磁環(huán)的間距d、單圓孔半徑R和磁鏡軸線上的任一坐標(biāo)值z(mì)。可得出電子的入射方向與軸線之間的最小夾角，同時(shí)電子的入射能量和磁鏡的最小磁場(chǎng)也滿足相應(yīng)的要求，入射的電子就被磁鏡束縛，而不能逃逸，因此，磁鏡陣列裝置10帶來(lái)的逃逸噪聲很小。
本發(fā)明像增強(qiáng)器中的磁鏡陣列裝置10，配合性能較好的光電陰極6，可以在2～3小時(shí)的積累時(shí)間內(nèi)，實(shí)現(xiàn)10-8lx照度下的清晰成像。
4.磁鏡陣列裝置的分辨率分析 調(diào)制傳遞函數(shù)(MTF)能夠綜合反映成像器件的分辨率特性。
磁鏡陣列裝置10作為線性不變成像系統(tǒng)中的一個(gè)部件。磁鏡陣列裝置的單元為圓形，相鄰兩單元之間存在一定的間隔，光電子被微磁鏡陣列1中相鄰兩個(gè)微磁鏡單元之間的矩形空間約束，其MTF的計(jì)算可以分解為多個(gè)矩形“光敏面”，即一個(gè)光敏面代替一個(gè)微磁鏡單元，其尺寸為a×d，則單個(gè)光敏面的脈沖響應(yīng)函數(shù)為其傅里葉變換為歸一化后得到磁鏡陣列裝置單個(gè)“光敏面”的MTFm-sin 整個(gè)磁鏡陣列裝置，需要在光陰極像面上采樣，兩個(gè)光敏面在X軸相距m、Y軸相距n，用函數(shù)表示為其傅里葉變換為p(u，x)＝F{samp(x，y)}＝mnsinc(mfx，nfy)，歸一化后得采樣傳遞函數(shù)MTFsamp MTFsamp＝|p(fx，fy)|＝|F{samp(x，y)}|＝|sinc(mfx，nfy)|(5) 則磁鏡陣列裝置的MTFm是單個(gè)磁鏡矩形“光敏面”的MTFm-sin與采樣傳遞函數(shù)MTFsamp的乘積，即 MTFm＝MTFm-sin·MTFsamp＝|sinc(dfx，afy)|·|sinc(mfx，nfy)|(6) 由此可見(jiàn)，沿X軸方向和Y軸方向的調(diào)制傳遞函數(shù)MTF不相同。
本發(fā)明像增強(qiáng)器中磁鏡陣列裝置的調(diào)制傳遞函數(shù)與空間頻率的關(guān)系曲線，如圖6a、6b所示。當(dāng)空間頻率處于奈奎斯特(Nyquist Frequency)頻率，對(duì)應(yīng)的X軸方向和Y軸方向的調(diào)制傳遞函數(shù)的值分別達(dá)到0.45和0.44左右。所對(duì)應(yīng)人眼的3％MTF值的極限分辨率分別為58lp/mm和23lp/mm。
權(quán)利要求
1.一種常溫下提高微光成像系統(tǒng)探測(cè)性能的像增強(qiáng)器，包括相對(duì)設(shè)置的光電陰極(6)和微通道板(7)，光電陰極(6)和微通道板(7)之間、由光電陰極(6)向微通道板(7)依次設(shè)置有前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)(8)和后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)(11)，微通道板(7)的外側(cè)設(shè)置有熒光屏(9)，其特征在于，所述前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)(8)與后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)(11)之間設(shè)置有一磁鏡陣列裝置(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像增強(qiáng)器，其特征在于，所述的磁鏡陣列裝置(10)為二維柵狀面陣，包括環(huán)形支架(3)，支架(3)的環(huán)內(nèi)設(shè)置有柵狀永磁體(2)，柵狀永磁體(2)橫向并排設(shè)置有多個(gè)通孔，所述通孔穿過(guò)柵狀永磁體(2)的每道柵，每道柵上相對(duì)應(yīng)的通孔位于同一條軸線，構(gòu)成柵狀且整齊排列的多個(gè)微磁鏡陣列(1)，所述的柵狀永磁體(2)沿支架(3)軸線方向的兩側(cè)分別設(shè)置有電極(4)，電極(4)與柵狀永磁體(2)之間設(shè)置有墊圈(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像增強(qiáng)器，其特征在于，所述的電極(4)為滲透電極，或?yàn)榻饘僦瞥傻臇烹姌O。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像增強(qiáng)器，其特征在于，所述的柵狀永磁體(2)選用永磁材料銣鐵硼制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像增強(qiáng)器，其特征在于，所述的墊圈(5)選用陶瓷制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像增強(qiáng)器，其特征在于，所述的支架(3)選用銅或陶瓷制成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)的一種常溫下提高微光成像系統(tǒng)探測(cè)性能的像增強(qiáng)器，包括相對(duì)設(shè)置的光電陰極和微通道板，光電陰極和微通道板之間、由光電陰極向微通道板依次設(shè)置有前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)和后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)，微通道板的外側(cè)設(shè)置有熒光屏，前置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)與后置靜電聚焦電子光學(xué)系統(tǒng)之間設(shè)置有一磁鏡陣列裝置。本發(fā)明的像增強(qiáng)器擴(kuò)大了對(duì)微光電子的有效利用，降低了光電陰極出射電子在磁鏡中的逃逸概率，常溫下對(duì)光電子信號(hào)進(jìn)行更加有效的積累，實(shí)現(xiàn)對(duì)極微弱光信號(hào)的增強(qiáng)，達(dá)到在10-8lx照度下的清晰成像。
文檔編號(hào)H01J31/08GK101404237SQ20081015076
公開(kāi)日2009年4月8日 申請(qǐng)日期2008年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月1日
發(fā)明者郜海陽(yáng), 唐遠(yuǎn)河, 鍇 劉, 張瑞霞, 楊旭三, 趙高翔, 娜 葉, 元 梁, 卿 李 申請(qǐng)人:西安理工大學(xué)