專利名稱：等離子顯示板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示裝置，更具體的說是等離子顯示板。
背景技術(shù)：
通常在等離子顯示板中，由障壁劃分的放電串(Cell)內(nèi)形成熒光體層，同 時形成多個電極(Electrode)。而且，通過電極向放電串提供驅(qū)動信號。貝U,放 電串內(nèi)根據(jù)提供的驅(qū)動信號產(chǎn)生放電。其中，放電串內(nèi)通過驅(qū)動信號產(chǎn)生放電 時，充入放電串內(nèi)的放電氣體釋放真空紫外線(VacuumUltravioletrays)，這種 真空紫外線使形成在放電串內(nèi)的熒光體發(fā)光，從而產(chǎn)生可見光。通過這種可見 光，在等離子顯示板的畫面上顯示影像。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的本發(fā)明旨在提供改善電介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的等離子顯示板。 技術(shù)方案本發(fā)明所述的等離子顯示板包括前面基板；互相并排配置在 前面基板上的掃描電極和維持電極；覆蓋掃描電極和維持電極的第1電介質(zhì)層； 以及設(shè)在第1電介質(zhì)層上部的第2電介質(zhì)層；第1電介質(zhì)層的介電常數(shù) (Permittivity)大于第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)，第1電介質(zhì)層的厚度比第2電 介質(zhì)層的厚度薄。
而且，最好在第2電介質(zhì)層上部再配置包含氧化鎂(MgO)材質(zhì)的保護層。 而且，最好第1電介質(zhì)層的厚度為第2電介質(zhì)層的厚度的0.1倍以上0. 98 倍以下。
而且，最好第1電介質(zhì)層的厚度為第2電介質(zhì)層的厚度的0. 22倍以上0. 72 倍以下。
而且，最好第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)為第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)的1.1倍 以上5.2倍以下。
而且，最好第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)為第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)的1. 3倍 以上2.1倍以下。
而且，本發(fā)明所述的另一種等離子顯示板，包括前面基板；互相并排配 置在前面基板的掃描電極和維持電極；覆蓋掃描電極和維持電極的第1電介質(zhì) 層；以及配置在第1電介質(zhì)層的上部的第2電介質(zhì)層；第1電介質(zhì)層的介電常 數(shù)(Permittivity)比第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)大，第1電介質(zhì)層的厚度為掃描 電極或維持電極最大厚度的0. 98倍以上7. 3倍以下。
而且，最好第1電介質(zhì)層的厚度為掃描電極或維持電極最大厚度的1. 4倍 以上3.2倍以下。
而且，最好在第2電介質(zhì)層的上部再設(shè)包含氧化鎂(MgO)材質(zhì)的保護層。 而且，最好第1電介質(zhì)層的厚度比第2電介質(zhì)層的厚度更薄。 而且，最好第1電介質(zhì)層的厚度為第2電介質(zhì)層的厚度的0. 1倍以上0. 98 倍以下。
而且，最好第1電介質(zhì)層的厚度為第2電介質(zhì)層的厚度的0. 3倍以上0. 72 倍以下。
而且，最好第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)為第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)的1.1倍 以上5.2倍以下。
而且，最好第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)為第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)的1. 3倍 以上2.1倍以下。
有益效果本發(fā)明所述的等離子顯示板配置覆蓋掃描電極和維持電極的第1 電介質(zhì)層，在第1電介質(zhì)層上部配置具有比第1電介質(zhì)層的厚度更厚的厚度， 介電常數(shù)更小的第2電介質(zhì)層，具有減少電介質(zhì)層的整體厚度的效果。而且， 該等離子顯示板具有減少電介質(zhì)層的整體厚度的同時抑制放電不穩(wěn)定的效果。 而且，該等離子顯示板具有提高放電效率的效果。


圖1為本發(fā)明一實例的等離子顯示板的結(jié)構(gòu)的圖片。
圖2為本發(fā)明一實例的等離子顯示板中體現(xiàn)影像色調(diào)的影像幀的圖片。
圖3為包含在影像幀的子字段中本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置的操作一 例的圖片。
圖4為進一步具體介紹第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的圖片。
圖5a至圖5b為第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層效能的圖片。
圖6a至圖6b為第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的圖片。
圖7為進一步具體介紹第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)的圖片。
圖8為第1電介質(zhì)層的厚度和掃描電極或維持電極的厚度的圖片。
圖9為掃描電極和維持電極另一種結(jié)構(gòu)一例的圖片。
具體實施例方式
以下，參照附加的圖片具體介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板。 圖1為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板的結(jié)構(gòu)的圖片。 分析圖1，則本發(fā)明的一實例的等離子顯示板由配置互相并排的掃描電極 102， Y和維持電極103， Z的前面基板101和，與前面基板101對置配置，并配置與掃描電極102及維持電極103交叉的尋址電極113的后面基板111接合而 成。
配置掃描電極102和維持電極103的前面基板101上部設(shè)有覆蓋掃描電極 102和維持電極103的第1電介質(zhì)層104a，第1電介質(zhì)層104a上部配置了第2 電介質(zhì)層104b。
第1， 2電介質(zhì)層104a， 104b限制掃描電極102及維持電極103的放電電 流，使掃描電極102和維持電極103之間絕緣。
可以在第2電介質(zhì)層104b上面形成易化放電條件的保護層105。這種保護 層105可以包含二次電子釋放系數(shù)高的材料，例如氧化鎂(MgO)材質(zhì)。
后面基板111上配置電極，例如尋址電極113，可以在這種配置尋址電極 113及的后面基板111上形成覆蓋尋址電極113的電介質(zhì)層，例如下部電介質(zhì)層 115。
同時，下部電介質(zhì)層115的上部可以形成劃分放電空間即放電串的條形 (StripeType)，井形(WellType)，三角形(DeltaType)，蜂窩形等障壁112。因 此，通過這種障壁112，可以在前面基板101和后面基板111之間形成紅色 (Red:R)，綠色(Green:G)，藍色(Blue:B)等放電串。
而且，紅色(R)，綠色(G)，藍色(B)放電串之外，也可以再形成白色(White:W) 或黃色(Yellow:Y)放電串。
同時，可以包括在本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置的等離子顯示板中的紅 色(R)，綠色(G)及藍色(B)放電串的寬度可以實際相同，可以將紅色(R)，綠色 (G)及藍色(B)放電串當(dāng)中的一個以上的放電串的寬度設(shè)為與其他放電串寬度不 同。
例如，可以設(shè)為紅色(R)放電串的寬度最小，綠色(G)及藍色(B)放電串的寬 度大于紅色(R)放電串的寬度。在此，綠色(G)放電串的寬度可以與藍色(B)放電 串的寬度實際相同或不同。
則設(shè)在放電串內(nèi)的熒光體層114寬度也隨著放電串的寬度改變。例如，設(shè) 在藍色(B)放電串的藍色(B)熒光體層寬度，要比設(shè)在紅色(R)放電串內(nèi)的紅色(R) 熒光體層寬度更寬；同時設(shè)在綠色(G)放電串內(nèi)的綠色(G)熒光體層的寬度，要 比設(shè)在紅色(R)放電串內(nèi)的紅色(R)熒光體層的寬度更寬，由此可以提高所體現(xiàn) 的影像色溫特性。
而且，本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置的等離子顯示板不僅可以采用圖1 所示的障壁112結(jié)構(gòu)也可以采取多種形狀的障壁結(jié)構(gòu)。例如，可以采用障壁112 包括第1障壁112b和第2障壁112a，其中第1障壁112b的高度與第2障壁112a 高度互不相同的差等型障壁結(jié)構(gòu)。
在此，如果是差等型障壁結(jié)構(gòu)，則第1障壁112b或第2障壁112a當(dāng)中第1 障壁112b的高度可以低于第2障壁112a高度。
雖然圖1顯示和介紹了本發(fā)明一實例的等離子顯示板中紅色(R)，綠色(G) 及藍色(B)放電串分別排列在同一線上，但是也可以以其他形狀排列。例如，也 可以采取紅色(R)，綠色(G)及藍色(B)放電串按三角形形狀排列的三角(Delta) 型排列。而且，放電串的形狀也可以釆用四角形之外的五角形，六角形等多種 多角形狀。
而且，圖1中只顯示障壁112設(shè)在后面基板111的例子，但是障壁112可 以設(shè)在前面基板101或后面基板111當(dāng)中的任一個基板上。
在此，由障壁112劃分的放電串內(nèi)可以充入一定的放電氣體。
同時，由障壁112劃分的放電串內(nèi)，可以形成尋址放電時釋放顯示圖象的 可見光的熒光體層114。例如，可以形成紅色(Red:R)，綠色(Green:G)，藍色 (Blue:B)熒光體層。
而且，除了紅色(R)，綠色(G)，藍色(B)熒光體之外也可以再形成白色 (Whi te: W)或黃色(Yel low: Y)熒光體層當(dāng)中的至少一個。
而且，紅色(R)，綠色(G)及藍色(B)放電串當(dāng)中至少一個放電串的熒光體層 U4厚度與其他放電串不同。例如，綠色(G)放電串的熒光體層即綠色(G)熒光體 層114b，或藍色放電串的熒光體層，即藍色熒光體層114a的厚度比紅色(R)放 電串的熒光體層即紅色(R)熒光體層114c厚度更厚，在此，綠色(G)放電串的熒 光體層114厚度可以與藍色(B)放電串的熒光體層114厚度實際相同或不同。
同時，以上不過是顯示和介紹了本發(fā)明一實例的等離子顯示板一例，在此 指明本發(fā)明并不限于具有以上結(jié)構(gòu)的等離子顯示板。例如，以上介紹中只顯示 編號104的上部電介質(zhì)層及編號115的下部電介質(zhì)層分別為一個層(Layer)的例 子，但是這種上部電介質(zhì)層或下部電介質(zhì)層當(dāng)中一個以上的電介質(zhì)層可以由多 個層組成。
而且，可以為了防止編號112的障壁引起外部光反射，在障壁112的上部 再設(shè)可以吸收外部光的黑色層(BlackLayer，圖中沒有顯示)。
而且，這種黑色層最好形成在與障壁112對應(yīng)的前面基板101上的特定位 置上。
而且，形成在后面基板111上的尋址電極113的寬度或厚度可以為一定值， 放電串內(nèi)部的寬度或厚度也可以與放電串外部寬度或厚度不同。例如，放電串 內(nèi)部的寬或厚度可以比放電串外部更寬或更厚。
圖2為介紹本發(fā)明一實例的等離子顯示板中體現(xiàn)影像色調(diào)的影像幀(Frame)
的圖片。
分析圖2，則本發(fā)明的一實例的等離子顯示裝置中體現(xiàn)影像色調(diào)(GrayLevel)
的影像幀分為發(fā)光次數(shù)互不相同的多個子字段。
而且，雖然圖中未顯示，多個子字段中的至少一個以上的子字段可以再分 為初始化所有放電串的重置期間(ResetPeriod)，選擇將要放電的放電串的尋址 期間(AddressPeriod)及根據(jù)放電次數(shù)體現(xiàn)色調(diào)的維持期間(SustainPeriod)。
例如，如圖2所示，在以256色調(diào)顯示影像時， 一個影像幀分為8個子字 段SF1至SF8， 8個子字段SF1至SF8再分別分為重置期間，尋址期間及維持期 間。 '
而且，可以通過調(diào)整提供給維持期間的維持信號個數(shù)，設(shè)定相應(yīng)子字段的 色調(diào)加權(quán)值。即，可以利用維持期間為各個子字段設(shè)定一定的色調(diào)加權(quán)值。例 如，可以采用將第1子字段的色調(diào)加權(quán)值設(shè)為2°，將第2子字段的色調(diào)加權(quán)值 設(shè)為21的方法，決定各子字段的色調(diào)加權(quán)值，從而使各個子字段的色調(diào)加權(quán)值 以2"(但是，n=0， 1， 2， 3， 4, 5， 6， 7)的比率增加。如此，可以在各個子字 段中根據(jù)色調(diào)加權(quán)值調(diào)節(jié)在各個子字段的維持期間供應(yīng)的維持信號的個數(shù)，從 而體現(xiàn)多樣的影像色調(diào)。
本發(fā)明一實例的等離子顯示板為了顯示影像，比如為顯示1秒的影像，采 用多個影像幀。例如，為顯示l秒的影像，釆用60個影像幀。此時， 一個影像 幀的長度(T)可以是l/60秒，即16.67ms。
其中，圖2只顯示和介紹了一個影像幀分為8個子字段的例子，但是可以 與其不同，可以多樣變更組成一個影像幀的子字段的個數(shù)。例如，可以由第1 子字段到第12子字段為止的12個子字段組成一個影像幀，也可以由10個子字 段組成一個影像幀。
而且，在圖2所示的一個影像幀內(nèi)各個子字段是按照色調(diào)加權(quán)值大小增加 的順序排列，但是也可以與其不同，按照色調(diào)加權(quán)值減少的順序排列，各個子 字段也可以與色調(diào)加權(quán)值無關(guān)地排列。
圖3為介紹包含在影像幀的子字段中本發(fā)明一實例的等離子顯示裝置的操 作一例的圖片。
分析圖3，在進行初始化的重置期間內(nèi)向掃描電極提供重置信號。重置信號 可以包括上斜(Ramp-Up)信號和下斜(Ramp-Down)信號。
例如，創(chuàng)建(Set-Up)期間內(nèi)，向掃描電極施加從第1電壓V1急劇上升到第 2電壓V2后，電壓再從第2電壓(V2開始逐漸下降到第3電壓V3的上斜(Rarap-Up) 信號。其中，第l電壓V1可以是接地(GND)的電壓。
在這個創(chuàng)建期間內(nèi)，放電串內(nèi)通過上斜信號發(fā)生弱的暗放電 (DarkDischarge)，即創(chuàng)建放電。通過此創(chuàng)建放電，放電串內(nèi)將積累某一程度的
壁電荷(WallCharge)。
在創(chuàng)建期間之后的記憶(Set-Down)期間內(nèi)，可以在上斜信號之后，向掃描 電極提供與這種上斜信號相反極性方向的下斜信號。
其中，下斜信號可以從上斜信號的峰值(Peak)電壓，即從低于第3電壓V3 的第4電壓V4逐漸下降到第5電壓V5。
隨著這種下斜信號的供應(yīng)，在放電串內(nèi)發(fā)生微弱的消除放電 (EraseDischarge)，即記憶放電。通過此記憶放電，將在放電串內(nèi)均勻殘留可 以穩(wěn)定發(fā)生尋址放電的壁電荷。
在重置期間之后的尋址期間內(nèi)，可以向掃描電極提供實際維持比下斜信號 的最低電壓即第5電壓V5更高電壓，例如第6電壓V6的掃描偏置信號。
同時，可以向掃描電極提供從掃描偏置信號開始具有Vy的掃描信號。
同時，至少一個子字段的尋址期間內(nèi)向掃描電極提供掃描信號(Scan)的脈 沖寬度可以與其他子字段的掃描信號脈沖寬度不同。例如，在時間上位于后位 的子字段中的掃描信號脈沖寬度可以比在前面的子字段中的掃描信號脈沖寬度 更小。而且，子字段排列順序的掃描信號寬度減少可以采用2.6/zs(微秒)，2.3
//s， 2. 1 /"s， 1. 9 /^s等漸進的方式，或采用2. 6 /"s， 2. 3 //s， 2. 3 /"s， 2.1 As......1. 9
//s， 1.9//s等方式。
如此，向掃描電極提供掃描信號時，可以與掃描信號對應(yīng)，向?qū)ぶ冯姌O提 供具有Vd大小的數(shù)據(jù)信號。
隨著這些掃描信號和數(shù)據(jù)信號的供應(yīng)，掃描信號與數(shù)據(jù)信號的電壓之差將 與，重置期間內(nèi)生成的壁電荷引起的壁電壓相加，由此在供應(yīng)數(shù)據(jù)信號的放電 串內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。
在此，在尋址期間內(nèi)，為了防止維持電極的干涉引起尋址放電的不穩(wěn)定， 可以向維持電極提供維持偏置信號。
維持偏置信號實際穩(wěn)定維持小于在維持期間施加維持信號的電壓，大于接 地電平(GND)的電壓的維持偏置電壓Vz。
之后，在顯示影像的維持期間內(nèi)向掃描電極和維持電極當(dāng)中的一個以上電 極提供維持信號。例如，可以向掃描電極和維持電極交替施加維持信號。
若提供這樣的維持信號，則通過尋址放電被選的放電串在隨著放電串內(nèi)壁 電壓和維持信號的維持電壓Vs相加而提供維持信號時，在掃描電極和維持電極 之間產(chǎn)生維持放電即顯示放電。
同時，至少一個子字段中，在維持期間內(nèi)提供多個維持信號，多個維持信 號中至少一個維持信號的脈沖寬度可以與其他維持信號的脈沖寬度不同。例如，
多個維持信號當(dāng)中最先提供的維持信號的脈沖寬度大于其他維持信號的脈沖寬度。則維持放電可以更加穩(wěn)定。
圖4為進一步具體介紹第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的圖片。
分析圖4,則第1電介質(zhì)層104a覆蓋配置在前面基板101的掃描電極102 和維持電極103，第2電介質(zhì)層104b設(shè)在第1電介質(zhì)層104a上部。
而且，第1電介質(zhì)層104a的介電常數(shù)(Permittivity) ( e l)大于第2電介 質(zhì)層104b的介電常數(shù)(e 2)，同時第1電介質(zhì)層104a的厚度(t2)比第2電介質(zhì) 層104b的厚度(t3)更薄。
圖5a至圖5b為介紹第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層效能的圖片。
首先分析圖5a，貝U(b)為設(shè)在前面基板101的電介質(zhì)層500為單個層 (OneLayer)的例子，(a)為前面基板101上同時配置第1電介質(zhì)層104a和第2 電介質(zhì)層104b的例子。
如(b)所示，前面基板101上配置一個電介質(zhì)層500時，為了維持掃描電極 102和維持電極103的絕緣狀態(tài)，要充分加厚電介質(zhì)層500的厚度(t20)。
而且，在(b)中，為了維持掃描電極102和維持電極103的絕緣狀態(tài)的同時 加薄電介質(zhì)層500的厚度(t20)，需要充分加大電介質(zhì)層500的介電常數(shù)。但是， 電介質(zhì)層500的介電常數(shù)過高時，會增加等離子顯示板的整體靜電容量，會降 低驅(qū)動效率。
相反，如(a)所示，配置覆蓋掃描電極102和維持電極103的介電常數(shù)相對 大的第1電介質(zhì)層104a，在第1電介質(zhì)層104a上部配置介電常數(shù)相對小的第2 電介質(zhì)層104b，則維持掃描電極102和維持電極103的絕緣狀態(tài)的同時，充分 加薄第l， 2電介質(zhì)層104a， 104b的總厚度(t10)，而且也可以抑制等離子顯示 板整體靜電容量的過度增加。
以下分析圖5b，則顯示對比較例l， 2和實例1， 2， 3進行比較的數(shù)據(jù)。
比較例1中，如圖5a的(b)所示，在前面基板上配置一個電介質(zhì)層的例子， 其厚度約為50 //m(微米)，其介電常數(shù)約為12. 8。
比較例2中，如圖5a的(a)所示，配置第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層，但 是第1電介質(zhì)層的厚度比第2電介質(zhì)層的厚度更厚的例子。更具體地說，第1 電介質(zhì)層的厚度為20 ，，第2電介質(zhì)層的厚度為10 ，，第1電介質(zhì)層的介電 常數(shù)為14. 1，第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)為8. 5。
實例1中，第1電介質(zhì)層的厚度比第2電介質(zhì)層的厚度更薄，第1電介質(zhì) 層的厚度為10 //m,第2電介質(zhì)層的厚度為20 ，，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)為 14.1，第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)為8.5。
實例2中，第1電介質(zhì)層的厚度為12 //m，第2電介質(zhì)層的厚度為16戶， 第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)為14. 1，第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)為8. 5。
實例3中，第1電介質(zhì)層的厚度為10泖，第2電介質(zhì)層的厚度為15 //m， 第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)為14. 1，第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)為8. 5。
比較例1中，電介質(zhì)層的厚度為50岸，比較厚，因此掃描電極和維持電極 之間的放電開始電壓(Y-Z放電開始電壓)為相對高的165V，放電效率為相對低 的1.45[lm/W]。
相反，實例1， 2， 3中，介電常數(shù)相對高的第1電介質(zhì)層保護掃描電極和 維持電極，第1電介質(zhì)層上部配置了介電常數(shù)相對低的第2電介質(zhì)層，第l， 2 電介質(zhì)層的總厚度充分薄，由此掃描電極和維持電極之間的放電開始電壓約在 154V到157V比較穩(wěn)定，放電效率為1.58[lm/W]到1.61[lm/W]左右，具有相對 高的值。
同時，比較例2中，與實例l， 2， 3不同，比第1電介質(zhì)層的第2電介質(zhì) 層的厚度更厚，因此第l, 2電介質(zhì)層的總介電常數(shù)之和相對大，因此掃描電極 和維持電極之間的放電開始電壓約為161V，放電效率為相對低的1.50[lm/W]。
分析圖5a至圖5b數(shù)據(jù)時，前面基板配置了介電常數(shù)相對大的第1電介質(zhì) 層和介電常數(shù)相對小的第2電介質(zhì)層，同時最好第1電介質(zhì)層的厚度比第2電 介質(zhì)層的厚度更薄。
以下，圖6a至圖6b為介紹第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的厚度的圖片。
首先，圖6a中維持第l， 2電介質(zhì)層的厚度(t2+t3)之和為30嬋的狀態(tài)下， 將第1電介質(zhì)層的厚度(t2)從第2電介質(zhì)層厚度(t3)的0. 05倍改變到1. 0倍的 同時，測定維持放電效率。在此，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)為13.6，第2電介 質(zhì)層的介電常數(shù)為9.0。
分析圖6a，則第1電介質(zhì)層的厚度(t2)為第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0. 05 倍以上0.72倍以下時，可以得知維持放電效率約為1.63[lm/W]到1.68[lm/W]
之間，放電效率很髙。
而且，第l電介質(zhì)層的厚度(t2)為第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0.72倍以上
0. 98倍以下時，維持放電效率約為1.63[lm/W]到1.52[lm/W]，可以得知逐漸下 降。如此，可以認為放電效率為1.52[lm/W]以上1.63[lm/W]以下時，放電效率 相對高。
相反，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)超過第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0.98倍時， 維持放電效率急劇下降到約1.52[lm/W]以下；第1電介質(zhì)層的厚度(t2)為第2 電介質(zhì)層的厚度(t3)的l.O倍時放電效率下降到約1.44[lm/W]為止。
以下，圖6b中，在維持第1， 2電介質(zhì)層的厚度(t2+t3)之和為30，的狀 態(tài)下，將第1電介質(zhì)層的厚度(t2)從第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0. 05倍改變到
1. 倍的同時，判斷第1電介質(zhì)層制造工序的工序難易度，觀察維持放電的放電
穩(wěn)定性。在此，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)為13.6，第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)為 9.0。同時，O表示工序難易度或放電穩(wěn)定性良好， 表示很好，X表示不良。
第1電介質(zhì)層的厚度(t2)小于第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0.05倍時，第1 電介質(zhì)層的厚度(t2)約為1.43周，在工序上很難將第l電介質(zhì)層設(shè)為約1.43 戶的厚度，因此工序難易度為不良(X)。
相反，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)為第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0. 1倍以上 0.15倍以下時，可以確保一定程度的第1電介質(zhì)層厚度(t2)，因此工序難易度 為良好(O)。
而且，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)為第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0. 22倍以上， 并小于1.0倍時，第l電介質(zhì)層的厚度(t2)充分，因此工序難易度很好( )。
同時，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)小于第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0. 05倍時， 介電常數(shù)相對大的第1電介質(zhì)層過薄，維持放電會不穩(wěn)定，因此放電穩(wěn)定性為 不良(X)。
相反，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)為第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0.1倍以上 0.2倍以下時，可以一定程度確保介電常數(shù)相對大的第1電介質(zhì)層厚度，因此維 持放電穩(wěn)定，因此放電穩(wěn)定性為良好(O)。
而且，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)為第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0. 22倍以上， 并小于1.0倍時，介電常數(shù)相對大的第1電介質(zhì)層的厚度充分，因此維持放電 充分穩(wěn)定，因此放電穩(wěn)定性為很好( )。
分析以上的圖6a至圖6b數(shù)據(jù)時，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)最好為第2電 介質(zhì)層的厚度(t3)的0.1倍以上0. 98倍以下，最好第1電介質(zhì)層的厚度(t2)為 第2電介質(zhì)層的厚度(t3)的0. 22倍以上0. 72倍以下。
以下，圖7為進一步具體介紹第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)的 圖片。
圖7中將第1電介質(zhì)層的厚度設(shè)為10 ，，第2電介質(zhì)層的厚度設(shè)為20 ，， 改變用于制造第1電介質(zhì)層的電介質(zhì)材質(zhì)，將第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)從第2 電介質(zhì)層的介電常數(shù)的1.01倍改變到5.6倍的同時，測定維持放電的效率，觀 察維持放電穩(wěn)定性。
在此，用于制造第1電介質(zhì)層或第2電介質(zhì)層的電介質(zhì)材質(zhì)為玻璃材質(zhì)， 可以是PbO-B203-Si02系玻璃、P206-B203-ZnO系玻璃、ZnO-B203-RO(RO為BaO， SrO， LaA， Bi20" P20" SnO當(dāng)中的任一個)系玻璃、ZnO-BaO-RO(RO為SrO， La203， Bi203， P203， SnO當(dāng)中的任一個)系玻璃、ZnO~Bi203-R0(R0為SrO， La203， P203， SnO當(dāng)中的任一個)系玻璃當(dāng)中任一個或兩個以上的混合物。同時，可以在上述 玻璃材質(zhì)中添加金屬或非金屬添加劑。
而且，o表示維持放電穩(wěn)定性良好， 表示很好，x表示不良。
分析圖7，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)(e l)為第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)(e 2) 的1. 01倍以上2.1倍以下時，維持放電效率為1. 68[lm/W]到1. 62[lm/W]之間， 具有很高的值。而且，第l電介質(zhì)層的介電常數(shù)(el)為第2電介質(zhì)層的介電常 數(shù)(e2)的2.3倍以上5.2倍以下時，維持放電的效率具有1.6[lm/W]到 1.57[lm/W]之間的穩(wěn)定值。
相反，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)(e l)超過第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)(e 2) 的5.2倍時，會過度增加第l， 2電介質(zhì)層的整體靜電容量值，維持放電的效率 急劇下降到1.50[lm/W]以下。
同時，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)(el)為第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)(e2)的 1. 01倍以上1. 05倍以下時，與掃描電極和維持電極接觸的第1電介質(zhì)層的介電 常數(shù)過小，同時與第1， 2電介質(zhì)層的介電常數(shù)相比，第1， 2電介質(zhì)層的厚度 薄，維持放電會不穩(wěn)定。因此，放電穩(wěn)定性為不良(X)。
相反，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)(e l)為第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)(e2)的 1. 1倍以上1. 2倍以下時， 一定程度確保第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)，因此放電穩(wěn) 定性為良好(O)。
而且，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)(e l)為第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)"2)的 1.3倍以上時，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)充分大，因此放電穩(wěn)定性為很好( )。
分析以上的圖7數(shù)據(jù)時，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)(e l)最好為第2電介質(zhì) 層的介電常數(shù)(e 2)的1. 1倍以上5. 2倍以下，最好第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)(e 1)為第2電介質(zhì)層的(e 2)的1. 3倍以上2.1倍以下。
同時，考慮覆蓋掃描電極和維持電極的第1電介質(zhì)層影響掃描電極和維持 電極絕緣，則第1電介質(zhì)層的厚度可以根據(jù)掃描電極或維持電極的厚度決定。 結(jié)合附加的圖8，對其分析如下。
圖8為介紹第1電介質(zhì)層的厚度和掃描電極或維持電極的厚度的圖片。
圖8中，在維持第l， 2電介質(zhì)層的厚度(t2+t3)之和為30岸，及維持掃描 電極或維持電極最大厚度(tl)為IO，的狀態(tài)下，將第1電介質(zhì)層的厚度(t2)從 掃描電極或維持電極最大厚度(tl)的0. 85倍改變到7. 5倍的同時，測定維持放 電的放電穩(wěn)定性及維持放電的效率。在此，第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)設(shè)為12.8， 第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)設(shè)為9. 0。同時，O表示工序難易度或放電穩(wěn)定性良好， 表示很好，X表示不良。
分析圖8，則第1電介質(zhì)層的厚度(t2)為掃描電極或維持電極最大厚度(tl) 的0.85倍以上0.95倍以下時，與掃描電極或維持電極最大厚度(tl)相比，第l 電介質(zhì)層的厚度(t2)過薄，驅(qū)動時難以使掃描電極和維持電極充分絕緣。因此，放電穩(wěn)定性為不良(X)。
同時，此時第1電介質(zhì)層的厚度(t2)過薄，因此第1電介質(zhì)層的工序難易 度也不良(X)。
相反，第l電介質(zhì)層的厚度(t2)為掃描電極或維持電極最大厚度(tl)的0. 98 倍以上1.2倍以下時，與掃描電極或維持電極最大厚度(tl)相比，第1電介質(zhì) 層的厚度(t2)為適當(dāng)，因此放電穩(wěn)定性為良好(O)。
而且，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)為掃描電極或維持電極最大厚度(tl)的1.4 倍以上時，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)充分厚，驅(qū)動時可以充分是掃描電極和維 持電極之間絕緣。因此，放電穩(wěn)定性為很好( )。
同時，第l電介質(zhì)層的厚度(t2)為掃描電極或維持電極最大厚度(tl)的7.4 倍以上時，與掃描電極或維持電極最大厚度(tl)相比，第1電介質(zhì)層的厚度(t2) 過厚，因此掃描電極和維持電極之間的放電開始電壓會過高。因此，維持放電 效率為不良(X)。
相反，第l電介質(zhì)層的厚度(t2)為掃描電極或維持電極最大厚度(tl)的3.8 倍以上7.3倍以下時，與掃描電極或維持電極最大厚度(tl相比，第l電介質(zhì)層 的厚度(t2)為適當(dāng)，因此維持放電效率為良好(O)。
而且，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)為掃描電極或維持電極最大厚度(tl)的3.2 倍以下時，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)充分薄，因此降低掃描電極和維持電極之 間的放電開始電壓。因此，維持放電效率為很好( )。
分析以上的圖8的數(shù)據(jù)時，第1電介質(zhì)層的厚度(t2)最好為掃描電極或維 持電極最大厚度(tl)的0. 98倍以上7. 3倍以下。最好，第1電介質(zhì)層的厚度(t2) 為掃描電極或維持電極最大厚度(tl)的1. 4倍以上3. 2倍以下。
以下，圖9為介紹掃描電極和維持電極另一種結(jié)構(gòu)一例的圖片。
分析圖9，則掃描電極902和維持電極903可以分別由多個層(Layer)組成。
例如，掃描電極902和維持電極903最好包括由電導(dǎo)性優(yōu)異的金屬材質(zhì)例 如銀材質(zhì)組成的總線電極902b, 903b和透明材質(zhì)，例如銦錫氧化物 (IndiumTinOxide: ITO)材質(zhì)的透明電極902a， 903a。
這種圖9中，掃描電極或維持電極最大厚度最好為透明電極902a， 903a和 總線電極902b， 903b高度之和(t1，)。
而且，掃描電極902和維持電極903包含總線電極902b， 903b時，為了防 止總線電極902b, 903b引起外部光反射，可以在透明電極902a, 903a和總線 電極902b， 903b之間再設(shè)黑色層(圖中沒有顯示)。
如上所述，可以理解上述本發(fā)明的技術(shù)組成是本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的業(yè)內(nèi) 人士不對本發(fā)明的技術(shù)思想或必要特點進行變更，就可以以其他具體形式實施。
例如，以上只介紹了在第1電介質(zhì)層上部配置第2電介質(zhì)層，在第2電介質(zhì)層 上部配置保護層的例子，但是可以在第1電介質(zhì)層和第2電介質(zhì)層之間再包含 其他電介質(zhì)層，或者在第2電介質(zhì)層和保護層之間再包含另一個電介質(zhì)層。
因此，應(yīng)理解以上所記述的實例是在各方面的例示，并不是為限制。比上 述詳細介紹，更能顯示本發(fā)明的范圍的是后述的專利申請范圍，應(yīng)解釋為從專 利申請范圍的意義及范圍且其等價觀念導(dǎo)出的所有變更或變更形式都包括在本 發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1、一種等離子顯示板，其特征在于，它包括前面基板；互相并排配置在上述前面基板上的掃描電極和維持電極；覆蓋上述掃描電極和維持電極的第1電介質(zhì)層；以及設(shè)在上述第1電介質(zhì)層上部的第2電介質(zhì)層；第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)大于上述第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)，上述第1電介質(zhì)層的厚度比上述第2電介質(zhì)層的厚度薄。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，在上述第2電介質(zhì) 層上部再配置包含氧化鎂材質(zhì)的保護層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層 的厚度為上述第2電介質(zhì)層的厚度的0.1倍以上0. 98倍以下。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層 的厚度為上述第2電介質(zhì)層的厚度的0. 22倍以上0. 72倍以下。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層 的介電常數(shù)為上述第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)的1. 1倍以上5. 2倍以下。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層 的介電常數(shù)為上述第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)的1. 3倍以上2.1倍以下。
7、 一種等離子顯示板，其特征在于，它包括前面基板；互相并排配置在 上述前面基板的掃描電極和維持電極；覆蓋上述掃描電極和維持電極的第1電 介質(zhì)層；以及配置在上述第1電介質(zhì)層的上部的第2電介質(zhì)層；上述第1電介 質(zhì)層的介電常數(shù)比上述第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)大，上述第1電介質(zhì)層的厚度 為上述掃描電極或維持電極最大厚度的0. 98倍以上7. 3倍以下。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第l電介質(zhì)層 的厚度為掃描電極或維持電極最大厚度的1. 4倍以上3. 2倍以下。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，在上述第2電介質(zhì) 層的上部再設(shè)包含氧化鎂材質(zhì)的保護層。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì) 層的厚度比上述第2電介質(zhì)層的厚度更薄。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì)層 的厚度為上述第2電介質(zhì)層的厚度的0. 1倍以上0. 98倍以下。
12、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì) 層的厚度為上述第2電介質(zhì)層的厚度的0. 3倍以上0. 72倍以下。
13、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第l電介質(zhì) 層的介電常數(shù)為上述第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)的1.1倍以上5. 2倍以下。
14、根據(jù)權(quán)利要求7所述的等離子顯示板，其特征在于，上述第1電介質(zhì) 層的介電常數(shù)為上述第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)的1. 3倍以上2. 1倍以下。
全文摘要
本發(fā)明為等離子顯示板相關(guān)發(fā)明，配置覆蓋掃描電極和維持電極的第1電介質(zhì)層，在第1電介質(zhì)層的上部配置具有比第1電介質(zhì)層的厚度更大的厚度，介電常數(shù)更小的第2電介質(zhì)層，可以減少電介質(zhì)層的整體厚度。而且，本發(fā)明一實例的等離子顯示板減少電介質(zhì)層的整體厚度的同時抑制放電不穩(wěn)定，而且可以提高放電效率。本發(fā)明一實例的等離子顯示板包括前面基板和；互相并排配置在前面基板上的掃描電極和維持電極和；覆蓋掃描電極和維持電極的第1電介質(zhì)層；及設(shè)在第1電介質(zhì)層上部的第2電介質(zhì)層；第1電介質(zhì)層的介電常數(shù)大于第2電介質(zhì)層的介電常數(shù)，第1電介質(zhì)層的厚度比第2電介質(zhì)層的厚度薄。
文檔編號H01J17/49GK101197238SQ20081000245
公開日2008年6月11日 申請日期2008年1月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月13日
發(fā)明者林謹洙 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司