專利名稱：高低差圖案化膜層與等離子顯示器之阻隔壁的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種制造圖案化膜層的方法，且特別涉及一種制造具有高低差之圖案化膜層的方法。
背景技術：
目前較為普遍的圖案化工藝包括網(wǎng)版印刷工藝以及光刻/蝕刻工藝。以光刻/蝕刻工藝來說，公知技術是先利用光刻工藝在膜層上制造圖案化光刻膠層。接著，再以此圖案化光刻膠層為掩膜，對此膜層進行蝕刻工藝，以將圖案化光刻膠層的圖案轉(zhuǎn)移至此膜層上。之后，再以化學溶液或等離子等濕式或干式去光刻膠法，將圖案化光刻膠層由此膜層上移除。此外，若欲制造具有高低差之圖案化膜層，則需進行兩道圖案化工藝，包括重復進行兩次網(wǎng)版印刷或光刻/蝕刻工藝。
隨著目前平面顯示器的蓬勃發(fā)展，上述之圖案化工藝在顯示器的制造中更是常見，其中諸如液晶顯示器或等離子顯示器等皆需通過多道圖案化工藝來形成所需之膜層。
舉例而言，公知技術在制造等離子顯示器之阻隔壁時，是先在基板上形成阻隔材料層，并在阻隔材料層上形成圖案化光刻膠層。之后，通過此圖案化光刻膠層為掩膜對阻隔材料層進行噴砂(sandblasting)蝕刻，以形成阻隔壁。
常見之阻隔壁的結(jié)構(gòu)包括有直條狀(stripe)、格子狀(waffle)、曲折狀或具有高低差(step-formed)等形態(tài)，其中具有高低差之阻隔壁因有利于抽氣的進行，因此可縮短抽氣時間，并可減少顯示器內(nèi)之不純物。然而，受限于目前圖案化工藝技術的發(fā)展，若欲制造具有高低差之阻隔壁通常需進行兩道以上的圖案化工藝或其他繁復的工藝，因此將相對增加制造成本，并導致生產(chǎn)效率下降。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種等離子顯示器之阻隔壁的制造方法，其具有較簡化之工藝步驟，并可制造具有高低差之阻隔壁。
本發(fā)明的再一目的是提供一種高低差圖案化膜層的制造方法，其工藝較為簡化，因此具有較佳之生產(chǎn)效率。
基于上述或其他目的，本發(fā)明提出一種等離子顯示器之阻隔壁的制造方法。首先，提供基板，其中此基板上已形成有多個尋址電極以及一個介電層，且介電層覆蓋這些尋址電極。接著，在介電層上形成第一阻隔材料層。然后，在第一阻隔材料層上形成第一圖案化干膜光刻膠。之后，在第一阻隔材料層上形成第二阻隔材料層，并使第二阻隔材料層覆蓋第一圖案化干膜光刻膠。接著，在第二阻隔材料層上形成第二圖案化干膜光刻膠，其中第一圖案化干膜光刻膠與第二圖案化干膜光刻膠具有不同的圖案，用以在基板上定義出多個放電區(qū)域，且第二圖案化干膜光刻膠還暴露出第一圖案化干膜光刻膠上方的第二阻隔材料層，而尋址電極分別通過放電區(qū)域。然后，以第二圖案化干膜光刻膠與第一圖案化干膜光刻膠為掩膜，對第二阻隔材料層與第一阻隔材料層進行噴砂蝕刻。之后，依次移除第二圖案化干膜光刻膠與第一圖案化干膜光刻膠。
在本發(fā)明之較佳實施例中，第一圖案化干膜光刻膠例如包括多個相互平行的第一條狀圖案，而第二圖案化干膜光刻膠例如包括多個相互平行的第二條狀圖案，且這些第一條狀圖案的延伸方向與第二條狀圖案的延伸方向相交。
在本發(fā)明之較佳實施例中，上述之第一條狀圖案的延伸方向例如是垂直于第二條狀圖案的延伸方向。
在本發(fā)明之較佳實施例中，在基板上形成第一阻隔材料層的方法例如是印刷。
在本發(fā)明之較佳實施例中，在基板上形成第二阻隔材料層的方法例如是印刷。
在本發(fā)明之較佳實施例中，上述之放電區(qū)域例如是呈格狀。
在本發(fā)明之較佳實施例中，上述之第一阻隔材料層與第二阻隔材料層例如具有相同的材料。
在本發(fā)明之較佳實施例中，上述之第一阻隔材料層例如具有平坦的表面。
在本發(fā)明之較佳實施例中，上述之第二阻隔材料層例如具有平坦的表面。
本發(fā)明還提出一種高低差圖案化膜層的制造方法。首先，在第一材料層上形成第一圖案化干膜光刻膠。接著，在第一材料層上形成第二材料層，并使第二材料層覆蓋第一圖案化干膜光刻膠。然后，在第二材料層上形成第二圖案化干膜光刻膠，其中第一圖案化干膜光刻膠與第二圖案化干膜光刻膠具有不同的圖案，且第二圖案化干膜光刻膠還暴露出第一圖案化干膜光刻膠上方的第二材料層。之后，以第二圖案化干膜光刻膠與第一圖案化干膜光刻膠為掩膜，移除部分第二材料層與部分第一材料層。接著，移除第二圖案化干膜光刻膠與第一圖案化干膜光刻膠。
在本發(fā)明之較佳實施例中，在第一材料層上形成第二材料層的方法包括印刷。
在本發(fā)明之較佳實施例中，移除部分第一材料層與部分第二材料層的方法包括對第一材料層與第二材料層進行噴砂蝕刻。
在本發(fā)明之較佳實施例中，上述之第二材料層例如是采用與第一材料層相同的材料。
在本發(fā)明之較佳實施例中，上述之第一材料層例如具有平坦的表面。
在本發(fā)明之較佳實施例中，上述之第二材料層例如具有平坦的表面。
基于上述，本發(fā)明僅通過高、低位之干膜光刻膠并搭配一道移除的工序，便可形成具有高低差之圖案化膜層，因此步驟上較為簡化且快速。此外，將此技術應用于制造等離子顯示器之阻隔壁時，可形成具有高低差之阻隔壁，因此有助于改善抽氣效果，減少顯示器內(nèi)之不純物，進而提高制造合格率。
為讓本發(fā)明之上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。


圖1為本發(fā)明之較佳實施例之一種制造高低差圖案化膜層之方法的流程圖。
圖2A～2E依次為本發(fā)明之較佳實施例之一種制造高低差圖案化膜層的示意圖。
圖3為本發(fā)明之較佳實施例之一種制造等離子顯示器之阻隔壁之方法的流程圖。
圖4A～4G依次為本發(fā)明之較佳實施例之一種制造等離子顯示器之阻隔壁的示意圖。
主要元件標記說明110第一材料層120第一圖案化干膜光刻膠130第二材料層140第二圖案化干膜光刻膠200基板202尋址電極204介電層
210第一阻隔材料層220第一圖案化干膜光刻膠222第一條狀圖案230第二阻隔材料層240第二圖案化干膜光刻膠242第二條狀圖案h高低差步驟S1在第一材料層上形成第一圖案化干膜光刻膠步驟S2在第一材料層上形成第二材料層，并使第二材料層覆蓋第一圖案化干膜光刻膠步驟S3在第二材料層上形成第二圖案化干膜光刻膠，其中第一圖案化干膜光刻膠與第二圖案化干膜光刻膠具有不同的圖案，且第二圖案化干膜光刻膠還暴露出第一圖案化干膜光刻膠上方的第二材料層步驟S4以第二圖案化干膜光刻膠與第一圖案化干膜光刻膠為掩膜，移除部分第二材料層與部分第一材料層步驟S5移除第二圖案化干膜光刻膠與第一圖案化干膜光刻膠步驟W1提供一個基板，其中此基板上已形成有多個尋址電極以及一個介電層，且介電層覆蓋這些尋址電極步驟W2在介電層上形成第一阻隔材料層步驟W3在第一阻隔材料層上形成第一圖案化干膜光刻膠步驟W4在第一阻隔材料層上形成第二阻隔材料層，并使第二阻隔材料層覆蓋第一圖案化干膜光刻膠步驟W5在第二阻隔材料層上形成第二圖案化干膜光刻膠，其中第一圖案化干膜光刻膠與第二圖案化干膜光刻膠具有不同的圖案，且第二圖案化干膜光刻膠還暴露出第一圖案化干膜光刻膠上方的第二阻隔材料層步驟W6以第二圖案化干膜光刻膠與第一圖案化干膜光刻膠為掩膜，對第二阻隔材料層與第一阻隔材料層進行噴砂蝕刻步驟W7依次移除第二圖案化干膜光刻膠與第一圖案化干膜光刻膠具體實施方式
請參照圖1與圖2A～2E，其中圖1為本發(fā)明之較佳實施例的一種制造高低差圖案化膜層之方法的流程圖，而圖2A～2E依次為此制造方法的示意圖。
首先，如圖2A所示，在第一材料層110上形成第一圖案化干膜光刻膠120，其中此第一圖案化干膜光刻膠120暴露出部分第一材料層110(步驟S1)。
接著，如圖2B所示，在第一材料層110上形成第二材料層130，并使第二材料層130覆蓋第一圖案化干膜光刻膠120。其中，第二材料層130例如是通過印刷的方式所形成(步驟S2)。
然后，如圖2C所示，在第二材料層130上形成第二圖案化干膜光刻膠140，其中第一圖案化干膜光刻膠120與第二圖案化干膜光刻膠140具有不同的圖案，且第二圖案化干膜光刻膠140會暴露出第一圖案化干膜光刻膠120上方的第二材料層130(步驟S3)。在本實施例中，第二圖案化干膜光刻膠140例如暴露出第一圖案化干膜光刻膠120上方的第二材料層130，亦即第一圖案化干膜光刻膠120與第二圖案化干膜光刻膠140的圖案相鄰接。當然，在其他實施例中，第一圖案化干膜光刻膠120與第二圖案化干膜光刻膠140的圖案例如可不相交，或有部分重合。
之后，如圖2D所示，以第二圖案化干膜光刻膠140與第一圖案化干膜光刻膠120為掩膜，移除部分第二材料層130與部分第一材料層110(步驟S4)。在本發(fā)明中，例如是對第一材料層110與第二材料層130進行噴砂蝕刻，或是采用其他例如濕式蝕刻或干式蝕刻等技術，所述技術領域的技術人員當可視第一材料層110與第二材料層130的特性選用適當?shù)墓に?。值得注意的是，在此移除的步驟中，僅有第一圖案化干膜光刻膠120下方的第一材料層110以及第二圖案化干膜光刻膠140下方的第一材料層110與第二材料層130會被留下。
接著，如圖2E所示，將第二圖案化干膜光刻膠140與第一圖案化干膜光刻膠120剝除(步驟S5)。如此，所留下的第一材料層110與第二材料層130將可構(gòu)成一具有高低差h之圖案化膜層。
以下將再舉等離子顯示器之阻隔壁的制造方法為例，來說明本發(fā)明之應用。請參照圖3與圖4A～4G，其中圖3為本發(fā)明之較佳實施例的一種制造等離子顯示器阻隔壁的方法的流程圖，而圖4A～4G依次為此制造方法的示意圖。
首先，如圖4A所示，提供基板200。其中，基板200上已形成有多個尋址電極202以及覆蓋尋址電極202的一個介電層204(步驟W1)。
接著，如圖4B至4D所示，先在介電層204上形成第一阻隔材料層210。然后，在第一阻隔材料層210上形成第一圖案化干膜光刻膠220，再在第一阻隔材料層210上形成第二阻隔材料層230，并使第二阻隔材料層230覆蓋第一圖案化干膜光刻膠220(步驟W2至W4)。在本實施例中，第二阻隔材料層230的材料例如與第一阻隔材料層210的材料相同。此外，第一阻隔材料層210與第二阻隔材料層230例如是通過印刷的方式所形成，因此可具有較為平坦的表面。
然后，如圖4E所示，在第二阻隔材料層230上形成第二圖案化干膜光刻膠240，其中第一圖案化干膜光刻膠220與第二圖案化干膜光刻膠240具有不同的圖案，且第二圖案化干膜光刻膠240還暴露出第一圖案化干膜光刻膠220上方的第二阻隔材料層230(步驟W5)。通過第一圖案化干膜光刻膠220與第二圖案化干膜光刻膠240可在基板200上定義出多個放電區(qū)域(如圖4G所示)，而尋址電極202分別通過放電區(qū)域(如圖4G所示)。
值得注意的是，本發(fā)明所形成之阻隔壁的形狀取決于第一圖案化干膜光刻膠220與第二圖案化干膜光刻膠240的圖案。舉例而言，本實施例欲形成格狀之阻隔壁，因此第一圖案化干膜光刻膠220例如是由多個相互平行的第一條狀圖案222所構(gòu)成，而第二圖案化干膜光刻膠240例如是由多個相互平行的第二條狀圖案242所構(gòu)成。其中，第一條狀圖案222的延伸方向例如是垂直于第二條狀圖案242的延伸方向，且第二條狀圖案242會暴露出第一條狀圖案222上方的第二阻隔材料層230。當然，在本發(fā)明之其他實施例中，第一圖案化干膜光刻膠220與第二圖案化干膜光刻膠240的圖案當可隨所欲形成之阻隔壁的形狀而有所不同，在此將不再一一贅述。
之后，如圖4F所示，以第二圖案化干膜光刻膠240與第一圖案化干膜光刻膠220為掩膜，對第二阻隔材料層230與第一阻隔材料層210進行噴砂蝕刻(步驟W6)。此時，第二圖案化干膜光刻膠240所暴露之第二阻隔材料層230將先被移除，接著被第一圖案化干膜光刻膠220與第二圖案化干膜光刻膠240所暴露之第一阻隔材料層210也被移除。因此，僅僅有第一圖案化干膜光刻膠220下方的第一阻隔材料層210以及第二圖案化干膜光刻膠240下方的第一阻隔材料層210與第二阻隔材料層230會被留下。
然后，如圖4G所示，依次剝除第二圖案化干膜光刻膠240與第一圖案化干膜光刻膠220(步驟W7)。如此一來，基板200上所殘留之第一阻隔材料層210與第二阻隔材料層230便可構(gòu)成具有高低差h的阻隔壁。
值得一提的是，上述實施例所形成之圖案化膜層(阻隔壁)，其高低差h由第二(阻隔)材料層的厚度決定。更詳細地說，若欲形成具有較大之高低差h的圖案化膜層(阻隔壁)，則可形成較厚的第二(阻隔)材料層。此外，本發(fā)明亦不僅限于形成兩層干膜光刻膠與材料層，在合理的情況下，還可增加干膜光刻膠與材料層相互搭配的層數(shù)，以形成具有更多高度變化的圖案化膜層(阻隔壁)。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列特征與優(yōu)點(一)通過高、低位之干膜光刻膠搭配一道移除的工序來形成具有高低差之圖案化膜層，因此步驟上較為簡化且快速，有助于提升生產(chǎn)效率。
(二)本發(fā)明應用于制造等離子顯示器之阻隔壁時，可形成具有高低差之阻隔壁，因此有助于改善抽氣效果，減少顯示器內(nèi)之不純物，進而提高制造合格率。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術領域的技術人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當可作些許之更動與改進，因此本發(fā)明之保護范圍當視權(quán)利要求所界定者為準。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示器之阻隔壁的制造方法，其特征是包括提供基板，該基板上已形成有多個尋址電極以及一個介電層，且該介電層覆蓋上述這些尋址電極；在該介電層上形成第一阻隔材料層；在該第一阻隔材料層上形成第一圖案化干膜光刻膠；在該第一阻隔材料層上形成第二阻隔材料層，并使該第二阻隔材料層覆蓋該第一圖案化干膜光刻膠；在該第二阻隔材料層上形成第二圖案化干膜光刻膠，其中該第一圖案化干膜光刻膠與該第二圖案化干膜光刻膠具有不同的圖案，用以在該基板上定義出多個放電區(qū)域，且該第二圖案化干膜光刻膠還暴露出該第一圖案化干膜光刻膠上方的該第二阻隔材料層，而上述這些尋址電極分別通過上述這些放電區(qū)域；以該第二圖案化干膜光刻膠與該第一圖案化干膜光刻膠為掩膜，對該第二阻隔材料層與該第一阻隔材料層進行噴砂蝕刻；以及依次移除該第二圖案化干膜光刻膠與該第一圖案化干膜光刻膠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器之阻隔壁的制造方法，其特征是該第一圖案化干膜光刻膠包括多個相互平行的第一條狀圖案，而該第二圖案化干膜光刻膠包括多個相互平行的第二條狀圖案，且上述這些第一條狀圖案的延伸方向與上述這些第二條狀圖案的延伸方向相交。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子顯示器之阻隔壁的制造方法，其特征是上述這些第一條狀圖案的延伸方向垂直于上述這些第二條狀圖案的延伸方向。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器之阻隔壁的制造方法，其特征是在該基板上形成該第一阻隔材料層的方法包括印刷。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器之阻隔壁的制造方法，其特征是在該基板上形成該第二阻隔材料層的方法包括印刷。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器之阻隔壁的制造方法，其特征是上述這些放電區(qū)域呈格狀。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器之阻隔壁的制造方法，其特征是該第一阻隔材料層與第二阻隔材料層的材料相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器之阻隔壁的制造方法，其特征是該第一阻隔材料層具有平坦的表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子顯示器之阻隔壁的制造方法，其特征是該第二阻隔材料層具有平坦的表面。
10.一種高低差圖案化膜層的制造方法，其特征是包括在第一材料層上形成第一圖案化干膜光刻膠；在該第一材料層上形成第二材料層，并使該第二材料層覆蓋該第一圖案化干膜光刻膠；在該第二材料層上形成第二圖案化干膜光刻膠，其中該第一圖案化干膜光刻膠與該第二圖案化干膜光刻膠具有不同的圖案，且該第二圖案化干膜光刻膠還暴露出該第一圖案化干膜光刻膠上方的該第二材料層；以該第二圖案化干膜光刻膠與該第一圖案化干膜光刻膠為掩膜，移除部分該第二材料層與部分該第一材料層；以及移除該第二圖案化干膜光刻膠與該第一圖案化干膜光刻膠。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高低差圖案化膜層的制造方法，其特征是在該第一材料層上形成該第二材料層的方法包括印刷。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高低差圖案化膜層的制造方法，其特征是移除部分該第一材料層與部分該第二材料層的方法包括對該第一材料層與該第二材料層進行噴砂蝕刻。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高低差圖案化膜層的制造方法，其特征是該第二材料層是采用與該第一材料層相同的材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高低差圖案化膜層的制造方法，其特征是該第一材料層具有平坦的表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的高低差圖案化膜層的制造方法，其特征是該第二材料層具有平坦的表面。
全文摘要
一種高低差圖案化膜層的制造方法。首先，在第一材料層上形成第一圖案化干膜光刻膠。接著，在第一材料層上形成第二材料層，并使第二材料層覆蓋第一圖案化干膜光刻膠。然后，在第二材料層上形成第二圖案化干膜光刻膠，其中第一圖案化干膜光刻膠與第二圖案化干膜光刻膠具有不同的圖案，且第二圖案化干膜光刻膠還暴露出第一圖案化干膜光刻膠上方的第二材料層。之后，以第一圖案化干膜光刻膠與第二圖案化干膜光刻膠為掩膜，移除部分第一材料層與部分第二材料層。接著，移除第二圖案化干膜光刻膠與第一圖案化干膜光刻膠。此高低差圖案化膜層的制造方法可用于制造等離子顯示器之阻隔壁。
文檔編號H01J9/24GK1959897SQ20051011556
公開日2007年5月9日 申請日期2005年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月4日
發(fā)明者張昭仁, 劉文昱, 徐健修, 楊呂翊 申請人:中華映管股份有限公司