專利名稱：具有帶深漏斗和/或階梯狀漏斗開口的微通道的微通道板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及一種用于圖像增強(qiáng)管中的微通道板，特別是涉及一種具有微通道的微通道板，該微通道帶有深漏斗狀開口和/或階梯漏斗狀開口。
背景技術(shù)：
圖像增強(qiáng)管用于夜晚/低光照場合中用以將環(huán)境光放大成有用的圖像。典型的圖像增強(qiáng)管是一真空裝置，它大致呈圓筒形，并且通常包括主體、光電陰極和面板、微通道板(MCP)和輸出光學(xué)儀器以及熒光屏。輸入的光子通過外部光學(xué)儀器被聚焦在玻璃面板上，并且撞擊在結(jié)合于面板的內(nèi)表面上的光電陰極上。光電陰極將光子轉(zhuǎn)化成電子，該電子在電場的作用下向著MCP加速。MCP具有許多微通道，每一微通道作為一獨立的電子放大器，并且基本上與CRT的象素對應(yīng)。從MCP發(fā)射的電子流激發(fā)該熒光屏并且由此產(chǎn)生的可視圖像穿過輸出光學(xué)儀器到達(dá)任何附加外部光學(xué)儀器。該主體使這些元件保持精確對準(zhǔn)，并提供電連接，同時還形成真空封裝。
微通道板由大量玻璃纖維熔合而成，每一微通道板具有可被酸腐蝕的芯體和耐酸覆層。該熔合形成一實心棒或臺基。通過將臺基進(jìn)行橫向切片形成單獨的板，然后這些板被拋光并進(jìn)行光學(xué)蝕刻。首先將MCP進(jìn)行鹽酸浴，將可被酸腐蝕的芯棒去除(去芯)，接著通過對其進(jìn)行熱氫氧化鈉浸浴，以將可動堿性金屬離子從覆層上去除。然后，用還原氣體將該MCP活化并且準(zhǔn)備將其插入到圖像管中。
微通道板包括許多微通道，這些微通道通常呈圓柱形并與垂直于MCP表面的平面成0-20度。組合在一起的通道面積與MCP的整個活性面積之比被稱作開口面積比(OAR)。芯棒面積與酸腐蝕之前的整個面積之比大約為45％。MCP的酸腐蝕將芯棒去除(去芯)并實現(xiàn)了45％的OAR。氫氧化鈉瀝濾步驟進(jìn)一步將OAR增大到大約60％。
傳統(tǒng)的MCP具有降質(zhì)的輸出圖像。即，輸出圖像不是輸入圖像的精確復(fù)制。輸出圖像效果的下降是由很多因素造成的。例如，圖像增強(qiáng)管具有由MCP內(nèi)的微通道的間距和圖像增強(qiáng)管的各部件之間的分隔距離確定的最大分辨率。實際結(jié)果(凈效應(yīng))是造成了輕微焦點失調(diào)的情況，而這種情況降低了觀察者區(qū)分圖像細(xì)節(jié)的能力。
來自除陰極之外的各種來源并不與輸入圖像對應(yīng)的雜散電子也可進(jìn)入到微通道板中并被放大。這些亂真/虛假電子的放大系數(shù)與圖像電子的放大系數(shù)相同，從而導(dǎo)致了表現(xiàn)為圖像中的忽隱忽現(xiàn)的點的圖像噪聲。
此外，入射的圖像電子可能會在兩個MCP通道之間撞擊并且朝著陰極被反射回去。這種電子可能最終進(jìn)入到MCP通道中從其原點開始的一定距離處。這種電子可能會被放大，但是屏幕上的生成點不會與輸入圖像對應(yīng)。當(dāng)輸入圖像包括亮點時，這種結(jié)果會被觀察到，并且在輸出圖像中顯示為暈圈。該暈圈受到陰極與MCP之間的間距以及MCP的通道幾何尺寸影響。
一種改進(jìn)MCP特性的方案是增加開口面積比。較高的開口面積比是理想的，但是不利的是，具有平行表面的MCP被限制為開口面積比大約為65％，因此需要足夠的玻璃來保持結(jié)構(gòu)的一體性。
2001年10月30日授予Rosine(本發(fā)明的發(fā)明者之一)的美國專利No.6,311,001披露了一種方法，這種方法在增加MCP的開口面積比的同時，通過采用漏斗形通道來保持其結(jié)構(gòu)的整體性。這里以整體引用的方式將該美國專利No.6,311,001引入。
如前述專利所述，采用將大量玻璃纖維熔合成實心棒來形成改進(jìn)的MCP，其中每一纖維具有可被酸腐蝕的芯體和耐酸覆層。然后將該棒橫向切片成單塊板并對此板進(jìn)行拋光。然后采用堿性材料對MCP進(jìn)行部分化學(xué)蝕刻。接下來對MCP進(jìn)行酸浴，以將芯體去除，然后通過熱的強(qiáng)堿浴將玻璃上的額外耐酸覆層去掉。由此便在MCP中形成了具有漏斗形開口端的微通道。
參考圖1，該圖與前述專利的圖1類似，其示出了MCP 10的剖視圖。如圖所示，MCP 10包括輸入側(cè)12、輸出側(cè)14和多個帶有漏斗形開口18的微通道16，該微通道在MCP的輸入側(cè)12和輸出側(cè)14之間延伸。微通道開口可以僅在MCP 10的輸入側(cè)12處呈漏斗狀，或者僅在MCP 10的輸出側(cè)14處呈漏斗狀，或者在MCP 10的輸入側(cè)和輸出側(cè)均呈漏斗狀(如圖所示)。通道壁19具有管狀結(jié)構(gòu)并形成每一微通道。通道壁19也將一微通道與另一微通道分隔。
如圖2所示，通道壁19包括一個部分或區(qū)域，該部分或區(qū)域在輸入側(cè)12處從每一微通道16的縱向中心向外發(fā)散，以形成漏斗狀開口(輸出側(cè)14未示出)。這樣，如圖所示，位于輸入側(cè)處的漏斗狀開口18的直徑大于更深地進(jìn)入到MCP 10內(nèi)的微通道16的另一部分的直徑。該呈漏斗狀的壁發(fā)散通常發(fā)生在從MCP的表面開始的一個通道直徑的范圍內(nèi)。
然而，發(fā)明人已經(jīng)注意到，漏斗狀開口18的區(qū)域涂覆有用于通道電連接的金屬22。涂覆的金屬22傾向于吸收入射電子而不產(chǎn)生二次電子。由于金屬涂層的產(chǎn)生，漏斗狀通道的電子收集效率被有效壓制。輸入電子收集效率的降低也通過降低了其信噪比而使得圖像加強(qiáng)管的性能降低。
因此，仍然需要一種改進(jìn)的MCP，該MCP能夠克服由于漏斗狀開口的金屬化所帶來的缺點。本發(fā)明旨在滿足這種需要。

發(fā)明內(nèi)容
為了滿足這些或其它需要并考慮到其目的，本發(fā)明提供一種用于圖像增強(qiáng)管的改進(jìn)微通道板。該微通道板包括沿縱向尺寸在微通道板的橫向表面之間延伸的多個微通道。每一微通道包括第一部分，其形成鄰近該微通道板的表面的第一開口。該第一部分包括一壁，該壁從該表面開始縱向延伸并終止于位于一遠(yuǎn)端處的基本相同的第一開口。該微通道還包括該壁的第二部分，其從位于該遠(yuǎn)端處的第一開口開始縱向延伸并朝著位于一更遠(yuǎn)端處的第二開口逐漸縮窄。位于近端處的第一開口的直徑與位于遠(yuǎn)端處的第一開口的直徑基本相同。第一開口比第二開口更寬。
該壁的第一部分基本上呈圓柱形并包括位于該板的表面處的第一開口以及位于遠(yuǎn)端處的第一開口。該壁的第二部分呈圓錐形，其從該第一開口向著該第二開口逐漸縮窄。
該壁的第一部分包括在位于該板的表面處的第一開口和位于遠(yuǎn)端處的第一開口之間的一段長度，該長度為第一開口的直徑的1-10倍。該壁的第二部分包括在位于遠(yuǎn)端的第一開口和第二開口之間的一段長度，該長度為第一開口的直徑的1/4-1/3倍。
在另一實施例中，該微通道包括該壁的第三部分，它從該第二開口朝著位于更遠(yuǎn)端的第三開口縱向延伸。第二開口和第三開口具有基本相同的橫截面直徑。
在又一實施例中，該微通道包括該壁的第四部分，其從該第三開口開始縱向延伸并朝著位于更遠(yuǎn)端處的第四開口逐漸縮窄。第四開口具有比第三開口小的橫截面直徑。
本發(fā)明還包括用于制造圖像增強(qiáng)管的微通道板的方法。
應(yīng)當(dāng)理解，前面的概略說明和下面的詳細(xì)說明均是示范性的，而不是對本發(fā)明的限制。


從下面結(jié)合附圖所作的詳細(xì)說明中可以更好地理解本發(fā)明。這些附圖包括圖1A為傳統(tǒng)微通道板的剖視圖；圖1B為本發(fā)明的一實施例的微通道板的剖視圖；圖2為圖1A的微通道板的一部分的剖視圖，示出了位于形成微通道的壁的漏斗形區(qū)域上的金屬化覆蓋層；圖3A-3C為本發(fā)明的兩個實施例與一呈基本漏斗狀的傳統(tǒng)微通道的剖視圖，為便于比較，其分別示出了并排布置的一部分微通道；圖4為電子顯微圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的一實施例在每一微通道內(nèi)采用深漏斗的一部分微通道板的剖面；以及圖5為電子顯微圖，其示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例在每一微通道內(nèi)采用階梯狀漏斗的一部分微通道板的剖面。
具體實施例方式
根據(jù)本發(fā)明，具有深漏斗狀開口和/或階梯漏斗狀開口的微通道板(MCP)克服了由于位于輸入側(cè)或輸出側(cè)的暴露微通道的金屬化所帶來的缺陷。通過將漏斗更深入地移到MCP微通道內(nèi)(或更遠(yuǎn)離輸入/輸出側(cè))，MCP的性能被提高，并且不會由于任何金屬化過程造成性能下降。由于可能位于相同直徑的完全筆直的通道內(nèi)，入射電子不易于碰到位于深漏斗通道內(nèi)的金屬涂層。
另外，雖然深漏斗狀通道具有比非漏斗狀通道或基本漏斗狀通道(在美國專利US 6,311,001中披露的基本漏斗)更寬的直徑，該深漏斗狀通道沿著其長度的大部分(例如其長度的90％)均保持有充足的壁厚，并且為MCP提供了足夠的強(qiáng)度和剛度。
參照圖1B，它示出了根據(jù)本發(fā)明的一實施例的MCP 20的剖視圖。圖1B示出了在輸入側(cè)12(電子接收側(cè))和輸出側(cè)14(電子釋放側(cè))之間延伸的微通道14。每一微通道壁26呈管狀結(jié)構(gòu)并形成每個微通道24。該微通道壁還將微通道彼此分隔。
如圖所示，通道壁26基本上呈圓筒形，從輸入側(cè)到輸出側(cè)形成連續(xù)的開口。正如將要進(jìn)行說明的，微通道24可以包括僅僅位于輸入側(cè)、輸出側(cè)或者同時位于輸入和輸出側(cè)(正如圖示那樣)的多個部分或區(qū)域22。如圖1B所示的多個部分或區(qū)域并沒有按照比例示出，而是為了便于討論而被放大。正如所述的那樣，這些區(qū)域與圖1A中的傳統(tǒng)漏斗狀開口相比提供了很大的進(jìn)步。根據(jù)本發(fā)明的實施例，這些區(qū)域形成深漏斗和/或階梯狀漏斗。
現(xiàn)在參照圖3A-3C，示出了形成于MCP內(nèi)的不同微通道。特別是，MCP 30包括微通道37(圖3A)，MCP 31包括微通道38(圖3B)，并且MCP 32包括微通道39(圖3C)。應(yīng)當(dāng)理解，這里僅僅示出了微通道37、38和39的輸入側(cè)。類似形狀的微通道也可位于每一MCP的輸出側(cè)。
圖3C示出了微通道39，它包括直管狀壁36(非漏斗)，其有效直徑為D微米。圖中還示出了金屬化覆蓋層33，它可鄰近MCP 32的輸入側(cè)被沉積。虛線表示撞擊在管狀壁36的內(nèi)表面上的金屬化沉積物形成的路徑。
圖3B示出了微通道38，它包括具有漏斗形區(qū)域40(基本漏斗)的直管狀壁35。微通道38具有比微通道39的有效直徑寬的有效直徑(例如為1.1048D)。還示出了沉積在漏斗狀區(qū)域40上的金屬化覆蓋層33(虛線表示)。
圖3A示出了MCP 30，它包括根據(jù)本發(fā)明的一實施例的深漏斗。如圖所示，MCP 30包括具有管狀壁34的微通道37。在MCP 30的輸入側(cè)處，壁34包括上部直壁區(qū)域或部分42(第一部分)、漏斗狀區(qū)域或部分41(第二部分)以及下部直壁區(qū)域或部分45(第三部分)。微通道37具有比基本漏斗的有效直徑寬的有效直徑(例如為1.2092D)。可以看到，深漏斗狀通道的有效直徑比相同物理通道開口尺寸的基本漏斗寬。還示出了沉積在上部直壁區(qū)域42上的金屬化覆蓋層33。
現(xiàn)在參照圖4，示出了MCP 30，它包括深漏斗狀微通道37(在輸入側(cè)處)。深漏斗狀微通道包括上部(近端)直壁部分42(第一部分)、漏斗狀部分41(第二部分)和下部(遠(yuǎn)端)直壁部分45(第三部分)。上部(近端)直壁部分具有最大的直徑，下部(遠(yuǎn)端)直壁部分具有較窄的直徑。應(yīng)當(dāng)理解，這些部分顛倒地位于MCP 30的輸出側(cè)處(未示出)。
上部直壁部分以通道直徑的1-10倍的長度延伸至微通道內(nèi)。該部分具有沉積于其上的金屬化部分(如33所示)。該部分的深度可以根據(jù)加工時間進(jìn)行選擇。
漏斗狀部分的長度為通道直徑的1/4-1/3倍，并且形成從較大直徑到較小直徑的過渡。如果該部分位于電子撞擊區(qū)域中，則它還有利于以較小傾斜沖擊角發(fā)射二次電子。
漏斗狀部分之外的遠(yuǎn)端是標(biāo)準(zhǔn)的微通道部分。該部分包括直的管狀壁并且提供了微通道收集的電子的倍增能力。該遠(yuǎn)端部分的長度為微通道直徑的40-70倍，其為該板提供了結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。這些部分可以相反的順序位于微通道的輸出端。
如圖4所示(例如)，上部直壁部分的長度為9.18微米，并且漏斗部分的長度為2.23微米。
現(xiàn)在參照圖5，它示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施例形成為階梯狀漏斗幾何形狀的微通道。如圖所示，MCP 50在輸入側(cè)包括微通道52。除了壁54包括多個漏斗狀部分之外，每一微通道的壁54與圖4中所示的壁34的深漏斗幾何形狀相似。
如圖所示，壁54包括第一近端直壁部分55、第二直壁部分57和第三(遠(yuǎn)端)直壁部分59。漏斗狀部分56形成第一直壁部分和第二直壁部分之間的過渡區(qū)。在遠(yuǎn)端處，另一漏斗狀區(qū)域58形成第二直壁部分和第三直壁部分之間的過渡區(qū)。漏斗狀通道之間的間隔可根據(jù)加工時間選擇。
如美國專利No.6,311,001中所討論的，應(yīng)當(dāng)理解，圖2-5中所示的微通道相對于從MCP的輸入側(cè)投影的垂直軸成3°到20°(典型地為10°)的角度。
在美國專利No.6,311,001中描述的加工MCP的方法在這里被引入以供參考。正如其中所描述的，MCP由兩種不同的玻璃組分、即耐酸基質(zhì)玻璃(覆層)和可被酸腐蝕的芯體玻璃(芯棒)制成。芯棒占據(jù)著將變成微通道的空間。該芯棒在化學(xué)處理開始時部分地溶解于酸性溶液中。由于此區(qū)域內(nèi)的高化學(xué)或機(jī)械應(yīng)力，使得一氫氧化鈉瀝濾步驟(leachstep)將暴露的芯體/覆層界面浸蝕。對于非漏斗狀MCP，氫氧化鈉在微通道的整個長度上與接觸區(qū)域接觸并導(dǎo)致通道直徑的總體變化。對于基本漏斗狀MCP，該接觸區(qū)域僅僅暴露在通道的端部(由于芯棒仍然就位)，同時錐形漏斗出現(xiàn)在通道的兩個終端處。
芯棒開始緩慢地在一端(或兩端)溶解。MCP可以在任何時候從此溶液中移去并被沖洗，以停止蝕刻反應(yīng)，同時保留任何所需量的芯棒。在進(jìn)行這種部分去芯過程后，氫氧化鈉在芯棒已經(jīng)被去除的每個地方將界面材料從通道中去除，同時以與基本漏斗相同的方式輕微地沿著芯棒對其進(jìn)行蝕刻。壁的去除量取決于NaOH暴露的時間及其濃度、溫度和流速。在將所有剩余的芯棒去除后，便形成了深漏斗狀的幾何形狀。
部分去芯以及瀝濾步驟可以被反復(fù)執(zhí)行任何次。每一循環(huán)在通道壁內(nèi)產(chǎn)生一小的中斷部分，其深度與去芯時間對應(yīng)，直徑與NaOH的瀝濾時間對應(yīng)。這種多重循環(huán)的加工形成了階梯狀漏斗。
MCP加工領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可以對這些參數(shù)中的一個或多個進(jìn)行調(diào)整，以使該漏斗化過程加工出具有所需特征的MCP。
與加工基本漏斗類似，深漏斗的加工自然地在通道的輸入和輸出端對稱地進(jìn)行。非對稱通道端部(例如，需要在輸出端進(jìn)行電子聚焦)可能是有利的。其可以在進(jìn)行漏斗加工的過程中將MCP的每一面掩蔽并采用不同的漏斗加工時間來獲得。掩蔽可采用O形密封環(huán)、光致抗蝕劑、電鍍帶、蠟等進(jìn)行。
雖然已經(jīng)參照特定的實施例進(jìn)行了圖示和說明，但是這并不意味著將本發(fā)明限制于這些細(xì)節(jié)中。相反，在權(quán)利要求的等同范圍內(nèi)并在不偏離本發(fā)明的精神的情況下可對這些細(xì)節(jié)進(jìn)行各種變型。例如，如果玻璃系統(tǒng)在芯體/覆層界面處具有應(yīng)力場，則任何微通道板均可以形成有深漏斗和/或階梯狀漏斗。
權(quán)利要求
1.一種用于圖像增強(qiáng)管的微通道板，其中該板包括沿縱向尺寸在該板的橫向表面之間延伸的多個微通道，該微通道包括第一部分，其形成鄰近該微通道板的表面的第一開口，該第一部分包括一壁，該壁從該表面開始縱向延伸并終止于一位于遠(yuǎn)端處的基本相同的第一開口，以及第二部分，其包括從位于遠(yuǎn)端處的第一開口開始縱向延伸并朝著一位于更遠(yuǎn)端處的第二開口逐漸縮窄的壁，其中該第一開口比該第二開口寬。
2.如權(quán)利要求1所述的微通道板，其特征在于，該第一開口比該第二開口寬。
3.如權(quán)利要求1所述的微通道板，其特征在于，該第一部分基本上呈圓柱形，并包括位于該板的表面處的第一開口以及位于該遠(yuǎn)端處并具有基本相同直徑的第一開口，以及該第二部分呈圓錐形，并從該第一開口向著該第二開口逐漸縮窄。
4.如權(quán)利要求1所述的微通道板，其特征在于，該板的表面包括用于通過該微通道接收和排出電子的輸入表面和輸出表面，以及該第一部分形成于該輸入表面和該輸出表面中的至少一個的附近。
5.如權(quán)利要求1所述的微通道板，其特征在于，該壁由玻璃纖維覆層形成，以及該第一開口和該第二開口通過將該覆層部分地去除而形成。
6.如權(quán)利要求1所述的微通道板，其特征在于，在位于該板的表面處的第一開口和位于該遠(yuǎn)端處的第一開口之間的該第一部分的長度為該第一開口的直徑的1-10倍，以及位于該第一開口和該第二開口之間的該第二部分的長度為該第一開口的直徑的1/4-1/3倍。
7.如權(quán)利要求1所述的微通道板，其特征在于，該微通道包括第三部分，其包括從該第二開口開始朝著一位于更遠(yuǎn)端的第三開口縱向延伸的壁，該第二開口和該第三開口具有基本相同的橫截面尺寸。
8.如權(quán)利要求7所述的微通道板，其特征在于，該微通道包括第四部分，其包括從該第三開口開始縱向延伸并朝著位于一更遠(yuǎn)端處的第四開口逐漸縮窄的壁，該第四開口具有比該第三開口小的橫截面尺寸。
9.一種用于圖像增強(qiáng)管的微通道板，其中該板包括沿縱向尺寸在該板的橫向表面之間延伸的多個微通道，該微通道包括管狀壁，該管狀壁縱向延伸，以在該板的橫向表面之間形成一連續(xù)的開口，該管狀壁包括鄰近該板的表面設(shè)置的第一橫截面開口、遠(yuǎn)離該第一橫截面設(shè)置的第二橫截面開口以及遠(yuǎn)離該第一和第二橫截面設(shè)置的第三橫截面開口，以及該第一橫截面開口和該第二橫截面開口具有基本相同的直徑，該第三橫截面開口的直徑小于該第一或第二橫截面開口的直徑。
10.如權(quán)利要求9所述的微通道板，其特征在于，該管狀壁包括一漏斗狀部分，其在該第二和第三橫截面開口之間縱向延伸，以及該漏斗狀部分具有起始于該第二橫截面開口處并終止于該第三橫截面開口處的連續(xù)變窄的橫截面開口。
11.如權(quán)利要求9所述的微通道板，其特征在于，該管狀壁在該第一和第二橫截面開口之間基本上呈圓柱形，以及該管狀壁在該第二和第三橫截面開口之間基本上呈圓錐形。
12.如權(quán)利要求9所述的微通道板，其特征在于，該管狀壁包括一遠(yuǎn)離該第一和第三橫截面開口設(shè)置的第四橫截面開口，以及該第四橫截面開口的直徑與該第三橫截面開口的直徑基本相同。
13.如權(quán)利要求12所述的微通道板，其特征在于，該管狀壁在該第一和第二橫截面開口之間基本上呈圓柱形，該管狀壁在該第二和第三橫截面開口之間基本上呈圓錐形，以及該管狀壁在該第三和第四橫截面開口之間基本上呈圓柱形。
14.如權(quán)利要求9所述的微通道板，其特征在于，該管狀壁由玻璃纖維覆層形成，以及該第一、第二和第三橫截面開口通過將該覆層部分去除而形成。
15.一種制造微通道板的方法，該微通道板具有用于接收和釋放電子的多個微通道，該方法包括以下步驟(a)提供多個玻璃纖維，每一玻璃纖維具有可被酸腐蝕的芯體和耐酸覆層；(b)將該玻璃纖維形成為一薄板；(c)以第一預(yù)定時間在酸性溶液中溶解該薄板的可被酸腐蝕的芯體的一部分；(d)以第二預(yù)定時間在堿性溶液中瀝濾該薄板的耐酸覆層的一部分；以及(e)改變該第一預(yù)定時間和該第二預(yù)定時間，以在微通道中形成深漏斗。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，包括以下步驟(f)在酸性溶液中溶解所述部分后將該薄板移去；(g)在步驟(f)中將該薄板移去后，立即沖洗該薄板，以停止溶解該可被酸腐蝕的芯體的另一部分。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，包括以下步驟(h)重復(fù)步驟(c)至(f)，以在該微通道內(nèi)形成階梯狀漏斗。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，該溶解步驟包括將該薄板浸浴在一溶液中，該溶液包含從由鹽酸、氫氟酸、硝酸、硫酸和其它無機(jī)酸構(gòu)成的組中選擇的化合物。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，該瀝濾步驟包括將該薄板浸浴在一溶液中，該溶液包含從由氫氧化銨、氫氧化鉀、氫氧化鈉和其它堿金屬氫氧化物構(gòu)成的組中選擇的化合物。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，該溶解和瀝濾步驟包括采用化學(xué)穩(wěn)定帶或薄膜將電子接收側(cè)和電子釋放側(cè)中的一個掩蔽，以及溶解和瀝濾該薄板的另一側(cè)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于圖像增強(qiáng)管的微通道板，其中該板具有沿縱向尺寸在微通道板的橫向表面之間延伸的多個微通道。每一微通道包括形成鄰近該微通道板的表面的第一開口的第一部分。該第一部分包括一壁，該壁從該表面開始縱向延伸并終止于一位于遠(yuǎn)端處的基本相同的第一開口。該微通道還包括第二部分，其包括從位于遠(yuǎn)端處的第一開口開始縱向延伸并朝著一位于更遠(yuǎn)端處的第二開口逐漸縮窄的壁。位于近端處的第一開口的直徑與位于遠(yuǎn)端處的第一開口的直徑基本相同。第一開口比第二開口寬。
文檔編號H01J9/12GK1717770SQ200380104202
公開日2006年1月4日 申請日期2003年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月26日
發(fā)明者史蒂文·戴維·羅西納, 納爾遜·克里斯托弗·德沃 申請人:Itt制造企業(yè)公司