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具有防止地磁導致的電子束誤著屏的結(jié)構的陰極射線管的制作方法

文檔序號:2934016閱讀:163來源:國知局
專利名稱:具有防止地磁導致的電子束誤著屏的結(jié)構的陰極射線管的制作方法
技術領域
本發(fā)明涉及一種陰極射線管(CRT),更具體地,涉及一種陰極射線管,它具有用于防止地磁導致的電子束誤著屏(mis-landing)的結(jié)構。
背景技術
通常,CRT被構造成通過用電子槍發(fā)射的電子束掃描設置有紅R、綠G和藍B熒光粉的熒光屏來顯示圖像。
電子束由偏轉(zhuǎn)線圈偏轉(zhuǎn),并落在所需的熒光粉上,以掃描熒光屏的周邊部分及中間部分。
然而,當電子束被偏轉(zhuǎn)時,它們被諸如地磁的外磁場影響,電子束會著落在不希望的熒光粉上。這種所謂的誤著屏降低陰極射線管的色彩純度。
為了解決以上問題,在CRT中已采用了諸如用于將電子束與地磁屏蔽開的內(nèi)部屏蔽件的磁場屏蔽元件。該內(nèi)部屏蔽件通常安裝在由蔭罩和蔭罩框架構成的色彩選擇裝置上,該色彩選擇裝置設置在陰極射線管內(nèi)。
近年來,已經(jīng)開發(fā)了一種平面屏板(flat screen panel),以提高大尺寸熒光屏周邊部分處顯示的圖像的精度。因而,用來在CRT中顯示顏色的色彩選擇裝置也被變平,且尺寸上也增加,使得它能適當?shù)嘏c平面屏板相連。
即,色彩選擇裝置包括蔭罩和用于支撐該蔭罩的框架,該蔭罩設置有多個電子束通過孔,該框架上施加有預張力??蚣馨ㄒ粚椥栽鸵粚εc彈性元件連接的支撐元件,該蔭罩安裝在支撐元件上。
這種色彩選擇裝置安裝在屏板內(nèi)側(cè)形成熒光屏的內(nèi)表面上。內(nèi)部屏蔽件安裝在支撐元件和彈性元件上,使得它包圍住電子束發(fā)射軌跡,以將電子束與地磁屏蔽開。
地磁包括垂直分量和水平分量。水平分量可以分為南北向分量(N-S分量)和東西向分量(E-W分量),前者平行于管軸,后者垂直于管軸。在現(xiàn)有技術中,為了將電子束與水平分量屏蔽開,在內(nèi)部屏蔽件上形成V形缺口或尖銳部分。
然而,色彩選擇裝置依然不足以抵抗地磁的E-W分量。
即,E-W分量在縱向上作用于屏板的橫向側(cè)。因此,因為彈性元件和蔭罩間的空間與蔭罩和熒光屏之間的空間未由內(nèi)部屏蔽件屏蔽開,所以經(jīng)過這些空間的電子束受到E-W分量的影響。這導致電子束著落在所不希望的熒光粉上,降低了陰極射線管的色彩純度。
為了解決以上問題,Teruhisa的、名稱為彩色陰極射線管的日本待實審的專利申請第H10-50228號公開了一種彩色陰極射線管,該彩色陰極射線管具有將電子束與外部磁場屏蔽開的屏蔽裝置,該外部磁場作用在框架的角落處色彩選擇裝置和熒光屏之間。然而,因為屏蔽裝置被構造成包圍框架的角落,所以電子束的水平偏移量會增加。
即,當屏蔽裝置被構造成覆蓋框架的角落時,作用在框架的橫側(cè)上的地磁部分流入縱向側(cè)。因此,指向角落的電子束受地磁的影響,結(jié)果,電子束的水平偏移量增加。這導致電子束著落在所不希望的熒光粉上,惡化了陰極射線管的熒光屏的角落處的色彩純度。

發(fā)明內(nèi)容
因此,提出本發(fā)明以解決上述和其它問題。
因此,本發(fā)明的一個目的是提供一種陰極射線管,它被設計成使地磁對電子束的影響減至最小,從而通過提高電子束著落點的精確度來提高陰極射線管的顏色純度。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種陰極射線管,它被構造成使地磁對電子束的影響減至最小,并也易于低成本地制造。
本發(fā)明的再一個目的是在陰極射線管內(nèi)提供一種裝置,它被設計成在避免該裝置以任何方式影響電子束的同時,將地磁對電子束的影響減至最小。
為了實現(xiàn)上述及其它目的,本發(fā)明提供一種陰極射線管,它包括一屏板,該屏板具有其上形成有熒光屏的前部屏幕部分和形成在前部屏幕部分邊緣上的屏板凸緣;一玻錐,連接至屏板凸緣;一偏轉(zhuǎn)線圈,設置在玻錐周圍;一管頸,連接至玻錐;一電子槍,設置在管頸內(nèi);一色彩選擇裝置,用于選擇從電子槍發(fā)射出的電子束,并使所選的電子束能著落在相應的熒光粉上,該色彩選擇裝置包括一框架,該框架具有一對彼此平行地相距一預定距離設置的支撐元件、以及一對固定在該支撐元件兩端上以與蔭罩的橫向側(cè)相對應的彈性元件;以及一用于屏蔽地磁的屏蔽裝置,該屏蔽裝置安裝在色彩選擇裝置的框架的周邊上、且向管頸延伸,其中,屏蔽裝置包括對應于框架的角落限定的斷開部分,該屏蔽裝置向熒光屏延伸而越過框架的縱向和橫向側(cè)壁之一。
根據(jù)一實施例,該屏蔽裝置包括一主屏蔽元件,它具有設置有電子束通過開口并向管頸延伸的主體、及從主體延伸并設置在框架的縱向側(cè)上的裙部;以及一設置在框架的橫向側(cè)上的輔屏蔽元件。
優(yōu)選地,裙部在覆蓋支撐元件的中心的同時固定在支撐元件上。裙部被形成為非對稱于支撐元件的中心部分。
優(yōu)選地,主屏蔽元件安裝在框架上,同時不包圍彈性元件,而輔屏蔽元件包括沿框架的橫向側(cè)設置以覆蓋蔭罩和彈性元件之間限定的空間的屏蔽部分;以及從屏蔽部分延伸并固定在彈性元件上的連接部分。
優(yōu)選地,屏蔽部分的寬度大于框架的寬度。
此外,裙部優(yōu)選地連接至支撐元件上,且滿足以下條件0.01mm≤tk/L≤0.15mm其中,t是輔屏蔽元件的厚度,k是自蔭罩向熒光屏延伸而越過支撐元件的裙部的長度,而L是支撐元件的高度。
此外,優(yōu)選地,輔屏蔽元件在以下條件下固定在支撐元件上0.01mm≤t′k′/L≤0.15mm其中,t′是輔屏蔽元件的厚度,k′是輔屏蔽元件的從蔭罩到熒光屏的長度,而L是支撐元件的高度。


當結(jié)合附圖考慮時,通過參照以下詳細描述,本發(fā)明的更全面理解及其諸多從屬優(yōu)點將在被更好地理解的同時更加清晰,附圖中相似的附圖標記表示相同或相似的組元,其中圖1是根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的色彩選擇裝置的透視圖;圖2是一種陰極射線管的剖面圖,其中采用了根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例的色彩選擇裝置;圖3是根據(jù)本發(fā)明的一色彩選擇裝置的改進示例的透視圖;圖4是沿圖2的線III-III截取的局部剖視圖;圖5A是一曲線,示出了根據(jù)本發(fā)明產(chǎn)生的地磁水平分量的分布曲線;圖5B是一曲線,示出了根據(jù)現(xiàn)有技術產(chǎn)生的地磁水平分量的分布曲線;圖6A和6B是曲線,示出了本發(fā)明中k1/L和電子束偏移量之間的關系;以及圖7是傳統(tǒng)陰極射線管的分解透視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在參看附圖,如圖7所示,色彩選擇裝置1包括設置有多個電子束通過孔3a的蔭罩3和用于支撐蔭罩的框架5,該框架施加有預張力??蚣?包括一對彈性元件5b和一對連接到彈性元件5b上的支撐元件5a,蔭罩3安裝在支撐元件5a上。
這種色彩選擇裝置安裝在屏板9內(nèi)側(cè)形成有熒光屏7的內(nèi)表面上。內(nèi)屏蔽件11安裝在支撐元件5a和彈性元件5b上,使得它包圍電子束發(fā)射軌跡,以將電子束與地磁屏蔽開。
地磁包括垂直分量和水平分量。水平分量可以分為南北向分量(N-S分量)和東西向分量(E-W分量),前者平行于管軸,后者垂直于管軸。在現(xiàn)有技術中,為了將電子束與水平分量屏蔽開,在內(nèi)部屏蔽件11上形成V形缺口11a或尖銳部分11b。
然而,色彩選擇裝置1依然不足以抵抗地磁的E-W分量。
即,E-W分量在縱向上作用于屏板9的橫向側(cè)(見圖4中的箭頭)。因此,因為彈性元件5b和蔭罩3間的空間與蔭罩3和熒光屏7之間的空間未由內(nèi)部屏蔽件11屏蔽開,所以經(jīng)過這些空間的電子束受到E-W分量的影響。這導致電子束著落在所不希望的熒光粉上,降低了陰極射線管的色彩純度。
本發(fā)明的優(yōu)選實施例將參照附圖得以詳細描述。
圖1顯示了本發(fā)明的色彩選擇裝置,圖2顯示一種陰極射線管,該管具有圖1所示的色彩選擇裝置。
如圖所述,陰極射線管包括具有屏幕部分20a的屏板20,在該屏板的內(nèi)表面上形成有熒光屏22,而屏板凸緣20b一體地形成在屏幕部分20a的邊緣上。玻錐23連接在屏板20的屏板凸緣20b上,管頸24連接在玻錐23上。偏轉(zhuǎn)線圈26安裝在玻錐23周圍,而發(fā)射電子束的電子槍28安裝在管頸24內(nèi)。
色彩選擇裝置設置在屏板20內(nèi)側(cè),以選擇從電子槍28發(fā)射的紅R、綠G和藍B電子束。這種色彩選擇裝置30被設計成采用張緊的蔭罩32,該蔭罩設置有多個電子束通過孔32a。張緊的蔭罩32為矩形,具有縱軸X和橫軸Y。
蔭罩在縱軸X方向上或橫軸Y方向上張緊,且安裝在框架34上。框架34包括一對支撐元件34a和一對彈性元件34b,前者沿縱軸平行地設置在彼此相距一預定距離處,后者沿橫軸彼此平行地設置并固定在支撐元件34a的兩端,以與支撐元件34a一起限定一個矩形框架。
在此實施例中,蔭罩32在橫軸Y方向上張緊,并焊接在支撐元件34a的上表面上。每個彈性元件34b為U形,以維持蔭罩32的張緊狀態(tài)。施加在蔭罩32周邊上的張力大于施加在蔭罩32中心的張力。
色彩選擇裝置30設置在屏板20內(nèi)側(cè),使得張緊的蔭罩32面對熒光屏22。即,色彩選擇裝置30通過連接機構安裝在屏板20的屏板凸緣20b上,該連接機構包括鉤36和彈簧38。
在此實施例中,屏蔽裝置39設置在色彩選擇裝置30上,將電子束與影響框架34限定的發(fā)射軌跡的地磁屏蔽開。該屏蔽裝置39包括主屏蔽元件40和輔屏蔽元件42。
主屏蔽元件40包括主體40b,該主體設置有確定電子束發(fā)射軌跡的電子束通過開口40a,該主屏蔽元件設置在框架34的支撐元件34a的頂部,具有與主體40b一體地形成的裙部40c,該裙部向下延伸以環(huán)繞框架34的縱向側(cè)壁。
裙部40c向熒光屏22延伸而越過蔭罩32,并固定在支撐元件34a上。
輔屏蔽元件42與主屏蔽元件40單獨形成,并設置在彈性元件34b的側(cè)壁上。輔屏蔽元件42包括設置在縱向上的縱向屏蔽部分42a,以覆蓋蔭罩32和彈性元件34b之間的空間;以及橋接部(bridge)42b,該橋接部從屏蔽部分42a一體地延伸,并固定在彈性元件34b上??v向屏蔽部分42a的寬度設計來大于框架34的橫向側(cè)部的寬度。
圖3顯示了本發(fā)明輔屏蔽元件的改進示例。
在此實施例中,輔屏蔽元件52包括屏蔽部分和固定(緊固)部分52b,前者用于覆蓋框架32的橫向側(cè)和彈性元件34b之間的空間,后者在屏蔽部分52a兩端彎曲,并通過例如焊接固定在支撐元件34a上。
主屏蔽元件40的裙部40c覆蓋支撐元件34a的中心部分,并非對稱于支撐元件34a的中心部分。此外,主屏蔽元件40限定了主體40b,并設計成不覆蓋限定框架34橫向側(cè)的彈性元件34b。
另外,如圖4所示,裙部40c優(yōu)選地連接至支撐元件34a,且滿足以下條件E10.01mm≤tk/L≤0.15mm(毫米).....E1其中t是裙部40c的厚度,k是裙部40c的從蔭罩32到熒光屏22延伸的長度,而L是支撐元件34a的高度。此外,優(yōu)選地,裙部40c連接至支撐元件34a,同時滿足以下條件0.04mm≤tk/L≤0.12mm。
此條件可用于輔屏蔽元件42。即,如圖2所示,輔屏蔽元件42優(yōu)選地固定在支撐元件34a上,符合以下條件E20.01mm≤t′k′/L≤0.15mm......E2其中,t′是輔屏蔽元件42的厚度,k′是輔屏蔽元件42從蔭罩32到熒光屏22延伸的長度,且L是支撐元件34a的高度。此外,優(yōu)選地,輔屏蔽元件42固定在支撐元件34a上,符合以下條件0.04mm≤t′k′/L≤0.12mm。
tk/L和t′k′/L的范圍通過申請人的兩個測試獲得。即,注意到,當裙部40c和支撐元件34a或輔屏蔽元件42和支撐元件34a在tk/L和t′k′/L維持低于0.01mm的狀態(tài)下彼此結(jié)合時,不能預期從主屏蔽元件40和輔屏蔽元件獲得效果;而當裙部40c和支撐元件34a或輔屏蔽元件42和支撐元件34a在tk/L和t′k′/L維持高于0.15mm的狀態(tài)下彼此結(jié)合時,雖然能預期從主屏蔽元件40和輔屏蔽元件獲得效果,但是難以實際上制造包括這種主屏蔽元件40和輔屏蔽元件42的CRT。
當主屏蔽元件40和輔屏蔽元件42應用于色彩選擇裝置30時,主屏蔽元件40的主體40b設置成朝向管頸24,而主屏蔽元件40的裙部40c和輔屏蔽元件42的縱向屏蔽部分42a設置在框架34的周邊上。在這點上,裙部40c和屏蔽部分42a在框架34的角落處斷開,以限定斷開部分44。此外,裙部40c和屏蔽部分42a進一步向熒光屏22延伸,以包圍框架34的周邊。
因此,在采用本發(fā)明屏蔽裝置39的色彩選擇裝置30被安裝在屏板20內(nèi)側(cè)的狀態(tài)下,如圖2所示,即使地磁作用在陰極射線管上,可以將地磁對從電子槍28發(fā)射以掃描熒光屏22的電子束的影響減至最小。
更詳細地描述,來自電子槍28的電子束首先被偏轉(zhuǎn)線圈26偏轉(zhuǎn),并指向色彩選擇裝置30。在該處,主屏蔽元件40的主體40b將電子束與地磁屏蔽開。
在經(jīng)過色彩選擇裝置30后,電子束指向熒光屏22,在此過程中,裙部40c和屏蔽部分42a防止了地磁作用在屏板的橫向側(cè)20b上。因此,裙部40c將電子束與地磁的N-S水平分量屏蔽開,而屏蔽部分42a將電子束與地磁的E-W水平分量屏蔽開。
即,裙部40c將電子束與作用在平行于管軸的方向上的水平地磁分量屏蔽開,而屏蔽部分42a將電子束與作用在垂直于管軸的方向上的水平地磁分量屏蔽開。因此,即使在穿過色彩選擇裝置30的過程中,電子束也不受地磁的影響。此外,因為裙部40c和屏蔽部分42a向熒光屏22延伸,同時包圍框架34,所以流向蔭罩32或支撐元件34a的地磁分量可以得以防止。
另外,因為裙部40c和屏蔽元件42a被斷開部分44彼此分開,所以作用在屏蔽元件42上的地磁的E-W水平分量不指向框架34的縱向側(cè),而是被屏蔽部分42中斷。
如上所述,當與傳統(tǒng)陰極射線管的電子束比較時,本發(fā)明的陰極射線管的電子束很少受水平地磁分量的影響。這將參照圖5A和5B更詳細地描述。
圖5A示出了一曲線,該曲線圖顯示了根據(jù)本發(fā)明的、從管頸到屏板沿管軸分布的地磁的N-S方向曲線;圖5B示出了一曲線,該曲線圖顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術的、從管頸到屏板沿管軸分布的地磁的N-S方向曲線。在附圖中,圖5A和5B,地磁以高斯(G)為單位進行表示,管軸的距離以毫米(mm)表示。在附圖中,By和By′表示屏板垂直方向上的磁場,它在地磁的N-S分量經(jīng)過屏蔽裝置(現(xiàn)有技術中的內(nèi)部屏蔽件)時產(chǎn)生,Bz和Bz′表示管軸Z方向上的磁場,它在地磁的N-S分量經(jīng)過屏蔽裝置(現(xiàn)有技術中的內(nèi)部屏蔽件)時產(chǎn)生。
該地磁特征曲線從具有3∶4屏幕比的34英寸屏幕的CRT獲得。在本發(fā)明中,tk/L和t′k′/L設置為0.11mm。
如曲線所示,本發(fā)明的從管頸到玻錐的By和Bz具有與現(xiàn)有技術的By和By′相似的分布曲線,然而在本發(fā)明的屏蔽裝置下在屏板處的By和Bz具有比現(xiàn)有技術的屏板處的By′和Bz′的小的分布曲線。
By和Bz的這種分布曲線顯示,本發(fā)明的屏蔽裝置降低了作用在管軸Z方向上的地磁。因此,經(jīng)過色彩選擇裝置30并著落在熒光屏22上的電子束很少受地磁影響。即,電子束的水平偏移降低,使得電子束能落在所需的熒光粉上。
此外,已經(jīng)通過多次測試發(fā)現(xiàn),當裙部40c和屏蔽部分42a安裝在框架34上,且滿足上述條件E1時,由地磁的N-S分量導致的電子束的誤著屏相對于現(xiàn)有技術減少29%,由地磁的E-W分量導致的電子束的誤著屏相對于現(xiàn)有技術減少16%。
圖6A和6B顯示了當tk/L和t′k′/L滿足上述條件時,電子束偏移與tk/L和t′k′/L之間的相對于屏幕對角線長度(圖6A中為32英寸CRT,圖6B中為34英寸CRT)的關系。為了對比,tk/L和t′k′/L的值設為彼此相等。
如圖所示,已經(jīng)發(fā)現(xiàn),本發(fā)明的CRT可以隨tk/L值增加(即高于0.01mm),降低電子束相對于N-S和E-W方向上的地磁的偏移。
在此點上,如上所述,優(yōu)選的是,tk/L保持小于0.15mm。更具體地,在32英寸CRT中,當tk/L為0.07mm時,可以獲得最大效果;在34英寸CRT中,當tk/L為0.11mm時,可獲得最大效果。
雖然本發(fā)明已經(jīng)結(jié)合實用的且優(yōu)選的實施例得以說明,但應當理解的是,本發(fā)明不限于所公開的實施例,而相反地,包括所附權利要求的精髓和范圍內(nèi)所包括的各種變化和等同布置。
權利要求
1.一種陰極射線管,包括屏板,該屏板包括前部屏幕部分和形成在所述前部屏幕部分邊緣上的屏板凸緣,熒光屏形成在所述屏幕部分上;玻錐,其連接至所述屏板凸緣;偏轉(zhuǎn)線圈,其設置在玻錐周圍;管頸,其連接到所述玻錐上;電子槍,其設置在所述管頸內(nèi);色彩選擇裝置,其選擇從所述電子槍發(fā)射出的電子束,并使所選的電子束能著落在相應的熒光粉上,所述色彩選擇裝置包括框架,該框架包括一對彼此平行地相距一預定距離設置的支撐元件、以及一對固定在所述支撐元件兩端上以與蔭罩的橫向側(cè)相對的彈性元件;以及用于屏蔽地磁的屏蔽裝置,所述屏蔽裝置安裝在所述色彩選擇裝置的所述框架的周邊上、且向所述管頸延伸,所述屏蔽裝置包括對應于所述框架的角落限定的斷開部分,所述屏蔽裝置向熒光屏延伸而越過所述框架的縱向和橫向側(cè)壁之一。
2.如權利要求1所述的陰極射線管,其特征在于,所述屏蔽裝置還包括主屏蔽元件,它包括設置有電子束通過開口并向所述管頸延伸的主體、以及從所述主體延伸并設置在所述框架的縱向側(cè)上的裙部;以及設置在所述框架的橫向側(cè)上的輔屏蔽元件。
3.如權利要求2所述的陰極射線管,其特征在于,所述裙部在覆蓋所述支撐元件的中心的同時固定在所述支撐元件上。
4.如權利要求3所述的陰極射線管,其特征在于,所述裙部被形成得非對稱于所述支撐元件的中心部分。
5.如權利要求2所述的陰極射線管,其特征在于,所述主屏蔽元件安裝在所述框架上,同時不包圍所述彈性元件。
6.如權利要求2所述的陰極射線管,其特征在于,所述輔屏蔽元件還包括沿所述框架的橫向側(cè)設置以覆蓋所述蔭罩和所述彈性元件之間限定的空間的屏蔽部分;以及從所述屏蔽部分延伸并固定在所述彈性元件上的橋接部。
7.如權利要求6所述的陰極射線管,其特征在于,所述屏蔽部分的寬度大于所述框架的寬度的寬度。
8.如權利要求2所述的陰極射線管,其特征在于,所述輔屏蔽元件還包括屏蔽部分,其沿著所述框架的橫向側(cè)設置,以覆蓋所述蔭罩和所述彈性元件之間限定的空間;以及固定部分,其在所述屏蔽部分兩端彎曲,并固定在所述支撐元件上。
9.如權利要求2所述的陰極射線管,其特征在于,所述裙部連接至所述支撐元件上,且滿足以下條件0.01mm≤tk/L≤0.15mm其中,t是所述輔屏蔽元件的厚度,k是所述裙部的從所述蔭罩到所述熒光屏延伸的長度,而L是所述支撐元件的高度。
10.如權利要求9所述的陰極射線管,其特征在于,所述裙部連接至所述支撐元件,且滿足以下條件0.04mm≤tk/L≤0.12mm
11.如權利要求9所述的陰極射線管,其特征在于,所述輔屏蔽元件在以下條件下固定在所述支撐元件上0.01mm≤t′k′/L≤0.15mm其中,t′是所述輔屏蔽元件的厚度,k′是所述輔屏蔽元件的從所述蔭罩到所述熒光屏延伸的長度,而L是所述支撐元件的高度。
12.如權利要求11所述的陰極射線管,其特征在于,所述輔屏蔽元件在以下條件下固定在所述支撐元件上0.04mm≤t′k′/L≤0.12mm。
13.一種陰極射線管,包括色彩選擇裝置,該色彩選擇裝置選擇從電子槍發(fā)射出的電子束,并使所選的電子束能著落在相應的熒光粉上,所述色彩選擇裝置包括框架,該框架包括一對彼此平行、相距一預定距離設置的支撐元件、以及一對固定在所述支撐元件兩端上以與蔭罩的橫向側(cè)相對的彈性元件;以及屏蔽裝置,該屏蔽裝置屏蔽地磁,并安裝在所述色彩選擇裝置的所述框架的周邊上、且向所述陰極射線管的管頸延伸,所述屏蔽裝置向熒光屏延伸而越過所述框架的縱向和橫向側(cè)壁之一,所述屏蔽裝置包括主屏蔽元件,其包括設置在所述框架的縱向側(cè)上的裙部;以及設置在所述框架的橫向側(cè)上的輔屏蔽元件,所述輔屏蔽元件覆蓋所述蔭罩和所述彈性元件之間限定的空間。
14.如權利要求13所述的陰極射線管,其特征在于,還包括由彼此分開的所述裙部和所述輔屏蔽元件限定的斷開部分。
15.如權利要求14所述的陰極射線管,其特征在于,所述斷開部分在所述框架的角落處。
16.如權利要求13所述的陰極射線管,其特征在于,所述輔屏蔽元件還包括屏蔽部分,布置在縱向上,以覆蓋所述蔭罩和所述彈性元件之間的空間;以及橋接部,其一體地從所述屏蔽部分延伸并固定在所述彈性元件上。
17.如權利要求13所述的陰極射線管,其特征在于,所述輔屏蔽元件還包括屏蔽部分,覆蓋所述框架的橫向側(cè)和所述彈性元件之間的空間;以及固定部分,在所述屏蔽部分的兩端部處彎曲,并固定在所述支撐元件上。
18.如權利要求13所述的陰極射線管,其特征在于,所述裙部覆蓋所述支撐元件的中心部分,并且非對稱于所述支撐元件的中心部分,所述裙部連接至所述支撐元件,同時滿足基于所述裙部的厚度、從所述蔭罩向所述熒光屏延伸的所述裙部的長度和所述支撐元件的高度的條件。
19.如權利要求13所述的陰極射線管,其特征在于,所述輔屏蔽元件連接至所述支撐元件,同時滿足基于所述輔屏蔽元件的厚度、從所述蔭罩向所述熒光屏延伸的所述輔屏蔽元件的長度和所述支撐元件高度的條件。
20.一種陰極射線管,包括色彩選擇裝置,色彩選擇裝置選擇從電子槍發(fā)射出的電子束,并使所選的電子束能著落在相應的熒光粉上,所述色彩選擇裝置包括框架,該框架包括一對彼此平行、相距一預定距離設置的支撐元件、以及一對固定在所述支撐元件兩端上以與蔭罩的橫向側(cè)相對的彈性元件;以及屏蔽裝置,該屏蔽裝置屏蔽地磁,并安裝在所述色彩選擇裝置的所述框架的周邊上、且向所述陰極射線管的管頸延伸,所述屏蔽裝置向熒光屏延伸而越過所述框架的縱向和橫向側(cè)壁之一,所述屏蔽裝置包括主屏蔽元件,它包括設置在所述框架的縱向側(cè)上的裙部,所述裙部固定在所述支撐元件上、覆蓋所述支撐元件的中心部分、且非對稱于所述支撐元件的中心部分;設置在所述框架的橫向側(cè)上的輔屏蔽元件,所述輔屏蔽元件覆蓋所述蔭罩和所述彈性元件之間限定的空間,所述輔屏蔽元件的寬度大于所述框架的橫向側(cè)的寬度;以及斷開部分,該斷開部分在所述框架的角落處由彼此分開的所述裙部和所述輔屏蔽元件限定。
全文摘要
一種陰極射線管,包括:屏板,它具有其上形成有熒光屏的前部屏幕部分和形成在前部屏幕部分邊緣上的屏板凸緣;連接至屏板凸緣的玻錐;設置在玻錐周圍的偏轉(zhuǎn)線圈;連接至玻錐的管頸;設置在管頸內(nèi)的電子槍;色彩選擇裝置,用于選擇從電子槍發(fā)射出的電子束,并使所選的電子束能著落在相應的熒光粉上,色彩選擇裝置包括框架,該框架具有一對彼此平行、相距預定距離設置的支撐元件、以及一對固定在支撐元件兩端上以與蔭罩的橫向側(cè)相對的彈性元件;及用于屏蔽地磁的屏蔽裝置,屏蔽裝置安裝在色彩選擇裝置的框架的周邊、且向管頸延伸。該屏蔽裝置包括對應框架角落限定的斷開部分,屏蔽裝置向熒光屏延伸而越過框架的縱向和橫向側(cè)壁之一。
文檔編號H01J29/06GK1387228SQ0211987
公開日2002年12月25日 申請日期2002年5月17日 優(yōu)先權日2001年5月18日
發(fā)明者李應碩, 金鐘憲 申請人:三星Sdi株式會社
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