本發(fā)明的實(shí)施例是在半導(dǎo)體器件的領(lǐng)域，并且更具體地是在非平面晶體管的領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

finFET是在半導(dǎo)體材料的薄條(被稱為“鰭狀物”)周圍構(gòu)建的晶體管。晶體管包括標(biāo)準(zhǔn)場效應(yīng)晶體管(FET)節(jié)點(diǎn)/部件：柵極、柵極電介質(zhì)、源極區(qū)和漏極區(qū)。器件的導(dǎo)電溝道處于柵極電介質(zhì)之下、在鰭狀物的外側(cè)上。具體地，電流沿著鰭狀物的兩個(gè)“側(cè)壁”以及沿著鰭狀物的頂側(cè)流動。因?yàn)閷?dǎo)電溝道實(shí)質(zhì)上處于沿著鰭狀物的三個(gè)不同的外部平面區(qū)，這樣的finFET一般被稱為“三柵極”finFET。存在其它類型的finFET(例如“雙柵極”finFET，其中導(dǎo)電溝道主要僅處于沿著鰭狀物的兩個(gè)側(cè)壁而非沿著鰭狀物的頂側(cè))。

附圖說明

根據(jù)所附權(quán)利要求、一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例的以下詳細(xì)描述和對應(yīng)的附圖，本發(fā)明的實(shí)施例的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，在附圖中：

圖1包括本發(fā)明的實(shí)施例中的多個(gè)基于非線性鰭狀物的finFET。

圖2(a)包括本發(fā)明的實(shí)施例中的基于線性鰭狀物的finFET和基于非線性鰭狀物的finFET。圖2(b)包括本發(fā)明的實(shí)施例中的基于非線性鰭狀物的finFET。

圖3包括本發(fā)明的實(shí)施例中的混合器和放大器。

圖4包括本發(fā)明的實(shí)施例中的復(fù)用器(mux)。

圖5(a)-(c)包括本發(fā)明的實(shí)施例中的用于形成基于非線性鰭狀物的finFET的方法。

圖6包括針對圖5(a)-(c)的方法的示意性流程圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參考附圖，其中可以給相似的結(jié)構(gòu)提供相似的下標(biāo)參考標(biāo)記。為了更清楚地顯示各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，被包括在本文中的附圖是半導(dǎo)體/電路結(jié)構(gòu)的示意性表示。因此，所制造的集成電路結(jié)構(gòu)的實(shí)際外觀例如在顯微照片中可能看起來不同，但仍然包含了所示實(shí)施例的所主張的結(jié)構(gòu)。此外，附圖可以僅僅示出對理解所示實(shí)施例有用的結(jié)構(gòu)。在本領(lǐng)域中已知的額外結(jié)構(gòu)可以不被包括以維持附圖的清晰。例如，不是半導(dǎo)體器件的每層都必須被示出。“實(shí)施例”、“各種實(shí)施例”等指示這樣描述的實(shí)施例可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性，但不是每個(gè)實(shí)施例都必須包括該特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。一些實(shí)施例可以具有針對其它實(shí)施例描述的特征中的一些、全部特征或沒有這些特征?！暗谝弧?、“第二”、“第三”等描述共同的對象并指示相似對象的不同實(shí)例正被提到。這樣的形容詞并不暗示這樣描述的對象必須在時(shí)間上、空間上、排名上或以任何其它方式采用給定順序?！斑B接”可以指示元件彼此直接物理或電接觸，并且“耦合”可以指示元件彼此協(xié)作或交互作用，但它們可以或可以不直接物理或電接觸。

實(shí)施例包括使用基于自對準(zhǔn)間隔體和非線性“彎曲”骨干架構(gòu)的過程來制造的多端子finFET晶體管(例如三端子finFET)。這樣的晶體管在本文中有時(shí)被稱為基于非線性鰭狀物的finFET，因?yàn)槠渖闲纬删w管的鰭狀物可以是非線性的?；诜蔷€性鰭狀物的結(jié)構(gòu)可以用于形成混合器以將第一頻率輸入轉(zhuǎn)換為第二頻率輸入。通過改變骨干結(jié)構(gòu)的形狀，多個(gè)基于非線性鰭狀物的finFET彼此以平行或反平行(也被稱為對極)方式并排設(shè)置。

實(shí)施例包括具有三個(gè)端子的基于非線性鰭狀物的finFET混合器。一個(gè)端子用于高頻輸入信號，第二端子用于輸入局部振蕩器頻率，并且第三端子用于輸出混合的信號，其為高頻輸入信號與局部振蕩器頻率的混合。

實(shí)施例包括以級聯(lián)方式布置的基于非線性鰭狀物的finFET，其接著允許在單個(gè)片上系統(tǒng)(SoC)上的多輸入和多數(shù)出(MIMO)通信。MIMO與在無線電系統(tǒng)的發(fā)射機(jī)和接收機(jī)二者處的多個(gè)天線的使用有關(guān)以提高通信性能。

圖1包括本發(fā)明的實(shí)施例中的多個(gè)基于非線性鰭狀物的finFET。更具體地，圖1的裝置包括具有平行finFET 120、130和與finFET 120反平行的finFET 110的SoC 100。SoC包括具有第一部分111、第二部分112和第三部分113的非平面鰭狀物110。部分110包括長軸115和短軸115’。部分112包括長軸116和短軸116’。部分113包括長軸117和短軸117’。部分111、112、113彼此成整體。例如，部分111、112、113都由相同的原始鰭狀物形成，并且不是借助于跡線或互連而耦合在一起，而是替代地由相同的鰭狀物結(jié)構(gòu)形成。

SoC 100包括具有第一部分121、第二部分122和第三部分123的非平面鰭狀物120。部分120包括長軸125，部分122包括長軸126，并且部分123包括長軸127。部分121、122、123彼此成整體。鰭狀物110不與鰭狀物120成整體。雖然它們在SoC制造過程中的某點(diǎn)處共享公共鰭狀物，圖1所示的過程的階段將鰭狀物110、120顯示為彼此不成整體。

SoC 100包括具有第一部分131、第二部分132和第三部分133的非平面鰭狀物130。部分130包括長軸135和短軸135’。部分132包括長軸136和短軸136’。部分133包括長軸137和短軸137’。部分131、132、133彼此成整體。

鰭狀物110代表鰭狀物110、120、130。在鰭狀物110中，長軸115、116、117彼此平行，并且長軸115、116、117彼此是非共線的。

圖2(a)包括本發(fā)明的實(shí)施例中的基于線性鰭狀物的finFET和基于非線性鰭狀物的finFET。圖2(b)包括本發(fā)明的實(shí)施例中的基于非線性鰭狀物的finFET。圖2(a)和2(b)都包括具有部分231、232、233的鰭狀物，并且部分231、232、233中的每個(gè)部分包括從包括源極、漏極和溝道的組中選擇的晶體管的節(jié)點(diǎn)。部分231、232、233共同包括至少一個(gè)finFET。

在圖2(a)中，部分231、232、233中的每個(gè)部分包括單個(gè)finFET的節(jié)點(diǎn)。部分231、232、233在包括用于單個(gè)finFET 230的溝道的公共部分254處彼此交叉。接觸部243在鰭狀物的源極部分243’上，接觸部242在鰭狀物的溝道部分242’上，并且接觸部241在鰭狀物的漏極部分241’上。

圖2(b)不同于圖2(a)的實(shí)施例，因?yàn)樵趫D2(b)的實(shí)施例中，部分231、232、233中的每個(gè)部分包括具有源極、漏極和溝道節(jié)點(diǎn)的finFET。因此，鰭狀物230包括三個(gè)finFET。具體地，第一finFET接觸部243在鰭狀物的源極部分243’上，接觸部242在鰭狀物的溝道部分242’上，并且接觸部241在鰭狀物部分233的漏極部分241’上。對于第二finFET，接觸部246在鰭狀物的源極部分246’上，接觸部245在鰭狀物的溝道部分245’上，并且接觸部244在鰭狀物部分231的漏極部分244’上。對于第三finFET，接觸部249在鰭狀物的源極部分249’上，接觸部248在鰭狀物的溝道部分248’上，并且接觸部247在鰭狀物部分232的漏極部分247’上。因此，部分231、232均包括溝道(245’，248’)。在一個(gè)實(shí)施例中，溝道245’、248’耦合到單個(gè)公共柵極接觸部(未示出)，溝道245’、248’彼此不直接接觸。在另一實(shí)施例中，溝道245’、248’耦合到不同的柵極接觸部，溝道245’、248’彼此不直接接觸。而且，在實(shí)施例中，部分231、232均包括源極(246’，249’)。在一個(gè)實(shí)施例中，源極246’、249’耦合到單個(gè)公共源極接觸部(未示出)，第一和第二部分的源極彼此不直接接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，源極246’、249’耦合到不同的源極接觸部，源極246’、249’彼此不直接接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，漏極244’、247’耦合到單個(gè)公共源極接觸部(未示出)，第一和第二部分的漏極彼此不直接接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，漏極244’、247’耦合到不同的漏極接觸部，漏極246’、249’彼此不直接接觸。

返回到圖2(a)，非線性鰭狀物230的鰭狀物部分231、232、233可以被包括在SoC上，SoC包括基于線性鰭狀物261的常規(guī)的基于線性鰭狀物的finFET 231。常規(guī)的基于線性鰭狀物的finFET 231可以包括不與非平面鰭狀物230成整體的非平面鰭狀物261。如由虛線239指示的，鰭狀物部分261在制造過程期間的某一時(shí)間已經(jīng)與部分233對準(zhǔn)，只在該過程中的稍后點(diǎn)處被分離。所去除的鰭狀物部分可以用層間介質(zhì)(ILD)等代替以隔離鰭狀物261與鰭狀物230。如下面將解釋的，自對準(zhǔn)間隔體技術(shù)的實(shí)施例與在和基于非線性鰭狀物的finFET相同的襯底/SoC上形成基于線性鰭狀物的finFET完全相容?；诰€性鰭狀物的finFET和基于非線性鰭狀物的finFET可以由相同的鰭狀物形成。因此，可以通過挑選骨干結(jié)構(gòu)(例如，線性還是非線性)來在同一管芯上制造常規(guī)的兩端子器件和三端子器件，使過程實(shí)施例變得高度通用。

請注意，雖然實(shí)施例(例如圖2(a)的實(shí)施例)示出在鰭狀物的一側(cè)上的源極部分比漏極側(cè)具有更多的構(gòu)件(例如器件230具有在一側(cè)上的兩個(gè)構(gòu)件231、232和在另一側(cè)上的一個(gè)構(gòu)件233)，但是節(jié)點(diǎn)是可互換的，并且在其它實(shí)施例中元件243’可以表示漏極，而元件241’可以表示源極。

返回到圖1，鰭狀物110、111、112中的任一個(gè)可以被塑造為圖2(a)的鰭狀物230或圖2(b)的鰭狀物230。鰭狀物110緊鄰鰭狀物120并與鰭狀物120反平行/對極，鰭狀物120緊鄰鰭狀物130并與鰭狀物130平行。所有鰭狀物110、120、130形成在襯底105上并被包括在SoC 100中。鰭狀物110、120、130彼此都不成整體。

將鰭狀物130當(dāng)作鰭狀物110、120、130的代表，部分133具有最大寬度150和最大高度151，并且部分132具有最大寬度和最大高度153。高度151可以不等于高度153和/或?qū)挾?50可以不等于寬度152。作為結(jié)果，實(shí)施例可以通過改變鰭狀物的不同部分的寬度來提供短溝道控制的益處。例如，溝道和/或漏極部分可以比源極部分厚以更好地管理短溝道效應(yīng)。

圖3包括本發(fā)明的實(shí)施例中的混合器。在電子器件中，混合器或頻率混合器可以是非線性電路，其根據(jù)施加到它的兩個(gè)信號創(chuàng)建新頻率。例如，將頻率f1和f2處的兩個(gè)信號施加到混合器，并且混合器產(chǎn)生總和f1+f2處的新信號和原始頻率的差f1-f2。也可以在頻率混合器中產(chǎn)生其它頻率分量。

SoC 300包括具有部分321、322、323、331、332、333、349的非平面鰭狀物，其所有部分都彼此成整體(由單個(gè)連續(xù)鰭狀物形成)。SoC 300可以包括RF混合器。

部分321包括用于第一信號和振蕩器信號的輸入節(jié)點(diǎn)以及用于基于第一信號和振蕩器信號的混合信號的輸出節(jié)點(diǎn)。例如，部分321包括用于信號sigA的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極節(jié)點(diǎn))和用于局部振蕩器信號Osc1的另一輸入節(jié)點(diǎn)(例如柵極節(jié)點(diǎn))。部分321包括用于輸出混合信號sigA*Osc1的輸出節(jié)點(diǎn)(例如漏極節(jié)點(diǎn))。因此，部分321獨(dú)自構(gòu)成混合器。然而，在圖3的實(shí)施例中，部分321的混合器可以如下與其它混合器組合。部分322包括用于信號sigB的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極節(jié)點(diǎn))、用于局部振蕩器信號Osc2的輸入節(jié)點(diǎn)(例如柵極節(jié)點(diǎn))以及用于輸出混合信號sigB*Osc2的輸出節(jié)點(diǎn)(例如漏極節(jié)點(diǎn))。部分331包括用于信號sigC的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極節(jié)點(diǎn))、用于局部振蕩器信號Osc3的輸入節(jié)點(diǎn)(例如柵極節(jié)點(diǎn))以及用于輸出混合信號sigC*Osc3的輸出節(jié)點(diǎn)(例如漏極節(jié)點(diǎn))。部分332包括用于信號sigD的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極節(jié)點(diǎn))、用于局部振蕩器信號Osc4的輸入節(jié)點(diǎn)(例如柵極節(jié)點(diǎn))以及用于輸出混合信號sigD*Osc4的輸出節(jié)點(diǎn)(例如漏極節(jié)點(diǎn))。

部分321包括用于sigA*Osc1的輸出節(jié)點(diǎn)以及用于SoC 300的另一部分的輸入節(jié)點(diǎn)。例如，部分323包括用于信號sigA*Osc1和sigB*Osc2的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極節(jié)點(diǎn))、用于柵極信號amp1的輸入節(jié)點(diǎn)(例如柵極節(jié)點(diǎn))和用于輸出放大的信號sigA*Osc1+sigB*Osc2的輸出節(jié)點(diǎn)(例如漏極節(jié)點(diǎn))。因此，部分323被包括在諸如跨導(dǎo)放大器FET的晶體管放大器中。這樣的器件可以被包括在級聯(lián)配置中。

部分333包括用于混合信號sigC*Osc3和sigD*Osc4的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極節(jié)點(diǎn))、用于柵極信號amp2的輸入節(jié)點(diǎn)(例如柵極節(jié)點(diǎn))和用于輸出放大的信號sigC*Osc3+sigD*Osc4的輸出節(jié)點(diǎn)(例如漏極節(jié)點(diǎn))。因此，部分333被包括在諸如跨導(dǎo)放大器FET的晶體管放大器中。這樣的器件可以被包括在級聯(lián)配置中。

部分349包括用于混合并放大的信號sigA*Osc1+sigB*Osc2和sigC*Osc3+sigD*Osc4的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極節(jié)點(diǎn))、用于柵極信號amp3的輸入節(jié)點(diǎn)(例如柵極節(jié)點(diǎn))和用于輸出混合并放大的信號sigA*Osc1+sigB*Osc2+sigC*Osc3+sigD*Osc4的輸出節(jié)點(diǎn)(例如漏極節(jié)點(diǎn))。因此，部分349被包括在諸如跨導(dǎo)放大器FET的晶體管放大器中。這樣的器件可以被包括在級聯(lián)配置中。

在實(shí)施例中，用于諸如sigA和sigB等信號的輸入可以用于從MIMO系統(tǒng)中的雙重天線接收信號。

雖然實(shí)施例示出一般驅(qū)動finFET的柵極的振蕩器信號，但是在其它實(shí)施例中，振蕩器信號或任何其它輸入信號可以在另一節(jié)點(diǎn)處被輸入。例如，sigA可以如圖3所示被輸入，但振蕩器信號可以在sigB被示為允許sigA和Osc1在到達(dá)由amp1驅(qū)動的柵極之前被混合的情況下被輸入。

圖4包括本發(fā)明的實(shí)施例中的復(fù)用器(mux)。復(fù)用器是選擇幾個(gè)模擬或數(shù)字輸入信號之一并將選定輸入轉(zhuǎn)發(fā)到單個(gè)線內(nèi)的器件。2ⁿ個(gè)輸入的復(fù)用器具有n個(gè)選擇線，選擇線用于選擇哪個(gè)輸入線要發(fā)送到輸出。復(fù)用器主要用于增加可以在某個(gè)數(shù)量的時(shí)間和帶寬內(nèi)通過網(wǎng)絡(luò)來發(fā)送的數(shù)據(jù)的數(shù)量。復(fù)用器也被稱為數(shù)據(jù)選擇器。

SoC 400包括具有部分421、422、423、431、432、433、449的非平面鰭狀物，其所有部分都彼此成整體(由單個(gè)連續(xù)鰭狀物形成)。SoC 400可以包括復(fù)用器。

部分431包括長軸435。部分432包括長軸436。部分433包括長軸437。部分449包括長軸438。軸435、436、437、438彼此平行。軸438與軸435、436、437是非共線的，雖然在所有實(shí)施例中不需要是這種情況。

部分421包括用于信號sigA的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極)，部分422包括用于信號sigB的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極)，部分423包括用于信號sigA和sigB之一的輸出節(jié)點(diǎn)，并且部分421、422包括選擇節(jié)點(diǎn)(例如柵極)selA 441和selB 442。選擇節(jié)點(diǎn)441、442可以耦合到單個(gè)接觸部，但那些節(jié)點(diǎn)之一可以包括反相器等，所以單個(gè)Hi信號選擇sigA、sigB之一并取消選擇sigA、sigB中的其它信號，并且單個(gè)Lo信號選擇sigA、sigB中的另一個(gè)并取消選擇sigA、sigB中的其它信號。

部分421、422構(gòu)成可以耦合到SoC 400的其它部分的2:1復(fù)用器。例如，SoC 400的整體形成4:1復(fù)用器。部分431包括用于信號sigC的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極)，部分432包括用于信號sigD的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極)，部分433包括用于sigC和sigD之一的輸出節(jié)點(diǎn)，并且部分431、432包括選擇節(jié)點(diǎn)(例如柵極)selC 443和selB 442。

部分423包括用于信號sigA、sigB之一的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極)，部分433包括用于信號sigC、sigD之一的輸入節(jié)點(diǎn)(例如源極)，部分449包括用于信號sigA、sigB、sigC、sigD之一的輸出節(jié)點(diǎn)，并且部分423、433包括選擇節(jié)點(diǎn)(例如柵極)selAB 445(以選擇sigA和sigB之一或都不選擇)和selCD 446(以選擇sigC和sigD之一或都不選擇)。部分449還可以包括使能EN輸入以選擇Hi或Lo設(shè)置。

至selA、selB、selC、selD的信號可以包括信號s0并且至selAB、selCD的信號可以包括信號s1以產(chǎn)生典型的4:1復(fù)用器，其具有用于具有EN輸入的復(fù)用器的常規(guī)4:1真值表。

圖5(a)-(c)包括本發(fā)明的實(shí)施例中的用于形成基于非線性鰭狀物的finFET的方法。圖6包括圖5(a)-(c)的方法的示意性流程圖。

塊601包括在第一層上提供具有第一圖案的光刻掩模。第一層可以包括光刻膠、氧化物等。塊602包括基于第一圖案去除第一層的部分以在第一層中以最小光刻間距(雖然不是所有實(shí)施例都需要最小間距)形成非線性骨干(見圖5(a)骨干501)。塊603包括在非線性骨干的側(cè)壁上和在半導(dǎo)體層上提供間隔體層以形成間隔體圖案(見圖5(b)間隔體層502)。

間隔體是在預(yù)先圖案化的特征的側(cè)壁上形成的膜層。通過在先前圖案上的膜的沉積或反應(yīng)，隨后是蝕刻/去除水平表面上的膜材料，只留下側(cè)壁上的材料，來形成間隔體。通過去除原始圖案化特征，只留下間隔體。然而，因?yàn)槊總€(gè)線有兩個(gè)間隔體，線密度現(xiàn)在被加倍。間隔體技術(shù)可應(yīng)用于以例如原始光刻間距的一半來限定窄柵極。間隔體方法是獨(dú)特的，因?yàn)樵谝淮喂饪唐毓獾那闆r下，可以用一系列間隔體形成和圖案轉(zhuǎn)移過程來無限地將間距二等分。這方便地避免在連續(xù)曝光之間的重疊的嚴(yán)重問題。由于間隔體材料可以包括硬掩模材料，它們的蝕刻后圖案質(zhì)量與蝕刻之后的光刻膠剖面相比可以是較好的，蝕刻之后的光刻膠剖面通常受到線邊緣粗糙度的困擾。

塊604包括基于間隔體圖案去除骨干和半導(dǎo)體層的部分以形成具有第一、第二和第三部分的非平面鰭狀物(見圖5(c)，半導(dǎo)體503上的鰭狀物504)，其中每個(gè)部分具有長軸且每個(gè)部分彼此成整體；其中第一、第二和第三部分的長軸505、506、507彼此平行，并且長軸505、506、507彼此是非共線的。

因此，如利用方法600所示的，與由直接光刻法創(chuàng)建的類似結(jié)構(gòu)比較，使用骨干結(jié)構(gòu)和自對準(zhǔn)間隔體技術(shù)產(chǎn)生非常均勻的鰭狀物尺寸。圖5(c)的鰭狀物504部分的間距可以是圖5(a)的最小光刻間距的1/2或更小。實(shí)施例包括通過直接光刻法創(chuàng)建骨干結(jié)構(gòu)，沉積間隔體，蝕刻掉/去除骨干結(jié)構(gòu)，并接著將間隔體圖案轉(zhuǎn)移到沉底以創(chuàng)建鰭狀物。

各種實(shí)施例包括半導(dǎo)體襯底。這樣的襯底可以是體半導(dǎo)體材料，其是晶圓的部分。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底是體半導(dǎo)體材料，作為從晶圓分割出來的芯片的部分。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底是在絕緣體上方形成的半導(dǎo)體材料，例如絕緣體上半導(dǎo)體(SOI)襯底。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底是在體半導(dǎo)體材料上方延伸的突起結(jié)構(gòu)，例如鰭狀物。

下面的示例屬于另外的實(shí)施例。

示例1包括一種裝置，包括：非平面鰭狀物，其具有第一、第二和第三部分，每個(gè)部分具有長軸和短軸，并且每個(gè)部分彼此成整體；其中(a)第一、第二和第三部分的長軸彼此平行，(b)第一和第二部分的長軸彼此是非共線的，(c)第一、第二和第三部分中的每個(gè)部分包括從包括源極、漏極和溝道的組中選擇的晶體管的節(jié)點(diǎn)，(e)第一、第二和第三部分包括至少一個(gè)finFET。

在示例2中，示例1的主題可以可選地包括：其中第一、第二和第三部分中的每個(gè)部分包括具有源極、漏極和溝道節(jié)點(diǎn)的finFET，鰭狀物被包括在至少三個(gè)finFET中。

在示例3中，示例1-2的主題可以可選地包括：其中第一、第二和第三部分中的每個(gè)部分包括單個(gè)finFET的節(jié)點(diǎn)。

在示例4中，示例1-3的主題可以可選地包括：其中第一、第二和第三部分在包括用于單個(gè)finFET的溝道的公共部分處彼此交叉。

在示例5中，示例1-4的主題可以可選地包括權(quán)利要求1的裝置，其中(a)鰭狀物包括具有長軸和短軸并與第一、第二和第三部分成整體的第四部分，(b)第一、第二、第三和第四部分的長軸彼此平行，(c)第四部分的長軸與第一、第二和第三部分的長軸的至少其中之一是非共線的。

在示例6中，示例1-5的主題可以可選地包括額外的非平面鰭狀物，其具有額外的第一、第二和第三部分，每個(gè)部分具有額外的長軸和短軸并且彼此成整體；其中(a)第一、第二和第三部分的額外長軸彼此平行，(b)第一和第二部分的額外長軸彼此是非共線的，(c)額外的第一、第二和第三部分中的每個(gè)部分包括從包括源極、漏極和溝道的組中選擇的晶體管的節(jié)點(diǎn)，(e)額外的第一、第二和第三部分包括至少一個(gè)額外的finFET；其中鰭狀物緊鄰額外的鰭狀物，鰭狀物和額外的鰭狀物都被包括在單個(gè)片上系統(tǒng)(SoC)中，并且鰭狀物和額外的鰭狀物彼此不成整體。

在示例7中，示例1-6的主題可以可選地包括：其中鰭狀物被定位成與額外的鰭狀物對極，以使得第二部分緊鄰額外的第三部分，并且第三部分緊鄰額外的第一部分。

在示例8中，示例1-7的主題可以可選地包括：其中(a)第一、第二和第三部分中的每個(gè)部分具有對應(yīng)于其短軸的最大寬度，以及(b)第一部分的最大寬度不等于第二和第三部分的最大寬度中的至少一個(gè)。

在示例9中，示例1-8的主題可以可選地包括：其中第一和第二部分均包括耦合到單個(gè)公共柵極接觸部的溝道，第一和第二部分的溝道彼此不直接接觸。

在示例10中，示例1-9的主題可以可選地包括：其中第一和第二部分均包括耦合到單個(gè)公共源極接觸部的源極，第一和第二部分的源極彼此不直接接觸。

在示例11中，示例1-10的主題可以可選地包括：其中第一、第二和第三部分的長軸彼此是非共線的。

在示例12中，示例1-11的主題可以可選地包括片上系統(tǒng)(SoC)，其包括至少一個(gè)finFET和額外的finFET，其中額外的finFET包括不與非平面鰭狀物成整體的額外的非平面鰭狀物。

在示例13中，示例1-12的主題可以可選地包括射頻(RF)混合器，其包括第一、第二和第三部分。

在示例14中，示例1-13的主題可以可選地包括：其中鰭狀物包括用于第一信號和振蕩器信號的輸入節(jié)點(diǎn)和用于基于第一信號和振蕩器信號的混合信號的輸出節(jié)點(diǎn)。

在示例15中，示例1-14的主題可以可選地包括：其中第一部分包括用于第一信號和振蕩器信號的輸入節(jié)點(diǎn)。

在示例16中，示例1-15的主題可以可選地包括：其中第二部分包括用于額外的信號和額外的振蕩器信號的輸入節(jié)點(diǎn)。

在示例17中，示例1-16的主題可以可選地包括：其中(a)非平面鰭狀物包括第四和第五部分，每個(gè)部分具有長軸和短軸，并且與第三部分成整體，(b)第三、第四和第五部分的長軸彼此平行，(c)第三和第四部分的長軸彼此是非共線的，(d)第三部分包括額外的輸入節(jié)點(diǎn)。

在示例18中，示例1-17的主題可以可選地包括：其中第三部分被包括在放大器中。

在示例19中，示例1-18的主題可以可選地包括復(fù)用器(mux)，其包括第一、第二和第三部分。

在示例20中，示例1-19的主題可以可選地包括：其中(a)第一部分包括用于第一信號的輸入節(jié)點(diǎn)，(b)第二部分包括用于第二信號的輸入節(jié)點(diǎn)，(c)第三部分包括用于第一和第二信號之一的輸出節(jié)點(diǎn)，以及(d)第一和第二部分中的每個(gè)部分包括選擇節(jié)點(diǎn)。

在示例21中，示例1-20的主題可以可選地包括：其中第一和第二部分的選擇節(jié)點(diǎn)均耦合到單個(gè)選擇信號源。

在示例22中，示例21的主題可以可選地包括：其中(a)非平面鰭狀物包括第四和第五部分，每個(gè)部分具有長軸和短軸，并且與第三部分成整體，(b)第三、第四和第五部分的長軸彼此平行，(c)第三和第四部分的長軸彼此是非共線的，(d)第三部分包括額外的信號選擇節(jié)點(diǎn)。

示例23包括一種方法，其包括：在第一層上提供具有第一圖案的光刻掩模；基于第一圖案來去除第一層的部分以在第一層中以最小光刻間距形成非線性骨干；在非線性骨干的半導(dǎo)體層和側(cè)壁上提供間隔體層以形成間隔體圖案；基于間隔體圖案去除半導(dǎo)體層和骨干的部分以形成具有第一、第二和第三部分的非平面鰭狀物，其中每個(gè)部分具有長軸和短軸，并且每個(gè)部分彼此成整體；其中(a)第一、第二和第三部分的長軸彼此平行，(b)第一和第二部分的長軸彼此是非共線的，(c)第一、第二和第三部分中的每個(gè)部分包括從包括源極、漏極和溝道的組中選擇的晶體管的節(jié)點(diǎn)，(e)第一、第二和第三部分包括至少一個(gè)finFET。

在示例24中，示例23的主題可以可選地包括：其中第一、第二和第三部分中的每個(gè)部分包括具有源極、漏極和溝道節(jié)點(diǎn)的finFET，鰭狀物被包括在至少三個(gè)finFET中。

在示例25中，示例23-24的主題可以可選地包括：其中第一、第二和第三部分中的每個(gè)部分包括單個(gè)finFET的節(jié)點(diǎn)。

為了說明和描述的目的呈現(xiàn)了本發(fā)明的實(shí)施例的前述描述。它并不是要窮舉或?qū)⒈景l(fā)明限制于所公開的精確形式。本描述和所附權(quán)利要求包括術(shù)語，例如左、右、頂部、底部、在…之上、在…之下、上方、下方、第一、第二等，它們僅用于描述性目的而不應(yīng)被解釋為限制。例如，表示相對垂直位置的術(shù)語指下面的情況：襯底或集成電路的器件側(cè)(或有源表面)是該襯底的“頂”表面；襯底實(shí)際上可以在任何方向上，使得襯底的“頂”側(cè)可以低于在標(biāo)準(zhǔn)陸地參考系中的“底”側(cè)，并且仍然落在術(shù)語“頂部”的含義內(nèi)。本文中(包括在權(quán)利要求中)使用的術(shù)語“在…上”并不指示在第二層“上”的第一層直接在第二層上并與第二層直接接觸，除非有特別敘述；在第一層與第一層上的第二層之間可以存在第三層或其它結(jié)構(gòu)。本文所述的器件或物品的實(shí)施例可以在多個(gè)位置和方向上被制造、使用或運(yùn)送。相關(guān)領(lǐng)域中的技術(shù)人員可認(rèn)識到，按照上面的教導(dǎo)，很多修改和變化是可能的。本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將認(rèn)識到在附圖中示出的各種部件的各種等效組合和替換。因此其旨在使本發(fā)明的范圍不受到該詳細(xì)描述的限制而是由其所附權(quán)利要求來限制。