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偏振片、包含該偏振片的液晶顯示裝置及偏振片的制造方法

文檔序號:10693932閱讀:390來源:國知局
偏振片、包含該偏振片的液晶顯示裝置及偏振片的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種偏振片、包含該偏振片的液晶顯示裝置及偏振片的制造方法。本發(fā)明的偏振片至少具有被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的偏振器層,并包含在含碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離子I5?形成能力的化合物。
【專利說明】
偏振片、包含該偏振片的液晶顯示裝置及偏振片的制造方法
技術(shù)領域
[0001] 本發(fā)明涉及一種偏振片、包含該偏振片的液晶顯示裝置及該偏振片的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示裝置作為耗電少、節(jié)省空間的圖像顯示裝置已經(jīng)普及,其用途每年都在 擴大。
[0003] 液晶顯示裝置的典型結(jié)構(gòu)是在液晶單元的兩側(cè)設置偏振片。偏振片起到僅使一定 方向的極化面的光通過的作用,根據(jù)偏振片的性能可較大程度地左右液晶顯示裝置的性 能。通常,偏振片構(gòu)成為,至少包含由將碘吸附取向的聚乙烯醇系薄膜構(gòu)成的偏振器(以下, 還記載為偏振器層。),并且任意地具有保護薄膜等其他層(例如參考專利文獻1)。
[0004] 以往技術(shù)文獻
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1:日本專利公開2012-108202號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 發(fā)明要解決的技術(shù)課題
[0008] 近年來,液晶顯示裝置除了在室內(nèi)使用以外,在戶外使用的機會(例如,設置于戶 外的大屏幕顯示器、便攜式設備等)在增加。因此,對于構(gòu)成液晶顯示裝置的偏振片,要求具 有可耐受以戶外為首的各種環(huán)境下的使用的較高的耐久性。關于這一點,專利文獻1中提出 有為了提高偏振器層在高溫下的耐久性,使偏振器層包含抗壞血酸等水溶性抗氧化劑。
[0009] 但是,專利文獻1中,在實施例中,根據(jù)在80 °C下的干燥氣氛中放置規(guī)定時間之后 的變色程度評價偏振器層的耐久性。然而,作為使偏振器劣化的主要原因,除了溫度以外, 還可舉出濕度。因此,若能夠提高高溫高濕下的偏振器的耐久性,則能夠提供更加耐受各種 環(huán)境下的使用的偏振器。
[0010] 因此,本發(fā)明的目的在于提供一種能夠在高溫高濕下顯示較高耐久性的偏振片。
[0011] 用于解決技術(shù)課題的手段
[0012] 本發(fā)明人等為了實現(xiàn)上述目的而進行深入研究的結(jié)果,新發(fā)現(xiàn)以下偏振片:
[0013] 至少具有含有被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的偏振器層,
[0014] 并包含在含碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離子形成能力的化合物的偏振 片在放置于高溫高濕下之后仍具有較高的耐久性(詳細而言,在放置于高溫高濕下之后也 能夠發(fā)揮良好的偏振性能)。
[00?5]關于通過上述化合物能夠提尚偏振片在尚溫尚濕下的耐久性的理由,本發(fā)明人等 推測為如下。但是,以下為本發(fā)明人等的推測,不以任何方式限定本發(fā)明。
[0016]對于被碘染色的聚乙烯醇系薄膜,通常除了包含于碘染色溶液中的單碘化物離子 Γ及碘分子I2之外,還包含由單碘化物離子及碘分子形成的多碘化物離子I3'由該多碘化 物離子If及碘分子形成的多碘化物離子ir。
[0017] 另一方面,專利文獻1中提出有如下內(nèi)容,即,將由多碘化物離子If及聚乙烯醇系 樹脂(以下,還簡單記載為"聚乙烯醇"或"PVA"。)形成的絡合物引起偏振器的取向紊亂視作 偏振器劣化的原因,為了抑制偏振器制造工序中的多碘化物離子I廠的增加,使用抗壞血酸 等水溶性抗氧化劑。
[0018] 相對于此,本發(fā)明人等并不抑制多碘化物離子If的增加,而是考慮增加多碘化物 離子1廠進一步與碘分子I2鍵合的形態(tài)即由多碘化物離子及PVA形成的絡合物量。因此,本 發(fā)明人等使偏振片中包含在含碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離子1 5_形成能力的化合 物的結(jié)果,新發(fā)現(xiàn)能夠提供放置于高溫高濕下之后也能夠發(fā)揮良好的偏振性能的偏振片。 本發(fā)明人等推斷上述化合物通過將由I廠及PVA形成的絡合物中的1廠轉(zhuǎn)換為I 5'或許能夠增 加由If及PVA形成的絡合物量。
[0019] 另外,以下,以If及If為例對多碘化物離子進行說明,但也可包含更高階的多碘 化物離子。并且,更高階的多碘化物離子可與13^及同樣地與PVA形成絡合物。
[0020] 上述的含碘化化合物的溶液中的多碘化物離子15_形成能力設為通過以下方法測 定的值。關于以下記載的操作,除非特別記載,則設為在大氣中、室溫下(25°C相對濕度40% RH)進行。
[0021] 以下,以作為碘化化合物使用碘化鉀的方法為例進行說明。但是,作為碘化化合 物,可使用碘化鉀以外的碘化化合物,例如,碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘化鉛、碘化 銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦等。含碘化化合物的溶液中至少包含從碘化化合物電離 的單碘化物離子Γ。
[0022] (1)向混合溶劑(水:甲醇=1:1 (體積比))中添加碘化鉀(KI)并充分攪拌,由此制 備濃度〇. 05M的碘化鉀溶液。
[0023]將所制備的碘化鉀溶液的一部分用于以下的對象化合物溶液的制備,并將另一部 分用作以下的參考溶液。
[0024] (2)向上述碘化鉀溶液5mL中,添加0.025mmol的判定在碘化鉀溶液中是否顯示多 碘化物離子15^形成能力的對象化合物,充分攪拌并混合。根據(jù)此處的攪拌混合,存在對象化 合物完全溶解于碘化鉀溶液的情況,和微量(例如,相對于所添加的對象化合物總量,為5質(zhì) 量%以下)作為不溶物而存在的情況?;蛘?,不溶物較多而在吸光度測定中由于不溶物引起 的散射光等而很難正確讀取吸光度時(即,對象化合物缺乏對水及甲醇的溶解性時),可將 甲醇的一半量取代為對象化合物顯示較高溶解性的溶劑(以下,記載為第三溶劑。)來進行 測定。因此,此時,作為混合溶劑,可使用水:甲醇:第三溶劑=1:0.5:0.5 (體積比)的混合溶 劑。作為第三溶劑,從與水的相溶性較高這一點和與碘化物離子和碘分子的反應性較差這 一點出發(fā),優(yōu)選為乙醇、二甲基甲酰胺(DMF)、乙腈、丙酮等,但并不限定于這些。此外,作為 第三溶劑,也可以混合兩種以上的溶劑來使用。
[0025] 將包含如此制備的對象化合物溶液的耐壓試驗管,與包含參考溶液的耐壓試驗管 一同浸漬于液溫60°C的熱水浴中,在該狀態(tài)下放置2小時~8小時。
[0026] (3)之后,從熱水浴中取出耐壓試驗管,并從耐壓試驗管采取對象化合物溶液的一 部分,采用寬度(透射光的透射距離Hmm的單元,用分光光度計測定波長355nm中的吸光度。
[0027] (4)關于參考溶液,也從與包含對象化合物溶液的耐壓試驗管在熱水浴中浸漬相 同時間的狀態(tài)而放置的耐壓試驗管采取參考溶液的一部分,與對象化合物溶液同樣地進行 吸光度測定。
[0028] (5)將測定對象化合物溶液所得的吸光度超過0.0的化合物判定為顯示碘化鉀溶 液中的多碘化物離子If形成能力的化合物,將所測定的吸光度為〇.〇的化合物判定為不顯 示碘化鉀溶液中的多碘化物離子1 5_形成能力的化合物。
[0029] 但是,當浸漬于熱水浴之前的對象化合物溶液在波長355nm處具有吸收時,將從通 過上述測定得到的吸光度中減去浸漬于熱水浴之前的對象化合物溶液的波長355nm處的吸 光度而得到的值用于判定是否顯示多碘化物離子1 5_形成能力。并且,當參考溶液的波長 355nm處的吸光度超過0.0時,將從關于對象化合物溶液而得到的吸光度中減去關于參考溶 液而得到的吸光度來得到的值用于判定對象化合物是否在碘化鉀溶液中顯示多碘化物離 子]V形成能力。
[0030] 另外,基于分光光度計的吸光度測定通過測定對象溶液的測定結(jié)果與空白溶液的 測定結(jié)果的對比來進行??瞻兹芤旱臏y定(以下,稱為空白試驗。)由于要排除或減低單元的 影響,因此設為使用與對象化合物溶液的吸光度測定中使用的單元相同的單元來進行。作 為空白溶液,使用對象化合物溶液的制備中使用的混合溶劑(不含對象化合物及碘化鉀)。
[0031] 上述測定中求出吸光度的波長355nm是多碘化物離子I5-顯示吸收的波長。因此,在 波長355nm處吸光度超過0.0,即在波長355nm處具有吸收表示在溶液中存在多碘化物離子 I 5'這表示對象化合物在包含單碘化物離子Γ的碘化鉀溶液中形成了多碘化物離子15'本 發(fā)明人等認為,能夠在包含單碘化物離子Γ的碘化鉀溶液中形成1 5_,這表示具有促進Γ的 氧化(由此形成I2),并且促進基于I2與Γ的I廠的形成進而促進基于所形成的I廠與I 2的的 形成的作用。并且本發(fā)明人等認為,通過這樣發(fā)揮促進的形成的作用的化合物,能夠增加 由If與PVA形成的絡合物量,這有助于維持或提高偏振器層的偏振性能。
[0032] -方式中,上述偏振片中,上述化合物包含于偏振器層。
[0033] -方式中,上述偏振片中,上述化合物至少存在于偏振器層的表面或包含表面的 表層區(qū)域。
[0034] -方式中,上述化合物包含特定的碳原子,該特定的碳原子經(jīng)由單鍵與吸電子基 團鍵合且不經(jīng)由雙鍵與碳原子鍵合。
[0035] -方式中,上述化合物包含特定的碳原子,該特定的碳原子分別經(jīng)由單鍵與2個吸 電子基團鍵合且不經(jīng)由雙鍵與碳原子鍵合。
[0036] 一方式中,上述吸電子基團為羰基。
[0037] -方式中,上述化合物包含1個以上的雜原子。
[0038] -方式中,上述化合物在環(huán)狀結(jié)構(gòu)中包含上述特定的碳原子。
[0039] 一方式中,上述環(huán)狀結(jié)構(gòu)為雜環(huán)。
[0040] -方式中,上述環(huán)狀結(jié)構(gòu)為5元或6元環(huán)。
[0041] 一方式中,上述環(huán)狀結(jié)構(gòu)為含氮雜環(huán)。
[0042]本發(fā)明的另一方式涉及一種上述偏振片的,
[0043]所述制造方法包含形成至少一層包含在含碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離 子If形成能力的化合物的層的工序。
[0044] -方式中,上述制造方法至少包含對聚乙烯醇系薄膜進行碘染色的染色工序,
[0045] 并在染色工序前、染色工序中及染色工序后的至少任一時期中包含,通過將在含 碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離子15_形成能力的化合物適用于聚乙烯醇系薄膜中,從 而形成包含上述化合物的偏振器層的工序。
[0046] -方式中,上述適用是指,將包含在含碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離子If 形成能力的化合物的溶液涂布于被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的至少一個表面。
[0047]本發(fā)明的另一方式涉及一種包含上述偏振片的液晶顯示裝置。
[0048]發(fā)明效果
[0049] 根據(jù)本發(fā)明的一方式,能夠提供一種放置在高溫高濕下之后仍能夠顯示良好的偏 振性能的偏振片及具備該偏振片的液晶顯示裝置。
【附圖說明】
[0050] 圖1是表示本發(fā)明的一方式所涉及的液晶顯示裝置的例的示意圖。
【具體實施方式】
[0051] 以下說明是根據(jù)本發(fā)明的代表性實施方式而進行的,但本發(fā)明并不限定于這樣的 實施方式。另外,本發(fā)明及本說明書中用"~"表示的數(shù)值范圍,表示包含在"~"前后記載的 數(shù)值作為下限值及上限值的范圍。
[0052] 并且,本發(fā)明及本說明書中的基團(原子團)的表述中,未記述有取代及無取代的 表述,為包含不具有取代基的基團同時還包含具有取代基的基團。例如"烷基"不僅包含不 具有取代基的烷基(無取代烷基),還包含具有取代基的烷基(取代烷基)。
[0053] [偏振片]
[0054] 本發(fā)明的一方式所涉及的偏振片至少具有包含被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的偏 振器層,包含在含碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離子If形成能力的化合物(以下,還簡 單記載為"顯示出多碘化物離子形成能力的化合物"。)。
[0055] 以下,對上述偏振片進行更詳細說明。
[0056] <偏振片的結(jié)構(gòu)>
[0057]上述偏振片至少具有由被碘染色的聚乙烯醇系薄膜構(gòu)成的偏振器層。此外作為任 意層,能夠具有一層以上的偏振片保護薄膜、粘結(jié)劑層等。對于任意設置的層,將在后面進 行敘述。
[0058]上述偏振片中包含的偏振器層包含被碘染色的聚乙烯醇系薄膜。其中,碘染色通 常通過使含有碘I2及碘化化合物(例如包含單碘化物離子Γ的碘化鉀KI或包含I3IPir等多 碘化物離子的化合物)的水溶液與聚乙烯醇系薄膜接觸(例如將聚乙烯醇系薄膜浸漬于上 述水溶液)來進行。詳細內(nèi)容將在后面進行敘述。偏振器層的制作工序通常包含碘染色、交 聯(lián)工序、拉伸工序。這些工序的詳細內(nèi)容也將在后面進行敘述?;蛘?,也可以通過對形成于 樹脂基材上的聚乙烯醇系薄膜進行上述各種工序之后,從樹脂基材剝離聚乙烯醇系薄膜, 從而制作被碘染色的聚乙烯醇系薄膜。通過將包含聚乙烯醇系樹脂的組合物涂布于樹脂基 材表面,能夠在樹脂基材上形成聚乙烯醇系薄膜。
[0059] 如此獲得的偏振器層的厚度例如為0.1~100μπι的范圍,從偏振性能的觀點考慮, 優(yōu)選為1~25μηι的范圍。
[0060] <顯示多碘化物離子15_形成能力的化合物>
[0061] -方式中,上述偏振片能夠在偏振器層中包含顯示多碘化物離子If形成能力的化 合物。并且,在另一方式中,能夠使顯示多碘化物離子形成能力的化合物包含于在偏振器 層以外的設置的層的一層以上中。并且,另一方式中,能夠使顯示多碘化物離子1 5_形成能力 的化合物包含于偏振器層及在偏振器層以外的設置的層的一層以上中。另外,顯示多碘化 物離子形成能力的化合物可以是水合物、溶劑化物及鹽的任一形態(tài)。
[0062] 以下,對顯示多碘化物離子形成能力的化合物進行更詳細說明。
[0063]本發(fā)明人等作為一個推斷機理認為,通過之前記載的方法評價的顯示多碘化物離 子15_形成能力的化合物受到基于氧的氧化而變化為氧化活性化合物,這有可能有助于顯示 多碘化物離子1 5_形成能力。詳細而言,認為氧化活性化合物具有促進單碘化物離子被氧化 而形成I2的反應的作用,這有可能有助于顯示多碘化物離子1 5_形成能力。顯示多碘化物離 子15_形成能力的化合物中,通過之前記載的方法求出的吸光度為超過〇.〇,優(yōu)選為0.1以上, 更優(yōu)選為0.5以上,進一步優(yōu)選為1.0以上。另一方面,上述吸光度例如可小于5.0,或為3.0 以下,或為2.5以下。但是,認為上述吸光度越高越能夠增加聚乙烯醇系薄膜中的多碘化物 離子I 5'因此對于上限并無特別限定,可以是5.0以上。并且,之前記載的方法中,在熱水浴 中放置耐壓試驗管的時間設為2小時~8小時,但優(yōu)選為在更短時間內(nèi)顯示超過0.0的吸光 度的化合物。從這方面考慮,尤其優(yōu)選在2小時的放置時間顯示超過0.0的吸光度的化合物。
[0064] 作為認為有助于顯示上述多碘化物離子形成能力的部分結(jié)構(gòu),可舉出吸電子基 團與碳原子經(jīng)由單鍵而鍵合的結(jié)構(gòu)。因此,優(yōu)選顯示多碘化物離子1 5_形成能力的化合物具 有上述結(jié)構(gòu)作為部分結(jié)構(gòu)。在優(yōu)選的一方式中,上述碳原子與2個吸電子基團分別經(jīng)由單鍵 而鍵合。并且,在優(yōu)選的另一方式中,經(jīng)由單鍵與吸電子基團鍵合的碳原子包含于環(huán)狀結(jié)構(gòu) 中。在優(yōu)選的另一方式中,對于經(jīng)由單鍵與吸電子基團鍵合的碳原子,優(yōu)選經(jīng)由單鍵與該碳 原子鍵合的氫原子數(shù)為1個。作為吸電子基團,優(yōu)選為哈密特方程的σρ值大于〇的基團。對于 吸電子基團的詳細內(nèi)容,可參考與通式(I)相關的后述記載。一方式中,吸電子基團優(yōu)選為 羰基(_C(=0)_)。其中,優(yōu)選經(jīng)由單鍵與羰基鍵合的碳原子不經(jīng)由雙鍵而與其他碳原子鍵 合。并且,上述羰基優(yōu)選不經(jīng)由單鍵而與羰基鍵合。并且,作為吸電子基團,還優(yōu)選為-30 2-、-50-、-?( = 0)(0此)0-等2價吸電子基團。其中,此表示取代基。作為取代基,可舉出在 后述中例示的各種取代基。顯示多碘化物離子形成能力的化合物優(yōu)選為包含于上述優(yōu)選 的一方式中的1個以上,更優(yōu)選為包含于2個以上,被包含的數(shù)量越多越優(yōu)選。
[0065] 優(yōu)選顯示聚碘化物離子的化合物包含特定的碳原子。"特定的碳原子"是指以下 中的任一個:(1)經(jīng)由單鍵與吸電子基團鍵合的碳原子且不經(jīng)由雙鍵與其他碳原子鍵合;及 (2)分別經(jīng)由單鍵與2個吸電子基團鍵合的碳原子且不經(jīng)由雙鍵與其他碳原子鍵合。
[0066] 另外,在包含于上述的1個以上的化合物中,也存在不顯示多碘化物離子形成能 力的化合物?;衔锸欠耧@示多碘化物離子形成能力通過之前記載的方法判定。
[0067] 顯示多碘化物離子形成能力的化合物可以是環(huán)狀化合物,可以是直鏈狀化合 物,也可以具有分支結(jié)構(gòu)。對于環(huán)狀化合物,優(yōu)選上述吸電子基團包含于環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
[0068] 具有上述優(yōu)選部分結(jié)構(gòu)的化合物進一步優(yōu)選具有1個以上的雜原子。包含于一個 分子中的雜原子的數(shù)例如為1~10個,優(yōu)選為1~6個。作為雜原子,例如可舉出氮原子、硫原 子、氧原子、磷原子,一個分子中可組合2種以上的不同雜原子來包含。雜原子包含于環(huán)狀結(jié) 構(gòu)時,作為雜原子優(yōu)選為氮原子、硫原子、氧原子,更優(yōu)選為氮原子。即,顯示多碘化物離子 15_形成能力的化合物作為環(huán)狀結(jié)構(gòu)優(yōu)選具有雜環(huán),更優(yōu)選具有含氮雜環(huán)。上述雜環(huán)優(yōu)選為5 元或6元環(huán)。包含于雜環(huán)的雜原子優(yōu)選為氮原子、氧原子中的至少一個,優(yōu)選為至少1個氮原 子,最優(yōu)選包含氮原子。另一方面,作為雜原子包含氧原子時,一方式中,氧原子為構(gòu)成經(jīng)由 單鍵與上述碳原子鍵合的羰基(-C(=0)-)的氧原子。即,作為更優(yōu)選的部分結(jié)構(gòu),可舉出為 含氮雜環(huán)且包含上述羰基及經(jīng)由單鍵與該羰基鍵合的碳原子的部分結(jié)構(gòu)。作為進一步優(yōu)選 的部分結(jié)構(gòu),可舉出為含氮雜環(huán)且包含分別經(jīng)由單鍵與2個羰基鍵合的碳原子的部分結(jié)構(gòu)。 [0069]另外,根據(jù)之前記載的1個推斷機理認為,顯示多碘化物離子形成能力的化合 物,在偏振片中受到基于氧的氧化而轉(zhuǎn)換為氧化活性化合物之后,使單碘化物離子Γ氧化, 最終變化為氧化體。因此,作為偏振片,將包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的氧 化體的偏振片也包含于本發(fā)明的一方式所涉及的偏振片中。并且,根據(jù)上述推斷機理,具有 易轉(zhuǎn)換為氧化活性化合物的性質(zhì)的化合物也優(yōu)選為顯示多碘化物離子15-形成能力的化合 物。作為從該方面考慮而優(yōu)選的化合物,可舉出亞油酸等不飽和脂肪酸。
[0070] 并且,優(yōu)選的一方式中,能夠通過向顯示多碘化物離子15-形成能力的化合物導入 與包含于偏振器層的成分相互作用的官能基團來抑制擴散等,在所希望的區(qū)域維持化合物 的濃度分布和局部化狀態(tài)。
[0071] 以下,對顯示多碘化物離子I5-形成能力的化合物的具體方式進行說明,但本發(fā)明 并不限定于下述具體方式。
[0072](以通式(1)表示的化合物)
[0073] [化學式1]
[0074] 通式(1)
[0075]
[0076](通式(1)中、R1及R3分別獨立地表示氫原子、碳原子數(shù)1~20的直鏈烷基、碳原子數(shù) 3~20的分支烷基、碳原子數(shù)3~20的環(huán)烷基、碳原子數(shù)2~20的烯基或碳原子數(shù)6~20的芳 香族基團,R5表不取代基。)
[0077]對通式(1)的R1及R3的優(yōu)選范圍進行敘述。
[0078]上述碳原子數(shù)1~20的直鏈烷基、碳原子數(shù)3~20的分支烷基優(yōu)選為碳原子數(shù)1~ 10的直鏈烷基或碳原子數(shù)3~20的分支烷基,更優(yōu)選為碳原子數(shù)為1~5的直鏈烷基或碳原 子數(shù)3~5的分支烷基,進一步優(yōu)選為碳原子數(shù)1~3的直鏈烷基,尤其優(yōu)選為甲基或乙基。 [0079]上述碳原子數(shù)3~20的環(huán)烷基優(yōu)選為碳原子數(shù)3~10的環(huán)烷基,更優(yōu)選為碳原子數(shù) 4~8的環(huán)烷基。作為環(huán)烷基的具體例,例如可舉出環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基,尤其優(yōu)選為環(huán)己 基。另外,環(huán)烷基表不環(huán)狀烷基。
[0080] 上述碳原子數(shù)2~20的烯基優(yōu)選為碳原子數(shù)2~10的烯基,更優(yōu)選為碳原子數(shù)2~5 的烯基。
[0081] 上述碳原子數(shù)6~20的芳香族基可以是芳香族烴基也可以是芳香族雜環(huán)基,優(yōu)選 為芳香族烴基。作為當該芳香族烴基,優(yōu)選為苯基、萘基,更優(yōu)選為苯基。
[0082] R1及R3可具有取代基。作為取代基,并無特別限制,例如可舉出,烷基(優(yōu)選碳原子 數(shù)為1~10,例如甲基、乙基、異丙基、叔丁基、戊基、庚基、1-乙基戊基、芐基、2-乙氧基乙基、 1 _駿基甲基等)、烯基(優(yōu)選碳原子數(shù)為2~20,例如乙烯基、稀丙基、油烯基等)、炔基(優(yōu)選 碳原子數(shù)為2~20,例如乙炔基、丁二烯基、苯基乙炔基等)、環(huán)烷基(優(yōu)選碳原子數(shù)為3~20, 例如環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基等)、芳基(優(yōu)選碳原子數(shù)為6~26,例如苯基、1-萘基、4-甲氧基苯基、2-氯苯基、3-甲基苯基等)、雜環(huán)基(優(yōu)選碳原子數(shù)為0~20的雜環(huán)基且 優(yōu)選構(gòu)成環(huán)的雜原子為氧原子、氮原子、硫原子,也可以以5或6元環(huán)并通過苯環(huán)或雜環(huán)進行 縮環(huán),所述環(huán)也可以是飽和環(huán)、不飽和環(huán)、芳香環(huán),例如,2-吡啶基、4-吡啶基、2-咪唑基、2-苯并咪唑基、2-噻唑基、2-噁唑基等)、烷氧基(優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如甲氧基、乙氧基、 異丙氧基、卞氧基等)、芳氧基(優(yōu)選碳原子數(shù)為6~26,例如苯氧基、1-萘氧基、3-甲基苯氧 基、4 _甲氧基苯氧基等)、
[0083] 烷基硫基(優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如甲基硫基、乙基硫基、異丙基硫基、芐基硫 基等)、芳基硫基(優(yōu)選碳原子數(shù)為6~26,例如苯硫基、1-萘硫基、3-甲基苯硫基、4-甲氧基 苯硫基等)、醜基(包含烷基幾基、鏈烯基幾基、芳基幾基、雜環(huán)幾基,優(yōu)選碳原子數(shù)為20以 下,例如乙?;?、特戊酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、芐甲酰基、煙酰基等)、芳酰基烷基、烷 氧基幾基(優(yōu)選碳原子數(shù)為2~20,例如,乙氧基幾基、2 -乙基己氧基幾基等)、芳氧基幾基 (優(yōu)選碳原子數(shù)為7~20,例如苯氧基羰基、萘氧基羰基等)、氨基(包含氨基、烷氨基、芳氨 基、雜環(huán)氨基,優(yōu)選碳原子數(shù)為〇~20,例如氨基、N,N-二甲基氨基、N,N-二乙基氨基、N-乙基 氨基、苯胺基、1-吡咯烷基、哌啶基、嗎啉基等)、磺酰胺基(優(yōu)選碳原子數(shù)為0~20,例如,N, N-二甲基磺酰胺基、N-苯基磺酰胺基等)、氨磺酰基(優(yōu)選碳原子數(shù)為0~20,例如N,N-二甲 基氨磺?;?、N-苯基氨磺酰基等)、酰氧基(優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如乙酰氧基、苯甲酰氧 基等)、氨基甲?;?優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如N,N-二甲基氨基甲?;?、N-苯基氨基甲酰 基等)、?;被?優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如乙?;被?、丙烯?;被?、苯甲?;被?、 煙酰胺基等)、氰基、羥基、巰基或??素原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等KR 1及R3 可具有的上述取代基可進一步具有上述取代基。
[0084] R1及R3的各基可具有的上述取代基中,優(yōu)選為烷基、芳基、烷氧基、酰基。
[0085] R5表示取代基。取代基并無特別限制,可舉出作為R1及R 3所具有的取代基而示出的 取代基。R5優(yōu)選為烷基(優(yōu)選碳原子數(shù)未1~5的烷基)、芳基、芳烷基,更優(yōu)選為芳基或芳烷 基,進一步優(yōu)選為苯基或芐基。
[0086]本發(fā)明中,尤其優(yōu)選R5為"具有芳香環(huán)且顯示極性效果的取代基"。這些基團可進 一步被取代基取代。以R5表示的具有芳香環(huán)且顯示極性效果的取代基為了捕獲自由基并有 助于穩(wěn)定化,優(yōu)選為顯示極性效果的結(jié)構(gòu)。作為顯示極性效果的結(jié)構(gòu),能夠使用具有顯示分 極的效果的取代基,但R 5優(yōu)選為"具有芳香環(huán)并顯示極性效果的取代基"。
[0087]作為這種"具有芳香環(huán)并顯示極性效果的取代基",優(yōu)選為碳原子數(shù)6~20的芳香 族基或碳原子數(shù)7~20的芳烷基,更優(yōu)選為碳原子數(shù)6~14的芳香族基或碳原子數(shù)7~15的 芳烷基,進一步優(yōu)選為碳原子數(shù)6~10的芳香族基或碳原子數(shù)7~11的芳烷基。另外,在此碳 原子數(shù)表示總碳原子數(shù)。芳烷基為烷基上取代有芳基的化合物,芳烷基中,優(yōu)選為烷基上取 代有1個或2個芳基的芳烷基(2個芳基取代時,優(yōu)選取代于同一碳原子。)。作為具有芳香環(huán) 并顯示極性效果的取代基,例如可舉出苯基、萘基、蒽基、芐基、二苯基甲基等。
[0088] 作為R5,可舉出苯基、對氯苯基、對甲苯基、芐基、乙基苯基、間甲苯基、對甲氧基苯 基、對三氟甲基苯基、對甲基芐基、二苯基甲基、甲基苯甲?;交谆取?br>[0089] 以通式(1)表示的化合物中,若列舉優(yōu)選化合物,則如下。
[0090] · R\R3及R5中的至少1為個具有顯示極性效果的取代基的化合物
[0091 ] · R1及R3中的任一個為芳烷基的化合物
[0092] 另外,芳烷基為在烷基上取代有芳基的化合物,芳烷基中,優(yōu)選為烷基上取代有1 個或2個芳基的芳烷基(取代有2個芳基時,優(yōu)選取代于同一碳原子。)。而且,還優(yōu)選為在烷 基上取代有芳基及酰基(優(yōu)選芳?;?的芳烷基。
[0093] · R1及R3中的任一個為包含環(huán)烷基的基團,優(yōu)選包含環(huán)烷基的基團為環(huán)烷基的化 合物
[0094] · R1及R3為氫原子的化合物,尤其是R1及R3為氫原子且R 5為碳原子數(shù)1~3的烷基的 化合物
[0095]作為以通式(1)表示的化合物的優(yōu)選的一方式,R1、R3及R5的至少1個為水溶性基團 或包含水溶性官能基團,或者R1及R3雙方為氫原子。上述一方式所涉及的以通式(1)表示的 化合物與構(gòu)成偏振器層的聚乙烯醇的相溶性優(yōu)異,因此較優(yōu)選。
[0096]水溶性官能基團是有助于以通式(1)表示的化合物的水溶解性的基團。作為以通 式(1)表示的化合物可具有的水溶性官能性基的具體例,可舉出磺基(或其鹽)、羧基(或其 鹽)、羥基、巰基、氨基、氨基、磺酰胺基、?;被酋;?、磺酰基氨磺?;?、活性次甲基或包含 這些基團的取代基,可優(yōu)選舉出磺基(或其鹽)、羧基(或其鹽)、羥基、氨基等基團。
[0097] 羧基、磺酰胺基及磺基可以是鹽的狀態(tài)。形成鹽的抗衡離子的例子中包含銨離子、 堿金屬離子(例如鋰離子、鈉離子、鉀離子)及有機陽離子(例如四甲基銨離子、四甲基胍鹽 離子、四甲基膦離子)。抗衡離子中,優(yōu)選為堿金屬鹽。
[0098] 并且,作為對以通式(1)表示的化合物賦予水溶性的基團,可例示R1及R3雙方為氫 原子的方式。這是因為通過設為這種結(jié)構(gòu),以通式(1)表示的化合物的水溶性將得到提高。
[0099] 并且,以通式(1)表示的化合物可以以水合物、溶劑化物或鹽的形態(tài)使用。另外,本 發(fā)明中,水合物可包含有機溶劑,溶劑化物可包含水。即,"水合物"及"溶劑化物"中包含含 有水及有機溶劑的混合溶劑化物。
[0100] 包含溶劑化物的溶劑的例子中包含所有通常有機溶劑。具體而言,可舉出醇(例如 甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、叔丁醇)、酯(例如乙酸乙酯)、烴(可以是脂 肪族或者芳香族烴的任一個,例如甲苯、己烷、庚烷)、醚(例如二乙基醚、四氫呋喃)、丁腈 (例如乙腈)、酮(例如丙酮、2-丁酮)等。優(yōu)選為醇的溶劑化物,更優(yōu)選為甲醇、乙醇、2-丙醇、 1-丁醇。這些溶劑可以是合成本發(fā)明的以通式(1)表示的化合物時使用的反應溶劑,也可以 是在合成之后的晶化提純時使用的溶劑,或者還可以是它們的混合。
[0101 ] 并且,可同時包含兩種以上的溶劑,也可以包含水(例如,水與醇(例如,甲醇、乙 醇、叔丁醇)等)。
[0102] 作為鹽,包含由無機或有機酸形成的酸加成鹽。無機酸可舉出氫鹵酸(鹽酸、氫溴 酸)、硫酸、磷酸等。并且,有機酸可舉出乙酸、三氟乙酸、草酸、檸檬酸、鏈烷磺酸(甲磺酸)、 芳基磺酸(苯磺酸、4-甲苯磺酸、1,5-萘二磺酸)。
[0103] 并且,鹽可舉出存在于母化合物的酸性部分被金屬離子(例如,堿金屬鹽、例如鈉 或鉀鹽、堿土金屬鹽、例如鈣或鎂鹽、銨鹽堿金屬離子、堿土金屬離子或鋁離子)取代或者在 與有機堿(乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、嗎啉、哌啶)調(diào)制時生成的鹽,但并不限定于此。這 些中,優(yōu)選為鈉鹽、鉀鹽。
[0104] 另外,以通式(1)表示的化合物的鹽的形態(tài)例如為鈉時,如下式中示出一例,存在 互變異構(gòu)體,但本發(fā)明中并不區(qū)別這些而是視作相同之物,具體例中僅記載其單方結(jié)構(gòu)。
[0105] [化學式2]
[0106]
[0107]以通式(1)表示的化合物的親水性程度可表示為CLogP值。CLogP中的P表示正辛 醇-水系中的分配系數(shù),能夠利用正辛醇及水來測定。這些分配系數(shù)還能夠使用ClogP值推 算程序(安裝于Daylight Chemical Information Systems公司的PC Models中的CLOGP程 序)作為推算值CLogP值來求出。ClogP值優(yōu)選為-8.0~12.0的范圍,更優(yōu)選為-5.0~10.0的 范圍,進一步優(yōu)選為-5.0~8.0的范圍。
[0108] 以下,示出以通式(1)表示的化合物等的具體例,但本發(fā)明并不限定于這些。下述 例示化合物中,Me表示甲基。
[0109] [化學式3]









Letters、第40卷、8029頁(1999年)、W02007/150011號公報等中記載的方法。
[0130] 并且,用于縮合的丙二酸可是無取代的丙二酸也可以是具有取代基的丙二酸,若 使用具有相當于R5的取代基的丙二酸,則能夠通過構(gòu)筑巴比妥酸來合成以通式(1)表示的 化合物。并且,若使無取代的丙二酸與尿素衍生物縮合則可獲得5位為無取代的巴比妥酸, 因此也可通過對此進行修飾來合成以通式(1)表示的化合物。
[0131] 作為5位的修飾方法,能夠利用如與鹵代烷等的親核取代反應或邁克爾加成反應 等加成反應。并且,還能夠較佳地利用使其與醛或酮進行脫水縮合而生成亞烷基或亞烯丙 基化合物,之后還原雙鍵的方法。這種方法例如可較佳地利用Organic Letters,第5卷, 2887頁(2003年)、Journal of Medicinal Chemistry,第17卷,1194頁(1974年)、Journal of Organic Chemistry,第68卷,4684頁(2003年)、Tetrahedron Letters,第42卷,4103頁 (2〇01年)或Journal of the American Chemical Society,第Il9卷,12849頁(I"7年)、 Tetrahedron Letters,第28卷,4173頁(1987年)等中記載的方法。
[0132] 另外,以通式(1)表示的化合物的合成法并不限定于上述。
[0133] 并且,作為具有巴比妥酸結(jié)構(gòu)并顯示多碘化物離子形成能力的化合物,還可例 示下述化合物。
[0134] [化學式 13]

[0139] 表1中,Ph表示苯基,cHex表示環(huán)己基,cPentyl表示環(huán)戊基,C6H4表示苯基,如C6H4 (P-CH3)的()的基團表示向苯基的取代基。"p"表示是對位。
[0140] 以下,對顯示多碘化物離子I5-形成能力的化合物的其他具體方式進行說明,但本 發(fā)明并不限定于下述具體方式。
[0141] (以通式(I)表示的化合物)
[0142] [化學式 14]
[0143] 通式(I)
[0144]
[0145] 通式(I)中,R表示取代基,但不是包含酚醛性羥基或芳香族氨基的基團。EWG1及 EWG2分別獨立地表示吸電子基團。EWG 1與EWG2可相互鍵合而形成環(huán)。但是,EWG1與EWG2不會相 互鍵合而成為下述連結(jié)基,并R與所取代的碳原子鍵合而形成環(huán)。
[0146] [化學式 15]
[0147]
[0148] 其中,Rx及Ry分別獨立地表示氫原子或取代基。*表示R與所取代的碳原子鍵合的 位置。并且,EWG1與R、或EWG 2與R可相互鍵合而形成環(huán)。
[0149] 其中,作為EWG1及EWG2中的吸電子基團,優(yōu)選為哈密特方程的σρ值大于0的基團。作 為σρ值為正的取代基,可舉出氟(0.06)、氯(0.30)、溴(0.27)、碘(0.30)等鹵素原子、-CHO (0 · 22)、-COCH3 (0 · 50)、-COC6H5 (0 · 46)、-CONH2 (0 · 36)、-COO-(0 · 30)、-COOH(0 · 41)、-COOCH3 (0.39)、-<:00〇2115(0.45)等具有羰基的基團、-50(:!13(0.49)、-502〇13(0.72)、-502〇6115 (0 · 68)、-SO2CF3(0 · 93)、-SO2NH2 (0 · 57)、-SO2OC6H5 (0 · 23)、-S〇3- (0 · 09)、-S03H(0 · 50)等具有 磺?;蛘邅喕酋;幕鶊F、-0~(0.66)、-勵2(0.78)、4(〇13) 3+(0.82)、4(0?3)2(0.53)等 含氮取代基、_(1:1 3(0.46)、-〇12(:1(0.18)、-〇1(:12(0.32)、-0? 3(0.54)等鹵素原子取代烷基。 在此,括號內(nèi)為σρ值。
[0150] 哈密特的σρ值例如除了C.Harsch之外,還記載于J.Med .Chem.,16,1207(1973)、 J.Med.Chem. ,20,304( 1977)、Chem.Rev.91,165( 1991)等中。
[0151] 優(yōu)選EWG1及EWG2中的吸電子基團的哈密特的σρ值為0.20以上。作為吸電子基團,具 體而言可舉出?;?、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基或者芳基的氨基甲酰基(例如,-CONHCH 3 (0.32))、硫代醜基、烷氧基硫代幾基、芳氧基硫代幾基、烷基或者芳基的硫代氣基甲醜基 (例如,-CSNHCH3(0.34))、烷基或者芳基的氨磺酰基(例如,-S0 2N(CH3)2(0.65))、烷基或者 芳基的磺?;ɡ?,-SO 2CH3 (0 · 72 )、-SO2C6H5 (0 · 68 ))、烷基或者芳基的亞磺?;ɡ?,-SOCH3 (0.49 ))、氰基、硝基或膦?;?,優(yōu)選為這些,更優(yōu)選為?;?、烷氧基羰基、芳氧基羰基、 烷基或者芳基的氨基甲酰基、烷基或者芳基的氨磺?;?、烷基或者芳基的磺?;?、烷基或者 芳基的亞磺酰基、氰基、硝基或膦?;?br>[0152] ?;梢允欠枷阕宓孽;部梢允侵咀宓孽;⑶野柞;?,碳原子數(shù)優(yōu) 選為1~20,更優(yōu)選為2~10。
[0153] 作為該?;?,例如可舉出甲?;⒁阴;?、丙?;惗□;?、新戊?;⒃鹿瘐;?肉豆蔻基、丙烯酰基、甲基丙烯?;?、苯甲?;?、萘甲酰基。
[0154] 該?;?,優(yōu)選為分支烷基(優(yōu)選叔烷基羰基)的?;?,例如新戊酰基等或在鄰位 具有取代基的苯基幾基。
[0155] 烷氧基羰基的碳原子數(shù)優(yōu)選為2~20,更優(yōu)選為2~10。作為烷氧基羰基,優(yōu)選為分 支烷氧基幾基,更優(yōu)選為叔烷氧基幾基。作為烷氧基幾基,例如可舉出甲氧基幾基、乙氧基 幾基、異丙氧基幾基、叔丁氧基幾基、η -辛氧基幾基、十二烷氧基幾基。
[0156] 芳氧基羰基的碳原子數(shù)優(yōu)選為7~20,更優(yōu)選為7~16。作為芳氧基羰基,例如可舉 出苯氧基幾基、奈氧基幾基。
[0157] 另外,與芳氧基羰基相比,更優(yōu)選為烷氧基羰基。
[0158] 氫原子的至少一個被從烷基或者芳基獨立選擇的基團取代的硫代氨基甲?;?碳原子數(shù)優(yōu)選為1~20,更優(yōu)選為1~10。
[0159] 作為氨基甲?;?,例如可舉出氨甲?;-甲基氨甲?;ⅵ璤二甲基氨甲?;?、 N-苯基氨甲?;,N-二苯基氨甲?;?、N-甲基-N-苯基氨甲?;?。
[0160]烷基或者芳基磺?;奶荚訑?shù)優(yōu)選為1~20,更優(yōu)選為1~10。
[0161 ]作為磺?;?,例如可舉出甲基磺酰基、異丙基磺?;?、叔丁基磺酰基、叔辛基磺酰 基、苯基磺?;?。
[0162] 烷基或者芳基的亞磺?;奶荚訑?shù)優(yōu)選為1~20,更優(yōu)選為1~10。
[0163] 作為亞磺?;缈膳e出甲基亞磺?;?、異丙基亞磺酰基、叔丁基亞磺?;?、叔 辛基亞磺?;?、苯基亞磺酰基。
[0164] 膦?;訽P(=0) (ORb)2表示,Rb表示取代基。對于優(yōu)選的取代基Rb,將在后面進 行敘述。
[0165] 可舉出硫代醜基、烷氧基硫代幾基、芳氧基硫代幾基、氣原子的至少個被從烷基 或者芳基獨立選擇的基團取代的硫代氨基甲?;?這些的優(yōu)選范圍及具體例的不同點僅在 于,將所對應的?;?、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氫原子的至少一個被從烷基或者芳基獨立 選擇的基團取代的硫代氨基甲?;腸(=0)部分取代為(c=s))。
[0166] 與EWG1及EWG2鍵合而形成環(huán)時,與R鍵合的碳原子鍵合的部分優(yōu)選為-C(=0)-、-C (= S)-、-S02-、-S0-或*-P( =0) (0Rb)0-。其中,*表示R與所鍵合的碳原子鍵合的位置,Rb表 不取代基。此時,更優(yōu)選為-c(=o)-、_c(=s)-,進一步優(yōu)選為-c(=o)-、_c(=〇)-或_c(= S) -,尤其優(yōu)選為-C( =〇)-。
[0167] R、Rx及Ry中的取代基可舉出下述取代基S。
[0168] 其中,R不是在取代基中包含酚醛性羥基或芳香族氨基的基團,不是包含-NH2的基 團。
[0169] 取代基S:作為取代基S,可舉出烷基(優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如甲基、乙基、異丙 基、叔丁基、戊基、庚基、1-乙基戊基、2-乙基己基、芐基、2-乙氧基乙基、1-羧基甲基等)、烯 基(優(yōu)選碳原子數(shù)為2~20,例如乙烯基、烯丙基、油烯基等)、炔基(優(yōu)選碳原子數(shù)為2~20, 例如乙炔基、丁炔基、苯基乙炔基等)、環(huán)烷基(優(yōu)選碳原子數(shù)為3~20,例如環(huán)丙基、環(huán)戊基、 環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基等)、芳基(優(yōu)選碳原子數(shù)為6~20,例如苯基、1-萘基、4-甲氧基苯基、 2-氯苯基、3-甲基苯基等)、雜環(huán)基(優(yōu)選碳原子數(shù)為0~20的雜環(huán)基,構(gòu)成環(huán)的雜原子優(yōu)選 為氧原子、氮原子、硫原子,也可以以5元環(huán)或6元環(huán)并以苯環(huán)或雜環(huán)進行縮環(huán),該環(huán)可以是 飽和環(huán)、不飽和環(huán)、芳香環(huán),例如2-吡啶基、4-吡啶基、2-咪唑基、2-苯并咪唑基、2-噻唑基、 2 -噁唑基等)、烷氧基(優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如甲氧基、乙氧基、異丙氧基、卞氧基等)、 芳氧基(優(yōu)選碳原子數(shù)為6~20,例如苯氧基、1-萘氧基、3-甲基苯氧基、4-甲氧基苯氧基 等)、
[0170] 烷基硫基(優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如,甲基硫基、乙基硫基、異丙基硫基、芐基硫 基等)、芳基硫基(優(yōu)選碳原子數(shù)為6~20,例如苯基硫基、1 -萘基硫基、3-甲基苯基硫基、4-甲氧基苯基硫基等)、酰基(包含烷基羰基、鏈烯基羰基、芳基羰基、雜環(huán)羰基,碳原子數(shù)優(yōu)選 為20以下,例如乙?;⑿挛祯;?、丙烯?;?、甲基丙烯?;?、苯甲酰基、煙?;龋?、烷氧基 羰基(優(yōu)選碳原子數(shù)為2~20,例如乙氧基羰基、2-乙基己氧基羰基等)、芳氧基羰基(優(yōu)選碳 原子數(shù)為7~20,例如苯氧基幾基、蔡氧基幾基等)、氣基(包含氣基、燒氣基、芳氣基、雜環(huán)氣 基,優(yōu)選碳原子數(shù)為〇~20,例如氨基、N,N-二甲基氨基、N,N-二乙基氨基、N-乙基氨基、苯胺 基、1-吡咯烷基、哌啶基、嗎啉基等)、烷基或者芳基的磺酰胺基(優(yōu)選碳原子數(shù)為0~20,例 如N,N-二甲基磺胺基、N-苯基磺胺基等)、烷基或者芳基的氨磺酰基(優(yōu)選碳原子數(shù)為O~ 20,例如N,N-二甲基、N-苯基氨磺?;龋ⅤQ趸?優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如乙酰氧基、 苯甲酰氧基等)、烷基或者芳基餓氨基甲?;?優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如N,N-二甲基氨甲 ?;-苯基氨甲?;龋?、?;被?優(yōu)選碳原子數(shù)為1~20,例如乙?;被?、丙烯酰基氨 基、苯甲酰基氨基、煙酰胺等)、氰基、羥基、巰基、磺基或者其鹽、羧基或者其鹽、磷酸基或者 其鹽、鐵基(例如鐵鹽的疏基(sulfonio)、錢鹽的錢基(ammon i 〇 )、鵬鐵鹽的鵬鐵基 (iodonio)、鱗鹽的鱗離子基(phosphonio))、硫代?;⑼檠趸虼驶?、芳氧基硫代羰基、 烷基或者芳基的硫代氨基甲酰基(這些的優(yōu)選范圍及具體例可舉出不同點僅在于將所對應 的?;?、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷基或者芳基的氨基甲?;腃(=0)部分取代為(C = S) 的基團)、或鹵素原子(例如氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等)。
[0171] 這些取代基可進一步被取代基取代,作為這種取代基可舉出上述取代基S。
[0172] 例如,可舉出在烷基上取代有芳基的芳烷基、烷基上取代有烷氧基羰基或氰基的 基團等。
[0173] R優(yōu)選為烷基、烯基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、硝基、雜環(huán)基或鹵素原子,更優(yōu)選為烷 基、烯基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、硝基或鹵素原子,進一步優(yōu)選為烷基、烯基、環(huán)烷基、環(huán)稀 基、芳基。
[0174] R中的烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1~20,更優(yōu)選為1~10,進一步優(yōu)選為1~5。
[0175] 作為烷基,例如可舉出甲基、乙基、異丙基、η-丁基、叔丁基、2-乙基己基、η-辛基、 η-癸基、η-十八烷基、異十八烷基。
[0176] R中的烯基的碳原子數(shù)優(yōu)選為2~20,更優(yōu)選為2~10,進一步優(yōu)選為2~5。
[0177] 作為烯基,例如可舉出乙烯基、稀丙基、異丙烯基、2-戊烯基、油烯基。
[0178] R中的環(huán)烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為3~20,更優(yōu)選為5~10,進一步優(yōu)選為5或6。
[0179] 作為環(huán)烷基,例如可舉出環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基。
[0180] R中的環(huán)烯基的碳原子數(shù)優(yōu)選為5~20,更優(yōu)選為5~10,進一步優(yōu)選為5或6。
[0181] 作為環(huán)烯基,例如可舉出環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基。
[0182] R中的芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6~20,更優(yōu)選為6~10,進一步優(yōu)選為6~8。
[0183] 作為芳基,例如可舉出苯基、萘基。
[0184] 關于R中的雜環(huán)基,雜環(huán)基的碳原子數(shù)優(yōu)選為0~20,更優(yōu)選為1~10,進一步優(yōu)選 為2~10,尤其優(yōu)選為2~5。
[0185] 作為該雜環(huán)基中的雜環(huán),優(yōu)選為5元環(huán)或6元環(huán)的雜環(huán),該雜環(huán)可以被取代基取代, 并且可通過苯環(huán)或脂環(huán)、雜環(huán)進行縮環(huán)。其中,作為取代基,可舉出上述取代基S。
[0186] 構(gòu)成雜環(huán)基中的雜環(huán)的雜原子可舉出氮原子、氧原子或硫原子,可以是雜芳香環(huán) 也可以是非芳香環(huán)的雜環(huán)。
[0187] 作為雜環(huán)基的雜環(huán),例如可舉出噻吩環(huán)、呋喃環(huán)、吡咯環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、噻唑環(huán)、 噁唑環(huán)、三唑環(huán)、四唑環(huán)、吡啶環(huán)、吡環(huán)、三唑環(huán)、吡咯烷環(huán)、吡咯啉環(huán)、吡唑烷環(huán)、哌啶環(huán)、哌 嗪環(huán)、嗎啉環(huán)、硫代嗎啉環(huán)及這些的苯縮環(huán)的環(huán)(例如吲哚環(huán)、苯并咪唑環(huán)等)。
[0188] R中的鹵素原子例如可舉出氟原子、氯原子、溴原子。
[0189] 優(yōu)選通式(I)中的EWG1及EWG2及R的任一個為具有至少1個環(huán)結(jié)構(gòu)的基團。
[0190] 作為以通式(I)表示的化合物的優(yōu)選方式,可舉出以下述通式(II)表示的化合物。
[0191] [化學式 16]
[0192] 通式(II)
[0193]
[0194] 通式(II)中,R的含義與通式(I)中的R相同,優(yōu)選范圍也相同。EWG1IEWG 2a分別獨 立地表示2價的吸電子基團。L表示單鍵或2價的連結(jié)基。這些各基可進一步被取代基取代。
[0195] 作為 EWGlaSEWG2a 中的2價的吸電子基團,優(yōu)選為-C(=0)-、-S02-、-S0-S*-P(=0) (0Rb)0-。其中,*表示R與所鍵合的碳原子鍵合的位置。Rb表示取代基。作為取代基,可舉出 之前記載的取代基S。
[0196] L中的2價的連結(jié)基優(yōu)選與EWG1IEWG2a鍵合的L的原子為-以1^)(1^ 2)-、,(1^)-、-0-、-5-、-叫1^)-。其中,妒1及妒2分別獨立地表示氫原子或取代基,1^表示氫原子或取代基。
[0197] Ra、Rb、Rxl及Rx2中的取代基可舉出前述的取代基S。
[0198] Ra中的取代基優(yōu)選為烷基、烯基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、雜環(huán)基,更優(yōu)選為烷基、環(huán) 烷基、芳基,進一步優(yōu)選為烷基。
[0199] Ra優(yōu)選為氫原子、烷基、環(huán)烷基、芳基,更優(yōu)選為氫原子、烷基,進一步優(yōu)選為氫原 子。
[0200] Rb優(yōu)選為烷基、烯基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、雜環(huán)基,更優(yōu)選為烷基、環(huán)烷基、芳基, 進一步優(yōu)選為烷基、芳基,尤其優(yōu)選為芳基。
[0201 ] Rxi及Rx2中的取代基優(yōu)選為烷基、烯基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基。
[0202] Rxi及Rx2優(yōu)選為氫原子、烷基、烯基、環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基。
[0203]由EWGla、EWG2^SL形成的環(huán)優(yōu)選為5~8元環(huán),更優(yōu)選為5~7元環(huán),進一步優(yōu)選為5 或6元環(huán)。
[0204] 作為以通式(II)表示的化合物的優(yōu)選方式,可舉出以下述通式(III)表示的化合 物。
[0205] [化學式 17]
[0206] 通式(III)
[0207]
[0208] 通式(III)中,R的含義與通式(I)中的R相同,優(yōu)選范圍也相同。EWGlb表示-C( = 0)-、-S02-、-S0-或*-P(=0)(0Rb)0-。其中,*表示R與所取代的碳原子鍵合的位置,Rb表示 取代基。L 1表示2價的連結(jié)基。這些各基可進一步被取代基取代。
[0209] EWGlb 優(yōu)選為-以=0)-、-302-、-30-,更優(yōu)選為-(:(=0)-、-302-,進一步優(yōu)選為-〇 (=0)-〇
[0210] L1中的2價的連結(jié)基優(yōu)選與EWGlb及-C(=0)-鍵合的L1的原子為-C(R X1)(RX2)-、-N (1^)-、-0-、-3-、4(1^)-。其中,1^1及1^2分別獨立地表示氫原子或取代基,1^表示氫原子或 取代基。
[0211] 另外,L1含義與通式(II)的L中的2價的連結(jié)基相同,優(yōu)選范圍也相同。
[0212] 作為La1 中的 2價的連結(jié)基,優(yōu)選為-0-、-S-、-N(Ra)-、-C(=0)-、-C( = S)-、-S02-、-SO-、亞烷基、烯基、環(huán)亞烷基、環(huán)烯基、亞芳基、2價的雜環(huán)基。亞烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選 為1~3,例如可舉出亞甲基、伸乙基、伸丙基。烯基的碳原子數(shù)優(yōu)選為2或3,例如可舉出亞乙 烯基。環(huán)亞烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為5~12,可舉出環(huán)戊基、環(huán)己基,環(huán)烯基的碳原子數(shù)優(yōu)選為 5~12,可舉出環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基,亞芳基的碳原子數(shù)優(yōu)選為6~12,可舉出亞苯基、亞萘 基。構(gòu)成2價的雜環(huán)基中的雜環(huán)的雜原子優(yōu)選為氧原子、硫原子、氮原子,碳原子數(shù)優(yōu)選為1 ~12,更優(yōu)選為2~12,進一步優(yōu)選為3~12,例如可舉出呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、吡咯環(huán)、吡唑環(huán)、咪 P坐環(huán)、嚼唑環(huán)、噻唑環(huán)、啦啶環(huán)、啦略燒環(huán)、哌嗪環(huán)、嗎啉環(huán)。
[0213] 作為環(huán)亞烷基、環(huán)烯基、亞芳基、2價的雜環(huán)基,優(yōu)選為以鄰位關系具有相鄰的2個 原子的基團。
[0214]另外,-N(Ra)-的含義與前述的-N(Ra)-相同,優(yōu)選范圍也相同。
[0215] 1^優(yōu)選為單鍵、-0-、-3 -、-1'1(1^)-、-〇( = 0)-、-〇( = 3)-、-3〇2_、_30-、亞烷基、烯基、 環(huán)亞烷基、環(huán)烯基、亞芳基。
[0216] L1 優(yōu)選為-0-、-3-、,(1^)-、-(:(=0)-、-(:( = 3)-、-302-、-30-、亞烷基、烯基、環(huán)亞 烷基、環(huán)烯基、亞芳基。
[0217] 由EWG'L1、及R所取代的碳原子形成的環(huán)優(yōu)選為5~8元環(huán),更優(yōu)選為5~7元環(huán),進 一步優(yōu)選為5或6元環(huán)。
[0218] 作為以通式(I)表示的化合物的更優(yōu)選的方式,可舉出以下述通式(IV)表示的化 合物。
[0219][化學式 18]
[0220] 通式(IV)
[0221]
[0222] 通式(IV)中,R的含義與通式(I)中的R相同,優(yōu)選范圍也相同。Y1及Y 2分別獨立地表 示-以#1)(1^2)-、4(1^)-、-0-、-3-或4(1^)-。其中,1^ 1及1^2分別獨立地表示氫原子或取代 基,Ra表示氫原子或取代基。L2表示單鍵或以1~3個原子數(shù)鍵合Y 1與Y2的2價的連結(jié)基。Y1與 Y2 J1與L2或Y2與L2可相互鍵合而形成環(huán)。這些各基可進一步被取代基取代。
[0223] L2表示單鍵或以1~3個原子數(shù)鍵合Y1與Y2的2價的連結(jié)基。R X1、RX2及Ra的含義與所 述通式(I I)中的Rxi、Rx2及Ra相同,優(yōu)選范圍也相同。
[0224] L2可舉出L1中的2價的連結(jié)基中舉出的連結(jié)基中,以1~3個原子數(shù)鍵合Y 1與Y2的2 價的連結(jié)基,優(yōu)選為滿足條件且在L1中作為優(yōu)選來舉出的連結(jié)基。
[0225] 因此,L2中的亞烷基或亞芳基的含義與L1中的亞烷基、亞芳基相同,優(yōu)選范圍也相 同。
[0226] L2優(yōu)選為單鍵、亞烷基、環(huán)亞烷基、亞芳基。
[0227] 優(yōu)選通式(IV)中的R、Y\ Y2、L2中的任一個為具有至少1個環(huán)結(jié)構(gòu)的基團。
[0228] 以通式(I)表示的化合物包含水溶性官能基,這一點與構(gòu)成偏振器層的聚乙烯醇 系樹脂的相溶性優(yōu)異,因此較優(yōu)選。水溶性官能基是有助于以通式(I)表示的化合物的水溶 解性的基團。作為以通式(I)表示的化合物所具有的水溶性官能基,可舉出羥基、羧基或者 其鹽、磺基或者其鹽、磷酸基或者其鹽等水溶性基或具有醚鍵的基團。
[0229] 將以通式(I)表示的化合物添加于偏振片保護薄膜時的化合物的分子量優(yōu)選為 350~1500的范圍。
[0230] 將以通式(I)表示的化合物添加于粘結(jié)劑層或偏振器層時的化合物的分子量優(yōu)選 為100~1000的范圍。以通式⑴表示的化合物的ClogP值優(yōu)選為-8.0~12.0的范圍,更優(yōu)選 為-5.0~10.0的范圍,進一步優(yōu)選為-5.0~8.0的范圍。
[0231] 另外,關于ClogP值的概算程序等的詳細內(nèi)容,如之前的記載。
[0232] 并且,優(yōu)選根據(jù)與以通式(I)表示的化合物包含于相同層的樹脂的性質(zhì)、尤其根據(jù) 是親水性還是疏水性,選擇具有優(yōu)選分子量和ClogP值的以通式(I)表示的化合物。
[0233] 例如,當為如纖維素酯系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂、環(huán)烯烴系樹 月旨、丙烯酸系樹脂的疏水性樹脂時,以通式(I)表示的化合物的分子量優(yōu)選為350~1500的 范圍,更優(yōu)選為400~1000的范圍,進一步優(yōu)選為400~750的范圍。并且,ClogP優(yōu)選為1.0~ 9.0的范圍,更優(yōu)選為2.0~9.0的范圍,進一步優(yōu)選為2.0~8.0的范圍。
[0234] 另一方面,當為如聚乙烯醇或其酰化或者縮酮化體等的親水性樹脂、水溶性樹脂 時,以通式(I)表示的化合物的分子量優(yōu)選為100~1000的范圍,更優(yōu)選為140~800的范圍, 進一步優(yōu)選為140~600的范圍。并且,ClogP優(yōu)選為-4.0~1.0的范圍,更優(yōu)選為-4.0~0.5 的范圍,進一步優(yōu)選為-4.0~0的范圍。從與親水性樹脂、水溶性樹脂的相溶性觀點考慮,作 為以通式(I)表示的化合物,更優(yōu)選為向水的溶解度較高的化合物。詳細而言,優(yōu)選在25°C 下在水100mL中溶解0.1 g以上,更優(yōu)選為溶解1.0 g以上,進一步優(yōu)選為溶解1.0~30.0g。
[0235] 以下示出以通式(I)表示的化合物的具體例,但本發(fā)明并不限定于這些。
[0236] [化學式 19]



[0244] 以上敘述的以通式(I)表示的化合物能夠通過公知方法合成。并且,有的也可作為 市售品來獲得。
[0245] 并且,作為顯示多碘化物離子形成能力的化合物的具體例,還能夠例示下述化 合物。下述中,Me表示甲基,Et表示乙基。
[0246] [化學式 23]
[0247]
[0248] 上述例示化合物中有具有與偏振器層中包含的PVA相互作用的取代基的化合物。 作為這種取代基,例如可舉出縮醛基、羰基、甲酰基、酮基、硼基(boronyl group)、硼酸酯 基、三烷氧基甲硅烷基等形成共價鍵的取代基、氟等形成氫鍵性基團的。顯示多碘化物離子 If形成能力的化合物具有這種取代基時,該化合物易留在偏振器層,因此在提高偏振片的 耐久性方面優(yōu)選。
[0249] 并且,根據(jù)包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的層,還優(yōu)選以下方式。
[0250] 當包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的層為偏振片保護薄膜時,優(yōu)選顯 示多碘化物離子形成能力的化合物在1個分子中具有至少1個與如上述的包含于偏振器 層的成分相互作用的官能基作為取代基。取代基優(yōu)選為選自甲?;芭鸹闹辽?個以上, 更優(yōu)選為在1個分子中包含2個以上這種取代基。
[0251] 當包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的層為偏振器層及粘結(jié)劑層的一 個或雙方時,優(yōu)選顯示多碘化物離子形成能力的化合物在1個分子中分別具有至少1個與 如上述的包含于水溶性官能基及偏振器層的成分相互作用的官能基作為取代基。更優(yōu)選的 是,優(yōu)選在1個分子中具有至少1個水溶性官能基且具有2個以上與包含于偏振器層的成分 相互作用的官能基。關于取代基,作為水溶性官能基優(yōu)先包含磺基,且作為與包含于偏振器 層的成分相互作用的官能基優(yōu)選包含選自甲?;芭鸹闹辽?個。
[0252] <包含顯示多碘化物離子I ^形成能力的化合物的層>
[0253] 以上說明的顯示多碘化物離子If形成能力的化合物包含于構(gòu)成偏振片的任一層 以上。顯示多碘化物離子形成能力的化合物可僅使用一種,也可同時使用兩種以上。另 外,同時使用兩種以上的顯示多碘化物離子1 5_形成能力的化合物時,顯示多碘化物離子15_ 形成能力的化合物的含量為同時使用的化合物的總計量。
[0254] 在偏振器層以外的層中包含顯示多碘化物離子If形成能力的化合物時,本發(fā)明人 等推測,該顯示多碘化物離子形成能力的化合物有可能通過從該層向偏振器層的經(jīng)時性 轉(zhuǎn)移而有助于放置于高溫高濕下之后的偏振性能的維持或提高。
[0255] 并且,當顯示多碘化物離子形成能力的化合物包含于偏振器層時,可以是均勻 地包含于整個偏振器層的方式,也可以是不均勻存在于偏振器層的一部分區(qū)域的方式。如 前所述,1個推斷機理中,認為顯示多碘化物離子1 5_形成能力的化合物與氧發(fā)生反應而轉(zhuǎn)變 為氧化活性化合物。關于從空氣中進入偏振片的氧與上述化合物的反應,認為與其他區(qū)域 相比,更易在偏振器層的表面或從表面朝向偏振器層的厚度方向的一部分區(qū)域(表層區(qū)域) 中進行。這是因為表面或表層區(qū)域是容易產(chǎn)生通過與偏振器層相鄰的層而到達偏振器層的 氧與上述化合物之間的反應的部分。因此,還優(yōu)選在偏振器層的表面或包含表面的表層區(qū) 域存在顯示多碘化物離子If形成能力的化合物。作為一例,表層區(qū)域可以是從偏振器層的 表面起例如薄膜厚度的1/10~1/3左右的厚度的區(qū)域。但是,表層區(qū)域的厚度并無特別限 定。并且,偏振器層中,顯示多碘化物離子If形成能力的化合物的濃度可具有例如從內(nèi)部朝 向表面連續(xù)地或階段性地發(fā)生變化的濃度梯度。
[0256] 作為如上述那樣使顯示多碘化物離子形成能力的化合物存在于偏振器的表面 或表層區(qū)域的方法,可舉出將顯示多碘化物離子形成能力的化合物直接或作為溶液涂布 于偏振器層表面的方法。
[0257] 并且,還可以通過采用在用于制作偏振器層等各層的組合物中添加顯示多碘化物 離子形成能力的化合物的方法、在各層的制作工序中添加顯示多碘化物離子形成能 力的化合物的方法等,獲得在偏振器層等構(gòu)成偏振片的層的至少一層中包含顯示多碘化物 離子I ^形成能力的化合物的偏振片。
[0258] 并且,作為使顯示多碘化物離子If形成能力的化合物存在于偏振器層的內(nèi)部的方 法,可舉出在各層的制作工序中進行拉伸操作時,使用含有顯示多碘化物離子If形成能力 的化合物的溶液的方法等。
[0259] 關于以上的詳細內(nèi)容,將在后面進行敘述。
[0260][偏振片的制造方法]
[0261 ]本發(fā)明的另一方式涉及一種上述偏振片的制造方法。
[0262] 上述制造方法包含形成至少一層在含碘化化合物的溶液中包含顯示多碘化物離 子If形成能力的化合物的層的工序。
[0263] 以下,對上述制造方法進行詳細說明。
[0264] <被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的準備>
[0265] 聚乙烯醇系薄膜可使用市售品,也可使用通過公知的方法制膜的薄膜。作為聚乙 烯醇系薄膜的制膜方法,例如可采用日本特開2007-86748號公報的段落0213~0237中記載 的方法。并且,還可參考日本專利授權(quán)第3342516號說明書、日本特開平09-328593號公報、 日本特開2001-302817號公報、日本特開2002-144401號公報等,制膜聚乙烯醇系薄膜。另 外,聚乙烯醇系薄膜是指含有聚乙烯醇系樹脂作為構(gòu)成薄膜的樹脂的薄膜。優(yōu)選聚乙烯醇 系樹脂在構(gòu)成薄膜的樹脂中占最多,例如占80質(zhì)量%以上。構(gòu)成薄膜的樹脂可以全部是聚 乙稀醇系樹脂。聚乙稀醇系樹脂通常是使聚乙酸乙稀酯阜化(Saponification)而成的,但 可包含例如不飽和羧酸、不飽和磺酸、烯烴類、乙烯基醚類這樣可與乙酸乙烯酯共聚的成 分。并且,也可以是包含乙酰乙?;?、磺酸基、羧基、氧化亞烷基等的改性聚乙烯醇系樹脂。
[0266] 包含被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的偏振器(偏振器層)的制造工序通常包含染色 工序(碘染色)、交聯(lián)工序、拉伸工序。還可進一步任意地包含溶脹工序、清洗工序、干燥工序 等。以上工序可按任意順序,同時或依次實施。
[0267] 拉伸工序通常可通過實施單軸拉伸來進行。拉伸工序例如可通過如美國專利2, 454,515號說明書等中記載的單軸縱向拉伸方式或如日本特開2002-86554號公報中記載的 拉幅方式來實施。優(yōu)選的拉伸倍率為2倍~12倍,更優(yōu)選為3倍~10倍。拉伸工序通??赏ㄟ^ 濕潤式拉伸進行??稍谌苊浌ば蛑筮M行。并且,拉伸工序可實施多次。例如,可將在染色工 序之前拉伸的薄膜在染色工序、交聯(lián)工序或這兩個工序中進一步拉伸。
[0268] 還可以使?jié)駶櫴嚼熘惺褂玫奶幚硪海ㄒ韵?,還記載為拉伸浴。)中含有碘化化合 物。使處理液中含有碘化化合物時,碘化化合物濃度例如可設為0.1~10質(zhì)量%,優(yōu)選設為 0.2~5質(zhì)量%。濕潤式拉伸中的拉伸浴的液溫度通常為25°C以上,優(yōu)選為30~85°C,進一步 優(yōu)選為50~70 °C的范圍。浸漬時間通常為10~800秒,優(yōu)選為30~500秒。
[0269] 染色工序(碘染色)可在氣相或液相中進行。作為在液相中進行的染色方法的一 例,可舉出在碘-碘化鉀水溶液(以下,還記載為染色浴。)中浸漬聚乙烯醇系薄膜的方法。作 為上述碘-碘化鉀水溶液,優(yōu)選碘濃度為0.1~20g/l,碘化鉀濃度為1~200g/l,碘與碘化鉀 的質(zhì)量比為1~200。染色時間優(yōu)選為10~5000秒,染色時的染色浴的液溫度優(yōu)選為5~60 °C。作為染色方法,不僅可采用浸漬,還可采用染色液的涂布或噴霧等任一方法。染色工序 可在拉伸工序之前、拉伸工序之后的任一時候進行。并且,還可在液相中的染色中進行拉 伸。薄膜被適度溶脹而變得容易拉伸,因此優(yōu)選在拉伸工序之前或拉伸的同時在液相中進 行染色。將薄膜拉伸多次時,拉伸工序是指在進行拉伸的多個工序中拉伸倍率最大的工序。
[0270] 交聯(lián)工序通常使用硼化合物作為交聯(lián)劑來進行。交聯(lián)工序的順序并無特別限制。 交聯(lián)工序可與染色工序、拉伸工序一同進行。并且,交聯(lián)工序可進行1次也可進行多次。作為 硼化合物,可舉出硼酸、硼砂等。硼化合物通常以水溶液或含有水和有機溶劑的混合溶劑作 為溶劑的溶液形態(tài)使用。通常采用硼酸水溶液。硼酸水溶液的硼酸濃度相對于溶劑100質(zhì)量 份,例如為1~10質(zhì)量份,優(yōu)選為2~7質(zhì)量份的范圍。并且,在硼酸水溶液等(以下,還記載為 交聯(lián)浴。)中,可含有碘化鉀等碘化化合物。使硼酸水溶液中含有碘化化合物時,碘化化合物 濃度相對于溶劑100質(zhì)量份,例如為0.1~10質(zhì)量份,優(yōu)選為0.5~8質(zhì)量份的范圍。通過實施 交聯(lián)工序,可使聚乙稀醇交聯(lián)并穩(wěn)定化,因此從提尚偏振性能的觀點考慮,$父優(yōu)選。
[0271] 通過將聚乙烯醇系薄膜浸漬于交聯(lián)浴來進行交聯(lián)工序時,交聯(lián)浴的液溫度通常為 25°C以上,優(yōu)選為30~85°C,進一步優(yōu)選為30~60°C的范圍。浸漬時間通常為5~800秒,優(yōu) 選為8~500秒左右。
[0272] 溶脹工序可通過將染色工序之前或之后的聚乙烯醇系薄膜浸漬于處理液來進行。 作為處理液,通常使用水、蒸餾水、純水。優(yōu)選處理液中占最多的成分為水。處理液中可少量 地加入碘化化合物、表面活性劑等添加劑、醇等有機溶劑。并且,使處理液含有碘化化合物 時,碘化化合物濃度例如為0.1~10質(zhì)量%,優(yōu)選為0.2~5質(zhì)量%。
[0273] 優(yōu)選將溶脹工序中的處理液的液溫度通常調(diào)整為20~45°C左右。進一步優(yōu)選為25 ~40 °C。在處理液中的浸漬時間通常為10~300秒,優(yōu)選為20~240秒的范圍。
[0274] 清洗工序可采用碘化鉀溶液作為清洗液來進行。碘化鉀溶液中的碘化鉀濃度通常 為0.5~10質(zhì)量%,優(yōu)選為0.5~8質(zhì)量%,更優(yōu)選為1~6質(zhì)量%的范圍。
[0275] 清洗液的液溫度通常為15~60°C,優(yōu)選為25~40°C。在清洗液中的浸漬時間通常 為1~120秒,優(yōu)選為3~90秒的范圍。
[0276] 并且,作為清洗工序,可進行水洗。水洗通??赏ㄟ^將聚乙烯醇系薄膜浸漬于離子 交換水、蒸餾水等純水中來進行。用于水洗的水的液溫度通常為5~50°C,優(yōu)選為10~45°C, 進一步優(yōu)選為15~40°C的范圍。在水中的浸漬時間通常為5~300秒,優(yōu)選為10~240秒左 右。
[0277] 在實施了上述各工序之后,最終可以實施干燥工序。干燥工序例如可在30°C~100 °C的氣氛中進行30秒~60分鐘左右。
[0278] 另外,關于偏振器的制造工序,還可參考日本特開2011-237580號公報的段落0039 ~0050〇
[0279] <形成至少一層包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的層的工序>
[0280]之前記載的偏振片具有至少一層包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的 層。包含上述化合物的層在一方式中為偏振器層,在另一方式中為偏振片保護薄膜,并且在 另一方式中為粘結(jié)劑層。
[0281](形成包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的偏振器層的方法)
[0282] 作為用于將上述化合物包含于偏振器層的方法的一例,可舉出在用于制膜聚乙烯 醇系薄膜的制膜用組合物中添加上述化合物的方法。
[0283] 并且,作為另一例,可舉出在染色工序之前、染色工序中、染色工序之后的至少任 一時期中,在聚乙烯醇系薄膜中適用上述化合物的方法。此處的適用是指,通過涂布、浸漬、 噴霧等任意方法,使聚乙烯醇系薄膜與上述化合物接觸,優(yōu)選使其吸附或滲透。為此,例如 可采用在之前記載的拉伸浴、染色浴、交聯(lián)浴、處理液、清洗液等液相中添加上述化合物的 方法。并且,作為另一例,可舉出在碘染色之后的聚乙烯醇系薄膜的至少一個表面涂布包含 上述化合物的溶液的方法。另外,作為獲得在表面或包含表面的表層區(qū)域存在上述化合物 的偏振器層的方法,優(yōu)選如上述那樣通過涂布來適用。
[0284] 以上的方法可僅實施一個,也可組合2個以上來實施。采用上述任一方法時,也優(yōu) 選以在偏振器層中能夠包含所希望的量的顯示多碘化物離子If形成能力的化合物的方式 設定制造條件。關于偏振器層中的顯示多碘化物離子1 5_形成能力的化合物的含量,若還考 慮上述化合物與聚乙烯醇系樹脂的相溶性,則優(yōu)選相對于聚乙烯醇系樹脂100質(zhì)量份,設為 0.01~30質(zhì)量份的范圍,更優(yōu)選設為0.01~10質(zhì)量份的范圍,進一步優(yōu)選設為1~10質(zhì)量份 的范圍。
[0285] 當采用在碘染色之后的聚乙烯醇系薄膜的至少一個表面上涂布包含上述化合物 的溶液的方法時,作為涂布液的溶劑,并無特別限定??墒褂?種或按任意比例混合2種以上 的溶劑來使用。作為溶劑,優(yōu)選為顯示多碘化物離子15_形成能力的化合物顯示較高溶解性 的溶劑,只要根據(jù)顯示多碘化物離子15_形成能力的化合物適當選擇即可。作為一例,可舉出 甲乙酮、二氯甲烷、甲醇、乙酸甲酯、四氫呋喃(THF)等,但并不限定于這些。
[0286] 并且,涂布液中的顯示多碘化物離子形成能力的化合物濃度例如可設為0.0005 ~50mol/L左右。涂布液的涂布量例如可設為1~60mL/m 2左右。
[0287] (形成包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的粘結(jié)劑層的方法)
[0288] 偏振片中,為了提高偏振器層與其他層之間的密合性或偏振片與其他部件之間的 密合性,有時設置粘結(jié)劑層作為與偏振器層相鄰的層。這種情況下,也可在粘著劑層中包含 顯示多碘化物離子I ^形成能力的化合物。關于粘結(jié)劑層中的顯示多碘化物離子I ^形成能 力的化合物的含量,若還考慮與樹脂的相溶性,則優(yōu)選相對于構(gòu)成粘結(jié)劑層的樹脂100質(zhì)量 份,為0.01~30質(zhì)量份的范圍,更優(yōu)選為0.01~10質(zhì)量份的范圍,進一步優(yōu)選為1~10質(zhì)量 份的范圍。
[0289] 作為用于粘結(jié)劑層的樹脂,并無特別限定,可不受任何限制地使用具有粘結(jié)劑的 公知的樹脂。作為粘結(jié)劑,可采用更具有粘性的物質(zhì)(粘著劑),也可采用通過干燥或反應而 顯示粘接性的粘結(jié)劑。本發(fā)明中的粘結(jié)劑表示粘結(jié)劑及粘著劑雙方。
[0290] 粘結(jié)劑層通常包含樹脂作為占最多的成分(主成分)。樹脂通常例如占粘結(jié)劑層的 30質(zhì)量%以上且90質(zhì)量%以下。優(yōu)選占粘結(jié)劑層的70質(zhì)量%以上。樹脂可以是混合多種樹 脂的混合物。作為混合物,例如可舉出將樹脂的一部分改性的聚合物的混合物、或如通過使 不同單體反應而合成的樹脂等那樣,主骨架的結(jié)構(gòu)大致相同的成分的混合體等。另外,當樹 脂為混合物時,表示混合物的總量為上述范圍。
[0291] 關于粘結(jié)劑層,例如可通過將按規(guī)定比例含有粘結(jié)劑的涂布液涂布于偏振器層、 任意設置的其他層(例如偏振片保護薄膜)等的至少一個表面,并使其干燥來形成。作為涂 布液的制備方法,可采用任意適合的方法。作為涂布液,例如可采用市售的溶液或分散液, 也可在市售的溶液或分散液中進一步添加溶劑來使用,還可將固體成分溶解或分散于各種 溶劑來使用。
[0292] 作為粘結(jié)劑,可根據(jù)目的采用具有任意的適當?shù)男再|(zhì)、形態(tài)即粘接機理的粘結(jié)劑。 具體而言,作為粘結(jié)劑,例如可舉出水溶性粘結(jié)劑、紫外線固化型粘結(jié)劑、乳劑型粘結(jié)劑、膠 乳型粘結(jié)劑、膠粘粘結(jié)劑、多層粘結(jié)劑、膏狀粘結(jié)劑、發(fā)泡型粘結(jié)劑、支承膜粘結(jié)劑、熱塑型 粘結(jié)劑、熱熔融型粘結(jié)劑、熱固化粘結(jié)劑、熱熔粘結(jié)劑、熱活性粘結(jié)劑、熱密封粘結(jié)劑、熱固 化型粘結(jié)劑、接觸型粘結(jié)劑、壓敏性粘結(jié)劑、聚合型粘結(jié)劑、溶劑型粘結(jié)劑、溶劑活性粘結(jié)劑 等,優(yōu)選為水溶性粘結(jié)劑及紫外線固化型粘結(jié)劑。尤其,與偏振器層相鄰的粘結(jié)劑層中,從 與聚乙烯醇系樹脂的親和性的觀點考慮,優(yōu)選采用水溶性粘結(jié)劑、紫外線固化型粘結(jié)劑。
[0293] 水溶性粘結(jié)劑例如可含有可溶于水的天然高分子及合成高分子中的至少一個。作 為天然高分子,例如可舉出蛋白質(zhì)或淀粉等。作為合成高分子,例如可舉出甲階酚醛樹脂、 脲樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氧乙烯、聚丙烯酰胺、聚乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸酯、甲基丙烯酸 酯、聚乙烯醇系樹脂等。其中,優(yōu)選采用含有聚乙烯醇系樹脂的水溶性粘結(jié)劑。含有聚乙烯 醇系樹脂的水溶性粘結(jié)劑與聚乙烯醇系薄膜(偏振器層)的密合性優(yōu)異,因此優(yōu)選用于與偏 振器層相鄰的粘結(jié)劑層。
[0294] 另外,在由含有聚乙烯醇系樹脂的水溶性粘結(jié)劑形成的粘結(jié)劑層與偏振器層相鄰 時,有時粘結(jié)劑層與偏振器層一體化,成為可視作一層的狀態(tài)。
[0295] 并且,粘結(jié)劑層可包含金屬化合物,優(yōu)選包含金屬化合物膠體。關于其詳細內(nèi)容, 可參考日本特開2012-014148號公報段落0079~0083。
[0296] 作為其他添加劑,例如可使用鏈轉(zhuǎn)移劑、敏化劑、粘結(jié)賦予劑、熱塑性樹脂、填充 劑、流動調(diào)整劑、增塑劑、消泡劑等通??捎糜谄衿恼辰Y(jié)劑層的各種添加劑的一種或兩 種以上。配合添加劑時,其量相對于樹脂(粘結(jié)劑),優(yōu)選為40質(zhì)量%以下,更優(yōu)選為0.1質(zhì) 量%以上30質(zhì)量%。
[0297] 并且,粘結(jié)劑層可包含硼酸等交聯(lián)劑。關于硼酸,認為通過使其包含于粘結(jié)劑層 中,形成與構(gòu)成粘結(jié)劑層的樹脂中的羥基的鍵的交聯(lián)結(jié)構(gòu)(硼酸交聯(lián)),由此可在偏振器層 與粘結(jié)劑層的層間或在任意設置的偏振片保護薄膜與粘結(jié)劑層的層間中,提高層間的密合 性。例如,對偏振片保護薄膜通常進行皂化處理等,因此在表面具有羥基。由纖維素酯系樹 脂形成的偏振片保護薄膜通過皂化處理而成為在表面具有多個羥基的薄膜。并且,由聚對 苯二甲酸乙二酯等聚酯系樹脂或環(huán)烯烴系樹脂形成的偏振片保護薄膜也可通過皂化等表 面處理等而成為在表面具有羥基的薄膜。在與如此通過皂化處理等而成為在表面具有羥基 的薄膜的偏振片保護薄膜相鄰的粘結(jié)劑層中,包含顯示多碘化物離子1 5_形成能力的化合 物,尤其包含是以通式(I)表示的化合物及硼酸,由此能夠促進粘結(jié)劑層與偏振器層之間及 粘結(jié)劑層與偏振片保護薄膜之間的硼酸交聯(lián)。由此,能夠更加提高偏振器層與偏振片保護 薄膜的密合性。
[0298] 包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的粘結(jié)劑層中配合硼酸時,其量優(yōu)選 相對于顯示多碘化物離子]^形成能力的化合物100質(zhì)量份,為0.1質(zhì)量份以上10000質(zhì)量份 以下,更優(yōu)選為1質(zhì)量份以上1000質(zhì)量份以下。更優(yōu)選上述那樣的包含交聯(lián)劑及顯示多碘化 物離子1 5_形成能力的化合物的粘結(jié)劑層作為與由具有多個羥基的樹脂即聚乙烯醇系樹脂 或纖維素酯系樹脂形成的層相鄰的層來設置。
[0299] 粘結(jié)劑層的厚度可適當設定。具體而言,將粘結(jié)劑用于粘結(jié)劑層時,粘結(jié)劑層的厚 度優(yōu)選為〇. 1~50μηι的范圍,更優(yōu)選為0.5~20μηι的范圍,進一步優(yōu)選為1~15μηι的范圍,尤 其優(yōu)選為5~ΙΟμπι的范圍。另一方面,將粘結(jié)劑用于粘結(jié)劑層時,粘結(jié)劑層的厚度優(yōu)選為10 ~500nm的范圍,更優(yōu)選為10~400nm的范圍,進一步優(yōu)選為20~350nm的范圍。粘結(jié)劑層可 通過將粘結(jié)劑或粘著劑通過旋涂法、輥涂法、流涂法、浸涂法、棒涂法等公知的涂布方法涂 布于偏振器層或任意設置的偏振片保護薄膜的表面來形成。
[0300] 粘結(jié)劑層可根據(jù)所使用的形態(tài),直接或經(jīng)由底涂層(還稱為易粘接層)等其他層間 接地設置于偏振器層的一個表面上,也可設置于雙方的表面上。另外,粘結(jié)劑層也可作為不 與偏振器層相鄰的層而形成,在此時的粘結(jié)劑層中可包含顯示多碘化物離子形成能力的 化合物。其他方式中,顯示多碘化物離子形成能力的化合物可包含于與偏振器層相鄰的 粘結(jié)劑層。
[0301] (形成包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的偏振片保護薄膜的方法) [0302]偏振片還可任意地具有一層以上的偏振片保護薄膜。顯示多碘化物離子形成能 力的化合物可包含于偏振片保護薄膜。
[0303]關于偏振片保護薄膜中的顯示多碘化物離子形成能力的化合物的含量,若還考 慮與樹脂的相溶性,則相對于構(gòu)成偏振片保護薄膜的樹脂100質(zhì)量份,優(yōu)選為〇. 01~30質(zhì)量 份的范圍,更優(yōu)選為0.01~10質(zhì)量份的范圍,進一步優(yōu)選為I.O~10質(zhì)量份的范圍。
[0304]作為偏振片保護薄膜的原料,可舉出纖維素酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酯碳酸 酯系樹樹脂、聚丙烯酸酯系樹脂、聚砜系樹脂、聚醚砜系樹脂、降冰片系樹脂等環(huán)烯烴系樹 月旨、聚苯乙烯系樹脂、聚丙烯酸酯系樹脂、聚甲基丙烯酸酯系樹脂、聚酯系樹脂、烯烴馬來酰 亞胺系樹脂或戊二酰亞胺系樹脂等酰亞胺系樹脂,這些樹脂可單獨使用,也可混合使用。上 述樹脂中,可優(yōu)選使用基于分子的取向的雙折射及光彈性模量比較小的纖維素酯系樹脂、 環(huán)烯烴系樹脂或聚苯乙烯系樹脂、酰亞胺系樹脂、聚甲基丙烯酸系樹脂。偏振片保護薄膜 中,樹脂可占5~99質(zhì)量%,優(yōu)選占20~99質(zhì)量%,更優(yōu)選占50~95質(zhì)量%。
[0305]為了在偏振片保護薄膜中包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物,可采用在 偏振片保護薄膜制膜用組合物(濃液)中添加上述化合物并進行制膜的方法、通過前述的涂 布方法使其吸附在薄膜表面或滲透于表層區(qū)域的方法等。偏振片保護薄膜制膜用組合物中 的顯示多碘化物離子形成能力的化合物含量優(yōu)選相對于構(gòu)成偏振片保護薄膜的樹脂100 質(zhì)量份,為0.01~30質(zhì)量份,更優(yōu)選為0.01~10質(zhì)量份,進一步優(yōu)選為1.0~10質(zhì)量份。
[0306] 關于包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的偏振片保護薄膜,除了在偏振 片保護薄膜制膜用組合物中添加上述化合物這一點以外,可不受任何限制地采用作為偏振 片保護薄膜的制膜方法而公知的方法。例如,可通過溶融制膜法或溶液制膜法(溶液流延 法)制膜包含顯示多碘化物離子1 5_形成能力的化合物的偏振片保護薄膜。
[0307] 關于構(gòu)成偏振片保護薄膜的樹脂或添加劑及其制造方法,還可參考日本特開 2005-104149號公報和日本特開2012-014148號公報的段落0034~0040。
[0308] 另外,作為不包含顯示多碘化物離子形成能力的化合物的偏振片保護薄膜,可 采用市售的或公知的偏振片保護薄膜。作為一例,可舉出市售的三醋酸纖維素薄膜 (Fujitac TD80UF,F(xiàn)UJIFILM Co. ,Ltd.制造)、日本特開2006-58322號公報中記載的含脂環(huán) 式結(jié)構(gòu)的聚合體樹脂薄膜、日本特開2009-122644號公報中記載的丙烯酸系樹脂薄膜等。
[0309] 偏振片保護薄膜可直接或經(jīng)由一層以上的粘結(jié)劑層等其他層而間接地設置于偏 振器層表面上。并且,可在偏振器層的單面或兩面上設置偏振片保護薄膜。
[0310] 本發(fā)明的一方式所涉及的偏振片包含2張偏振片保護薄膜時,可以都是相同的偏 振片保護薄膜,也可以是不同的偏振片保護薄膜。偏振片保護薄膜的厚度通常為5~300μπι, 優(yōu)選為10~200μηι,進一步優(yōu)選為15~100μπι,尤其優(yōu)選為15~60μηι。
[0311] <可設置于偏振片的其他層>
[0312] 為了提高顯示器的可見性和機械特性,本發(fā)明的一方式所涉及的偏振片還可具有 相位差層、防反射層、硬涂層、前方散射層、抗眩(防眩)層等功能層。可以將這樣的功能層構(gòu) 成為層疊于偏振片保護薄膜的形態(tài)或是與具有功能層的薄膜或光學補償薄膜、亮度提高薄 膜等光學薄膜復合而成的功能化偏振片。關于用于功能化的防反射薄膜、亮度提高薄膜、其 他功能性光學薄膜、硬涂層、前方散射層、抗眩層,可參考日本特開2007-86748號公報的段 落0257~0276。
[0313] 本發(fā)明的一方式所涉及的偏振片還可用作設置有氣體阻擋層、滑動層、抗靜電層、 下涂層或保護層等功能層的功能性光學薄膜。這些功能層可設置于偏振器層側(cè)及偏振器層 的相反面(更靠近空氣側(cè)的面)中的任一單面或兩面上來使用。關于可在這些偏振片保護薄 膜上復合化的功能,可參考日本特開2005-104149號公報和日本特開2012-014148號公報段 落0139~0160等。
[0314] 另外,作為上述偏振片的一方式,還可舉出偏振器層中不包含在碘化化合物及在 含碘溶液中顯示多碘化物離子15_降低能的化合物的偏振片。其中,碘化化合物及含碘溶液 中的多碘化物離子降低能為通過以下方法測定的值。關于以下記載的操作,除非特別指 明,則在大氣中、在室溫下(25°C,相對濕度40%RH)進行。作為這種化合物的具體例,可舉出 選自包含抗壞血酸、異抗壞血酸、綠原酸、檸檬酸、迷迭香酸、硫代硫酸、亜硫酸及它們的鹽 的組的化合物。并且,作為鹽,可舉出鈉鹽、鉀鹽等堿金屬鹽等。在此,"不包含"是指不用作 用于形成偏振器層的成分,制作偏振片之后,從偏振器層以外的層轉(zhuǎn)移而來的結(jié)果,上述化 合物包含于偏振器層時視作不包含于"不包含"。并且,以下,以采用碘化鉀作為碘化化合物 的方法為例進行說明,作為碘化化合物,例如可采用之前記載的碘化化合物。
[0315] (1)向混合溶劑(水:甲醇=4:6 (體積比))中添加碘化鉀(KI)及碘I2并充分攪拌, 從而制備了 KI/I2溶液(KI濃度:96.4mm〇l/L、I2濃度:0.63mm 〇l/L)。將所制備的KI/I2溶液的 一部分用于以下的對象化合物溶液的制備,將另一部分用作以下的參考溶液。
[0316] (2)將判定在ΚΙ/Ι2溶液中是否示出多碘化物離子If降低能的對象化合物,以成為 0.63mmol/L的濃度的方式添加于上述KVI 2溶液并充分攪拌、混合。將含有如此制備的對象 化合物溶液的燒杯與含有參考溶液的燒杯一同在無溫濕控制的室溫下放置48小時。另外, 放置時間以將對象化合物添加至KI/I2溶液的時點作為開始時來測量。
[0317] (3)之后,從燒杯采取一部分對象化合物溶液,用混合溶劑(水:甲醇= 4:6(體積 比))稀釋為10倍,利用寬度(透射光的透射距離Ucm的單元,通過分光光度計測定波長 355nm中的吸光度。
[0318] (4)對于參考溶液,也與對象化合物溶液同樣地進行吸光度測定。
[0319] (5)對象化合物溶液的波長355nm中的吸光度(Asampie)低于參考溶液的波長355nm 中的吸光度(A ref.)時,即,Asampie<Aref.時,判定對象化合物為在碘化化合物及含碘溶液中顯 示多碘化物離子降低能的化合物。
[0320] 并且,對于通過以上測定來求出的波長355nm中的吸光度(Asample)不低于參考溶液 的波長355nm中的吸光度(Arrf.)的對象化合物溶液,向溶液通入惰性氣體來排除溶液中的 殘留氧之后,再次進行吸光度測定。從該結(jié)果獲得的吸光度(A sample3)低于參考溶液的波長 355nm中的吸光度(Aref.)時,判定對象化合物為在碘化化合物及含碘溶液中顯示多碘化物 離子I「降低能的化合物。惰性氣體的通氣能夠通過例如將氮氣鼓泡10~20分鐘來進行。鼓 泡之后在無溫度控制的室溫下放置48小時期間密封保管,以避免與空氣中的氧接觸。
[0321] 但是,剛制備之后的對象化合物溶液在波長355nm處具有吸收時,將從上述測定中 求出的吸光度減去在室溫下放置之前例如從上述開始時10分鐘以內(nèi)的對象化合物溶液的 波長355nm中的吸光度的值用于判定是否顯示多碘化物離子降低能。
[0322] 另外,如上述,基于分光光度計的吸光度測定通過測定對象溶液的測定結(jié)果與空 白溶液的測定結(jié)果的對比來進行??瞻兹芤旱臏y定(空白試驗)為了排除或降低單元的影 響,使用與在對象化合物溶液的吸光度測定中使用的單元相同的單元進行。作為空白溶液, 使用在對象化合物溶液的制備中使用的混合溶劑(不含有對象化合物以及碘化化合物及 碘)。
[0323] <偏振片的形狀>
[0324] 作為偏振片的形狀,不僅包含切斷為可直接組裝于液晶顯示裝置的大小的薄膜片 形式的偏振片,還包含通過連續(xù)生產(chǎn)而制作成長條狀,并卷繞成卷狀的形式(例如,卷長 2500m以上或3900m以上的形態(tài))的偏振片。為了形成大屏幕液晶顯示裝置用偏振片,優(yōu)選將 偏振片的寬度設為1000 mm以上。
[0325] <偏振片的性能>
[0326] 本發(fā)明的一方式所涉及的偏振片在至少任一層中包含在含碘化化合物的溶液中 顯示多碘化物離子形成能力的化合物。由此,能夠防止高溫高濕下的偏振性能降低,一方 式中,還可改善偏振性能。
[0327] 偏振片的性能及耐久性可通過測定特定環(huán)境下的偏振片的正交透射率變化來評 價。具體的評價方法將記載于以下。
[0328] (正交透射率CT)
[0329] 波長410nm的正交透射率CT優(yōu)選為CT彡2.0,作為更優(yōu)選的范圍為CT彡1.3,進一步 優(yōu)選為CTS0.6(單位均為%),更進一步優(yōu)選為CTS0.05。波長410nm的正交透射率越低,波 長4IOnm附近的漏光越少。與此相對,波長410nm的正交透射率越尚,波長4IOnm附近的漏光 越多,顯示器的黑色顯示將呈現(xiàn)藍色。因此,從顏色再現(xiàn)性觀點考慮,優(yōu)選波長410nm的正交 透射率較低。上述的正交透射率較低表示偏振性能良好。正交透射率例如能夠通過后述的 實施例中使用的測定裝置測定。
[0330](正交透射率變化量)
[0331]作為高溫高濕下的耐久性評價的指標,可利用偏振片在高溫高濕下放置規(guī)定期間 前后的上述正交透射率的變化量。例如,優(yōu)選在溫度60°C、相對濕度90 %的環(huán)境下放置500 小時時的波長410nm的正交透射率的變化量[變化量=(放置后的正交透射率(% ))-(放置 前的正交透射率(%))]為0.03%以下,更優(yōu)選變化量為零以下,進一步優(yōu)選變化量為負值, 即放置后的正交透射率小于放置前的正交透射率。這表示在高溫高濕下的靜置中,偏振性 能得到了提高。本發(fā)明的一方式中,除了防止高溫高濕下的偏振性能降低之外,還能夠提高 偏振性能。
[0332]另外,以上敘述的正交透射率使用10次測定值的平均值。并且,正交透射率變化量 作為在上述的放置前及放置后分別進行10次測定獲得的平均值的差分來求出。
[0333](其他特性)
[0334]關于優(yōu)選偏振片具有的光學特性等,記載于日本特開2007-086748號公報的段落 0238~0255。本發(fā)明的一方式所涉及的偏振片優(yōu)選滿足這些特性。
[0335] <偏振片的制造工序>
[0336] 偏振片可通過將偏振器層等各層根據(jù)需要經(jīng)由粘結(jié)劑層貼合來制造。
[0337] 貼合偏振器層與偏振片保護薄膜時,優(yōu)選以偏振器層的透射軸與偏振片保護薄膜 的慢軸平行、正交或成45°的方式進行貼合。
[0338]另外,對于平行、正交、45°等,視為包含在本發(fā)明所述的技術(shù)領域中允許的誤差的 范圍。例如,表示在有關平行、正交的精密的角度小于±10°的范圍內(nèi),優(yōu)選與精密的角度的 誤差為5°以下,更優(yōu)選為3°以下。關于偏振器層的透射軸與偏振片保護薄膜的慢軸的平行, 優(yōu)選偏振片保護薄膜的主折射率nx的方向與偏振片的透射軸的方向之間的偏離在5°以內(nèi), 更優(yōu)選在1°以內(nèi),進一步優(yōu)選在〇. 5°以內(nèi)。若偏離在1°以內(nèi),則偏振片正交尼科爾棱鏡下的 偏振性能很難下降,尤其難以產(chǎn)生漏光,因此較優(yōu)選。
[0339] 作為偏振片的構(gòu)成部件,除了上述各層以外,還可舉出液晶單元或有機EL面板等 顯示設備的透明基板或為了保護顯示裝置而配置前面板等部件。
[0340] [液晶顯示裝置]
[0341 ]以下,對本發(fā)明的一方式所涉及的液晶顯示裝置進行說明。
[0342]圖1是表示本發(fā)明的一方式所涉及的液晶顯示裝置的例子的示意圖的一例。
[0343]圖1中,液晶顯示裝置10包含具有液晶層5及配置于其上下的液晶單元上電極基板 3及液晶單元下電極基板6的液晶單元、配置于液晶單元的兩側(cè)的上側(cè)偏振片1及下側(cè)偏振 片8。液晶單元的上側(cè)偏振片1的吸收軸2與下側(cè)偏振片8的吸收軸9正交地層疊。可在液晶單 元與各偏振片之間配置濾色器。將液晶顯示裝置10用作透射型時,在背面配置將冷陰極或 者熱陰極熒光管或發(fā)光二極管、場致發(fā)射元件、電致發(fā)光元件作為光源的背光。另外,圖1 中,符號4及7為取向控制方向。
[0344] 上側(cè)偏振片1及下側(cè)偏振片8大多以分別用兩張偏振片保護薄膜夾著偏振器的方 式層疊而成的結(jié)構(gòu)來使用,但是液晶顯示裝置10中,也可使用光學補償薄膜作為偏振片的 液晶單元側(cè)的保護薄膜。或者,也可以沒有保護薄膜,用粘結(jié)劑層直接貼合偏振器層與電極 基板3或6。
[0345] 液晶顯示裝置10可以是圖像直視型、圖像投影型、光調(diào)制型。作為液晶層5的驅(qū)動 模式,可采用包含TN模式、VA模式、IPS模式的橫向電場模式、OCB模式、ECB模式等已知的所 有模式。
[0346] 另外,雖未例示,但作為其他結(jié)構(gòu),能夠?qū)⒈景l(fā)明的一方式所涉及的偏振片用于作 為反射型或半透射型液晶顯示裝置或有機EL等自發(fā)光元件的防反射用途而配置的圓偏光 版的一部分。
[0347] [實施例]
[0348] 以下通過舉出實施例來對本發(fā)明進行更具體的說明。以下的實施例中示出的材 料、試劑、物質(zhì)量及其比例、操作等,只要不脫離本發(fā)明的主旨,可適當變更。因此,本發(fā)明的 范圍并不限定于以下具體例。
[0349] 實施例中,使用了以下化合物1-1~1-6。
[0350] [化學式M]

[0354] 比較例2、3中,使用了以下比較化合物。[0355]
[0356]
[0357] 1.化合物的合成例
[0358] <化合物I -1 (例示化合物Α-4)的合成>
[0359]根據(jù)以下方案合成了例示化合物Α-4。
[0360] 「化學式 271
[0361]
[0362] 1)中間體N-芐基-Ν'-苯基尿素的合成
[0363]向附帶有溫度計、回流冷卻管及攪拌機的5L的玻璃制燒瓶中放入芐基胺321g及乙 腈2L,用水浴冷卻并攪拌的同時以反應液的內(nèi)溫成為40°C以下的速度滴加異氰酸苯基 358g。在該狀態(tài)下攪拌2小時之后,濾取添加水2L并吸引過濾來析出的晶體,用水IL清洗3 次。在80°C下對所獲得的晶體進行減壓干燥,從而獲得了 610g的中間體N-芐基-Ν'-苯基尿 素。
[0364] 2)中間體1-芐基-3-苯基巴比妥酸的合成
[0365] 向附帶有溫度計、回流冷卻管及攪拌機的300mL的玻璃制燒瓶中放入在上述1)中 合成的N-芐基-Ν'-苯基尿素 5. Og、丙二酸2.5g、甲苯20mL及乙酸酐5.6g,攪拌的同時以內(nèi)溫 成為80°C的方式進行加熱,在該狀態(tài)下在80 °C下持續(xù)攪拌3小時。之后,冷卻至50 °C,添加水 15mL來進行分液,并廢棄水相。在室溫下攪拌有機層的同時滴加異丙醇5mL。濾取進一步在 l〇°C以下攪拌0.5小時之后進行吸引過濾來析出的晶體,用已冷卻的異丙醇清洗之后進行 干燥,從而獲得了 4.6g的中間體1-芐基-3-苯基巴比妥酸。
[0366] 3)中間體1-芐基-5-亞芐基-3-苯基巴比妥酸的合成
[0367] 向附帶有溫度計、回流冷卻管及攪拌機的300mL的玻璃制燒瓶中放入1-芐基-3-苯 基巴比妥酸4. Og、苯甲醛1.6g、乙酸40mL,滴加 1滴硫酸并攪拌的同時以內(nèi)溫成為100°C的方 式進行加熱,在該狀態(tài)下在l〇〇°C下持續(xù)攪拌3小時。之后冷卻至50 °C,添加異丙醇39mL與水 17mL的混合溶液并在KTC以下攪拌1小時之后,濾取進行吸引過濾來析出的晶體,用甲醇清 洗之后,獲得了 3.9g的中間體1-芐基-5-亞芐基-3-苯基巴比妥酸。
[0368] 所獲得的化合物的結(jié)構(gòu)用1H-NMR光譜進行了確認。
[0369] 1H-Nmr(SoomHz1CDCI3),S:8.70(S,1H),8.10(d,2H),7.58-7·20(Π1,15H),5.20(s, 2H)
[0370] 4)例示化合物A-4的合成
[0371] 向50mL的高壓釜中放入上述3)中合成的1-芐基-5-亞芐基-3-苯基巴比妥酸3.5g、 甲醇8mL,添加 Pd-C(H)% )0.1 g并攪拌的同時填充H2,并以內(nèi)溫成為50°C的方式進行加熱, 在此狀態(tài)下在50°C下持續(xù)攪拌3小時。之后,濾出Pd-C,并冷卻至5°C,進一步添加水4mL并在 5°C下攪拌1時間之后,濾取進行吸引過濾來析出的晶體,用甲醇/水= 1/1的混合溶劑清洗 之后進行干燥,由此獲得了 3.Og的例示化合物A-4。
[0372] 所獲得的化合物的結(jié)構(gòu)通過1H-NMR光譜、IR光譜及質(zhì)譜進行了確認。
[0373] 1H-NmrUOOMHz ,CDCl3),δ:7· 52-7.16(m,10H),5.10(s,2H)、3.86(s,2H)
[0374] 實施例、比較例中使用的其他化合物也依照上述合成法或通過公知的方法進行了 合成。所獲得的化合物的結(jié)構(gòu)通過1H-NMR光譜、IR光譜及質(zhì)譜進行了確認。
[0375] 2.關于是否在含碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離子形成能力的判定
[0376] 對于上述各化合物,通過之前記載的方法(熱水浴中的耐壓試驗管的放置時間設 為2小時)判定是否在碘化化合物(碘化鉀)溶液中顯示多碘化物離子形成能力。作為分光 光度計,使用了 SHIMADZU C0RP0RATION制造,UV31OOPC。
[0377] 各測定中,參考溶液的波長355nm中的吸光度為0.0,因此判定中使用了對象化合 物溶液的波長355nm中的吸光度。
[0378] 結(jié)果示于下述表2。
[0379] [表 2]
[0381] f上述中測定的吸光度的測定極限(上限)為5.0,因此測定為測定極限以上的化 合物標記為5.0以上。)
[0382] 3.與偏振片相關的實施例、比較例
[0383] [實施例1~6、比較例1~2]
[0384] <偏振器(偏振器層)的制作>
[0385] 作為卷狀薄膜,使用了聚乙烯醇薄膜(Kuraray Co.,Ltd.制造VF-PS7500;厚度75μ m)。對該聚乙烯醇薄膜,以下述順序?qū)嵤┝讼率龈鞴ば颉?br>[0386] (溶脹工序)
[0387] 作為溶脹浴的處理液,使用了純水。將上述聚乙烯醇薄膜傳送至溶脹浴,在調(diào)整為 30°C的純水中浸漬1分鐘來使其溶脹,同時拉伸至2.2倍,從而進行了溶脹。
[0388] (染色工序)
[0389] 作為染色浴的處理液,使用了含有碘0.045質(zhì)量%及碘化鉀0.315質(zhì)量%的30°(:的 碘染色溶液。將經(jīng)過上述溶脹處理的聚乙烯醇薄膜傳送至染色浴,在調(diào)整為30°C的碘染色 溶液中浸漬30秒的同時以相對于原長的拉伸倍率達到3.3倍的方式進行了拉伸并進行了染 色。
[0390] (交聯(lián)工序)
[0391] 作為交聯(lián)浴的處理液,使用了含有硼酸3質(zhì)量%、碘化鉀3質(zhì)量%的混合水溶液 (1) 。將經(jīng)過上述處理的聚乙烯醇薄膜傳送至交聯(lián)浴,在調(diào)整為30°C的混合水溶液(1)中浸 漬30秒的同時以相對于原長的拉伸倍率達到3.6倍的方式進行了拉伸。
[0392] (拉伸工序)
[0393] 作為拉伸浴的處理液,使用了含有硼酸4質(zhì)量%、碘化鉀5質(zhì)量%的混合水溶液 (2) 。將經(jīng)過上述處理的聚乙烯醇薄膜傳送至拉伸浴,在調(diào)整為60°C的混合水溶液(2)中浸 漬60秒的同時以相對于原長的拉伸倍率達到6.0倍的方式進行了拉伸。
[0394] (清洗工序)
[0395] 作為清洗浴的處理液,使用了含有碘化鉀3質(zhì)量%的水溶液。將經(jīng)過上述處理的聚 乙烯醇薄膜傳送至清洗浴,在調(diào)整為30°C的上述水溶液中浸漬10秒。
[0396] (干燥工序)
[0397] 接著,對經(jīng)過上述處理的聚乙烯醇系薄膜進行控水,在保持張力的狀態(tài)下用60°C 的烘箱干燥4分鐘,從而獲得了偏振器。
[0398] <偏振片保護薄膜的貼付>
[0399] 將FUJIFILM Co. ,Ltd.制造的醋酸纖維素薄膜(商品名Fujitac TD80UF)在 2.3mo 1/L的氫氧化鈉水溶液中,在55°C下浸漬3分鐘。在室溫的水洗浴槽中進行清洗,并在 30 °C下用0.05mo 1/L的硫酸進行中和。再次,在室溫的水洗浴槽中進行清洗,進一步用100 °C 的溫風進行干燥。如此,對醋酸纖維素薄膜系的偏振片保護薄膜進行了表面的皂化處理。
[0400] 關于實施例1~12,用聚乙烯醇系粘結(jié)劑,將已皂化處理的醋酸纖維素薄膜系的偏 振片保護薄膜貼付于在上述中制作的偏振器層的單側(cè)的表面。此時,配置成偏振器的透射 軸與偏振片保護薄膜的慢軸平行。
[0401] 關于實施例13,代替在上述方法中進行皂化處理的醋酸纖維素薄膜系的偏振片保 護薄膜,將Τ0Υ0Β0⑶.,LTD.制造的已進行了易粘接處理的聚酯薄膜(商品名:⑶SM0SHINE 超雙折射型、厚度80μπι)用作偏振片保護薄膜,并將該薄膜的易粘接處理面?zhèn)扰渲糜谄衿?層側(cè),并利用聚乙烯醇系粘結(jié)劑貼附于在上述中制作的偏振器層的單側(cè)的表面。
[0402] <化合物在偏振器層中的適用>
[0403]關于實施例1~13、比較例2、3,將表2所示的各化合物溶解于MEK(甲乙酮)中,作為 0.17mol/L的溶液。用棒涂布器在偏振器層的貼付有偏振片保護薄膜的面的相反側(cè)表面上, 以涂布量成為26cc/m2 (26ml/m2)的方式涂布該溶液,并在80 °C下干燥90秒。
[0404]對所制作的偏振片的一部分實施下述正交透射率測定,將另一部分浸在甲醇/乙 腈的混合溶液中浸漬3.5小時來提取化合物,并進行高速液體色譜(HPLC)測定。測定的結(jié) 果,各化合物的含量相對于聚乙烯醇樹脂100質(zhì)量份,為0.1質(zhì)量份。
[0405]如此,制作至少在表面或包含表面的表層區(qū)域中包含各化合物的偏振片。
[0406][比較例1]
[0407] 不進行化合物在偏振器層中的適用,除此以外與實施例1~12同樣地制作了偏振 片。
[0408] [比較例4]
[0409] 不進行化合物在偏振器層中的適用,除此以外與實施例13同樣地制作了偏振片。
[0410] 4.正交透射率及正交透射率變化量的測定
[0411] 將在實施例1~13、比較例2、3中制作的偏振片,經(jīng)由粘合劑(Soken Chemical& Engineering Co. ,Ltd.SK-2057)貼合適用了上述各化合物的表面與玻璃板,由此制作了偏 振片試樣(約5cm X 5cm) 〇
[0412] 關于比較例1、4,經(jīng)由粘合劑貼合與貼合有偏振片保護薄膜的面相反的表面與玻 璃板,除此以外與上述同樣地制作了偏振片試樣。
[0413] 利用JASCO Corporation制造的自動偏光薄膜測定裝置VAP-7070,以380nm~ 780nm的范圍測定如此準備的偏振片試樣的透射率,并作為10次測定的平均值求出波長 410nm中的透射率(正交透射率)。其他測定的詳細內(nèi)容如前所述。
[0414] 之后,在60 °C、相對濕度90 % RH的環(huán)境下將各偏振片試樣經(jīng)時保存500小時之后, 用相同的方法,作為10次測定的平均值,測定波長410nm處的正交透射率。
[0415] 另外,經(jīng)時前、經(jīng)時后的正交透射率的測定分別在25°C相對濕度60%RH的環(huán)境下 進行。
[0416] 求出經(jīng)時前后的正交透射率的變化,以此作為偏振片耐久性來進行了評價。
[0417] 將結(jié)果示于下述表3。
[0418] [表 3]
[0420] 從表3所示的結(jié)果可知,如表2所示那樣包含在碘化化合物溶液中顯示多碘化物離 子15_形成能力的化合物的實施例1~13的偏振片中,高溫高濕下的波長410nm處的正交透射 率變化得到了抑制。另外,實施例1~13的偏振片中,在所測定的410nm以外的其他波長中也 獲得了良好的耐久性。
[0421] 組裝有波長410nm的正交透射率較低的偏振片的液晶顯示裝置中,波長410nm附近 的漏光較少,顯示器的黑色顯示呈藍色的現(xiàn)象得到抑制。因此,能夠顯示出優(yōu)異的色彩再現(xiàn) 性。即,通過組裝如上述那樣在高溫高濕下的波長410nm處的正交透射率變化得到抑制的偏 振片,能夠提供在高溫高濕經(jīng)時之后色彩再現(xiàn)性仍優(yōu)異的液晶顯示裝置。
[0422] 符號說明
[0423] 1-上側(cè)偏振片,2-上側(cè)偏振片吸收軸的方向,3-液晶單元上電極基板,4-上基板的 取向控制方向,5-液晶層,6-液晶單元下電極基板,7-下基板的取向控制方向,8-下側(cè)偏振 片,9-下側(cè)偏振片吸收軸的方向,10-液晶顯示裝置。
【主權(quán)項】
1. 一種偏振片,其至少具有包含被碘染色的聚乙烯醇系薄膜的偏振器層, 并包含在含碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離子I r形成能力的化合物。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的偏振片,其中, 所述化合物包含于所述偏振器層中。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的偏振片,其中, 所述化合物至少存在于所述偏振器層的表面或包含表面的表層區(qū)域。4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的偏振片,其中, 所述化合物包含經(jīng)由單鍵與吸電子基團鍵合且不經(jīng)由雙鍵與其他碳原子鍵合的碳原 子。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的偏振片,其中, 所述化合物包含分別經(jīng)由單鍵與2個吸電子基團鍵合且不經(jīng)由雙鍵與其他碳原子鍵合 的碳原子。6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的偏振片,其中, 所述吸電子基團為羰基。7. 根據(jù)權(quán)利要求4~6中任一項所述的偏振片,其中, 所述化合物包含1個以上的雜原子。8. 根據(jù)權(quán)利要求4~7中任一項所述的偏振片,其中, 所述化合物具有包含所述碳原子的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的偏振片,其中, 所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)為雜環(huán)。10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的偏振片,其中, 所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)為5元或6元環(huán)。11. 根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的偏振片,其中, 所述環(huán)狀結(jié)構(gòu)為含氮雜環(huán)。12. -種制造權(quán)利要求1至11中任一項所述的偏振片的制造方法, 所述制造方法包含形成至少一層包含在所述含碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離 子If形成能力的化合物的層的工序。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的偏振片的制造方法,其中, 至少包含對聚乙烯醇系薄膜進行碘染色的染色工序, 并在所述染色工序前、染色工序中及染色工序后的至少任一時期中包含,通過將在含 碘化化合物的溶液中顯示多碘化物離子形成能力的化合物適用于所述聚乙烯醇系薄膜 中,從而形成包含所述化合物的偏振器層的工序。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的偏振片的制造方法,其中, 所述適用是指,將包含所述化合物的溶液涂布于被碘染色的所述聚乙烯醇系薄膜的至 少一個表面。15. -種液晶顯示裝置,其包含權(quán)利要求1至11中任一項所述的偏振片。
【文檔編號】G02F1/1335GK106062593SQ201580010797
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年1月16日
【發(fā)明人】野尻真裕美, 內(nèi)藤遊, 深川伸隆, 下重直也, 石川博之
【申請人】富士膠片株式會社
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