過程窗口的優(yōu)化方法
【專利摘要】本發(fā)明披露一種用于器件制造過程的由計算機(jī)實(shí)施的缺陷預(yù)測方法，該器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上，該方法包括從該圖案識別出工藝窗口限制圖案(PWLP)；確定所述PWLP被加工所依據(jù)的工藝參數(shù)；和使用所述工藝參數(shù)來確定或預(yù)測利用所述器件制造過程由所述PWLP產(chǎn)生的缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合。
【專利說明】過程窗口的優(yōu)化方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請與2014年2月12日提交的美國臨時專利申請61/939,071和2014年2月24日提交的美國臨時申請61/943，834相關(guān)，其通過援引而全文合并到本發(fā)明中。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體制造工藝的性能進(jìn)行優(yōu)化的方法。所述方法可以與光刻設(shè)備結(jié)合使用。
【背景技術(shù)】
[0004]光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０娴膱D案形成裝置用于生成與所述IC的單層相對應(yīng)的電路圖案，并且可以將該圖案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上，其中所述襯底具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層。通常，單個襯底將包含被連續(xù)曝光的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括:所謂的步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部分。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明披露一種用于器件制造過程的由計算機(jī)實(shí)施的缺陷確定或預(yù)測方法，該器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上，該方法包括從所述圖案識別出一個或更多個工藝窗口限制圖案(PWLP);確定所述PWLP被加工所依據(jù)的一個或更多個工藝參數(shù);使用所述一個或更多個工藝參數(shù)來確定或預(yù)測利用所述器件制造過程由所述PWLP中的至少一個所產(chǎn)生的缺陷的存在、存在機(jī)率、一個或更多個特性、或其組合。在實(shí)施例中，在PWLP被加工之前緊接著確定了所述一個或更多個工藝參數(shù)。在實(shí)施例中，所述缺陷在不可逆地加工所述襯底之前不能夠被檢查。所述缺陷不能夠檢查的事實(shí)可能是由于用以進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)檢查的檢查工具的受限制品質(zhì)。如果使用本發(fā)明所披露的由計算機(jī)實(shí)施的缺陷預(yù)測方法來預(yù)測此缺陷，則特定缺陷可由非標(biāo)準(zhǔn)檢查工具檢查以進(jìn)一步評估所預(yù)測的缺陷的嚴(yán)重性。替代地，缺陷可能太小而根本不能用在撰寫本發(fā)明時可用的檢查工具中任一個來檢測。在此狀況下，使用本發(fā)明所披露的方法進(jìn)行的缺陷的預(yù)測可用以決定再加工所述管芯或晶片以避免關(guān)于該產(chǎn)品的所預(yù)測的缺陷。
[0006]根據(jù)實(shí)施例，使用所述一個或更多個工藝參數(shù)來確定或預(yù)測存在、存在機(jī)率、一個或更多個特性、或其組合進(jìn)一步使用了所述PWLP的特性、所述圖案的特性，或上述二者。
[0007]根據(jù)實(shí)施例，所述方法進(jìn)一步包括使用所述缺陷的存在、存在機(jī)率、一個或更多個特性、或其組合來調(diào)整所述一個或更多個工藝參數(shù)。在實(shí)施例中，可以反復(fù)地執(zhí)行確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、一個或更多個特性或其組合，和調(diào)整所述一個或更多個工藝參數(shù)。
[0008]根據(jù)實(shí)施例，所述方法還包括使用調(diào)整后的所述一個或更多個光刻參數(shù)來確定或預(yù)測使用所述器件制造過程由所述PWLP中的至少一個所產(chǎn)生的殘余缺陷的存在、存在機(jī)率、一個或更多個特性、或其組合。
[0009]根據(jù)實(shí)施例，所述方法還包括確定所述PWLP的過程窗口。
[0010]根據(jù)實(shí)施例，所述方法還包括將所述一個或更多個工藝參數(shù)編譯成工藝參數(shù)圖。[0011 ]根據(jù)實(shí)施例，使用經(jīng)驗?zāi)Ｐ突蛴嬎隳Ｐ蛠碜R別所述一個或更多個PWLP。
[0012]根據(jù)實(shí)施例，所述一個或更多個工藝參數(shù)系選自由如下各項所構(gòu)成的組:聚焦量、劑量、源參數(shù)、投影光學(xué)裝置參數(shù)、從量測獲得的數(shù)據(jù)，以及來自所述加工設(shè)備的操作者的數(shù)據(jù)。
[0013]根據(jù)實(shí)施例，從衍射工具或電子顯微鏡獲得從量測獲得的所述數(shù)據(jù)。
[0014]根據(jù)實(shí)施例，使用模型或通過查詢數(shù)據(jù)庫而確定或預(yù)測所述一個或更多個工藝參數(shù)。
[0015]根據(jù)實(shí)施例，確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、一個或更多個特性、或其組合包括比較所述一個或更多個工藝參數(shù)與所述過程窗口。
[0016]根據(jù)實(shí)施例，確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、一個或更多個特性、或其組合包括使用分類模型，一個或更多個工藝參數(shù)作為到所述分類模型的輸入。
[0017]根據(jù)實(shí)施例，分類模型選自包括由以下構(gòu)成的組:邏輯回歸及多項式分對數(shù)、機(jī)率單位回歸、感知算法、支持向量機(jī)、輸入向量機(jī)，及線性判別分析。
[0018]根據(jù)實(shí)施例，確定或預(yù)測所述缺陷的存在、存在機(jī)率、一個或更多個特性或其組合包括依據(jù)所述工藝參數(shù)來模擬所述PWLP中的至少一個的圖像或所預(yù)期的圖案形成輪廓，和測量圖像或輪廓參數(shù)。
[0019]根據(jù)實(shí)施例，所述器件制造過程涉及使用光刻設(shè)備。
[0020]本發(fā)明披露了一種制造器件的方法，其涉及將圖案加工至襯底上或加工至所述襯底的管芯上，所述方法包括:在加工所述襯底或所述管芯之前確定工藝參數(shù);使用在加工所述襯底或所述管芯之前的所述工藝參數(shù)，且使用所述襯底或所述管芯的特性、待加工至所述襯底或所述管芯上的圖案的幾何形狀的特性、或上述兩者，來預(yù)測或確定缺陷的存在、缺陷的存在機(jī)率、缺陷的特性，或其組合;基于所述預(yù)測或確定而調(diào)整所述工藝參數(shù)以便消除、降低所述缺陷的機(jī)率或嚴(yán)重性。
[0021]根據(jù)實(shí)施例，所述方法還包括從所述圖案識別出一個或更多個工藝窗口限制圖案(PffLP)0
[0022]根據(jù)實(shí)施例，所述缺陷是從至少一個PWLP產(chǎn)生的缺陷。
[0023]根據(jù)實(shí)施例，所述襯底或所述管芯的特性是所述PWLP中至少一個的過程窗口。
[0024]本發(fā)明披露了一種制造器件的方法，其涉及將圖案加工至一批襯底上，所述方法包括:加工所述一批襯底，破壞性地檢查所述一批的不到2 %、不到1.5 %或不到I %以確定加工至所述襯底上的所述圖案中的缺陷的存在。
[0025]根據(jù)實(shí)施例，使用光刻設(shè)備來加工所述一批襯底。
[0026]本發(fā)明披露了一種制造器件的方法，其包括:上文所描述的由計算機(jī)實(shí)施的缺陷預(yù)測方法；以及至少部分地基于所述缺陷的經(jīng)確定或經(jīng)預(yù)測的存在、存在機(jī)率、一個或更多個特性、或其組合而指示檢查哪些PWLP。
[0027]根據(jù)實(shí)施例，所述缺陷是選自下列的一個或更多個:頸縮、線拉回、線薄化、CD誤差、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切和/或橋接。
[0028]本發(fā)明披露了一種用于光刻過程的缺陷確定、或預(yù)測方法，其中所述方法包括使用所述光刻過程的至少一部分的模擬來確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合的步驟。
[0029]根據(jù)實(shí)施例，所述光刻過程包括器件制造過程，所述器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上，所述缺陷的經(jīng)確定或經(jīng)預(yù)測的存在、存在機(jī)率、特性或其組合是所述圖案的部分。
[0030]根據(jù)實(shí)施例，在將所述圖案不可逆地加工至所述襯底上之前確定或預(yù)測所述缺陷。
[0031]根據(jù)實(shí)施例，當(dāng)將所述圖案蝕刻至所述襯底的至少部分中時、或當(dāng)使用所述圖案的至少一部分以將離子注入所述襯底中時，將所述圖案不可逆地加工至所述襯底上。
[0032]根據(jù)實(shí)施例，所述方法包括針對使用所述光刻過程而加工的每個襯底確定或預(yù)測所述缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合。
[0033]根據(jù)實(shí)施例，光刻生產(chǎn)工具的生產(chǎn)參數(shù)系決于確定或預(yù)測所述缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合的所述步驟，所述光刻生產(chǎn)工具被配置用于在所述光刻過程中執(zhí)行至少一個步驟。
[0034]本發(fā)明披露一種用于在光刻過程中對缺陷或可能缺陷進(jìn)行分類的缺陷分類方法，所述方法包括使用所述光刻過程的至少一部分的模擬來分類所述缺陷或所述可能缺陷的步驟。
[0035]根據(jù)實(shí)施例，所述光刻過程包括器件制造過程，所述器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上。
[0036]本發(fā)明披露了一種改善光刻過程中的缺陷的捕捉速率的方法，所述方法包括使用所述光刻過程的至少一部分的模擬來確定或預(yù)測所述缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合的步驟。
[0037]根據(jù)實(shí)施例，所述光刻過程包括器件制造過程，所述器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上。
[0038]本發(fā)明披露了一種在光刻過程中從多個圖案選擇待檢查的圖案的方法，所述方法包括至少部分地基于所述光刻過程的至少一部分的模擬而選擇待檢查的圖案的步驟。
[0039]根據(jù)實(shí)施例，所述光刻過程包括器件制造過程，所述器件制造過程涉及將所述多個圖案加工至襯底上。
[0040]根據(jù)實(shí)施例，檢查已選擇的所述圖案以評估已選擇的所述圖案是否有缺陷或已選擇的所述圖案的一部分是否包括缺陷。
[0041 ]本發(fā)明披露一種在光刻過程中定義缺陷的確定或預(yù)測的準(zhǔn)確度的方法，所述方法包括定義所述光刻過程的至少一部分的模擬的準(zhǔn)確度的步驟，所述模擬用于確定或預(yù)測所述缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合。
[0042]根據(jù)實(shí)施例，所述光刻過程包括器件制造過程，所述器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上。
[0043]根據(jù)實(shí)施例，所述缺陷的所述確定或預(yù)測的所述準(zhǔn)確度高于用于所述光刻過程中的缺陷檢查工具的準(zhǔn)確度。
[0044]本發(fā)明披露了一種計算機(jī)程序產(chǎn)品，該計算機(jī)程序產(chǎn)品包括:在其上記錄了指令的計算機(jī)可讀介質(zhì)，所述指令在被計算機(jī)執(zhí)行時實(shí)施上述的方法中任一方法。
【附圖說明】
[0045]現(xiàn)在將僅作為舉例、參考所附的示意圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中相應(yīng)的附圖標(biāo)記表示相應(yīng)的部件，并且其中:
[0046]圖1示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的光刻設(shè)備；
[0047]圖2示出根據(jù)一實(shí)施例用于確定光刻過程中的缺陷存在的方法的流程圖；
[0048]圖3示出工藝參數(shù)的示例性源；
[0049]圖4A示出圖2的步驟213的實(shí)施方式；
[0050]圖4B示出圖2的步驟213的替代實(shí)施方式；
[0051]圖5Ατ]^出具有許多管芯的不例性襯底；
[0052]圖5Β示出使用傳統(tǒng)方法而獲得的有效焦深(uDOF);
[0053]圖5C示出使用根據(jù)本發(fā)明所描述的實(shí)施例的方法而獲得的有效焦深(uDOF);
[0054]圖6示出用于處理流程的示意性流程圖；
[0055]圖7示出用于聚焦量的示例性圖。
【具體實(shí)施方式】
[0056]雖然在本發(fā)明中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs(集成電路)，但是應(yīng)該理解到，這里所述的光刻設(shè)備可以有其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測工具或檢查工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將此處的所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層1C，使得這里使用的所述術(shù)語“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。
[0057]這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括:紫外(UV)輻射(例如具有365、248、193、157或126醒的波長)和極紫外化1^)輻射(例如具有5-2011111范圍的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。
[0058]這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全對應(yīng)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。
[0059]圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束；以這種方式，被反射的束被形成圖案。
[0060]所述支撐結(jié)構(gòu)保持圖案形成裝置。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械夾持、真空或其它夾持技術(shù)，例如真空條件下的靜電夾持。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的，并且可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。在這里使用的任何術(shù)語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。
[0061]這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射型光學(xué)系統(tǒng)、反射型光學(xué)系統(tǒng)和反射折射型光學(xué)系統(tǒng)，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒流體或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
[0062]照射系統(tǒng)還可以包括各種類型的光學(xué)部件，包括折射式的、反射式的和反射折射式光學(xué)部件，用于引導(dǎo)、成形或控制輻射束，并且這樣的部件還可以在下文中被共同地或單獨(dú)地稱為“透鏡”。
[0063]所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的支撐結(jié)構(gòu))的類型。在這種“多臺”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。
[0064]所述光刻設(shè)備還可以是這種類型，其中襯底被浸沒在具有相對高的折射率的液體(例如水)中，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件與襯底之間的空間。浸沒技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知的，用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。
[0065]圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括:
[0066]照射系統(tǒng)(照射器)IL，其用于調(diào)節(jié)輻射束PB(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；
[0067]支撐結(jié)構(gòu)MT，其用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與用于相對于物體PL精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連；
[0068]襯底臺(例如晶片臺)WT，其用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并與相對于物體PL精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連;和
[0069]投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡)PL，其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束PB的圖案成像到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
[0070]如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列)。
[0071]所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD—起稱作輻射系統(tǒng)。
[0072]照射器IL可以改變所述束的強(qiáng)度分布。所述照射器可以布置成用以限制所述輻射束的徑向范圍，從而使得強(qiáng)度分布在照射器IL的光瞳平面中的環(huán)形區(qū)域內(nèi)為非零的。另外地或替代地，所述照射器IL可以是可操作的，用以限制所述束在光瞳平面中的分布、從而使得所述強(qiáng)度分布在光瞳平面中在多個均等地間隔開的扇區(qū)中是非零的。所述輻射束在所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布可以被稱為是照射模式。
[0073]所述照射器IL可以包括被配置用于調(diào)整所述束的強(qiáng)度分布的調(diào)節(jié)器AM。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ_外部和σ-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。照射器IL可以是可操作的、用以改變所述束的角分布。例如，所述照射器可操作以改變在光瞳平面中的強(qiáng)度分布為非零的扇區(qū)的數(shù)目和角范圍。通過調(diào)整在照射器的光瞳平面中的束的強(qiáng)度分布，可以實(shí)現(xiàn)不同照射模式。例如，通過限制在照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的徑向和角范圍，所述強(qiáng)度分布可以具有多極分布，諸如例如雙極分布、四極分布或六極分布。例如，通過插入一種光學(xué)裝置，其提供進(jìn)入所述照射器IL的照射模式，或使用空間光調(diào)制器，則可以獲得所需照射模式。
[0074]照射器IL可操作改變所述束的偏振并且可操作以使用調(diào)節(jié)器AM調(diào)節(jié)偏振。所述輻射束在所述照射器IL的整個光瞳平面上的偏振狀態(tài)可以被稱為是偏振模式。使用不同的偏振模式可以允許在襯底W上所形成的圖像中實(shí)現(xiàn)更大的對比度。所述輻射束可以是非偏振化的。替代地，所述照射器可以被布置成用以線性地偏振所述輻射束。所述輻射束的偏振方向可以在所述照射器IL的整個光瞳平面上變化。所述輻射的偏振方向可以在所述照射器IL的光瞳平面中在不同區(qū)域中不同?？梢愿鶕?jù)照射模式選擇所述輻射的偏振狀態(tài)。對于多極照射模式，所述輻射束的每個極的偏振可以大致與所述照射器IL的光瞳平面中的該極的位置矢量垂直。例如，對于偶極照射模式，輻射可以在基本上與平分開所述雙極的兩個相對扇區(qū)的線垂直的方向上被線性地偏振。所述輻射束可以在可稱為X偏振狀態(tài)和Y偏振狀態(tài)的兩個不同的正交方向之一上被偏振。對于四極照射模式，在每個極的扇區(qū)中的輻射可以在基本上與平分開所述扇區(qū)的線垂直的方向上線性地偏振。此偏振模式可以被稱為XY偏振。類似地，對于六極照射模式，在每個極的扇區(qū)中的輻射可以在基本上與平分開所述扇區(qū)的線垂直的方向上線性地偏振。此偏振模式可以被稱為TE偏振。
[0075]此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件，例如積分器IN和聚光器CO。照射器提供被調(diào)節(jié)的輻射束PB，在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。
[0076]所述輻射束PB入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)ΜΑ上。已經(jīng)穿過圖案形成裝置MA之后，所述束B通過透鏡PL，所述透鏡將束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀裝置)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述束PB的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對于所述束B的路徑精確地定位圖案形成裝置ΜΑ。通常，可以通過形成所述定位裝置PM和PW的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)物體臺MT和WT的移動。然而，在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動器相連，或可以是固定的?？梢允褂脠D案形成裝置對準(zhǔn)標(biāo)記Μ1、Μ2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記Pl、Ρ2來對準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底W。
[0077]可以將所示的設(shè)備用于以下優(yōu)選模式中:
[0078]1.在步進(jìn)模式中，在將支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所述束PB的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。
[0079]2.在掃描模式中，在對支撐結(jié)構(gòu)MT和襯底臺WT同步地進(jìn)行掃描的同時，將賦予所述束PB的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一的動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于支撐結(jié)構(gòu)MT的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PL的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。
[0080]3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底臺WT進(jìn)行移動或掃描的同時，將賦予所述束PB的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。
[0081]也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。
[0082]投影系統(tǒng)PL具有可以是不均勻的光學(xué)傳遞函數(shù)，所述光學(xué)傳遞函數(shù)能夠影響在襯底W上所成像的圖案。對于非偏振輻射，這樣的效果可以由兩個純量圖或標(biāo)量圖而極佳地進(jìn)行描述，所述標(biāo)量圖根據(jù)其在光瞳平面中的位置的函數(shù)描述從投影系統(tǒng)PL離開的輻射的透射(變跡)和相對相位(像差)。這些標(biāo)量圖可以被稱為透射圖和相對相位圖，且可以被表述為完整組的基礎(chǔ)函數(shù)的線性組合。特別便利的組是澤尼克多項式，其形成在單位圓上所限定的一組正交多項式。每個標(biāo)量圖的確定可能包括確定這樣的展開式中的系數(shù)。由于澤尼克多項式在單位圓上正交，則可以通過依次計算出所測量的標(biāo)量圖與每個澤尼克多項式的內(nèi)積，并且將其除以該澤尼克多項式的范數(shù)的平方，來確定所述澤尼克系數(shù)。
[0083]透射圖和相對的相位圖是依賴于場和系統(tǒng)的。即，一般而言，每個投影系統(tǒng)PL將對于每個場點(diǎn)(即，對于其像平面的每個空間位置而言)具有不同澤尼克展開式。所述投影系統(tǒng)PL在其光瞳平面中的相對相位可以通過投射例如來自于投影系統(tǒng)PL的物平面(S卩，所述圖案形成裝置MA的平面)中的點(diǎn)狀源的、經(jīng)過所述投影系統(tǒng)PL的輻射并且使用剪切干涉儀來測量波前(即，具有相同相位的點(diǎn)的軌跡)而確定。剪切干涉儀是一種共用路徑干涉儀，并且因此有利地，不需要二次參考束來測量所述波前。剪切干涉儀可以包括所述投影系統(tǒng)(即，襯底臺WT)的像平面中的衍射光柵，例如，兩維柵格，以及被布置用以檢測與所述投影系統(tǒng)PL的光瞳平面共軛的平面中的干涉圖案的檢測器。干涉圖案是與所述輻射的相位相對于光瞳平面中的坐標(biāo)在所述剪切方向上的導(dǎo)數(shù)相關(guān)的。檢測器可包括感測元件的陣列，諸如以電荷耦合裝置(CCD)為例。
[0084]可以在兩個垂直方向上依序掃描所述衍射光柵，所述兩個垂直方向可以與所述投影系統(tǒng)PL的坐標(biāo)系的軸(X和y)—致或者可以與這些軸成諸如45度的角度。可以在整數(shù)光柵周期(例如一個光柵周期)上執(zhí)行掃描。所述掃描在一個方向上平均了相位變化，允許重構(gòu)在另一方向上的相位變化。這允許所述波前被確定為兩個方向的函數(shù)。
[0085]當(dāng)前技術(shù)水平的光刻設(shè)備LA的投影系統(tǒng)PL可以不產(chǎn)生可見邊緣(fringes)，并且因此通過使用相位步進(jìn)技術(shù)(例如移動所述衍射光柵)可以增加確定所述波前的精確度。步進(jìn)可以在衍射光柵的平面中并且在與所述測量的掃描方向垂直的方向上執(zhí)行。步進(jìn)范圍可以是一個光柵周期，并且可以使用至少三個(均勻分布的)相位階躍(phase steps)。因而，例如，可以在y方向執(zhí)行三個掃描測量，每個掃描測量對于在X方向上的不同位置執(zhí)行。衍射光柵的這種步進(jìn)或階躍將相位變化有效地變換為強(qiáng)度變化，允許確定相位信息。光柵可以在與衍射光柵垂直的方向(z方向)上步進(jìn)以校準(zhǔn)所述檢測器。
[0086]所述投影系統(tǒng)PL在其光瞳平面中的透射(變跡)可以通過投射例如來自于投影系統(tǒng)PL的物平面(S卩，所述圖案形成裝置MA的平面)中的點(diǎn)狀源的、經(jīng)過所述投影系統(tǒng)PL的輻射并且使用檢測器來測量在與所述投影系統(tǒng)PL的光瞳平面共軛的平面中的輻射的強(qiáng)度而確定?？梢允褂门c用來測量所述波前以確定像差的檢測器相同的檢測器。投影系統(tǒng)PL可包括多個光學(xué)(例如透鏡)元件并且還可包括調(diào)整機(jī)構(gòu)PA，所述調(diào)整機(jī)構(gòu)PA被配置用以調(diào)整一個或更多個光學(xué)元件以便校正像差(遍及所述場的整個光瞳平面上的相位變化)。為實(shí)現(xiàn)這個目的，調(diào)整機(jī)構(gòu)PA可操作以在所述投影系統(tǒng)PL內(nèi)用一種或更多種不同方式操縱一個或更多個光學(xué)(例如透鏡)元件。所述投影系統(tǒng)可以具有其光軸在z方向延伸的坐標(biāo)系。所述調(diào)整機(jī)構(gòu)PA可操作以進(jìn)行下列任何組合:將一個或更多個光學(xué)元件移位;傾斜一個或更多個光學(xué)元件;和/或使得一個或更多個光學(xué)元件變形。所述光學(xué)元件的移位可以在任何方向(X、y、z或其組合)上。所述光學(xué)元件的傾斜通常在與光軸垂直的平面以外，通過繞在X或y方向上的軸線旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行，盡管繞z軸線的旋轉(zhuǎn)可以用于非旋轉(zhuǎn)對稱的非球面光學(xué)元件。光學(xué)元件的變形可以包括低頻形狀(例如象散)和高頻形狀(例如，自由形式非球面)?？梢岳缤ㄟ^使用一個或更多個致動器施加力于所述光學(xué)元件的一個或更多個側(cè)面上，和/或通過使用一個或更多個加熱元件來加熱所述光學(xué)元件的一個或更多個選定區(qū)域，來執(zhí)行光學(xué)元件的變形。一般而言，不可能調(diào)整所述投影系統(tǒng)PL以校正變跡(在整個光瞳平面上的透射變化)。當(dāng)設(shè)計一種圖案形成裝置(例如掩模)MA用于所述光刻設(shè)備LA時，可以使用投影系統(tǒng)PL的透射圖。使用計算光刻技術(shù)，所述圖案形成裝置MA可以被設(shè)計用來至少部分地校正變跡。
[0087]圖案形成裝置上的各種圖案可具有不同工藝窗口或過程窗口(S卩，將在規(guī)格內(nèi)產(chǎn)生圖案所依據(jù)的工藝參數(shù)的空間)。涉及到潛在系統(tǒng)性缺陷的圖案規(guī)格的實(shí)例包括檢查頸縮、線拉回、線薄化、CD、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切及橋接?？赏ㄟ^合并(例如，重疊)每一個別圖案的過程窗口來獲得圖案形成裝置上的所有圖案的過程窗口。所有圖案的過程窗口的邊界包含一些個別圖案的過程窗口的邊界。換言之，這些個別圖案限制所有圖案的過程窗口。這些圖案可被稱作“熱點(diǎn)”或“工藝窗口限制圖案(PWLP)”，“熱點(diǎn)”與“工藝窗口限制圖案(PWLP)”可在本發(fā)明中可互換地使用。當(dāng)控制光刻過程時，有可能集中于熱點(diǎn)且集中于熱點(diǎn)是低成本的。當(dāng)熱點(diǎn)沒有缺陷時，最可能的是，所有圖案沒有缺陷。
[0088]工藝參數(shù)可隨著襯底上的位置且隨著時間(例如，在襯底之間、在管芯之間)而變化。這些變化可由諸如溫度及濕度的環(huán)境的改變造成。這些變化的其他原因可包括諸如源、投影光學(xué)裝置、襯底臺的加工設(shè)備中的一個或更多個部件的偏移，光刻設(shè)備中的襯底表面的高度變化等等。意識到這些變化和它們對PWLP的影響或潛在圖案形成缺陷、且調(diào)整光刻過程以適應(yīng)這些變化以便減少實(shí)際缺陷將會是有益的。為了減少追蹤這些變化的計算成本，同樣可僅監(jiān)視熱點(diǎn)。
[0089]圖2示出根據(jù)一實(shí)施例用于確定光刻過程中的缺陷存在的方法的流程圖。在步驟211中，使用任何合適方法根據(jù)圖案(例如，圖案形成裝置上的圖案)來識別熱點(diǎn)或其部位。例如，可通過使用經(jīng)驗?zāi)Ｐ突蛴嬎隳Ｐ蛠矸治鰣D案上的圖案而識別熱點(diǎn)。在經(jīng)驗?zāi)Ｐ椭?，沒有對圖案的圖像(例如，抗蝕劑圖像、光學(xué)圖像、蝕刻圖像)進(jìn)行模擬;替代地，經(jīng)驗?zāi)Ｐ突诠に噮?shù)、圖案的參數(shù)、與缺陷之間的相關(guān)性來預(yù)測缺陷或缺陷機(jī)率。例如，經(jīng)驗?zāi)Ｐ涂梢允欠诸惸Ｐ?，或有缺陷傾向的圖案的數(shù)據(jù)庫。在計算模型中，計算或模擬了圖像的一部分或特性，且基于該部分或該特性來識別缺陷。例如，可通過找出過于遠(yuǎn)離所需部位的線端來識別線拉回缺陷；可通過找出兩條線不理想地接合的部位來識別橋接缺陷；可通過找出分離層上的不理想地重疊或不理想地不重疊的兩個特征來識別重疊缺陷。經(jīng)驗?zāi)Ｐ拖啾扔谟嬎隳Ｐ屯ǔＴ谟嬎闵喜惶嘿F。有可能基于個別熱點(diǎn)的熱點(diǎn)部位及過程窗口來確定熱點(diǎn)的過程窗口和/或?qū)狳c(diǎn)的過程窗口編譯成圖，即，將過程窗口確定為部位的函數(shù)。此過程窗口圖可表征圖案的特定于布局的靈敏度及加工余量。在另一實(shí)例中，可諸如通過FEM晶片檢查或合適量測工具來實(shí)驗地確定熱點(diǎn)、它們的部位和/或它們的過程窗口。缺陷可包括在顯影后檢查(ADI)(通常為光學(xué)檢查)中無法檢測的那些缺陷，諸如，抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切，等等。常規(guī)檢查僅揭露在不可逆地加工(例如，蝕刻、離子植入)襯底之后的這些缺陷，此時無法再加工所述晶片。因此，無法使用在撰寫此文檔時當(dāng)前光學(xué)技術(shù)來檢測這些抗蝕劑頂部損耗缺陷。然而，模擬可用來確定可在何處可發(fā)生抗蝕劑頂部損耗且嚴(yán)重性將達(dá)到何種程度?；诖诵畔?，可決定使用更準(zhǔn)確的檢查方法(且通常更耗時)來檢查特定可能缺陷以確定缺陷是否需要再加工/返工，或可決定在進(jìn)行不可逆加工(例如，蝕刻)之前再加工特定抗蝕劑層的成像(移除具有抗蝕劑頂部損耗缺陷的抗蝕劑層且重新涂布晶片以重新進(jìn)行該特定層的成像)。
[0090]在步驟212中，確定了熱點(diǎn)被加工(例如，成像或蝕刻至襯底上)所依據(jù)的工藝參數(shù)。工藝參數(shù)可以是局部的，即取決于熱點(diǎn)的部位、管芯的部位，或此兩者。工藝參數(shù)可以是全局的，即與熱點(diǎn)及管芯的部位無關(guān)。一種用以確定工藝參數(shù)的示例性方式是確定光刻設(shè)備的狀態(tài)。例如，可從光刻設(shè)備測量出激光帶寬、聚焦量、劑量、源參數(shù)、投影光學(xué)裝置參數(shù)、及這些參數(shù)的空間或時間變化。另一示例性方式是根據(jù)對襯底上執(zhí)行的量測而獲得的數(shù)據(jù)、或由加工設(shè)備的操作者來推斷工藝參數(shù)。例如，量測可包括使用衍射工具(例如，ASMLYieldStar)、電子顯微鏡、或其他合適檢查工具來檢查襯底。有可能獲得關(guān)于加工后的襯底上的任何部位(包括經(jīng)識別的熱點(diǎn))的工藝參數(shù)?？蓪⒐に噮?shù)編譯成圖--光刻參數(shù)、或工藝條件作為部位的函數(shù)。圖7示出用于聚焦量的示例性圖。當(dāng)然，其他工藝參數(shù)可被表示為部位的函數(shù)，即，圖。在實(shí)施例中，可在加工每個熱點(diǎn)之前且優(yōu)選地緊接在加工每個熱點(diǎn)之前確定工藝參數(shù)。在替代實(shí)施例中，此圖包括可由不同數(shù)據(jù)源組成的工藝參數(shù)。例如，為了估計聚焦誤差，可將來自量測系統(tǒng)(例如，基于衍射的量測系統(tǒng)，諸如，ASML YieldStar)的晶片量測數(shù)據(jù)與來自光刻曝光工具(例如，來自光刻曝光工具的用以在將輻射敏感層曝光于襯底上之前調(diào)平(level)在光刻曝光工具的曝光光學(xué)裝置下方的曝光表面的調(diào)平系統(tǒng))的數(shù)據(jù)進(jìn)行組合。不同數(shù)據(jù)源之一可例如包括相對高的數(shù)據(jù)密度，而另一數(shù)據(jù)源可例如包括較少數(shù)據(jù)點(diǎn)但更準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)值。將這兩個不同數(shù)據(jù)源組合使能夠產(chǎn)生工藝參數(shù)圖，其中相對高密度的數(shù)據(jù)也由于對另一數(shù)據(jù)源的較少、較準(zhǔn)確數(shù)據(jù)點(diǎn)的校準(zhǔn)而相對準(zhǔn)確?？衫缤ㄟ^將光刻工具的全圖像場劃分成例如大約I X Imm大小的子區(qū)域并且根據(jù)這些子區(qū)域中的圖案分析來確定工藝參數(shù)圖(例如，確定焦深圖、劑量寬容度圖、聚焦量圖或劑量偏移圖)而產(chǎn)生此工藝參數(shù)圖。接下來，指定每個子區(qū)域中的工藝參數(shù)值的數(shù)目從而使得該子區(qū)域中的每個像素包括工藝參數(shù)的值(像素大小取決于該子區(qū)域內(nèi)部的數(shù)據(jù)密度)。甚至進(jìn)一步替代地，可針對包括圖案且用以使用光刻工具將圖案轉(zhuǎn)移至襯底上的特定掩膜版或掩膜而產(chǎn)生此工藝參數(shù)圖。這將會導(dǎo)致特定用于特定掩膜版的工藝參數(shù)圖。隨后，例如使用通過使用特定光刻曝光工具的模型而進(jìn)行的模擬，甚至可允許將該光刻曝光工具的特性簽名包括到工藝參數(shù)圖中，從而使得工藝參數(shù)圖甚至可變成掩膜版及曝光工具特定的。對多個工具執(zhí)行這些模擬甚至可允許使用者從多個光刻工具選擇最佳光刻工具以使特定掩膜版成像(當(dāng)然不考慮所述光刻曝光工具的任何臨時偏移)。此曝光工具特定圖也可用來允許調(diào)整除工藝參數(shù)圖中所映射的工藝參數(shù)值以外的其他工藝參數(shù)值，以確?？赡苄枰诜怯欣に噮?shù)值下成像的PWLP仍在規(guī)格內(nèi)得以成像。例如，當(dāng)特定PWLP可能在聚焦時未正確地成像(這可能對該P(yáng)WLP的臨界尺寸有影響)時，諸如劑量的其他工藝參數(shù)值可被調(diào)適(可能局域地進(jìn)行)以確保該P(yáng)WLP的總尺寸仍在規(guī)格內(nèi)。最后，上述工藝參數(shù)圖中每個可例如被轉(zhuǎn)換成一種約束圖。此約束圖可例如指示在那個范圍內(nèi)在某部位處的工藝參數(shù)可變化而不危害PWLP。替代地，約束圖可例如包含權(quán)重圖，該權(quán)重圖指示出所述設(shè)計的哪些區(qū)域需要使工藝參數(shù)接近于最佳參數(shù)設(shè)定且該設(shè)計的何種區(qū)域允許較大范圍的工藝參數(shù)值。
[0091 ]在步驟213中，使用熱點(diǎn)被加工所依據(jù)的工藝參數(shù)來確定了該熱點(diǎn)處的缺陷的存在、存在機(jī)率、特性或其組合。此確定可以僅與所述工藝參數(shù)與熱點(diǎn)的過程窗口進(jìn)行比較，即:若工藝參數(shù)落在過程窗口內(nèi)，則不存在缺陷；若工藝參數(shù)落在過程窗口外，則將預(yù)期存在至少一個缺陷。也可使用合適經(jīng)驗?zāi)Ｐ?包括統(tǒng)計模型)來進(jìn)行此確定。例如，分類模型可用來提供缺陷的存在機(jī)率。用以進(jìn)行此確定的另一方式是使用計算模型以在工藝參數(shù)下模擬熱點(diǎn)的圖像或所預(yù)期的圖案形成輪廓并且測量所述圖像或輪廓參數(shù)。在實(shí)施例中，所述工藝參數(shù)可以在加工圖案或襯底之后即刻被確定(即，在加工圖案或下一襯底之前)。缺陷的經(jīng)確定的存在及/或特性可用作用于處置(再加工或接受)的決策的依據(jù)。在實(shí)施例中，工藝參數(shù)可用來計算光刻參數(shù)的移動平均值。移動平均值在捕捉光刻參數(shù)的長期偏移方面是有用的，而不受到短期波動的擾亂。
[0092]在可選步驟214中，可使用如步驟213中所確定的存在、存在機(jī)率、特性或其組合來調(diào)整工藝參數(shù)(S卩，預(yù)測或確定被反饋以調(diào)整所述工藝參數(shù))，從而使得消除缺陷或降低缺陷的嚴(yán)重性。例如，如果熱點(diǎn)位于襯底的凸塊上，則改變聚焦量可消除該熱點(diǎn)上的缺陷。優(yōu)選地，剛好在加工每個熱點(diǎn)之前調(diào)整工藝參數(shù)。步驟213及214可以反復(fù)進(jìn)行。也可以在一個或更多個襯底的加工之后、尤其當(dāng)確定了工藝參數(shù)的平均值(例如，移動平均值)時調(diào)整所述工藝參數(shù)，以便補(bǔ)償系統(tǒng)性的或緩慢變化的工藝變化，或處理較大數(shù)目的可調(diào)整工藝參數(shù)。工藝參數(shù)的調(diào)整可包括聚焦量、劑量、源或光瞳相位調(diào)整。
[0093]在可選步驟215中，可使用經(jīng)調(diào)整的工藝參數(shù)來確定殘余缺陷的存在和/或特性。殘余缺陷是無法通過調(diào)整所述工藝參數(shù)而消除的缺陷。此確定可以僅與經(jīng)調(diào)整的所述工藝參數(shù)與熱點(diǎn)的過程窗口進(jìn)行比較，即:如果工藝參數(shù)落在過程窗口內(nèi)，則預(yù)期不存在殘余缺陷；如果工藝參數(shù)落在過程窗口外，則將預(yù)期存在至少一個殘余缺陷。也可使用合適經(jīng)驗?zāi)Ｐ?包括統(tǒng)計模型)來進(jìn)行此確定。例如，分類模型可用以提供殘余缺陷的存在機(jī)率。用以進(jìn)行此確定的另一方式是使用計算模型以根據(jù)經(jīng)調(diào)整的工藝參數(shù)來模擬熱點(diǎn)的圖像或所預(yù)期的圖案形成輪廓并且測量所述圖像或輪廓參數(shù)。殘余缺陷的經(jīng)確定的存在和/或特性可用作用于處置(再加工或接受)的決策的依據(jù)。
[0094]可選地，可以至少部分地基于殘余缺陷的經(jīng)確定或經(jīng)預(yù)測的存在、存在機(jī)率、一個或更多個特性或其組合做出使熱點(diǎn)經(jīng)受檢查的指示。例如，如果襯底具有存在一個或更多個殘余缺陷的機(jī)率，則該襯底可經(jīng)受襯底檢查。殘余缺陷的預(yù)測或確定前饋至檢查。
[0095]圖3示出工藝參數(shù)350的示例性源。一個源可以是加工設(shè)備的數(shù)據(jù)310，諸如，光刻設(shè)備的源、投影光學(xué)裝置、襯底臺等等的參數(shù)。另一源可以是來自各種襯底量測工具的數(shù)據(jù)320，諸如，晶片高度圖、聚焦量圖、CDU圖，等等。可在使襯底經(jīng)受一步驟(例如，蝕刻)(防止襯底的再加工)之前獲得數(shù)據(jù)320。另一源可以是來自各種圖案形成裝置量測工具、掩膜CDU圖、掩膜薄膜疊層參數(shù)變化等等的數(shù)據(jù)330。還一源可以是來自加工設(shè)備的操作者的數(shù)據(jù)340。
[0096]圖4A示出圖2的步驟213的實(shí)施方式。在步驟411中，通過使用模型或通過查詢數(shù)據(jù)庫而獲得了熱點(diǎn)的過程窗口。例如，過程窗口可以是由工藝參數(shù)(諸如聚焦量及劑量)所跨越的空間。在步驟412中，將圖2的步驟212中所確定的工藝參數(shù)與過程窗口進(jìn)行比較。如果工藝參數(shù)落在過程窗口內(nèi)，則不存在缺陷；如果工藝參數(shù)落在過程窗口外，則預(yù)期存在至少一個缺陷。
[0097]圖4B示出圖2的步驟213的替代實(shí)施方式。工藝參數(shù)420可用作至分類模型430的輸入(例如，獨(dú)立變量)。工藝參數(shù)420可包括源的特性(例如，強(qiáng)度、光瞳外形或輪廓，等等)、投影光學(xué)裝置的特性、劑量、聚焦量、抗蝕劑的特性、抗蝕劑的顯影及曝光后烘烤的特性，及蝕刻的特性。術(shù)語“分類器”或“分類模型”有時也指通過分類算法實(shí)施的將輸人數(shù)據(jù)映射至類別的數(shù)學(xué)函數(shù)。在機(jī)器學(xué)習(xí)及統(tǒng)計學(xué)中，分類是基于包含其的類別成員資格是已知的觀測(或?qū)嵗?的數(shù)據(jù)的訓(xùn)練集來識別出新觀測屬于那一組類別440(子群)的問題。個別觀測被分析成一組可定量屬性，其被稱為各種解釋性變量、特征，等等。這些屬性可以是以各種方式分類的(例如，“良好”(即不產(chǎn)生缺陷的光刻過程)，或“不良”(即產(chǎn)生缺陷的光刻過程)；“類型I”、“類型2”、……“類型η”(即不同類型的缺陷))。分類被認(rèn)為是監(jiān)督學(xué)習(xí)的實(shí)例，即，經(jīng)正確識別的觀測的訓(xùn)練集是可用的學(xué)習(xí)。分類模型的實(shí)例是邏輯回歸及多項式分對數(shù)(logit)、機(jī)率單位(prob i t)回歸、感知算法、支持向量機(jī)、輸入向量機(jī)，及線性判別分析。
[0098]工藝參數(shù)的一個實(shí)例是襯底調(diào)平。圖5A示出具有許多管芯(描繪為柵格)的示例性襯底。在所調(diào)用的管芯中，識別了熱點(diǎn)(被描繪為圓圈)連同該管芯中的圖案中的較不關(guān)鍵位置(即，并非過程窗口限制的位置，其被描繪為菱形)。圖5B示出使用傳統(tǒng)方法而獲得的有效焦深(uDOF) ^DOF是落在曝光狹縫中的所有圖案的過程窗口內(nèi)的聚焦深度。圖5C示出使用根據(jù)本發(fā)明所描述的實(shí)施例的方法而獲得的有效焦深(uDOF)，其中通過調(diào)整包括襯底調(diào)平的工藝參數(shù)，較不關(guān)鍵位置區(qū)(菱形)被允許偏移或漂移更遠(yuǎn)離它們的相應(yīng)最佳焦點(diǎn)以而使熱點(diǎn)(圓圈)的最佳焦點(diǎn)更接近，由此增加uDOF。
[0099]根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明所描述的方法允許針對每個襯底或甚至每個管芯調(diào)整工藝參數(shù)。圖6示出用于加工流程的示意性流程圖。在步驟610中，緊接在加工襯底或管芯之前確定了工藝參數(shù)(例如，在加工緊接的前一襯底或管芯之后)。在步驟620中，使用緊接在加工襯底或管芯之前的工藝參數(shù)、且使用襯底或管芯的特性(例如，如從對襯底或管芯的量測所確定的)和/或待加工至襯底或管芯上的圖案的幾何形狀的特性來進(jìn)行對于缺陷的存在、缺陷的存在機(jī)率、缺陷的特性或其組合的預(yù)測或確定。在步驟630中，基于預(yù)測而調(diào)整了工藝參數(shù)以便消除、減少缺陷的機(jī)率或嚴(yán)重性。替代地，從待加工的布局的模擬可知，PWLP可位于管芯內(nèi)的特定區(qū)域處。在此情形下，成像工具中的確保管芯在成像工具中曝光之前的調(diào)平的系統(tǒng)可確保此特定區(qū)域焦點(diǎn)對準(zhǔn)，從而允許管芯的其他區(qū)域從焦點(diǎn)進(jìn)一步轉(zhuǎn)向以確保PWLP是在規(guī)格內(nèi)成像的。模擬可進(jìn)一步用來確定較不關(guān)鍵結(jié)構(gòu)是否由于歸因于包含PWLP的區(qū)域的優(yōu)選調(diào)平準(zhǔn)確度而造成的不太有利加工條件而仍正確地成像。模擬也可用以確保實(shí)際上在設(shè)計中找到所有類型的PWLP、且所有PWLP的部位實(shí)際上是已知的且優(yōu)選地置于PWLP圖中。此外，可跨越整個晶片設(shè)計來應(yīng)用搜尋算法以找出例如已知的且可例如在一種“熱點(diǎn)數(shù)據(jù)庫”中列出的PWLP。盡管可能稍微不太準(zhǔn)確，但是此搜尋算法相比于對全芯片設(shè)計進(jìn)行模擬而言更快，且可用來相對快速地找到已知的PWLP。根據(jù)實(shí)施例，本發(fā)明所描述的方法允許在一生產(chǎn)批量之中檢查較少襯底，而同時維持了與在常規(guī)加工流程中的缺陷率相當(dāng)?shù)娜毕萋省３Ｒ?guī)加工流程涉及加工(例如，在光刻設(shè)備中曝光)一批襯底，該批襯底的2 %至3 %或更多必須經(jīng)檢查以便捕獲大多數(shù)缺陷。通過使用根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的缺陷預(yù)測方法，使用了可用的量測數(shù)據(jù)來虛擬地檢查晶片并且預(yù)測這些晶片上的可能缺陷。因為根據(jù)所述實(shí)施例的缺陷預(yù)測方法是虛擬的，所以光刻過程中所產(chǎn)生的基本上每個晶片都可被“虛擬地”檢查且因此達(dá)到大體上100%的檢查涵蓋率。此廣泛的“虛擬”檢查也提供較多反饋數(shù)據(jù)，能實(shí)現(xiàn)較準(zhǔn)確且較快的校正性動作查看，其通常減少光刻曝光工具中的任何偏移或漂移。
[0100]本發(fā)明還可使用下列方面加以描述:
[0101]1.—種用于器件制造過程的由計算機(jī)實(shí)施的缺陷確定或預(yù)測方法，所述器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上，所述方法包括:
[0102]從所述圖案識別出工藝窗口限制圖案(PWLP);
[0103]確定所述工藝窗口限制圖案被加工所依據(jù)的工藝參數(shù);和
[0104]使用所述工藝參數(shù)來確定或預(yù)測利用所述器件制造過程由所述PWLP產(chǎn)生的缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合。
[0105]2.根據(jù)方面I所述的方法，其中確定或預(yù)測所述存在、所述存在機(jī)率、所述特性或其組合進(jìn)一步使用所述PWLP的特性、所述圖案的特性，或上述兩者。
[0106]3.根據(jù)方面I或方面2所述的方法，還包括:使用缺陷的存在、存在機(jī)率、特性或其組合來調(diào)整所述工藝參數(shù)。
[0107]4.根據(jù)方面3所述的方法，還包含反復(fù)地執(zhí)行確定或預(yù)測所述缺陷的存在、存在機(jī)率、特性或其組合，并且調(diào)整所述工藝參數(shù)。
[0108]5.根據(jù)方面3或方面4所述的方法，還包括使用調(diào)整后的所述工藝參數(shù)來確定或預(yù)測利用所述器件制造過程由所述PWLP產(chǎn)生的殘余缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合。
[0109]6.根據(jù)方面5所述的方法，還包括:至少部分地基于殘余缺陷的經(jīng)確定或經(jīng)預(yù)測的存在、存在機(jī)率、特性或其組合而指示出檢查多個PWLP中的哪個。
[0110]7.根據(jù)方面I至6中任一個所述的方法，還包括確定所述PWLP的過程窗口。
[0111]8.根據(jù)方面7所述的方法，其中所述確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、特性或其該組合包括比較所述工藝參數(shù)與所述過程窗口。
[0112]9.根據(jù)方面I至8中任一個所述的方法，還包括將所述工藝參數(shù)編譯成工藝參數(shù)圖。
[0113]10.根據(jù)方面I至9中任一個所述的方法，其中使用經(jīng)驗?zāi)Ｐ突蛴嬎隳Ｐ蛠碜R別所述PWLPο
[0114]11.根據(jù)方面I至10中任一個所述的方法，其中所述工藝參數(shù)是選自下列中的任一個或更多個:聚焦量、劑量、源參數(shù)、投影光學(xué)裝置參數(shù)、從量測獲得的數(shù)據(jù)，和/或來自所述器件制造過程中所使用的加工設(shè)備的操作者的數(shù)據(jù)。
[0115]12.根據(jù)方面11所述的方法，其中所述工藝參數(shù)是從量測獲得的數(shù)據(jù)，且從量測獲得的所述數(shù)據(jù)是從衍射工具或電子顯微鏡獲得的。
[0116]13.根據(jù)方面I至12中任一個所述的方法，其中使用模型或通過查詢數(shù)據(jù)庫而確定或預(yù)測所述工藝參數(shù)。
[0117]14.根據(jù)方面I至13中任一個所述的方法，其中所述確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、特性或其組合包括使用分類模型，且所述工藝參數(shù)作為至所述分類模型的輸入。
[0118]15.根據(jù)方面14所述的方法，其中所述分類模型選自包括以下所構(gòu)成的組:邏輯回歸及多項式分對數(shù)、機(jī)率單位回歸、感知算法、支持向量機(jī)、輸入向量機(jī)，及線性判別分析。
[0119]16.根據(jù)方面I至12中任一個所述的方法，其中所述確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、特性或其組合包括依據(jù)所述工藝參數(shù)來模擬所述PWLP的圖像或所預(yù)期的圖案形成輪廓，和確定圖像或輪廓參數(shù)。
[0120]17.根據(jù)方面I至16中任一個所述的方法，其中所述器件制造過程涉及使用光刻設(shè)備。
[0121]18.根據(jù)方面I至17中任一個所述的方法，其中緊接在加工所述PWLP之前確定所述工藝參數(shù)。
[0122]19.根據(jù)方面I至18中任一個所述的方法，其中所述工藝參數(shù)選自局部工藝參數(shù)或全局工藝參數(shù)。
[0123]20.根據(jù)方面I至19中任一個所述的方法，其中識別所述PWLP包括識別其部位。
[0124]21.根據(jù)方面I至20中任一個所述的方法，所述缺陷在不可逆地加工所述襯底之前是不能夠檢測的。
[0125]22.—種制造器件的方法，其涉及將圖案加工至襯底上或加工至所述襯底的管芯上，所述方法包括:
[0126]在加工所述襯底或所述管芯之前確定工藝參數(shù)；
[0127]使用在加工所述襯底或所述管芯之前的所述工藝參數(shù)，且使用所述襯底或所述管芯的特性、待加工至所述襯底或所述管芯上的圖案的幾何形狀的特性、或上述兩者，來預(yù)測或確定缺陷的存在、缺陷的存在機(jī)率、缺陷的特性，或其組合；
[0128]基于所述預(yù)測或確定而調(diào)整所述工藝參數(shù)以便消除、減少所述缺陷的機(jī)率或降低所述缺陷的嚴(yán)重性。
[0129]23.根據(jù)方面22所述的方法，還包括從所述圖案識別出工藝窗口限制圖案(PWLP)。
[0130]24.根據(jù)方面23所述的方法，其中所述缺陷是由所述PWLP產(chǎn)生的缺陷。
[0131]25.根據(jù)方面23所述的方法，其中所述襯底或所述管芯的所述特性是所述PWLP的過程窗口。
[0132]26.—種制造器件的方法，其涉及將圖案加工至一批襯底上，所述方法包括:加工所述一批襯底，且破壞性地檢查所述一批的不到2%、不到1.5%或不到1%以確定加工至所述襯底上的所述圖案中的缺陷的存在。
[0133]27.根據(jù)方面26所述的方法，其中使用光刻設(shè)備來加工所述一批襯底。
[0134]28.—種制造器件的方法，其包括:
[0135]根據(jù)方面I至27中任一個所述的計算機(jī)實(shí)施的缺陷預(yù)測方法;和
[0136]至少部分地基于所述缺陷的經(jīng)確定或經(jīng)預(yù)測的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合而指示出檢查多個PWLP中的哪個。
[0137]29.根據(jù)方面I至28中任一個所述的方法，所述缺陷是選自下列的一個或更多個:頸縮、線拉回、線薄化、CD誤差、重疊、抗蝕劑頂部損耗、抗蝕劑底切和/或橋接。
[0138]30.一種計算機(jī)程序產(chǎn)品，該計算機(jī)程序產(chǎn)品包括:在其上記錄了指令的計算機(jī)可讀介質(zhì)，所述指令在被計算機(jī)執(zhí)行時實(shí)施根據(jù)方面I至29中任一個所述的方法。
[0139]31.—種用于光刻過程的缺陷確定或預(yù)測方法，其中所述方法包括使用所述光刻過程的至少一部分的模擬來確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合的步驟。
[0140]32.根據(jù)方面31所述的缺陷確定或預(yù)測方法，其中所述光刻過程包括器件制造過程，所述器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上，所述缺陷的經(jīng)確定或經(jīng)預(yù)測的存在、存在機(jī)率、特性或其組合是所述圖案的部分。
[0141]33.根據(jù)方面32所述的缺陷確定或預(yù)測方法，其中在將所述圖案不可逆地加工至所述襯底上之前確定或預(yù)測所述缺陷。
[0142]34.根據(jù)方面33所述的缺陷確定或預(yù)測方法，其中當(dāng)將所述圖案被蝕刻至所述襯底的至少部分中時、或當(dāng)使用所述圖案的至少一部分被用于將離子注入所述襯底中時，將所述圖案不可逆地加工至所述襯底上。
[0143]35.根據(jù)方面31至34中任一個所述的缺陷確定或預(yù)測方法，其中所述方法包括針對使用所述光刻過程而加工的每個襯底確定或預(yù)測所述缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合。
[0144]36.根據(jù)方面31至35中任一個所述的缺陷確定或預(yù)測方法，其中光刻生產(chǎn)工具的生產(chǎn)參數(shù)取決于確定或預(yù)測所述缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合的所述步驟，所述光刻生產(chǎn)工具被配置用于在所述光刻過程中執(zhí)行至少一個步驟。
[0145]37.—種用于在光刻過程中對缺陷或可能缺陷進(jìn)行分類的缺陷分類方法，所述方法包括使用所述光刻過程的至少一部分的模擬來分類所述缺陷或所述可能缺陷的步驟。
[0146]38.根據(jù)方面37所述的缺陷分類方法，其中所述光刻過程包括器件制造過程，所述器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上。
[0147]39.—種改善光刻過程中的缺陷的捕捉速率的方法，所述方法包括使用所述光刻過程的至少一部分的模擬來確定或預(yù)測所述缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合的步驟。
[0148]40.根據(jù)方面39所述的方法，其中所述光刻過程包括器件制造過程，所述器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上。
[0149]41.—種在光刻過程中從多個圖案選擇待檢查的圖案的方法，所述方法包括至少部分地基于所述光刻過程的至少一部分的模擬而選擇所述待檢查的圖案的步驟。
[0150]42.根據(jù)方面41所述的方法，其中所述光刻過程包括器件制造過程，所述器件制造過程涉及將所述多個圖案加工至襯底上。
[0151]43.根據(jù)方面41和42中任一個所述的方法，其中檢查被選擇的所述案以評估被選擇的所述圖案是否有缺陷或被選擇的所述圖案的一部分是否包括缺陷。
[0152]44.—種在光刻過程中定義缺陷的確定或預(yù)測的準(zhǔn)確度的方法，所述方法包括定義所述光刻過程的至少一部分的模擬的準(zhǔn)確度的步驟，所述模擬用于確定或預(yù)測所述缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合。
[0153]45.根據(jù)方面44所述的方法，其中所述光刻過程包括器件制造過程，所述器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上。
[0154]46.根據(jù)方面44和45中任一個所述的方法，其中所述缺陷的所述確定或預(yù)測的所述準(zhǔn)確度高于用于所述光刻過程中的缺陷檢查工具的準(zhǔn)確度。
[0155]47.—種計算機(jī)程序產(chǎn)品，該計算機(jī)程序產(chǎn)品包括:在其上記錄了指令的計算機(jī)可讀介質(zhì)，所述指令在被計算機(jī)執(zhí)行時實(shí)施根據(jù)方面31至46中任一個所述的方法。
[0156]48.根據(jù)方面47所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述機(jī)器可執(zhí)行指令還包括用于使用從遠(yuǎn)程計算機(jī)至所述計算機(jī)可讀介質(zhì)的連接而啟動所述方法步驟中的至少一些的指令。
[0157]49.根據(jù)方面48所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中與遠(yuǎn)程計算機(jī)的連接足安全連接。
[0158]50.根據(jù)方面48和49中任一個所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述工藝參數(shù)由遠(yuǎn)程計算機(jī)提供。
[0159]51.根據(jù)方面50所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)，其中所述方法還被配置成用于將使用所述工藝參數(shù)而將利用所述器件制造過程所產(chǎn)生的缺陷的所述存在、存在機(jī)率、特性、或其組合的所述確定或預(yù)測往回提供至所述遠(yuǎn)程計算機(jī)。
[0160]52.—種缺陷檢查系統(tǒng)，其被配置成用于檢查使用根據(jù)方面I至46中任一個所述的方法或使用根據(jù)方面47至51中任一個所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)而確定或預(yù)測的工藝窗口限制圖案。
[0161]53.根據(jù)方面52所述的缺陷檢查系統(tǒng)，其中所述遠(yuǎn)程計算機(jī)是所述缺陷檢查系統(tǒng)的部分。
[0162]54.—種襯底，包括工藝窗口限制圖案(PWLP)且還包括量測目標(biāo)，所述量測目標(biāo)用于確定所述工藝窗口限制圖案被加工所依據(jù)的工藝參數(shù)，以用于利用根據(jù)方面I至46中任一個所述的方法的器件制造過程或根據(jù)方面47至51中任一個所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)來確定或預(yù)測從所述PWLP而產(chǎn)生的缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合。
[0163]55.根據(jù)方面54所述的襯底，其中所述襯底是包括集成電路的至少一些層的晶片。
[0164]56.—種光刻成像設(shè)備，其被配置用于使工藝窗口限制圖案成像且還被配置用于確定所述工藝窗口限制圖案被加工所依據(jù)的工藝參數(shù)。
[0165]57.根據(jù)方面56所述的光刻成像設(shè)備，其中所述光刻成像設(shè)備包括遠(yuǎn)程計算機(jī)，所述遠(yuǎn)程計算機(jī)用于將所述工藝參數(shù)提供給根據(jù)方面50所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)。
[0166]58.—種數(shù)據(jù)庫，其包括用于根據(jù)方面I至46中任一個所述的方法中或根據(jù)方面47至51中任一個所述的計算機(jī)可讀介質(zhì)中的工藝參數(shù)。
[0167]59.根據(jù)方面58所述的數(shù)據(jù)庫，其中所述數(shù)據(jù)庫還包括與所述工藝參數(shù)相關(guān)聯(lián)的所述工藝窗口限制圖案。
[0168]60.—種包括根據(jù)方面58和59中任一個所述的數(shù)據(jù)庫的數(shù)據(jù)載體。
[0169]本發(fā)明的實(shí)施例可以在硬件、固件、軟件、或它們的任意組合中被實(shí)施。本發(fā)明的實(shí)施例也可實(shí)施為儲存于機(jī)器可讀取介質(zhì)上的指令，其可以由一個或更多個處理器讀取并且執(zhí)行。機(jī)器可讀取介質(zhì)可包括用于以可由機(jī)器(例如，計算裝置)讀取的形式儲存或傳輸信息的任何機(jī)制。例如，機(jī)器可讀取介質(zhì)可包括:只讀存儲器(ROM);隨機(jī)存取存儲器(RAM);磁盤儲存介質(zhì);光學(xué)儲存介質(zhì)；閃速存儲器裝置;電、光、聲或其它形式的傳播信號(例如，載波，紅外信號，數(shù)字信號，等等)，以及其它。此外，固件、軟件、例行程序、指令可以在本發(fā)明中描述為執(zhí)行特定動作。然而，應(yīng)理解到，這樣的描述僅僅是為了便利起見并且這樣的動作實(shí)際上源自計算裝置、處理器、控制器、或執(zhí)行所述固件、軟件、例行程序、指令等的其它裝置。
[0170]盡管本發(fā)明的具體實(shí)施例已在上面描述，將理解到本發(fā)明可以用如所描述以外的其它方式實(shí)施。說明書并非旨在限制本發(fā)明。
【主權(quán)項】
1.一種用于器件制造過程的由計算機(jī)實(shí)施的缺陷確定或預(yù)測方法，所述器件制造過程涉及將圖案加工至襯底上，所述方法包括: 從所述圖案識別出工藝窗口限制圖案(PWLP); 確定所述工藝窗口限制圖案被加工所依據(jù)的工藝參數(shù);和 使用所述工藝參數(shù)來確定或預(yù)測利用所述器件制造過程由所述工藝窗口限制圖案產(chǎn)生的缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中確定或預(yù)測存在、存在機(jī)率、特性或其組合進(jìn)一步使用所述工藝窗口限制圖案的特性、所述圖案的特性，或上述兩者。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括:使用缺陷的存在、存在機(jī)率、特性或其組合來調(diào)整所述工藝參數(shù)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括使用調(diào)整后的所述工藝參數(shù)來確定或預(yù)測利用所述器件制造過程由所述工藝窗口限制圖案產(chǎn)生的殘余缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，還包括:至少部分地基于殘余缺陷的經(jīng)確定或經(jīng)預(yù)測的存在、存在機(jī)率、特性或其組合而指示出檢查多個工藝窗口限制圖案中的哪個。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括確定所述工藝窗口限制圖案的過程窗口。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、特性或其組合包括比較所述工藝參數(shù)與所述過程窗口。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括將所述工藝參數(shù)編譯成工藝參數(shù)圖。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中使用經(jīng)驗?zāi)Ｐ突蛴嬎隳Ｐ蛠碜R別工藝窗口限制圖案。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述工藝參數(shù)是選自下列中的任一個或更多個:聚焦量、劑量、源參數(shù)、投影光學(xué)裝置參數(shù)、從量測獲得的數(shù)據(jù)，和/或來自所述器件制造過程中所使用的加工設(shè)備的操作者的數(shù)據(jù)。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、特性或其組合包括依據(jù)所述工藝參數(shù)來模擬所述工藝窗口限制圖案的圖像或所預(yù)期的圖案形成輪廓，和確定圖像或輪廓參數(shù)。12.—種制造器件的方法，涉及將圖案加工至襯底上或加工至所述襯底的管芯上，所述方法包括: 在加工所述襯底或所述管芯之前確定工藝參數(shù)； 使用在加工所述襯底或所述管芯之前的所述工藝參數(shù)，且使用所述襯底或所述管芯的特性、待加工至所述襯底或所述管芯上的圖案的幾何形狀的特性、或上述兩者，來預(yù)測或確定缺陷的存在、缺陷的存在機(jī)率、缺陷的特性，或其組合； 基于所述預(yù)測或確定而調(diào)整所述工藝參數(shù)以便消除、減少所述缺陷的機(jī)率或降低所述缺陷的嚴(yán)重性。13.—種制造器件的方法，包括: 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的由計算機(jī)實(shí)施的缺陷預(yù)測方法;和 至少部分地基于所述缺陷的經(jīng)確定或經(jīng)預(yù)測的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合而指示出檢查多個工藝窗口限制圖案中的哪個。14.一種用于光刻過程的缺陷確定、預(yù)測或分類方法，其中所述方法包括使用所述光刻過程的至少一部分的模擬來確定或預(yù)測缺陷的存在、存在機(jī)率、特性、或其組合的步驟。15.—種在光刻過程中從多個圖案選擇待檢查的圖案的方法，所述方法包括至少部分地基于所述光刻過程的至少一部分的模擬而選擇待檢查的所述圖案的步驟。
【文檔編號】G03F7/20GK105980934SQ201580008223
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2015年1月7日
【發(fā)明人】斯蒂芬·亨斯克, V·維拉恩基
【申請人】Asml荷蘭有限公司