陣列基板及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種陣列基板及顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。陣列基板包括：襯底基板，襯底基板上形成有TFT，形成有TFT的襯底基板上形成有鈍化層；形成有鈍化層的襯底基板上形成有像素電極，像素電極與TFT的漏極接觸；像素電極上的區(qū)域沿摩擦方向劃分為上坡區(qū)域和平坦區(qū)域。本發(fā)明解決了由于摩擦弱區(qū)配向力較差導致的液晶分子排列紊亂，顯示裝置容易漏光的問題，達到了改善摩擦弱區(qū)液晶分子排列紊亂，避免顯示裝置漏光的效果。本發(fā)明用于陣列基板。
【專利說明】
陣列基板及顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(英文:ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay;簡稱:TFT-LCD)包括對盒成形的陣列基板和彩膜基板，以及充填在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層，陣列基板靠近液晶層的表面上形成有用于對液晶分子進行配向的配向膜，該配向膜可以采用聚酰亞胺(英文= Polyimide，簡稱:PI)溶液，通過摩擦配向形成。具體地，可以將吸附有PI溶液的轉(zhuǎn)印版包裹在輥輪上，并采用該輥輪在陣列基板的表面上滾動，輥輪與陣列基板的表面摩擦，PI溶液轉(zhuǎn)印到陣列基板的表面上，使陣列基板上形成配向膜，其中，輥輪的滾動方向也可以稱為摩擦方向。
[0003]相關(guān)技術(shù)中，陣列基板包括:襯底基板，襯底基板上形成有多根柵線和數(shù)據(jù)線，各個數(shù)據(jù)線與柵線交叉且絕緣，相鄰的兩根柵線與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線圍成像素區(qū)，每個像素區(qū)內(nèi)形成有相互絕緣的公共電極線和像素電極，像素電極位于公共電極線的上方，公共電極線在襯底基板上的正投影與像素電極在襯底基板上的正投影的周邊存在重疊區(qū)域。其中，所有像素區(qū)中的公共電極線的結(jié)構(gòu)相同，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線關(guān)于該任意相鄰的兩個像素區(qū)之間的數(shù)據(jù)線對稱。
[0004]在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)相關(guān)技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]由于公共電極線的存在，像素電極的上表面上不同區(qū)域的高度不同，因此，像素電極的上表面存在段差，而由于任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線關(guān)于該任意相鄰的兩個像素區(qū)之間的數(shù)據(jù)線對稱，這樣，像素電極的上表面上必然存在摩擦弱區(qū)(摩擦弱區(qū)也即是下坡區(qū)域，指的是像素電極的上表面上在摩擦時摩擦方向與水平方向之間的存在大于90度的夾角的區(qū)域)，在摩擦的過程中，輥輪與該摩擦弱區(qū)之間的摩擦力較小，因此，在該摩擦弱區(qū)形成的配向膜的配向力較差，導致位于該摩擦弱區(qū)的液晶分子排列紊亂，顯示裝置容易漏光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決相關(guān)技術(shù)中摩擦弱區(qū)的液晶分子排列紊亂，顯示裝置容易漏光的問題，本發(fā)明提供一種陣列基板及顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0007]第一方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板包括:襯底基板，
[0008]所述襯底基板上形成有薄膜晶體管TFT;
[0009]形成有所述TFT的襯底基板上形成有鈍化層；
[0010]形成有所述鈍化層的襯底基板上形成有像素電極，所述像素電極與所述TFT的漏極接觸；
[0011]其中，所述像素電極上的區(qū)域沿摩擦方向劃分為上坡區(qū)域和平坦區(qū)域。
[0012]可選地，所述襯底基板上包括由多根相互平行的柵線和多根相互平行的數(shù)據(jù)線通過絕緣交叉圍成的至少兩個像素區(qū)，所述至少兩個像素區(qū)中的每個像素區(qū)內(nèi)形成有所述TFT和所述像素電極；
[0013]所述每個像素區(qū)內(nèi)還形成有公共電極線；
[0014]在所述每個像素區(qū)中，所述像素電極位于所述公共電極線的上方，且所述公共電極線在所述襯底基板上的正投影與所述像素電極在所述襯底基板上的正投影的周邊存在重疊區(qū)域，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線關(guān)于所述任意相鄰的兩個像素區(qū)之間的數(shù)據(jù)線不對稱。
[0015]可選地，所述至少兩個像素區(qū)中，任意相鄰的兩行像素區(qū)之間的柵線的根數(shù)為I，位于同一行像素區(qū)的所有所述TFT與圍成所述同一行像素區(qū)的柵線中的同一根柵線連接；
[0016]所有像素區(qū)中的公共電極線的結(jié)構(gòu)相同，位于所述同一行像素區(qū)中的任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線靠近相鄰的兩根數(shù)據(jù)線設(shè)置。
[0017]可選地，所述公共電極線為由第一條狀結(jié)構(gòu)和第二條狀結(jié)構(gòu)形成的一體結(jié)構(gòu)，所述第一條狀結(jié)構(gòu)的長度方向與柵線的長度方向平行，所述第二條狀結(jié)構(gòu)的長度方向與數(shù)據(jù)線的長度方向平行，且所述公共電極線的結(jié)構(gòu)呈L型。
[0018]可選地，在所述同一行像素區(qū)中，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線的第一條狀結(jié)構(gòu)靠近同一根柵線設(shè)置，第二條狀結(jié)構(gòu)靠近所述相鄰的兩根數(shù)據(jù)線設(shè)置。
[0019]可選地，在所述同一行像素區(qū)中，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線的第一條狀結(jié)構(gòu)靠近不同的柵線設(shè)置，第二條狀結(jié)構(gòu)靠近所述相鄰的兩根數(shù)據(jù)線設(shè)置。
[0020]可選地，所述至少兩個像素區(qū)中，任意相鄰的兩行像素區(qū)之間的柵線的根數(shù)為2，位于同一行像素區(qū)內(nèi)的任意相鄰的兩個像素區(qū)中的所述TFT與圍成所述同一行像素區(qū)的不同柵線連接；
[0021]在所述同一行像素區(qū)中，所有所述公共電極線的首尾依次連接。
[0022]可選地，在所述每個像素區(qū)中，所述公共電極線圍繞在所述像素電極的周邊，且所述公共電極線的首尾不連接。
[0023]可選地，在所述每個像素區(qū)中，所述公共電極線繞所述像素電極上與所述數(shù)據(jù)線的長度方向平行的邊，以及與所述TFT接觸的部位所在的邊設(shè)置。
[0024]可選地，在所述每個像素區(qū)中，所述公共電極線繞所述像素電極上與所述數(shù)據(jù)線的長度方向平行的邊，以及位于所述TFT對側(cè)的邊設(shè)置。
[0025]第二方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括:第一方面所述的陣列基板。
[0026]本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0027]本發(fā)明提供的陣列基板及顯示裝置，陣列基板包括襯底基板，襯底基板上形成有TFT;形成有TFT的襯底基板上形成有鈍化層;形成有鈍化層的襯底基板上形成有像素電極，像素電極與TFT的漏極接觸;像素電極上的區(qū)域沿摩擦方向劃分為上坡區(qū)域和平坦區(qū)域。由于像素電極上的區(qū)域沿摩擦方向劃分為上坡區(qū)域和平坦區(qū)域，在該上坡區(qū)域和平坦區(qū)域，輥輪與像素電極的表面的摩擦力較大，因此，形成的配向膜的配向力較好，解決了由于摩擦弱區(qū)配向力較差導致的液晶分子排列紊亂，顯示裝置容易漏光的問題，達到了改善摩擦弱區(qū)液晶分子排列紊亂，避免顯示裝置漏光的效果。
[0028]應(yīng)當理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性的，并不能限制本發(fā)明。
【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1-1是相關(guān)技術(shù)提供的一種陣列基板的俯視圖；
[0031 ]圖1-2是圖1-1所不的陣列基板上A-A部位的面圖；
[0032]圖2是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的俯視圖；
[0033]圖3是本發(fā)明實施例提供的另一種陣列基板的俯視圖；
[0034]圖4是本發(fā)明實施例提供的再一種陣列基板的俯視圖；
[0035]圖5是圖2至圖4任一所示的陣列基板上B-B部位的剖面圖。
[0036]此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
【具體實施方式】
[0037]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部份實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0038]請參考圖1-1，其示出了相關(guān)技術(shù)提供的一種陣列基板00的俯視圖，參見圖1-1，陣列基板00包括:襯底基板(圖1-1中未示出)，襯底基板上形成有多根柵線002和多根數(shù)據(jù)線003，各個數(shù)據(jù)線003和柵線002交叉且絕緣，相鄰的兩根柵線002與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線003圍成像素區(qū)(圖1-1中未標出)，每個像素區(qū)內(nèi)形成有薄膜晶體管(英文:Thin FilmTransi stor;簡稱:TFT )004、公共電極線005和像素電極006。其中，TFT-004可以包括:柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極(圖1-1中均未標出)，柵極、公共電極線005和柵線002可以位于同一層，且柵極與柵線002連接，源極與數(shù)據(jù)線003可以位于同一層，且源極與數(shù)據(jù)線003連接。TFT-004上還形成有鈍化層(圖1-1中未示出)，鈍化層上形成有過孔，像素電極006通過過孔與TFT-004的漏極連接。
[0039]像素電極006位于公共電極線005的上方，公共電極線005在襯底基板上的正投影與像素電極006在襯底基板上的正投影的周邊存在重疊區(qū)域，這樣，公共電極線005與像素電極006之間可以形成用于存儲電荷的存儲電容結(jié)構(gòu)(圖1-1中未示出)，在TFT-004打開時，該存儲電容結(jié)構(gòu)可以對通過TFT-004到達像素電極006的電荷進行存儲。如圖1-1所示，所有像素區(qū)內(nèi)的公共電極線005的結(jié)構(gòu)相同，任意相鄰的兩個公共電極線005關(guān)于該任意相鄰的兩個公共電極線005之間的數(shù)據(jù)線對稱。
[0040]請參考圖1-2，其不出了圖1-1所不的陣列基板00上A-A部位的#1』面圖，參見圖1-2，陣列基板00包括:襯底基板001，襯底基板001上依次形成有公共電極線005、柵絕緣層007、數(shù)據(jù)線003、鈍化層008和像素電極006，像素電極006在襯底基板001上的正投影與公共電極線005在襯底基板001上的正投影存在重疊區(qū)域，由于公共電極線005的存在，圖1-2所示的像素電極006存在段差，在根據(jù)圖1-2所示的摩擦方向f摩擦形成配向膜時，像素電極006上的區(qū)域0061為下坡區(qū)域，在該下坡區(qū)域0061，輥輪與像素電極006的表面之間的摩擦力較小(也即是，該下坡區(qū)域0061為摩擦弱區(qū))，導致在該下坡區(qū)域0061形成的配向膜的配向力較差。其中，下坡區(qū)域0061指的是像素電極006的表面上在摩擦時摩擦方向f與水平方向X之間存在大于90度的夾角的區(qū)域。
[0041]請參考圖2，其示出了本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板01的俯視圖，參見圖2，該陣列基板01包括:襯底基板(圖2中未示出)，襯底基板可以為透明基板，其具體可以是采用玻璃、石英、透明樹脂等具有一定堅固性的導光且非金屬材料制成的基板。
[0042]襯底基板上形成有薄膜晶體管TFT-OlI;形成有TFT-Ol I的襯底基板上形成有鈍化層(圖2中未示出)；形成有鈍化層的襯底基板上形成有像素電極012，像素電極012與TFT-011的漏極(圖2中未標出)接觸。
[0043]其中，像素電極012上的區(qū)域沿摩擦方向劃分為上坡區(qū)域和平坦區(qū)域。
[0044]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，由于像素電極上的區(qū)域沿摩擦方向劃分為上坡區(qū)域和平坦區(qū)域，在該上坡區(qū)域和平坦區(qū)域，輥輪與像素電極的表面的摩擦力較大，因此，形成的配向膜的配向力較好，解決了由于摩擦弱區(qū)配向力較差導致的液晶分子排列紊亂，顯示裝置容易漏光的問題，達到了改善摩擦弱區(qū)液晶分子排列紊亂，避免顯示裝置漏光的效果。
[0045]可選地，鈍化層上形成有過孔，像素電極012通過過孔與TFT-Oll的漏極接觸。
[0046]在本發(fā)明實施例中，上坡區(qū)域指的是:像素電極012的表面的區(qū)域中，在摩擦時摩擦方向與水平方向之間的存在傾角的區(qū)域，平坦區(qū)域指的是:像素電極012的表面的區(qū)域中，在摩擦時摩擦方向與水平方向平行的區(qū)域。
[0047]可選地，在本發(fā)明實施例中，襯底基板上包括由多根相互平行的柵線和多根相互平行的數(shù)據(jù)線通過絕緣交叉圍成的至少兩個像素區(qū)(圖2中未標出)，至少兩個像素區(qū)中的每個像素區(qū)內(nèi)形成有TFT-Oll和像素電極012。實際應(yīng)用中的陣列基板包括:單柵線(英文:single gate)陣列基板和雙柵線(英文:dual gate)，單柵線陣列基板上，相鄰的兩行像素區(qū)之間的柵線的根數(shù)為I，兩根相鄰的柵線與兩根相鄰的數(shù)據(jù)線圍成一個像素區(qū)；雙柵線陣列基板上，相鄰的兩行像素區(qū)之間的柵線的根數(shù)為2，兩根相鄰的柵線與兩根相鄰的數(shù)據(jù)線圍成兩個像素區(qū)，該圖2所示的陣列基板01為single gate陣列基板。
[0048]示例地，如圖2所示，多根相互平行的柵線包括:柵線0131和柵線0132，多根相互平行的數(shù)據(jù)線包括數(shù)據(jù)線0141、數(shù)據(jù)線0142和數(shù)據(jù)線0143，該柵線0131和柵線0132分別與數(shù)據(jù)線0141、數(shù)據(jù)線0142和數(shù)據(jù)線0143交叉形成兩個像素區(qū)。具體地，柵線0131、柵線0132、數(shù)據(jù)線0141和數(shù)據(jù)線0142圍成一個像素區(qū)，柵線0131、柵線0132、數(shù)據(jù)線0142和數(shù)據(jù)線0143圍成一個像素區(qū)，每個像素區(qū)內(nèi)形成有一個TFT-Ol I和一個像素電極012。
[0049]如圖2所示，每個像素區(qū)內(nèi)還形成有公共電極線015，在每個像素區(qū)中，像素電極012位于公共電極線015的上方，且公共電極線015在襯底基板上的正投影與像素電極012在襯底基板上的正投影的周邊存在重疊區(qū)域，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線015關(guān)于該任意相鄰的兩個像素區(qū)之間的數(shù)據(jù)線不對稱。示例地，圖2所示的兩個像素區(qū)中的公共電極線015關(guān)于該兩個像素區(qū)之間的數(shù)據(jù)線0142不對稱，這樣，當采用如圖2所示的摩擦方向f摩擦形成配向膜時，每個像素電極012上的區(qū)域不包括上坡區(qū)域。
[0050]進一步地，請繼續(xù)參考圖2，在至少兩個像素區(qū)中，任意相鄰的兩行像素區(qū)之間的柵線的根數(shù)為I，因此，該圖2所示的陣列基板01為single gate陣列基板，位于同一行像素區(qū)的所有TFT與圍成同一行像素區(qū)的柵線中的同一根柵線連接。在本發(fā)明實施例中，行方向與柵線的長度方向平行，列方向與數(shù)據(jù)線的長度方向平行，一行像素區(qū)指的是沿柵線的長度方向排布的像素區(qū)。比如，在圖2中，兩個像素區(qū)排成一行，該一行像素區(qū)中的所有TFT-011與圍成該一行像素區(qū)的柵線中的同一根柵線0131連接。
[0051]可選地，所有像素區(qū)中的公共電極線015的結(jié)構(gòu)相同，位于同一行像素區(qū)中的任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線015靠近相鄰的兩根數(shù)據(jù)線設(shè)置。如圖2所示，兩個像素區(qū)內(nèi)的公共電極線015的結(jié)構(gòu)相同，數(shù)據(jù)線0142和數(shù)據(jù)線0143為相鄰的兩根數(shù)據(jù)線，該兩個像素區(qū)內(nèi)的公共電極線015分別靠近數(shù)據(jù)線0142和數(shù)據(jù)線0143設(shè)置，也即是，兩個公共電極線015中，一個公共電極線015靠近數(shù)據(jù)線0142設(shè)置，另一個公共電極線015靠近數(shù)據(jù)線0143設(shè)置。
[0052]可選地，公共電極線015為由第一條狀結(jié)構(gòu)0151和第一條狀結(jié)構(gòu)0152形成的一體結(jié)構(gòu)，第一條狀結(jié)構(gòu)0151的長度方向(圖2中未示出)與柵線的長度方向(圖2中未示出)平行，第二條狀結(jié)構(gòu)0152的長度方向(圖2中未示出)與數(shù)據(jù)線的長度方向(圖2中未示出)平行，且公共電極線015的結(jié)構(gòu)呈L型。在同一行像素區(qū)中，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線015的第一條狀結(jié)構(gòu)0151靠近同一根柵線設(shè)置，第二條狀結(jié)構(gòu)0152靠近相鄰的兩根數(shù)據(jù)線設(shè)置。比如，在圖2所示的兩個像素區(qū)中，兩個公共電極線015的第一條狀結(jié)構(gòu)0151都靠近柵線0132設(shè)置，該兩個公共電極線015的第二條狀結(jié)構(gòu)0152分別數(shù)據(jù)線0142和數(shù)據(jù)線0143設(shè)置。
[0053]可選地，在同一行像素區(qū)中，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線015的第一條狀結(jié)構(gòu)0151還可以靠近不同的柵線設(shè)置，本發(fā)明實施例對此不作限定。
[0054]需要說明的是，如圖2所示，同一行像素區(qū)中的公共電極線015相互連接，這樣在該同一行像素區(qū)中的一個公共電極線015施加電壓信號時，該電壓信號也可以傳輸至其他公共電極線015，本發(fā)明實施例對此不作限定。
[0055]請參考圖3和圖4，其分別示出了本發(fā)明實施例提供的另外兩種陣列基板01的俯視圖，該圖3和圖4以陣列基板01為dual gate陣列基板為例進行說明，襯底基板上包括由多根相互平行的柵線和多根相互平行的數(shù)據(jù)線通過絕緣交叉圍成的至少兩個像素區(qū)(圖3和圖4中未標出)，至少兩個像素區(qū)中的每個像素區(qū)內(nèi)形成有TFT-011和像素電極012。如圖3和圖4所示，多根相互平行的柵線包括:柵線0131、柵線0132、柵線0133和柵線0134，多根相互平行的數(shù)據(jù)線包括數(shù)據(jù)線0141和數(shù)據(jù)線0142，柵線0131、柵線0132、柵線0133和柵線0134分別與數(shù)據(jù)線0141和數(shù)據(jù)線0142交叉形成兩個像素區(qū)，其中，圖3和圖4中示出了4個像素區(qū)，每個像素區(qū)內(nèi)形成有一個TFT-Oll和一個像素電極012，每個像素區(qū)內(nèi)還形成有公共電極線015，在每個像素區(qū)中，像素電極012位于公共電極線015的上方，且公共電極線015在襯底基板上的正投影與像素電極012在襯底基板上的正投影的周邊存在重疊區(qū)域，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線015關(guān)于該任意相鄰的兩個像素區(qū)之間的數(shù)據(jù)線不對稱。示例地，圖3和圖4所示的兩個像素區(qū)中的公共電極線015關(guān)于該兩個像素區(qū)之間的數(shù)據(jù)線0142不對稱，這樣，當采用如圖3和圖4所示的摩擦方向f摩擦形成配向膜時，每個像素電極012上的區(qū)域不包括上坡區(qū)域。
[0056]可選地，如圖3和圖4所示，至少兩個像素區(qū)中，任意相鄰的兩行像素區(qū)之間的柵線的根數(shù)為2，因此，該圖3和圖4所示的陣列基板01均為dual gate陣列基板，在dual gate陣列基板中，位于同一行像素區(qū)內(nèi)的任意相鄰的兩個像素區(qū)中的TFT與圍成同一行像素區(qū)的不同柵線連接。比如，如圖3或圖4所示，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的TFT-Oll，一個像素區(qū)中的TFT-Oll與柵線0132連接，另一個像素區(qū)中的TFT-Oll與柵線0133連接，示例地，位于數(shù)據(jù)線0142兩側(cè)的兩個TFT-Oll分別與柵線0132和柵線0133連接。
[0057]可選地，如圖3或圖4所示，在同一行像素區(qū)中，所有的公共電極線015的首尾依次連接，且在每個像素區(qū)中，公共電極線015圍繞在像素電極012的周邊，且公共電極線015的首尾不連接。
[0058]可選地，如圖3所示，在每個像素區(qū)中，公共電極線015繞像素電極012上與數(shù)據(jù)線的長度方向平行的邊，以及與TFT-Oll接觸的部位所在的邊設(shè)置。
[0059]可選地，如圖4所示，在每個像素區(qū)中，公共電極線015繞像素電極012上與數(shù)據(jù)線的長度方向平行的邊，以及位于TFT-Oll對側(cè)的邊設(shè)置。
[0060]需要說明的是，圖2至圖4所示僅是示例性的，并不能代表陣列基板01的實際層級結(jié)構(gòu)，實際應(yīng)用中，公共電極線015位于像素電極012的下方，且公共電極線015與像素電極012之間還形成有絕緣層，因此，從俯視圖上是看不見公共電極線015的，本發(fā)明實施例為了便于讀者對公共電極線015的結(jié)構(gòu)的觀察，所以在俯視圖上畫出了公共電極線015。
[0061]可選地，請參考圖5，其示出了圖2至圖4任一所示的陣列基板01上B-B部位的剖面圖，參見圖5，該陣列基板01包括:襯底基板010，襯底基板010上形成有公共電極線015，形成有公共電極線015的襯底基板010上形成有柵絕緣層016，形成有柵絕緣層016的襯底基板010上形成有數(shù)據(jù)線0142，形成有數(shù)據(jù)線0142的襯底基板010上形成有鈍化層017，形成有鈍化層017的襯底基板010上形成有像素電極012，由圖5可知，像素電極012在襯底基板010上的正投影與公共電極線015在襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，且像素電極012上僅包括摩擦方向f上的上坡區(qū)域和平坦區(qū)域，而不包括摩擦方向f上的下坡區(qū)域。其中，上坡區(qū)域指的是摩擦時，摩擦方向f與水平方向X之間存在傾角的區(qū)域，平坦區(qū)域指的是摩擦時，摩擦方向f與水平方向X平行的區(qū)域，下坡區(qū)域指的是摩擦時，摩擦方向f與水平方向X之間存在大于90度的夾角的區(qū)域。
[0062]需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的陣列基板01可以為扭曲向列(英文:TwistedNematic;簡稱:TN)型陣列基板，該陣列基板01上的其他結(jié)構(gòu)均可以參考相關(guān)技術(shù)中的TN型陣列基板，本發(fā)明實施例在此不再贅述。
[0063]還需要說明的是，根據(jù)實際需要，本發(fā)明實施例可以適當增加公共電極線015的寬度，來增大公共電極線015與像素電極012之間形成的存儲電容結(jié)構(gòu)的容量，在此不再贅述。
[0064]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，由于像素電極上的區(qū)域沿摩擦方向劃分為上坡區(qū)域和平坦區(qū)域，在該上坡區(qū)域和平坦區(qū)域，輥輪與像素電極的表面的摩擦力較大，因此，形成的配向膜的配向力較好，解決了由于摩擦弱區(qū)配向力較差導致的液晶分子排列紊亂，顯示裝置容易漏光的問題，達到了改善摩擦弱區(qū)液晶分子排列紊亂，避免顯示裝置漏光的效果。
[0065]相關(guān)技術(shù)中，位于摩擦弱區(qū)上方的液晶分子排列不規(guī)則且無法有效偏轉(zhuǎn)，顯示裝置容易出現(xiàn)slow charging(中文:偏轉(zhuǎn)緩慢)等不良，在顯示時影響畫面質(zhì)量。在將陣列基板和彩膜基板對盒形成顯示裝置后，若彩膜基板上的黑矩陣無法對該摩擦弱區(qū)進行有效遮擋，會導致顯示裝置出現(xiàn)漏光。本發(fā)明實施例提供的陣列基板，通過對公共電極線的合理設(shè)置，避免像素電極上存在摩擦方向上的下坡區(qū)域，從而可以改善顯示裝置的畫面質(zhì)量，避免顯示裝置漏光。
[0066]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括圖2至圖5任一所示的陣列基板，該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0067]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，由于像素電極上的區(qū)域沿摩擦方向劃分為上坡區(qū)域和平坦區(qū)域，在該上坡區(qū)域和平坦區(qū)域，輥輪與像素電極的表面的摩擦力較大，因此，形成的配向膜的配向力較好，解決了由于摩擦弱區(qū)配向力較差導致的液晶分子排列紊亂，顯示裝置容易漏光的問題，達到了改善摩擦弱區(qū)液晶分子排列紊亂，避免顯示裝置漏光的效果。
[0068]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括:襯底基板， 所述襯底基板上形成有薄膜晶體管TFT; 形成有所述TFT的襯底基板上形成有鈍化層； 形成有所述鈍化層的襯底基板上形成有像素電極，所述像素電極與所述TFT的漏極接觸； 其中，所述像素電極上的區(qū)域沿摩擦方向劃分為上坡區(qū)域和平坦區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述襯底基板上包括由多根相互平行的柵線和多根相互平行的數(shù)據(jù)線通過絕緣交叉圍成的至少兩個像素區(qū)，所述至少兩個像素區(qū)中的每個像素區(qū)內(nèi)形成有所述TFT和所述像素電極； 所述每個像素區(qū)內(nèi)還形成有公共電極線； 在所述每個像素區(qū)中，所述像素電極位于所述公共電極線的上方，且所述公共電極線在所述襯底基板上的正投影與所述像素電極在所述襯底基板上的正投影的周邊存在重疊區(qū)域，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線關(guān)于所述任意相鄰的兩個像素區(qū)之間的數(shù)據(jù)線不對稱。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述至少兩個像素區(qū)中，任意相鄰的兩行像素區(qū)之間的柵線的根數(shù)為I，位于同一行像素區(qū)的所有所述TFT與圍成所述同一行像素區(qū)的柵線中的同一根柵線連接； 所有像素區(qū)中的公共電極線的結(jié)構(gòu)相同，位于所述同一行像素區(qū)中的任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線靠近相鄰的兩根數(shù)據(jù)線設(shè)置。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于， 所述公共電極線為由第一條狀結(jié)構(gòu)和第二條狀結(jié)構(gòu)形成的一體結(jié)構(gòu)，所述第一條狀結(jié)構(gòu)的長度方向與柵線的長度方向平行，所述第二條狀結(jié)構(gòu)的長度方向與數(shù)據(jù)線的長度方向平行，且所述公共電極線的結(jié)構(gòu)呈L型。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于， 在所述同一行像素區(qū)中，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線的第一條狀結(jié)構(gòu)靠近同一根柵線設(shè)置，第二條狀結(jié)構(gòu)靠近所述相鄰的兩根數(shù)據(jù)線設(shè)置。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于， 在所述同一行像素區(qū)中，任意相鄰的兩個像素區(qū)中的公共電極線的第一條狀結(jié)構(gòu)靠近不同的柵線設(shè)置，第二條狀結(jié)構(gòu)靠近所述相鄰的兩根數(shù)據(jù)線設(shè)置。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述至少兩個像素區(qū)中，任意相鄰的兩行像素區(qū)之間的柵線的根數(shù)為2，位于同一行像素區(qū)內(nèi)的任意相鄰的兩個像素區(qū)中的所述TFT與圍成所述同一行像素區(qū)的不同柵線連接； 在所述同一行像素區(qū)中，所有所述公共電極線的首尾依次連接。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于， 在所述每個像素區(qū)中，所述公共電極線圍繞在所述像素電極的周邊，且所述公共電極線的首尾不連接。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于， 在所述每個像素區(qū)中，所述公共電極線繞所述像素電極上與所述數(shù)據(jù)線的長度方向平行的邊，以及與所述TFT接觸的部位所在的邊設(shè)置。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于， 在所述每個像素區(qū)中，所述公共電極線繞所述像素電極上與所述數(shù)據(jù)線的長度方向平行的邊，以及位于所述TFT對側(cè)的邊設(shè)置。11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括:權(quán)利要求1至10任一所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1337GK105892189SQ201610466026
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年6月23日
【發(fā)明人】楊妮, 林匯哲
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 重慶京東方光電科技有限公司