用于非耦合模分復(fù)用傳輸?shù)沫h(huán)輔助型少模光纖及其傳輸方法
【專利摘要】一種用于非耦合模分復(fù)用傳輸?shù)沫h(huán)輔助型少模光纖及其傳輸方法，包括：纖芯和包層結(jié)構(gòu)，纖芯中設(shè)有一個(gè)高折射率環(huán)，該高折射率環(huán)在光纖中的位置處的LP02模的電場(chǎng)強(qiáng)度為峰值強(qiáng)度的(0,30％]處，所述的纖芯除高折射率環(huán)外其它部位折射率相同。本發(fā)明有效減小了傳輸過(guò)程中的模式耦合。通過(guò)這項(xiàng)技術(shù)，可以在保證模場(chǎng)面積基本不變的情況下，將模式間最小有效折射率差提高一倍以上，從而獲得大模場(chǎng)面積、低模式串?dāng)_的非耦合少模光纖，對(duì)于中短距離模分復(fù)用傳輸具有重要意義和應(yīng)用前景。
【專利說(shuō)明】
用于非耦合模分復(fù)用傳輸?shù)沫h(huán)輔助型少模光纖及其傳輸方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及一種光纖通信領(lǐng)域的技術(shù)，具體涉及一種用于模分復(fù)用光傳輸?shù)娜躐?合少模光纖及其傳輸方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，數(shù)據(jù)傳輸需求持續(xù)保持約40%的年增長(zhǎng)率，對(duì)于光纖通信系統(tǒng)的容量提 出了更高的要求。通過(guò)采用高功率拉曼放大、密集波分復(fù)用等先進(jìn)的復(fù)用方式以及相干探 測(cè)和DSP數(shù)字處理技術(shù)，普通單模光纖網(wǎng)絡(luò)的傳輸容量得到了非常大的提升，已經(jīng)接近其理 論上限100Tb/ S。因此，為了進(jìn)一步提升單根光纖的傳輸容量，基于少模光纖的模分復(fù)用技 術(shù)吸引了眾多研究人員的目光。
[0003] 目前模分復(fù)用技術(shù)主要有兩個(gè)實(shí)現(xiàn)方案。其一是基于強(qiáng)模式耦合的方案，其關(guān)鍵 是要盡可能地減小整條鏈路的差分模式群延時(shí)(DMGD)，使得所有模式能夠同時(shí)被一個(gè)復(fù)雜 的2N*2N(N為空間模式的數(shù)量）的ΜΜ0技術(shù)探測(cè)，而無(wú)需考慮模式耦合引入的串?dāng)_問(wèn)題。在 這一方案中，差分模式群延時(shí)以及模式相關(guān)損耗的增加會(huì)大大增加ΜΜ0系統(tǒng)的復(fù)雜度，盡 管各模式群之間較強(qiáng)的耦合可以一定程度上減小差分模式群延時(shí)和模式相關(guān)損耗，但仍然 需要對(duì)少模光纖進(jìn)行合理設(shè)計(jì)使差分模式群延時(shí)最小化，目前主要采用制備工藝較為復(fù)雜 的漸變折射率光纖。
[0004] 方案二是基于弱模式耦合的方案，其關(guān)鍵是抑制模式間的耦合，使得各模式作為 獨(dú)立的信道傳輸信號(hào)，且非簡(jiǎn)并的和簡(jiǎn)并的LP模式可以分別由2*2和4*4的MMO技術(shù)獨(dú)立探 測(cè)，可以免受模式差分群延時(shí)的影響，并大大減小ΜΜ0的復(fù)雜度。這一方案要求光纖鏈路長(zhǎng) 度小于任意兩個(gè)模式間的相干長(zhǎng)度，因此適用于中短距離的光通信。為獲得小的模式串?dāng)_ 和更長(zhǎng)的傳輸距離，這一方案要求設(shè)計(jì)高模式有效折射率差的光纖，目前主要采用在制備 工藝較為簡(jiǎn)單的階躍折射率光纖基礎(chǔ)上進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。
[0005] 在傳輸模式數(shù)確定的情況下（即V值確定），增大纖芯/包層折射率差，可以獲得更 高的模式有效折射率差和更低的彎曲損耗，但是這意味著需要減小纖芯尺寸，進(jìn)而使得模 場(chǎng)面積下降，光纖將更容易面臨非線性效應(yīng)的威脅。而如果增大纖芯尺寸，減小纖芯包層折 射率差，雖然可以獲得較高的模場(chǎng)面積，但是會(huì)減小模式間的有效折射率差，并增大彎曲損 耗。理論研究表明，模式有效折射率差大于10- 3能夠有效緩解模式串?dāng)_問(wèn)題，如何在獲得較 高模式間有效折射率差的同時(shí)獲得較大的模場(chǎng)面積和較低的高階模彎曲損耗仍然是一個(gè) 亟待解決的問(wèn)題。
[0006] 0FS公司采用大纖芯(直徑25μπι)、低折射率差(n_-nclad ing = 0.005)的階躍折射率 方案，實(shí)現(xiàn)了模場(chǎng)面積大于280μπι2的四模光纖，有效抑制了非線性效應(yīng)。然而這一方案帶來(lái) 的顯著問(wèn)題是，LP 2^LPQ2模的有效折射率差小于0.4*10-3，極易引起模式串?dāng)_，此外該光纖 在1550nm處還支持LP 31模傳輸，且對(duì)彎曲十分敏感。
[0007] Sillard等人[P · Sillard，M. Bigot-Astruc，D· Boivin，H.Maerten&L·Provost， "Few-mode fiber for uncoupled mode-division multiplexing transmissions，''in Proc.Eur.Conf .Opt.Commun. ,2011，Paper Tu.5]詳細(xì)分析了常規(guī)階躍式少模光纖的模式 有效折射率差與模場(chǎng)面積之間的相互制約關(guān)系，并設(shè)計(jì)了最小模式有效折射率差(1^21與 LP〇2模式)為0.8*10-3且模場(chǎng)面積大于118μπι2的四模光纖，且具有較低的損耗。然而在保證彎 曲損耗等特性不惡化的情況下，如何進(jìn)一步提高模場(chǎng)直徑與模式間有效折射率差仍然缺少 有效的方案。
[0008] 經(jīng)過(guò)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的檢索發(fā)現(xiàn)，中國(guó)專利文獻(xiàn)號(hào)CN103649797A，公開(kāi)（公告）日 2014.03.19，公開(kāi)了 一種少模光纖，纖芯為階躍折射率分布，包層可以包括外包層區(qū)域和位 于纖芯與外包層區(qū)域中間的向下?lián)诫s的溝槽區(qū)域。該結(jié)構(gòu)被配置為支持多個(gè)希望的導(dǎo)模傳 輸，而不希望的高階模成為漏模，并且具有最低有效折射率的希望的模與具有最高有效折 射率的漏模間有效折射率差足夠大以有效防止他們之間的耦合。但該技術(shù)僅在支持LP01和 LP11模的兩模光纖中能獲得大于0.9 X ΚΓ3的有效折射率差，而其描述的支持四個(gè)LP模式的 光纖中，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)的有效折射率差小于0.5ΧΠΓ 3,難以有效抑制LP21與LP02模之間 的耦合，因此該技術(shù)方案不適用于支持4個(gè)或更多LP模式的弱耦合少模光纖。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明針對(duì)非耦合模分復(fù)用的技術(shù)瓶頸，以階躍型折射率光纖為基礎(chǔ)，結(jié)合創(chuàng)新 型的高折射率環(huán)，并根據(jù)需求在必要時(shí)可采用溝槽輔助結(jié)構(gòu)對(duì)彎曲損耗進(jìn)行補(bǔ)償，提出了 一種用于非耦合模分復(fù)用傳輸?shù)沫h(huán)輔助型少模光纖及其傳輸方法，通過(guò)在纖芯中特定位置 增加高折射率環(huán)，使得原階躍折射率光纖中各模式的有效折射率重新分布，特別的，1^ 21與 LP〇2模式間的有效折射率差顯著提高，從而有效減小了傳輸過(guò)程中的模式耦合。通過(guò)這項(xiàng)技 術(shù)，可以在保證模場(chǎng)面積基本不變的情況下，將模式間最小有效折射率差提高一倍以上，從 而獲得大模場(chǎng)面積、低模式串?dāng)_的非耦合少模光纖，對(duì)于中短距離模分復(fù)用傳輸具有重要 意義和應(yīng)用前景。
[0010] 本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
[0011] 本發(fā)明涉及一種用于非耦合模分復(fù)用傳輸?shù)沫h(huán)輔助型少模光纖，包括:纖芯和包 層結(jié)構(gòu)，纖芯中設(shè)有一個(gè)高折射率環(huán)，該高折射率環(huán)在光纖中的位置處的LP Q2模的電場(chǎng)強(qiáng)度 為峰值強(qiáng)度的(〇,30%]處，所述的纖芯除高折射率環(huán)外其它部位折射率相同。
[0012] 所述的高折射率環(huán)與纖芯的相對(duì)折射率差為(0，0.40% ]，優(yōu)選[0.15%，0.30% ]。
[0013] 所述的高折射率環(huán)優(yōu)選在光纖中的位置處的LPQ2模的電場(chǎng)強(qiáng)度為峰值強(qiáng)度的（0， 20%]處。
[0014] 所述的纖芯與包層具有階躍折射率分布以支持多個(gè)希望的導(dǎo)模低損耗傳輸?shù)耐?時(shí)抑制不希望的模式。
[00?5 ] 所述的光纖的最高階導(dǎo)模在彎曲半徑1 〇mm情況下的彎曲損耗小于l〇dB/turn，第 一個(gè)漏模在彎曲半徑為140mm情況下的彎曲損耗大于ldB/m，優(yōu)選為各模式間具有較高的有 效折射率差，各模式間最小有效折射率差大于ΠΓ 3,且各模式模場(chǎng)面積大于100μπι2。
[0016]所述的模場(chǎng)面積優(yōu)選大于80μπι2,各模式間最小有效折射率差優(yōu)選大于0.5ΧΚΓ3。 [0017]所述的纖芯半徑優(yōu)選為7.3~8.5μπι，纖芯與包層結(jié)構(gòu)的相對(duì)折射率差Δη為 [0.63 %，0.92 % ]，高折射率環(huán)內(nèi)圓半徑Rin_ring為3.5μπι~3.8μπι，高折射率環(huán)的徑向厚度 Wring為1.5μπι~1.8μπι，高折射率環(huán)與纖芯的相對(duì)折射率差Δ η+進(jìn)一步優(yōu)選為[0.20%， 0.30%]〇
[0018] 所述的纖芯和包層結(jié)構(gòu)之間優(yōu)選進(jìn)一步設(shè)有低折射率溝槽結(jié)構(gòu)，該溝槽結(jié)構(gòu)的徑 向?qū)挾萕tr_h為4. Ομπι，溝槽結(jié)構(gòu)與包層結(jié)構(gòu)的相對(duì)折射率差Δ if為〇. 25 %。
[0019] 本發(fā)明涉及上述環(huán)輔助型少模光纖的應(yīng)用，將其用于制備模式耦合器，模式耦合 器轉(zhuǎn)換效率大于50%，優(yōu)選大于70% ;模式消光比大于10dB，優(yōu)選大于15dB。
[0020] 本發(fā)明涉及上述環(huán)輔助型少模光纖的非耦合模分復(fù)用傳輸方法，通過(guò)在信號(hào)發(fā)送 端采用具有所述環(huán)輔助型少模光纖的模式耦合器將不同的信號(hào)以不同的模式耦合到少模 光纖中；在信號(hào)接收端采用模式解復(fù)用器將不同的LP模式分離，并用光電探測(cè)器進(jìn)行對(duì)應(yīng) 的接收。 技術(shù)效果
[0021] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)在LPQ2模模場(chǎng)分布較弱的位置引入高折射率環(huán)，改變 了階躍折射率光纖中各模式的有效折射率，在保持與常規(guī)階躍折射率光纖基本相同的模場(chǎng) 面積的情況下，顯著提高了 1^21與1^〇2模式的有效折射率差，各模式間最小有效折射率差提 高了一倍以上，從而大大減小了傳輸過(guò)程中的模式耦合和模間非線性效應(yīng)，應(yīng)用本發(fā)明所 述光纖制備的模式耦合器有望實(shí)現(xiàn)更好的1^ 21與1^〇2模的模式消光比。同時(shí)，階躍折射率的 光纖設(shè)計(jì)方案顯著減小了制備難度，本發(fā)明所述光纖對(duì)中短距離非耦合模分復(fù)用技術(shù)的發(fā) 展具有重要的意義。
【附圖說(shuō)明】
[0022] 圖1為V = 5.1常規(guī)階躍折射率光纖模式有效折射率差與模場(chǎng)面積的制約關(guān)系； [0023]圖2為實(shí)施例1的光纖結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖中：（a)為光纖截面結(jié)構(gòu)示意圖；（b)為光纖截面折射率分布示意圖，1為纖芯、2 為高折射率環(huán)、3為包層結(jié)構(gòu)；
[0025] 圖3(a)為實(shí)施例1高折射率環(huán)位置示意圖，圖3(b)_(f)為所支持傳導(dǎo)的四個(gè)模式 以及第一個(gè)漏模的模場(chǎng)分布圖，其中（b)LP01模，（c)LPll模，（d)LP21模，（e)LP02模，（f) LP31模；
[0026] 圖4為實(shí)施例1的設(shè)計(jì)改進(jìn)效果與設(shè)計(jì)容限計(jì)算結(jié)果圖；
[0027] 圖5為實(shí)施例2的光纖結(jié)構(gòu)不意圖；
[0028] 圖6為實(shí)施例2的設(shè)計(jì)改進(jìn)效果與設(shè)計(jì)容限計(jì)算結(jié)果圖；
[0029]圖中：（a)為光纖截面結(jié)構(gòu)示意圖；（b)光纖截面折射率分布示意圖，1為纖芯、2為 高折射率環(huán)、3為包層結(jié)構(gòu)、4為溝槽結(jié)構(gòu)。
【具體實(shí)施方式】 實(shí)施例1
[0030]本實(shí)施例中，設(shè)計(jì)并優(yōu)化了一種環(huán)輔助型弱耦合四模光纖。為確保四模操作且最 高階導(dǎo)模(LPQ2模)能夠低損耗傳輸，首先研究V = 5.1情況下的階躍折射率光纖可能存在的 纖芯尺寸和折射率組合，并研究它們?cè)?550nm處各模式間有效折射率差和模場(chǎng)面積隨光纖 參數(shù)的變化關(guān)系。如圖1所示，在保持V值不變的情況下，隨著纖芯尺寸的增大，各模式的有 效折射率差逐漸減小，各模式的最小模場(chǎng)面積顯著增加，因此對(duì)于常規(guī)階躍式結(jié)構(gòu)少模光 纖來(lái)說(shuō)，模式有效折射率差與模場(chǎng)面積間存在明顯的相互制約關(guān)系，且限制瓶頸主要是LP21 與lpQ2之間很小的折射率差。要想確保模式間最小有效折射率差大于10-3,最小模場(chǎng)面積就 不能超過(guò)lOOwn 2。
[0031] 本實(shí)施例中，光纖結(jié)構(gòu)如圖2(a)所示，橫線所示區(qū)域?yàn)槔w芯1，豎線所示區(qū)域?yàn)槔w 芯中高折射率環(huán)2。如圖2(b)所示，為該光纖截面折射率的示意圖，如圖可見(jiàn)：纖芯直徑為 2R，纖芯/包層相對(duì)折射率差為Δ n，纖芯中高折射率環(huán)的內(nèi)圓直徑為2Rin_ring，環(huán)徑向?qū)挾?為Wring，環(huán)與纖芯的相對(duì)折射率差為Δ n+。
[0032] 如圖3所示為高折射率環(huán)與不同模式空間交疊情況示意圖，可見(jiàn)當(dāng)高折射率環(huán)恰 好置于LP〇2模模場(chǎng)分布較弱的位置時(shí)，LP〇2模與高折射率環(huán)交疊面積很小，而其它模式與高 折射率環(huán)模場(chǎng)交疊面積較大，因此高折射率環(huán)的引入對(duì)于不同模式的有效折射率有不同的 效果:LP Q2模有效折射率基本不變，其它模式有效折射率增加。設(shè)計(jì)光纖纖芯半徑為7.5μπι， 包層為純二氧化硅，纖芯與包層結(jié)構(gòu)的相對(duì)折射率差為0.67%，相應(yīng)的階躍折射率光纖中 模間最小有效折射率差為〇. 8 X 10-3。高折射率環(huán)內(nèi)圓半徑Rin_ring為3.5μπι，改變環(huán)的厚度 W ring和環(huán)與纖芯的相對(duì)折射率差Λη+，如圖4所示，隨著環(huán)的厚度和折射率差增加，1^21與 LP 〇2模的有效折射率差增加（如實(shí)線所示），有利于減小二者間的模式耦合;而LPQ2與1^31模 的有效折射率差減小(如虛線所示），易引起兩者間的耦合并增大LP Q2模的傳輸損耗。通過(guò)調(diào) 整環(huán)的參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)各模式間有效折射率差大于1.8*10-3,從而實(shí)現(xiàn)低的模式串?dāng)_。
[0033] 考慮到四模光纖設(shè)計(jì)要使得LP31模截止，因此還需對(duì)纖芯尺寸及纖芯/包層折射率 差進(jìn)行調(diào)整，如圖5所示?？梢?jiàn)，在箭頭所示區(qū)域內(nèi)，光纖能夠在C波段內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的四模傳 輸。最終確定光纖結(jié)構(gòu)參數(shù)如下:包層為純Si0 2材料，纖芯半徑R為7.3μπι，纖芯與包層結(jié)構(gòu) 的相對(duì)折射率差為〇. 63 %，高折射率環(huán)內(nèi)圓半徑Rin_ring為3.5μπι，環(huán)徑向厚度1_為1.5μπι， 環(huán)與纖芯的相對(duì)折射率差Δ η+為0.30%。計(jì)算得到的光纖在1550nm處性能參數(shù)如表1所示， 經(jīng)驗(yàn)證此光纖在整個(gè)C波段均能正常使用，最小模場(chǎng)面積約122μπι 2，模間有效折射率差達(dá)到 1.9 X 10-3，比相近參數(shù)及模場(chǎng)面積的階躍折射率光纖提高超過(guò)130 % (從0.8 X 10-3到1.9 X 10-3)。
[0034]表1為實(shí)施例1中特定光纖的性能計(jì)算結(jié)果。
實(shí)施例2
[0035] 本實(shí)施例中設(shè)計(jì)了一種帶溝槽的環(huán)輔助型弱耦合七模光纖。光纖結(jié)構(gòu)如圖6(a)所 示，橫線所示區(qū)域?yàn)槔w芯1，豎線所示區(qū)域?yàn)槔w芯中高折射率環(huán)2,點(diǎn)所示區(qū)域?yàn)闇喜劢Y(jié)構(gòu)4， 用于對(duì)彎曲損耗進(jìn)行補(bǔ)償。如圖6(b)所示，為該光纖截面折射率分布的示意圖，如圖可見(jiàn)： 纖芯直徑為2R，纖芯/包層相對(duì)折射率差為Δ n，纖芯中高折射率環(huán)的內(nèi)圓直徑為2Rin_ring， 環(huán)徑向?qū)挾葹閃 ring，環(huán)與纖芯的相對(duì)折射率差為Δη+，纖芯與包層之間設(shè)置一低折射率溝 槽，溝槽徑向?qū)挾葹閃trgh，溝槽/包層相對(duì)折射率差為Δ if。
[0036] 最終設(shè)計(jì)光纖結(jié)構(gòu)參數(shù)如下：纖芯半徑a為8.5μπι，纖芯與包層結(jié)構(gòu)的相對(duì)折射率 差Δ η為〇 . 92 %，高折射率環(huán)內(nèi)圓半徑Rin_ring為3.8μL?，環(huán)的厚度Wring為1.8μπι，環(huán)與纖芯的相 對(duì)折射率差Δ η+為〇. 20 %，溝槽寬度Wtrenc；h為4. Ομπι，溝槽結(jié)構(gòu)與包層結(jié)構(gòu)的相對(duì)折射率差 Δη-為0.25%。
[0037]光纖在1550nm處性能參數(shù)如表2所不。光纖最小模場(chǎng)面積為103μηι2,最小模間有效 折射率差為1.7 X 10-3，比相近模場(chǎng)面積的階躍式七模光纖提高超過(guò)100%。如果適度減小模 場(chǎng)面積，可以實(shí)現(xiàn)更大的模間有效折射率差。光纖在整個(gè)C+L波段表現(xiàn)出非常小的彎曲損耗 和優(yōu)秀的高階模截止性能。
[0038]表2為實(shí)施例2中特定光纖的性能計(jì)算結(jié)果。
[0039]上述具體實(shí)施可由本領(lǐng)域技術(shù)人員在不背離本發(fā)明原理和宗旨的前提下以不同 的方式對(duì)其進(jìn)行局部調(diào)整，本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)為準(zhǔn)且不由上述具體實(shí)施所 限，在其范圍內(nèi)的各個(gè)實(shí)現(xiàn)方案均受本發(fā)明之約束。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于非耦合模分復(fù)用傳輸?shù)沫h(huán)輔助型少模光纖，其特征在于，包括:纖芯和包層 結(jié)構(gòu)，纖芯中設(shè)有一個(gè)高折射率環(huán)，該高折射率環(huán)在光纖中的位置處的LP Q2模的電場(chǎng)強(qiáng)度為 峰值強(qiáng)度的（〇,30%]處，所述的纖芯除高折射率環(huán)外其它部位折射率相同，高折射率環(huán)與 纖芯的相對(duì)折射率差為(0，0.40 % ]。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的環(huán)輔助型少模光纖，其特征是，所述的高折射率環(huán)在光纖中的 位置處的LPQ2模的電場(chǎng)強(qiáng)度為峰值強(qiáng)度的(0,20%]。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的環(huán)輔助型少模光纖，其特征是，所述的纖芯與包層具有階 躍折射率分布，以便在C波段或C+L波段支持三個(gè)以上LP模式低損耗傳輸，其它更高階模式 具有大的傳輸損耗。4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的環(huán)輔助型少模光纖，其特征是，所述的光纖的最高階導(dǎo)模 在彎曲半徑10mm情況下的彎曲損耗小于10dB/turn，第一個(gè)漏模在彎曲半徑為140mm情況下 的彎曲損耗大于ldB/m。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的環(huán)輔助型少模光纖，其特征是，所述的光纖的模場(chǎng)面積大于80 μπι2,各模式間最小有效折射率差大于0.5ΧΚΓ3。6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一所述的環(huán)輔助型少模光纖，其特征是，所述的纖芯半徑為 7.3~8.5μπι，纖芯與包層結(jié)構(gòu)的相對(duì)折射率差Δ η為[〇. 63%，0.92% ]，高折射率環(huán)內(nèi)圓半 徑Rin_ring為3.5μηι~3.8μηι，高折射率環(huán)的厚度Wring為1.5μηι~1.8μηι，高折射率環(huán)與纖芯的相 對(duì)折射率差Δ η+為[〇. 20 %，0.30 % ]。7. 根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一所述的環(huán)輔助型少模光纖，其特征是，所述的纖芯和包層 結(jié)構(gòu)之間設(shè)有溝槽結(jié)構(gòu)。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的環(huán)輔助型少模光纖，其特征是，所述的溝槽結(jié)構(gòu)的寬度 為4. Ομπι，溝槽結(jié)構(gòu)與包層結(jié)構(gòu)的相對(duì)折射率差Δ 1!_為〇. 25 %。9. 根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一所述的環(huán)輔助型少模光纖，其特征是，所述的光纖在 1565nm處彎曲半徑為10mm時(shí)，最高階導(dǎo)模的彎曲損耗小于10dB/turn;在1530nm處彎曲半徑 為140mm時(shí)，更高階漏模損耗大于ldB/m。10. -種基于權(quán)利要求1~9中任一所述環(huán)輔助型少模光纖的應(yīng)用，其特征在于，將其用 于制備模式耦合器。11. 一種基于權(quán)利要求1~10中任一所述環(huán)輔助型少模光纖的非親合模分復(fù)用傳輸方 法，其特征在于，通過(guò)在信號(hào)發(fā)送端采用具有所述環(huán)輔助型少模光纖的模式耦合器將不同 的信號(hào)以不同的模式耦合到少模光纖中；在信號(hào)接收端采用模式解復(fù)用器將不同的LP模式 分離，并用光電探測(cè)器進(jìn)行對(duì)應(yīng)的接收。
【文檔編號(hào)】G02B6/028GK105866881SQ201610379205
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年6月1日
【發(fā)明人】何祖源, 馬麟, 姜壽林, 樊昕昱, 杜江兵, 張文甲, 徐曉, 李佳熊
【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué)