一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器發(fā)展迅速，已經(jīng)成為主流平板顯示器。從出現(xiàn)至今，液晶顯示器已經(jīng)發(fā)展出扭轉(zhuǎn)向列(Twisted Nematic，TN)型、高級(jí)超維場開關(guān)(Adwanced Dimens1n Switch，ADS)型、高開口率且高級(jí)超維場開關(guān)(High-Adwanced Dimens1n Switch，HADS)型和平面內(nèi)開關(guān)(In-Plane Switch，IPS)型等幾種類型，其驅(qū)動(dòng)模式和顯示效果不盡相同，各有所長。其中，ADS型和HADS型液晶顯示器以其特有的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)原理，表現(xiàn)出了優(yōu)良的顯示能力和效果。
[0003]ADS型和HADS型液晶顯示器的主要區(qū)別在于HADS型液晶顯示器中狹縫狀的公共電極位于板狀的像素電極的上方，而在ADS型液晶顯示器中，狹縫狀的像素電極位于板狀的公共電極的上方。但是現(xiàn)有的ADS型液晶顯示器相比HADS型液晶顯示器，由于公共電極沒有覆蓋在數(shù)據(jù)線和柵線的上方，因此數(shù)據(jù)線和柵線的負(fù)載相對(duì)較小，更適合應(yīng)用于大尺寸設(shè)計(jì)。
[0004]現(xiàn)有的ADS型液晶顯不器的結(jié)構(gòu)如圖1a至圖1c所不，包括相對(duì)設(shè)置的上基板I和下基板2，位于下基板2上的柵線21、數(shù)據(jù)線22、公共電極23和像素電極24，在上基板I上設(shè)置有彩色光阻層(圖中未示出)和黑矩陣11，其中黑矩陣11正對(duì)數(shù)據(jù)線22和柵線21。但是上述ADS型液晶顯示器存在一些缺點(diǎn)，例如大力擠壓顯示面板會(huì)導(dǎo)致上基板發(fā)生位移，如果位于柵線21上方的黑矩陣11較窄，就很容易發(fā)生漏光。因此為了防止漏光一般需要將黑矩陣11的寬度作寬，但是這樣又會(huì)降低開口率以及透過率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，用以在防止液晶顯示面板漏光的基礎(chǔ)上提高開口率和透過率。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板，位于所述襯底基板上的柵線、以及依次位于所述襯底基板上且相互絕緣的公共電極和像素電極，且所述像素電極所在層位于所述柵線所在層的上方，還包括:
[0007]位于所述柵線上方呈條狀的透明且導(dǎo)電的屏蔽電極，所述屏蔽電極在所述襯底基板的投影的外輪廓包圍所述柵線在所述襯底基板的投影，且所述屏蔽電極與所述像素電極以及所述柵線均絕緣。
[0008]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述屏蔽電極設(shè)置為與所述像素電極同層同材質(zhì)且相互獨(dú)立。
[0009]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述公共電極所在的層位于所述柵線所在的層的上方，所述屏蔽電極設(shè)置為與所述公共電極同層同材質(zhì)。
[0010]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述屏蔽電極的材料為透明導(dǎo)電氧化物。
[0011]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述屏蔽電極在與所述柵線交疊的區(qū)域具有至少一個(gè)狹縫。
[0012]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述屏蔽電極具有一個(gè)狹縫，且所述狹縫在所述襯底基板的正投影與所述柵線在所述襯底基板的正投影重疊。
[0013]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述狹縫的寬度小于或等于所述柵線的寬度。
[0014]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，所述公共電極為板狀電極，所述像素電極為狹縫狀電極。
[0015]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種液晶顯示面板，包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和對(duì)向基板，以及位于所述陣列基板和所述對(duì)向基板之間的液晶層，所述陣列基板為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種陣列基板。
[0016]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示面板中，還包括:位于所述陣列基板與所述對(duì)向基板之間的黑矩陣，所述黑矩陣在所述襯底基板的正投影與所述柵線在所述襯底基板的正投影不重疊。
[0017]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯不面板。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置，由于在柵線的上方設(shè)置有呈條狀的透明且導(dǎo)電的屏蔽電極，且屏蔽電極在襯底基板的投影的外輪廓包圍柵線在襯底基板的投影，屏蔽電極與像素電極以及柵線均絕緣。因此屏蔽電極可以屏蔽柵線上方的電場，即使由該陣列基板形成的液晶顯示面板受外力作用發(fā)生位移，也不會(huì)影響液晶的偏轉(zhuǎn)，因此可以起到防止漏光的作用。另外，由于屏蔽電極可以起到防止漏光的作用，因此在由該陣列基板形成的液晶顯示面板中，可以省去柵線上方的黑矩陣的設(shè)置，從而增加顯示面板的開口率和透過率。
【附圖說明】
[0019]圖1a為現(xiàn)有的ADS型液晶顯不器的俯視結(jié)構(gòu)不意圖；
[0020]圖1b為圖1a所示液晶顯示器沿A-A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖1c為圖1a所示液晶顯示器沿B-B’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0023]圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二；
[0024]圖2c為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之三；
[0025]圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之四；
[0026]圖3b為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之五；
[0027]圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶顯示面板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4b為圖4a所示液晶顯示面板沿A-A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4c為圖4a所示液晶顯示面板沿B-B’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為了使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說明。
[0031]附圖中各層薄膜厚度和形狀不反映陣列基板的真實(shí)比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板10，如圖2a至圖2c所示，包括襯底基板01，位于襯底基板01上的柵線02、以及依次位于襯底基板01上且相互絕緣的公共電極03和像素電極04，且像素電極04所在層位于柵線02所在層的上方，該陣列基板10還包括:
[0033]位于柵線02上方呈條狀的透明且導(dǎo)電的屏蔽電極05，屏蔽電極05在襯底基板01的投影的外輪廓包圍柵線02在襯底基板01的投影，且屏蔽電極05與像素電極04以及柵線02均絕緣。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，由于在柵線的上方設(shè)置有呈條狀的透明且導(dǎo)電的屏蔽電極，且屏蔽電極在襯底基板的投影的外輪廓包圍柵線在襯底基板的投影，屏蔽電極與像素電極以及柵線均絕緣。因此屏蔽電極可以屏蔽柵線上方的電場，即使由該陣列基板形成的液晶顯示面板受外力作用發(fā)生位移，也不會(huì)影響液晶的偏轉(zhuǎn)，因此可以起到防止漏光的作用。另外，由于屏蔽電極可以起到防止漏光的作用，因此在由該陣列基板形成的液晶顯示面板中，可以省去柵線上方的黑矩陣的設(shè)置，從而增加顯示面板的開口率和透過率。
[0035]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述液晶顯示器，屏蔽電極用于在顯示時(shí)施加公共電極信號(hào)，因此在具體實(shí)施時(shí)，各屏蔽電極的兩端與位于陣列基板邊框區(qū)域內(nèi)的公共電極電連接。
[0036]在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板中，屏蔽電極的材料為透明導(dǎo)電氧化物，例如可以是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)材料等，在此不作限定。