感放射線性樹(shù)脂組合物、絕緣膜及顯示元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種感放射線性樹(shù)脂組合物、絕緣膜及顯示元件。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來(lái)，與以前的陰極射線管（Cathode Ray Tube，CRT)方式的顯示裝置相比，由 于謀求薄型化或輕量化等的優(yōu)點(diǎn)等，而使用液晶的顯示元件、即液晶顯示元件的開(kāi)發(fā)正在 積極地進(jìn)行。
[0003] 液晶顯不兀件具有在一對(duì)基板間夾持液晶的結(jié)構(gòu)。在所述基板的表面，為了控制 液晶的取向，可以設(shè)置取向膜。另外，所述一對(duì)基板例如由一對(duì)偏光板夾持。并且，若在基 板間施加電場(chǎng)，則在液晶中引起取向變化，而將光部分地透射、或遮蔽。在液晶顯示元件中， 利用如此的特性顯示圖像，可以提供薄型且輕量的顯示元件。
[0004] 液晶顯示元件通過(guò)對(duì)每像素設(shè)置用以切換的主動(dòng)元件的主動(dòng)矩陣（active matrix)方式的開(kāi)發(fā)，而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)比度比或響應(yīng)性能優(yōu)異的良好的畫質(zhì)。而且，液晶顯示 元件也克服了高精細(xì)化、彩色化及視角擴(kuò)大等的問(wèn)題，最近，已用作智能手機(jī)（smartphone) 等便攜電子設(shè)備的顯示元件、或大型且薄型的電視用顯示元件。
[0005] 在液晶顯示元件中，已知有液晶的初始取向狀態(tài)或取向變化動(dòng)作不同的各種液晶 模式。例如已知：扭轉(zhuǎn)向列（Twisted Nematic，TN)、超扭轉(zhuǎn)向列（Super Twisted Nematic， STN)、共面切換（In-Planes Switching，IPS)、邊緣場(chǎng)切換（Fringe Field Switching， FFS)、垂直取向（Vertical Alignment，VA)或光學(xué)補(bǔ)償彎曲（Optically Compensated Birefringence，OCB)等液晶模式。
[0006] 在所述液晶模式中，IPS模式及作為所述IPS模式的一例的FFS模式，由于具有寬 的視角、快的響應(yīng)速度及高的對(duì)比度比，因此是近年來(lái)特別受到關(guān)注的液晶模式。另外，在 本發(fā)明中所謂IPS模式，表示液晶在夾持其的基板的面內(nèi)進(jìn)行切換（取向變化）動(dòng)作的液 晶模式。因此，只要不特別加以區(qū)別，是除了所謂的被稱為橫向電場(chǎng)方式的狹義的IPS模式 外，也包括使用斜向電場(chǎng)（邊緣電場(chǎng)）使液晶在基板的面內(nèi)進(jìn)行切換的FFS模式的概念。
[0007] 在包括FFS模式的IPS模式（以下有時(shí)簡(jiǎn)稱為" IPS模式"）的液晶顯示元件中，以 在一對(duì)基板間所夾持的液晶相對(duì)于基板而大致平行的方式，控制液晶的初始取向狀態(tài)。通 過(guò)在配置于所述基板中的一個(gè)基板的像素電極與共通電極之間施加電壓，而形成以與基板 平面平行的成分為主的電場(chǎng)（所謂的橫向電場(chǎng)或斜向電場(chǎng)（邊緣電場(chǎng)）），而具備介電各向 異性的液晶的取向狀態(tài)發(fā)生變化。因此，在IPS模式中，由電壓施加引起的液晶的取向變化 如其名稱那樣，在與基板平面平行的面內(nèi)，液晶分子的旋轉(zhuǎn)動(dòng)作為主。
[0008] 根據(jù)如上所述，IPS模式與TN模式等的平行取向的液晶通過(guò)電壓施加而進(jìn)行立起 動(dòng)作的液晶模式不同，液晶相對(duì)于夾持液晶的基板的傾角的變化小。因此，在IPS模式的液 晶顯示元件中，伴隨著電壓施加的延遲（retardation)的有效值的變化變小，可以實(shí)現(xiàn)視 角寬且高畫質(zhì)的圖像的顯示。
[0009] 在如上所述的IPS模式的液晶顯示元件中，正在進(jìn)行如下的電極結(jié)構(gòu)的開(kāi)發(fā)：在 透明的整塊狀電極（例如共通電極）上積層包含無(wú)機(jī)材料的無(wú)機(jī)絕緣膜，在所述無(wú)機(jī)絕緣 膜上重疊梳齒狀電極（例如像素電極）（例如參照專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2)。根據(jù)所述結(jié) 構(gòu)，像素的開(kāi)孔率提尚，并且實(shí)現(xiàn)尚殼度的圖像顯不。
[0010][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0011] [專利文獻(xiàn)]
[0012] [專利文獻(xiàn)1]日本專利特開(kāi)2011-48394號(hào)公報(bào)
[0013] [專利文獻(xiàn)2]日本專利特開(kāi)2011-59314號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] [發(fā)明所要解決的問(wèn)題]
[0015] 關(guān)于IPS模式的液晶顯示元件，近年來(lái)為了應(yīng)對(duì)電視、或智能手機(jī)等便攜電子設(shè) 備的顯示元件的高解析化及高畫質(zhì)化，而要求進(jìn)一步的高畫質(zhì)化、特別是高精細(xì)化。
[0016] 在IPS模式的液晶顯示元件中，在夾持液晶的一對(duì)基板中的一個(gè)基板上，配置用 以薄膜電晶體（TFT :Thin Film Transister)等的切換的主動(dòng)元件。并且，也配置像素電極、 共通電極、與所述電極連接的配線等，而構(gòu)成陣列基板。因此，在IPS模式的液晶顯示元件 中，配置在陣列基板上的構(gòu)成構(gòu)件變多，在陣列基板上的電極結(jié)構(gòu)或配線的配置結(jié)構(gòu)比TN 模式等其他液晶模式復(fù)雜。根據(jù)如上所述，若欲進(jìn)行進(jìn)一步的高精細(xì)化，則有如下的擔(dān)憂： 像素內(nèi)的像素電極的面積減少，像素的開(kāi)孔率降低而使顯示的亮度降低。
[0017] 在專利文獻(xiàn)2中揭示如下陣列基板，在所述基板中，介隔包含無(wú)機(jī)材料的層間絕 緣膜（以下也稱為"無(wú)機(jī)層間絕緣膜"）而在整塊狀共通電極上配置具有形成為梳齒狀的 部分的像素電極（以下也稱為"梳齒狀像素電極"）。并且，在專利文獻(xiàn)2中揭示，在整塊狀 共通電極與其下層的配線之間，設(shè)置包含有機(jī)材料的絕緣膜（以下有時(shí)簡(jiǎn)稱為"有機(jī)絕緣 膜"）的技術(shù)。通過(guò)設(shè)置所述有機(jī)絕緣膜，而可以期待抑制像素電極與配線之間的耦合電容 的增大，且提尚開(kāi)孔率。
[0018] 此時(shí)，在專利文獻(xiàn)2所記載的以前的IPS模式的液晶顯示元件中，在整塊狀共通電 極與梳齒狀像素電極之間，設(shè)置致密的包含SiN(氮化硅）的無(wú)機(jī)層間絕緣膜，所述無(wú)機(jī)層 間絕緣膜用以確保所述電極之間的絕緣性。所述包含SiN的無(wú)機(jī)層間絕緣膜通常利用化學(xué) 氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD)形成。
[0019] 因此，在以前的IPS模式的液晶顯示元件中，在共通電極與梳齒狀像素電極之間 形成無(wú)機(jī)層間絕緣膜時(shí)，必須設(shè)置CVD工藝，而制造裝置變成大規(guī)模的制造裝置。并且，為 了提高生產(chǎn)性，若欲使用大型的基板，則制造裝置必需進(jìn)一步大規(guī)模的制造裝置。因此，在 以前的IPS模式的液晶顯示元件中，無(wú)機(jī)層間絕緣膜的形成成為謀求生產(chǎn)性提高方面的一 個(gè)制約，并且成為高成本化的主要原因。
[0020] 因此，在IPS模式的液晶顯示元件中，要求簡(jiǎn)便地形成配置在共通電極與梳齒狀 像素電極之間的層間絕緣膜的技術(shù)。即，要求無(wú)需使用用于CVD等的大規(guī)模的制造裝置，便 可在大型基板上簡(jiǎn)便地形成的絕緣膜。并且，所述絕緣膜優(yōu)選圖案化性、透光特性及絕緣性 優(yōu)異，且優(yōu)選介電特性及折射率特性與以前的層間絕緣膜相同。特別優(yōu)選以與以前的TFT 組合，而代替包含SiN的無(wú)機(jī)層間絕緣膜變得容易的方式，具備相同的介電特性。
[0021] 本發(fā)明鑒于如以上的問(wèn)題而成。即，本發(fā)明的目的在于提供一種用于形成可以控 制介電特性的絕緣膜的感放射線性樹(shù)脂組合物。
[0022] 另外，本發(fā)明的目的在于提供一種可以簡(jiǎn)便地形成且可以控制介電特性的絕緣 膜。
[0023] 而且，本發(fā)明的目的在于提供一種包含可以簡(jiǎn)便地形成且可以控制介電特性的絕 緣膜的顯示元件。
[0024] [解決問(wèn)題的技術(shù)手段]
[0025] 本發(fā)明的第1形態(tài)是關(guān)于一種感放射線性樹(shù)脂組合物，包含
[0026] [A]聚合物、
[0027] [B]感光劑、以及
[0028] [C]包含鈦氧化物、與選自由鋇、鍶、鈣、鎂、鋯及鉛所組成的組群的至少一種金屬 元素的化合物，且
[0029] [C]化合物的c/a軸比為1. 0025~1. 010。
[0030] 在本發(fā)明的第1形態(tài)中，優(yōu)選[A]聚合物為包含具有羧基的構(gòu)成單元的聚合物。
[0031] 在本發(fā)明的第1形態(tài)中，優(yōu)選[B]感光劑包含選自光自由基聚合起始劑及光酸產(chǎn) 生劑中的至少一種。
[0032] 在本發(fā)明的第1形態(tài)中，優(yōu)選[C]化合物為鈦酸鋇。
[0033] 在本發(fā)明的第1形態(tài)中，優(yōu)選進(jìn)一步包含[D]選自由具有氨基甲酸酯鍵及酰胺鍵 中的至少一種的聚合物、與具有氨基甲酸酯鍵及酰胺鍵中的至少一種的（甲基）丙烯酸酯 化合物所組成的組群的至少一種。
[0034] 在本發(fā)明的第1形態(tài)中，優(yōu)選用于形成顯示元件的絕緣膜。
[0035] 本發(fā)明的第2形態(tài)是關(guān)于一種絕緣膜，使用本發(fā)明的第1形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂 組合物而形成。
[0036] 本發(fā)明的第3形態(tài)是關(guān)于一種顯示元件，包含由本發(fā)明的第1形態(tài)的感放射線性 樹(shù)脂組合物形成的絕緣膜。
[0037] [發(fā)明的效果]
[0038] 根據(jù)本發(fā)明的第1形態(tài)，可以獲得能夠簡(jiǎn)便地形成可以控制介電特性的絕緣膜的 感放射線性樹(shù)脂組合物。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明的第2形態(tài)，可以獲得能夠簡(jiǎn)便地形成且可以控制介電特性的絕緣 膜。
[0040] 根據(jù)本發(fā)明的第3形態(tài)，可以獲得包含能夠簡(jiǎn)便地形成且可以控制介電特性的絕 緣膜的顯示元件。
【附圖說(shuō)明】
[0041] 圖1是示意性表示本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的陣列基板的像素部分的主要部分結(jié)構(gòu)的俯 視圖。
[0042] 圖2是示意性表示沿著圖1的A-A'線的剖面結(jié)構(gòu)的圖。
[0043] 圖3是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的液晶顯示元件的示意性剖面圖。
[0044] 符號(hào)的說(shuō)明
[0045] 1 :陣列基板
[0046] 4、11 :基板
[0047] 5 :影像信號(hào)線
[0048] 5a :第2源極-汲極電極
[0049] 6 :第1源極-汲極電極
[0050] 7 :掃描信號(hào)線
[0051] 7a:閘極電極
[0052] 8 :主動(dòng)元件
[0053] 8a :半導(dǎo)體層
[0054] 9:像素電極
[0055] 10 :取向膜
[0056] 12 :有機(jī)絕緣膜
[0057] 13 :黑矩陣
[0058] 14 :共通電極
[0059] 15 :著色圖案
[0060] 17 :接觸孔
[0061] 22 :彩色濾光片基板
[0062] 23 :液晶層
[0063] 27 :背光光
[0064] 28 :偏光板
[0065] 31:閘極絕緣膜
[0066] 32 :無(wú)機(jī)絕緣膜
[0067] 33 :絕緣膜
[0068] 41 :液晶顯示元件
【具體實(shí)施方式】
[0069] 所述專利文獻(xiàn)2等所記載的以前的液晶顯示元件是IPS模式中的FFS模式的液晶 顯示元件，具有整塊狀共通電極與設(shè)置在其上層的梳齒狀像素電極。并且在所述電極之間， 設(shè)置包含SiN的無(wú)機(jī)層間絕緣膜。包含SiN的無(wú)機(jī)層間絕緣膜的形成是利用CVD等成膜方 法，因此必需大規(guī)模的制造裝置。
[0070] 為了實(shí)現(xiàn)可以利用簡(jiǎn)便的方法形成的層間絕緣膜，來(lái)代替所述包含SiN的無(wú)機(jī)層 間絕緣膜，優(yōu)選應(yīng)用包含有機(jī)材料的涂布型絕緣膜。若可以使用所述涂布型有機(jī)絕緣膜，來(lái) 代替以前的無(wú)機(jī)層間絕緣膜，則在包括FFS模式的IPS模式的液晶顯示元件中，可以形成簡(jiǎn) 便的層間絕緣膜。而且，大型基板的應(yīng)用變得容易，而可以提高液晶顯示元件形成用陣列基 板及使用其的液晶顯示元件的生產(chǎn)性。
[0071] 因此，研究利用包含有機(jī)材料的涂布型絕緣膜來(lái)代替無(wú)機(jī)層間絕緣膜，但為了實(shí) 現(xiàn)所述目的，而在所述絕緣膜中，要求圖案化性、透光性及絕緣性。因此，所述絕緣膜優(yōu)選使 用可以圖案化的液態(tài)樹(shù)脂組合物，可以利用涂布法等而形成。
[0072] 而且，可以代替無(wú)機(jī)層間絕緣膜的包含有機(jī)材料的絕緣膜，優(yōu)選介電特性及折射 率特性與以前的層間絕緣膜相同。特別是所述絕緣膜優(yōu)選與以前以來(lái)所用的用于切換的主 動(dòng)元件即TFT組合，而可以實(shí)現(xiàn)與包含SiN的無(wú)機(jī)層間絕緣膜相同的使用。因此，所述絕緣 膜優(yōu)選能夠以如下方式進(jìn)行控制：靜電電容C與包含SiN的無(wú)機(jī)層間絕緣膜為同等以上。
[0073] 此時(shí)，在與TFT組合方面考慮的層間絕緣膜等構(gòu)件的靜電電容C能夠以C = ε X(S/d)表示。此處，ε為構(gòu)成層間絕緣膜等的構(gòu)件的介電常數(shù)。S為構(gòu)件的面積，在為 層間絕緣膜時(shí)，可以設(shè)為電極面積。d為構(gòu)件的厚度，在為層間絕緣膜時(shí)為膜厚。并且，ε 以ε = ^Xk表示。此時(shí)，ε。為真空中的介電常數(shù)，為常數(shù)。k為構(gòu)件的相對(duì)介電常數(shù)， 是構(gòu)件所固有的值。
[0074] SiN的相對(duì)介電常數(shù)k為6~7,與乙烯樹(shù)脂或丙烯酸系樹(shù)脂等樹(shù)脂的相對(duì)介電常 數(shù)為2以上、4以下即2~4相比，具有大的值。因此，在欲使用樹(shù)脂組合物形成絕緣膜時(shí)， 必須進(jìn)行如下的控制：以靜電電容與包含SiN的無(wú)機(jī)層間絕緣膜為同等以上的方式，提高 構(gòu)成成分的相對(duì)介電常數(shù)。并且，要求維持絕緣性，并實(shí)現(xiàn)良好的圖案化性。
[0075] 因此，本發(fā)明人應(yīng)用提高構(gòu)成成分的相對(duì)介電常數(shù)的技術(shù)，而開(kāi)發(fā)出包含有機(jī)材 料的絕緣膜，所述絕緣膜可以將介電常數(shù)控制為所期望的值，例如能夠以與包含SiN的層 間絕緣膜相同的方式進(jìn)行控制。
[0076] 另外，所述本發(fā)明的絕緣膜與以前的使用有機(jī)材料的有機(jī)膜相比，可以具有高的 折射率，并且可以具有與以前的包含SiN的無(wú)機(jī)層間絕緣膜相同的折射率。本發(fā)明的可以 用于形成陣列基板的層間絕緣膜，通過(guò)具有如此的折射率特性，而在使用所述層間絕緣膜 的本發(fā)明的液晶顯示元件中，可以減少電極在畫面上明顯可見(jiàn)的所謂的"見(jiàn)骨"的問(wèn)題。
[0077] 并且，所述本發(fā)明的絕緣膜可以使用感放射線性樹(shù)脂組合物利用涂布簡(jiǎn)便的形 成，為了液晶顯示元件的構(gòu)成，可以實(shí)現(xiàn)所期望的圖案化。
[0078] 其結(jié)果是，本發(fā)明的絕緣膜可以代替以前的包含SiN的無(wú)機(jī)層間絕緣膜，可以提 供具有主動(dòng)元件、共通電極、像素電極、以及配置在所述共通電極及像素電極之間的本發(fā)明 的絕緣膜的陣列基板。并且，可以提供使用所述陣列基板的本發(fā)明的顯示元件。
[0079] 以下，對(duì)形成本發(fā)明的絕緣膜的本發(fā)明的感放射線性樹(shù)脂組合物、包含本發(fā)明的 絕緣膜的顯示元件的例子即液晶顯示元件、及本發(fā)明的絕緣膜的形成等進(jìn)行說(shuō)明，所述本 發(fā)明的絕緣膜可以代替以前的無(wú)機(jī)層間絕緣膜。
[0080] 另外，在本發(fā)明中，曝光時(shí)所照射的"放射線"包括：可見(jiàn)光線、紫外線、遠(yuǎn)紫外線、 X射線及帶電粒子束等。
[0081] <感放射線性樹(shù)脂組合物>
[0082] 本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的絕緣膜的制造中所用的本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂組 合物，是具備感放射線性的樹(shù)脂組合物。本實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂組合物也可以具有： 正型感放射線性及負(fù)型感放射線性的任一種特性。
[0083] 本實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂組合物含有以下成分作為必須成分：作為[A]成分 的[A]聚合物，作為[B]成分的[B]感光劑，以及作為[C]成分的[C]包含鈦氧化物、與選自 由鋇、鍶、鈣、鎂、鋯及鉛所組成的組群的至少一種金屬元素的化合物（以下有時(shí)簡(jiǎn)稱為[C] 化合物）。
[0084] 并且，在本實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂組合物為正型感放射線性樹(shù)脂組合物時(shí)， [B]感光劑優(yōu)選為光酸產(chǎn)生劑、或含有光酸產(chǎn)生劑。另外，在本實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂 組合物為負(fù)型感放射線性樹(shù)脂組合物時(shí)，[B]感光劑優(yōu)選為光自由基聚合起始劑、或含有光 自由基聚合起始劑。
[0085] 而且，為了控制所得的本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的絕緣膜的介電特性，本實(shí)施形態(tài)的感放 射線性樹(shù)脂組合物優(yōu)選包含：作為[D]成分的[D]選自由具有氨基甲酸酯鍵及酰胺鍵中的 至少一種的聚合物以及具有氨基甲酸酯鍵及酰胺鍵中的至少一種的（甲基）丙烯酸酯化合 物所組成的組群的至少一種（以下有時(shí)簡(jiǎn)稱為[D]化合物）。
[0086] 另外，只要不損害本發(fā)明的效果，本實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂組合物可以含有 其他任意成分。
[0087] 以下，對(duì)本實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂組合物所含有的各成分進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0088] < [A]聚合物〉
[0089] 在本實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂組合物中，作為[A]成分的[A]聚合物，是成為使 用本實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂組合物而形成的本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的絕緣膜的基材的成分。
[0090] 并且，為了使本實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂組合物具備所期望的圖案化性，[A]聚 合物優(yōu)選為堿可溶性樹(shù)脂。此時(shí)，[A]聚合物若為具有堿顯影性的聚合物，則并無(wú)特別限定。 但相當(dāng)于所述[D]化合物的聚合物除外。
[0091] 優(yōu)選的[A]聚合物可以列舉：包含具有羧基的構(gòu)成單元的聚合物。
[0092] 并且，為了可以形成本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的絕緣膜來(lái)作為使用本實(shí)施形態(tài)的感放射線 性樹(shù)脂組合物的硬化膜，[A]聚合物更理想為包含具有不飽和雙鍵或環(huán)氧基等聚合性基的 構(gòu)成單元的聚合物。因此，[A]聚合物更優(yōu)選為包含具有羧基的構(gòu)成單元，而且包含具有聚 合性基的構(gòu)成單元的聚合物。
[0093] 此時(shí)，在[A]聚合物中，優(yōu)選的具有聚合性基的構(gòu)成單元是：選自由具有環(huán)氧基的 構(gòu)成單元及具有（甲基）丙烯酰氧基的構(gòu)成單元所組成的組群的至少一種構(gòu)成單元（以下 有時(shí)稱為特定構(gòu)成單元）。[A]聚合物通過(guò)包含所述特定構(gòu)成單元，而可以形成具有優(yōu)異的 表面硬化性及深部硬化性的硬化膜、即本發(fā)明實(shí)施形態(tài)的絕緣膜。
[0094] 所述具有（甲基）丙烯酰氧基的構(gòu)成單元例如可以通過(guò)以下方法形成：使共聚物 中的環(huán)氧基與（甲基）丙烯酸反應(yīng)的方法；使共聚物中的羧基與具有環(huán)氧基的（甲基）丙 烯酸酯反應(yīng)的方法；使共聚物中的羥基與具有異氰酸酯基的（甲基）丙烯酸酯反應(yīng)的方法； 使共聚物中的酸酐部位與（甲基）丙烯酸反應(yīng)的方法等。所述方法中特別優(yōu)選使共聚物中 的羧基與具有環(huán)氧基的（甲基）丙烯酸酯反應(yīng)的方法。
[0095] 包含具有羧基的構(gòu)成單元、與具有環(huán)氧基作為聚合性基的構(gòu)成單元的[A]聚合 物，可以將以下成分共聚合來(lái)合成：(Al)選自由不飽和羧酸及不飽和羧酸酐所組成的組群 的至少一種（以下也稱為" (Al)化合物")、及（A2)含有環(huán)氧基的不飽和化合物（以下也稱 為" (A2)化合物")。此時(shí)，[A]聚合物成為包含如下構(gòu)成單元的共聚物：由選自由不飽和羧 酸及不飽和羧酸酐所組成的組群的至少一種形成的構(gòu)成單元、以及由含有環(huán)氧基的不飽和 化合物形成的構(gòu)成單元。
[0096] [A]聚合物例如可以通過(guò)以下方式制造：在溶劑中在聚合起始劑的存在下，將提 供含有羧基的構(gòu)成單元的（Al)化合物、與提供含有環(huán)氧基的構(gòu)成單元的（A2)化合物進(jìn)行 共聚合。另外，在將本實(shí)施形態(tài)的感放射線性樹(shù)脂組合物設(shè)為正型時(shí)，也可以進(jìn)一步添加 (A3)提供含有羥基的構(gòu)成單元的含有羥基的不飽和化合物（以下也稱為"(A3)化合物"）， 而制成共聚物。而且，在[A]聚合物的制造中，也可以與所述（Al)化合物、（A2)化合物及 (A3)化合物一起進(jìn)一步添加（A4)化合物（提供源自所述（Al)化合物、（A2)化合物及（A3) 化合物的構(gòu)成單元以外的構(gòu)成單元的不飽和化合物），而制成共聚物。以下，對(duì)各化合物進(jìn) 行詳細(xì)敘述。
[0097] [ (Al)化合物]
[0098] (Al)化合物可以列舉：不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和二羧酸的酐、多元羧 酸的單[(甲基）丙烯酰氧基烷基]酯等。
[0099] 不飽和單羧酸例如可以列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸等。
[0100] 不飽和二羧酸例如可以列舉：順丁烯二酸、反丁烯二酸、檸康酸、中康酸、衣康酸 等。
[0101] 不飽和二羧酸的酐例如可以列舉：作為所述二羧酸而例示的化合物的酐等。
[0102] 多元羧酸的單[(甲基）丙烯酰氧基烷基]酯例如可以列舉：琥珀酸單[2_(甲基） 丙烯酰氧基乙基]酯、鄰苯二甲酸單[2_(甲基）丙烯酰氧基乙基]酯等。
[0103] 所述（Al)化合物中，優(yōu)選丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸酐，從共聚合反應(yīng)性、 對(duì)堿性水溶液的溶解性及獲得的容易性來(lái)看，更優(yōu)選丙烯酸、甲基丙烯酸、順丁烯二酸酐。
[0104] 所述（Al)化合物可以單獨(dú)使用，也可以混合兩種以上而使用。
[0105] 根據(jù)（Al)化合物以及（A2)化合物（根據(jù)需要的任意的（A3)化合物及（A4)化合 物）的合計(jì)，（Al)化合物的使用比例優(yōu)選為5質(zhì)量％~30質(zhì)量％，更優(yōu)選為10質(zhì)量％~ 25質(zhì)量％。通過(guò)將（Al)化合物的使用比例設(shè)為5質(zhì)量％~30質(zhì)量％，而可以獲得使[A] 堿可溶性樹(shù)脂對(duì)堿性水溶液的溶解性最佳化，并且放射線性感度優(yōu)異的絕緣膜。
[0106] [(A2)化合物]
[0107] (A2)化合物是具有自由基聚合性的含有環(huán)氧基的不飽和化合物。環(huán)氧基可以列 舉：氧雜環(huán)丙基（1，2-環(huán)氧結(jié)構(gòu)）或氧雜環(huán)丁基（1，3-環(huán)氧結(jié)構(gòu)）等。
[0108] 具有氧雜環(huán)丙基的不飽和化合物例如可以列舉：丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸 縮水甘油酯、甲基丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、丙烯酸3, 4-環(huán)氧丁酯、甲基丙烯酸3, 4-環(huán)氧 丁酯、丙烯酸6, 7-環(huán)氧庚酯、甲基丙烯酸6, 7-環(huán)氧庚酯、α -乙基丙烯酸-6, 7-環(huán)氧庚酯、 鄰乙烯基芐基縮水甘油醚、間乙烯基芐基縮水甘油醚、對(duì)乙烯基芐基縮水甘油醚、甲基丙烯 酸3, 4-環(huán)氧環(huán)己基甲酯、甲基丙烯酸3, 4-環(huán)氧環(huán)己酯、丙烯酸3, 4-環(huán)氧環(huán)己酯等。所述 中，從共聚合反應(yīng)性及絕緣膜等的耐溶劑性等提高的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選甲基丙烯酸縮水甘油 酯、甲基丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、甲基丙烯酸-6, 7-環(huán)氧庚酯、鄰乙烯基芐基縮水甘油 醚、間乙烯基芐基縮水甘油醚、對(duì)乙烯基芐基縮水甘油醚、甲基丙烯酸3, 4-環(huán)氧環(huán)己酯、丙 烯酸3, 4-環(huán)氧環(huán)己酯等。
[0109] 具有氧雜環(huán)丁基的不飽和化合物例如可以列舉：