顯示面板和應(yīng)用其顯示面板的顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示面板和應(yīng)用其顯示面板的顯示裝置，且特別是涉及一種具有多層導(dǎo)線于基板上的顯示面板和應(yīng)用其的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著大尺寸平面顯示器市場(chǎng)的快速發(fā)展，其薄膜晶體管基板的相關(guān)制作工藝的改良也快速進(jìn)行。其中，由于銅制作工藝具有低電阻率(約為鋁的60%)，其較小的截面積使得金屬線間的寄生電容降低而能夠降低串音(crosstalk)，且銅具有高抗電、高抗熱致遷性而令其在較小的截面積仍能具有相對(duì)高的可靠性，因此，銅制作工藝進(jìn)而逐漸取代鋁制作工藝而漸漸成為市場(chǎng)主流。
[0003]然而，銅仍具有與基板附著不易而易脫落的問(wèn)題需要克服。因此，如何提供一種具有良好顯示品質(zhì)的顯示器并克服相關(guān)的制作工藝的困難與問(wèn)題，為相關(guān)業(yè)者努力的課題之
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【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于一種顯示面板和應(yīng)用其顯示面板的顯示裝置。實(shí)施例的顯示面板中，其基板中的第二導(dǎo)電層設(shè)置于第一導(dǎo)電層上并于其兩側(cè)顯露出部分第一導(dǎo)電層，且第二導(dǎo)電層兩側(cè)和第一導(dǎo)電層的兩側(cè)之間分別具有兩個(gè)間距，此兩個(gè)間距的其中之一者大于另一者，因此可以避免因過(guò)蝕造成的兩個(gè)導(dǎo)電層的斷線或損傷，進(jìn)而可以減少阻抗不匹配的問(wèn)題的產(chǎn)生。
[0005]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種顯示面板。顯示面板包含一第一基板、一第二基板以及一顯不介質(zhì)，顯不介質(zhì)設(shè)置于第一基板和第二基板之間。第一基板包含一第一導(dǎo)電層及一第二導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層具有一第一線寬，第二導(dǎo)電層設(shè)置于第一導(dǎo)電層上，第二導(dǎo)電層具有一第二線寬且第二線寬小于第一線寬并于第二導(dǎo)電層兩側(cè)顯露出部分第一導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電層的一第一側(cè)邊和與其同側(cè)的第一導(dǎo)電層的一第二側(cè)邊具有一第一間距，第二導(dǎo)電層的相對(duì)于第一側(cè)邊的一第三側(cè)邊和與其同側(cè)的第一導(dǎo)電層的一第四側(cè)邊具有一第二間距，其中第一間距大于第二間距。
[0006]本發(fā)明還提出一種顯示裝置。顯示裝置包含一顯示面板以及一驅(qū)動(dòng)電路，且驅(qū)動(dòng)電路電連接顯示面板。顯示面板包含一第一基板、一第二基板以及一顯示介質(zhì)，顯示介質(zhì)設(shè)置于第一基板和第二基板之間。第一基板包含一第一導(dǎo)電層及一第二導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層具有一第一線寬，第二導(dǎo)電層設(shè)置于第一導(dǎo)電層上，第二導(dǎo)電層具有一第二線寬且第二線寬小于第一線寬并于第二導(dǎo)電層兩側(cè)顯露出部分第一導(dǎo)電層。第二導(dǎo)電層的一第一側(cè)邊和與其同側(cè)的第一導(dǎo)電層的一第二側(cè)邊具有一第一間距，第二導(dǎo)電層的相對(duì)于第一側(cè)邊的一第三側(cè)邊和與其同側(cè)的第一導(dǎo)電層的一第四側(cè)邊具有一第二間距，其中第一間距大于第二間距。
[0007]為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附的附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下:
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1A為本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的示意圖；
[0009]圖1B為本發(fā)明一實(shí)施例的第一基板的俯視圖；
[0010]圖2A為本發(fā)明一實(shí)施例的第一基板局部區(qū)域放大的俯視圖；
[0011]圖2B為沿剖面線2B-2B’的剖視圖；
[0012]圖3A?圖3B為具有不同形狀的導(dǎo)電層的蝕刻前后的示意圖；
[0013]圖4A為本發(fā)明另一實(shí)施例的一基板局部放大的俯視圖；
[0014]圖4B為沿剖面線4B-4B’的剖視圖；
[0015]圖5A?圖5B為本發(fā)明的實(shí)施例的導(dǎo)電層對(duì)位偏移的示意圖；
[0016]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例的一種顯示裝置的方塊圖。
[0017]符號(hào)說(shuō)明
[0018]1:顯示裝置
[0019]10:顯示面板
[0020]100:第一基板
[0021]101:顯示區(qū)
[0022]102:顯示驅(qū)動(dòng)電路區(qū)
[0023]100’:基板
[0024]110:第一導(dǎo)電層
[0025]110E、120E:延伸部
[0026]110s、120s:底面
[0027]120:第二導(dǎo)電層
[0028]120E:延伸部
[0029]130:介電層
[0030]20:驅(qū)動(dòng)電路
[0031]200:顯示介質(zhì)
[0032]300:第二基板
[0033]410、410，、610、610，:導(dǎo)電層
[0034]2B-2B，、4B_4B，:剖面線
[0035]A1、A2、A3:重疊部分
[0036]B、B1、B2:彎折部分
[0037]Dl:第一間距
[0038]D2:第二間距
[0039]P:外凸區(qū)域
[0040]R、R1、R1，、R2、R2，:內(nèi)凹區(qū)域
[0041]S1:第一側(cè)邊
[0042]S2:第二側(cè)邊
[0043]S3:第三側(cè)邊
[0044]S4:第四側(cè)邊
[0045]Wl:第一線寬
[0046]W2:第二線寬
[0047]Θ 1:第一角度
[0048]Θ 2:第二角度
[0049]Θ 3:第三角度
[0050]Θ 4:第四角度
【具體實(shí)施方式】
[0051]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，顯示面板中，其基板上的第二導(dǎo)電層設(shè)置于第一導(dǎo)電層上并于其兩側(cè)顯露出部分第一導(dǎo)電層，且第二導(dǎo)電層兩側(cè)和第一導(dǎo)電層的兩側(cè)之間分別具有一個(gè)間距，此兩個(gè)間距的其中之一者大于另一者，因此可以避免因過(guò)蝕造成的兩個(gè)導(dǎo)電層的斷線或損傷，進(jìn)而可以減少阻抗不匹配的問(wèn)題的產(chǎn)生。以下參照所附的附圖詳細(xì)敘述本發(fā)明的實(shí)施例。附圖中相同的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或類似的部分。需注意的是，附圖已簡(jiǎn)化以利清楚說(shuō)明實(shí)施例的內(nèi)容，實(shí)施例所提出的細(xì)部結(jié)構(gòu)僅為舉例說(shuō)明之用，并非對(duì)本發(fā)明欲保護(hù)的范圍做限縮。具有通常知識(shí)者當(dāng)可依據(jù)實(shí)際實(shí)施態(tài)樣的需要對(duì)該些結(jié)構(gòu)加以修飾或變化。
[0052]圖1A繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板10，圖1B繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的第一基板100的俯視圖，圖2A繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的第一基板局部區(qū)域放大的俯視圖，圖2B繪示沿剖面線2B-2B’的剖視圖。
[0053]如圖1A所示，顯示面板10包括第一基板100、顯示介質(zhì)200以及第二基板300。顯TK介質(zhì)200設(shè)置于第一基板100和第二基板300之間。實(shí)施例中，顯TK介質(zhì)200例如是一液晶層或一發(fā)光元件，例如是有機(jī)發(fā)光二極管。如此一來(lái)，顯示面板10例如是液晶顯示面板或有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。如圖1B所示，第一基板100包括顯示區(qū)101與環(huán)繞顯示區(qū)101的顯示驅(qū)動(dòng)電路區(qū)102。
[0054]如圖2A?圖2B所示，第一基板100包含一第一導(dǎo)電層110及一第二導(dǎo)電層120，第二導(dǎo)電層120設(shè)置于第一導(dǎo)電層110上。第一導(dǎo)電層110具有一第一線寬W1，第二導(dǎo)電層120具有一第二線寬W2，第二線寬W2小于第一線寬Wl并于第二導(dǎo)電層120兩側(cè)顯露出部分第一導(dǎo)電層110。第二導(dǎo)電層120的一第一側(cè)邊SI和與其同側(cè)的第一導(dǎo)電層110的一第二側(cè)邊S2具有一第一間距Dl，第二導(dǎo)電層120的相對(duì)于第一側(cè)邊SI的一第三側(cè)邊S3和與其同側(cè)的第一導(dǎo)電層110的一第四側(cè)邊S4具有一第二間距D2，其中第一間距Dl大于第二間距D2。
[0055]如圖2B所示，本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層110與第二導(dǎo)電層120接觸疊置以形成具復(fù)合層的一導(dǎo)電線路。一實(shí)施例中，此導(dǎo)電線路例如是薄膜晶體管基板上的數(shù)據(jù)線(dataline)或掃描線(scan line)。在實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層110與第二導(dǎo)電層120例如是位于顯示驅(qū)動(dòng)電路區(qū)102的柵極驅(qū)動(dòng)電路中或是數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路中。在另一實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層110與第二導(dǎo)電層120例如是位于顯示區(qū)101中。
[0056]如圖2A所7K,第一導(dǎo)電層110與第二導(dǎo)電層120接觸疊置而成的導(dǎo)電線路具有一彎折部分(bending port1n)B,其中第一間距Dl位于導(dǎo)電線路的彎折部分B的內(nèi)凹區(qū)域(recess reg1n)R,第二間距D2位于彎折部分B的外凸區(qū)域(protruding reg1n)P。
[0057]實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層110的材質(zhì)和第二導(dǎo)電層120的材質(zhì)獨(dú)立地包括銅、鈦等金屬層或其復(fù)合導(dǎo)電金屬層。本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層110的材質(zhì)例如是鈦，第二導(dǎo)電層120的材質(zhì)例如是銅。
[0058]圖3A和圖3B分別繪示具有不同形狀的導(dǎo)電層的蝕刻前后的示意圖。導(dǎo)電層410經(jīng)過(guò)過(guò)度蝕刻后形成導(dǎo)電層410’，而導(dǎo)電層610經(jīng)過(guò)過(guò)度蝕刻后形成導(dǎo)電層610’。如圖3A所示，現(xiàn)有導(dǎo)電層610的制作中，在光掩模設(shè)計(jì)時(shí)即以預(yù)定形成的導(dǎo)電層圖案來(lái)設(shè)計(jì)，然在蝕刻過(guò)程中，因?yàn)槲g刻液容易累積在彎折部分B2的內(nèi)凹區(qū)域R2中，當(dāng)其他線路圖案部分(例如直線的線寬)要達(dá)到完全蝕刻以形成具有預(yù)定圖案的導(dǎo)電層，此時(shí)累積在內(nèi)凹區(qū)域R2中的蝕刻液容易造成導(dǎo)電層610的彎折部分B2的過(guò)蝕，而過(guò)蝕就容易發(fā)生導(dǎo)電層610的斷線或損傷，形成導(dǎo)電層610’及損傷的內(nèi)凹區(qū)域R2’，進(jìn)而容易產(chǎn)生阻抗不匹配的問(wèn)題。相對(duì)地，如圖3B所示，在本實(shí)施例中，在光掩模設(shè)計(jì)時(shí)即設(shè)計(jì)讓導(dǎo)電層410在彎折部分BI的內(nèi)凹區(qū)域Rl具有較大面積，因此即使累積在內(nèi)凹區(qū)域Rl中的蝕刻液造成導(dǎo)電層410的彎折部分BI的過(guò)蝕，但由于本實(shí)施例中在彎折部分BI的內(nèi)凹區(qū)域Rl具有較大面積，因此可避免上述過(guò)蝕的問(wèn)題，而形成導(dǎo)電層410’及具有貼近預(yù)定圖案的內(nèi)凹區(qū)域R1’。
[0059]據(jù)此，如前述圖2A和圖2B所示的由第一導(dǎo)電層110 (例如為鈦)與第二導(dǎo)電層120(例如為銅)接觸疊置以形成具復(fù)合層的一導(dǎo)電線路，由于第一導(dǎo)電層110與第二導(dǎo)電層120為不同金屬材質(zhì)，在蝕刻形成預(yù)定圖案的過(guò)程中，會(huì)因?yàn)槲g刻液對(duì)不同金屬的蝕刻速率不同(例如第一導(dǎo)電層蝕刻速率大于第二導(dǎo)電層蝕刻速率)而形成如圖2A和圖2B所示的第二線寬W2小于第一線寬Wl并于第二導(dǎo)電層120兩側(cè)顯露出部分第一導(dǎo)電層110的結(jié)構(gòu)。另外根據(jù)前述圖3A和圖3B所述，蝕刻液會(huì)容易累積在彎折部分B的內(nèi)凹區(qū)域R中，因此在圖2A和圖2B中內(nèi)凹區(qū)域R處的第一導(dǎo)電層110相較于外凸區(qū)域P處的第一導(dǎo)電層110更容易被過(guò)蝕刻，使得位于彎折部分B的內(nèi)凹區(qū)域R的第一間距Dl大于外凸區(qū)域P的第二間距D2，且使得第一導(dǎo)電層位于彎折部分B的內(nèi)凹區(qū)域R的側(cè)邊與底面的夾角Θ I大于外凸區(qū)域P的側(cè)邊與底面的夾角Θ 2，第二導(dǎo)電層位于彎折部分B的內(nèi)凹區(qū)域R的側(cè)邊與底面的夾角Θ 3大于外凸區(qū)域P的側(cè)邊與底面的夾角Θ4。
[0060]實(shí)施例中，第一間距Dl例如是第二間距D2的1.1?3倍。
[0061]舉例而言，一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層120的第二線寬W2例如是4.34微米(μ m)，第一間距Dl例如是0.68微米，第二間距D2例如是0.39微米，則第一間距Dl是第二間距D2的1.74倍；另一實(shí)施例中，第二導(dǎo)電層120的第二線寬W2例如是8.89微米，第一間距Dl例如是1.25微米，第二間距D2例如是0.87微米，則第一間距Dl是第二間距D2的1.44倍。
[0062]實(shí)施例中，第一間距Dl例如是第二導(dǎo)電層120的第二線寬W2的約10?20%，例如是10%，比方說(shuō)可以是9.95?11.07%;第二間距