顯示面板及薄膜晶體管陣列基板的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示面板及薄膜晶體管陣列基板。
【【背景技術(shù)】】
[0002]傳統(tǒng)的顯不面板(例如，LTPS-LCD(LowTemperature Poly-Silicon LiquidCrystal Display，低溫多晶娃液晶顯示面板))一般采用M3 (觸控感應(yīng)線層)走線來(lái)作為扇出區(qū)的走線，在所述顯示面板的制作過(guò)程中，由于平坦化層較厚，因此在所述平坦化層挖槽區(qū)域經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)曝光后殘留的光阻，這會(huì)導(dǎo)致M3層中的部分金屬殘留，如圖1和圖2所示，而殘留的金屬極易會(huì)導(dǎo)致扇出區(qū)中的M3走線短路，這會(huì)影響所述顯示面板的觸控感應(yīng)效果。
[0003]故，有必要提出一種新的技術(shù)方案，以解決上述技術(shù)問(wèn)題。
【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板及薄膜晶體管陣列基板，其能避免挖槽區(qū)域的邊界出現(xiàn)金屬殘留，防止因金屬殘留而導(dǎo)致線路短路。
[0005]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0006]—種顯示面板，所述顯示面板包括:一彩色濾光片基板；一液晶層；以及一薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括:一像素區(qū)；以及一扇出區(qū)，所述扇出區(qū)處具有凹槽；其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括:一基板；一擋光層，所述擋光層設(shè)置在所述基板上；一緩沖層，所述緩沖層設(shè)置在所述基板和所述擋光層上；一多晶硅層，所述多晶硅層設(shè)置在所述緩沖層上；一第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述緩沖層和所述多晶硅層上；一掃描線層，所述掃描線層設(shè)置在所述第一絕緣層上；一第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置在所述第一絕緣層和所述掃描線層上；一數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層設(shè)置在所述第二絕緣層上，并且所述數(shù)據(jù)線層通過(guò)第一通孔與所述多晶硅層連接；一第三絕緣層，所述第三絕緣層設(shè)置在所述第二絕緣層和所述數(shù)據(jù)線層上；一公共線層，所述公共線層設(shè)置在所述第三絕緣層上；一觸控感應(yīng)線層；一第四絕緣層，所述第四絕緣層設(shè)置在所述觸控感應(yīng)線層上；以及一像素電極層，所述像素電極層設(shè)置在所述第四絕緣層上。
[0007]在上述顯示面板中，所述扇出區(qū)包括:一第一子區(qū)域；以及一第二子區(qū)域；其中，所述凹槽設(shè)置于所述第三絕緣層處，并且所述凹槽位于所述第二子區(qū)域中。
[0008]在上述顯示面板中，所述觸控感應(yīng)線層中位于所述第二子區(qū)域中的部分通過(guò)所述數(shù)據(jù)線層和所述掃描線層從所述凹槽底部繞開(kāi)所述凹槽。
[0009]在上述顯示面板中，所述掃描線層包括:一第一信號(hào)線陣列，所述第一信號(hào)線陣列設(shè)置于所述第一子區(qū)域和所述第二子區(qū)域，位于所述第二子區(qū)域中的所述第一信號(hào)線陣列處于所述凹槽在第一方向上的下方；所述數(shù)據(jù)線層包括:一第二信號(hào)線陣列，所述第二信號(hào)線陣列設(shè)置于所述第一子區(qū)域，并且所述第二信號(hào)線陣列通過(guò)第二通孔與所述第一信號(hào)線陣列連接，所述第二通孔位于所述第一子區(qū)域，其中，所述第二通孔設(shè)置于所述第二絕緣層中；所述觸控感應(yīng)線層包括:一第三信號(hào)線陣列，所述第三信號(hào)線陣列設(shè)置于所述第一子區(qū)域，所述第三信號(hào)線陣列通過(guò)第三通孔與所述第二信號(hào)線陣列連接，所述第三通孔位于所述第一子區(qū)域，其中，所述第三通孔設(shè)置于所述第三絕緣層中；其中，所述第一方向?yàn)榇怪庇谒龌逅诘钠矫娌乃龌逯赶蛩鱿袼仉姌O層的方向。
[0010]在上述顯示面板中，所述第一信號(hào)線陣列包括:至少一第一子信號(hào)線；以及至少一第二子信號(hào)線；所述數(shù)據(jù)線層還包括:一第四信號(hào)線陣列，所述第四信號(hào)線陣列設(shè)置于所述第二子區(qū)域，所述第四信號(hào)線陣列通過(guò)第四通孔與所述第二子信號(hào)線連接；其中，所述第四通孔位于所述第二子區(qū)域，所述第四通孔設(shè)置于所述第二絕緣層中。
[0011]—種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括:一像素區(qū)；以及一扇出區(qū)，所述扇出區(qū)處具有凹槽；其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括:一基板；一擋光層，所述擋光層設(shè)置在所述基板上；一緩沖層，所述緩沖層設(shè)置在所述基板和所述擋光層上；一多晶硅層，所述多晶硅層設(shè)置在所述緩沖層上；一第一絕緣層，所述第一絕緣層設(shè)置在所述緩沖層和所述多晶硅層上；一掃描線層，所述掃描線層設(shè)置在所述第一絕緣層上；一第二絕緣層，所述第二絕緣層設(shè)置在所述第一絕緣層和所述掃描線層上；一數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層設(shè)置在所述第二絕緣層上，并且所述數(shù)據(jù)線層通過(guò)第一通孔與所述多晶硅層連接；一第三絕緣層，所述第三絕緣層設(shè)置在所述第二絕緣層和所述數(shù)據(jù)線層上；一公共線層，所述公共線層設(shè)置在所述第三絕緣層上；一觸控感應(yīng)線層；一第四絕緣層，所述第四絕緣層設(shè)置在所述觸控感應(yīng)線層上；以及一像素電極層，所述像素電極層設(shè)置在所述第四絕緣層上。
[0012]在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述扇出區(qū)包括:一第一子區(qū)域；以及一第二子區(qū)域；其中，所述凹槽設(shè)置于所述第三絕緣層處，并且所述凹槽位于所述第二子區(qū)域中。
[0013]在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述觸控感應(yīng)線層中位于所述第二子區(qū)域中的部分通過(guò)所述數(shù)據(jù)線層和所述掃描線層從所述凹槽底部繞開(kāi)所述凹槽。
[0014]在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述掃描線層包括:一第一信號(hào)線陣列，所述第一信號(hào)線陣列設(shè)置于所述第一子區(qū)域和所述第二子區(qū)域，位于所述第二子區(qū)域中的所述第一信號(hào)線陣列處于所述凹槽在第一方向上的下方；所述數(shù)據(jù)線層包括:一第二信號(hào)線陣列，所述第二信號(hào)線陣列設(shè)置于所述第一子區(qū)域，并且所述第二信號(hào)線陣列通過(guò)第二通孔與所述第一信號(hào)線陣列連接，所述第二通孔位于所述第一子區(qū)域，其中，所述第二通孔設(shè)置于所述第二絕緣層中；所述觸控感應(yīng)線層包括:一第三信號(hào)線陣列，所述第三信號(hào)線陣列設(shè)置于所述第一子區(qū)域，所述第三信號(hào)線陣列通過(guò)第三通孔與所述第二信號(hào)線陣列連接，所述第三通孔位于所述第一子區(qū)域，其中，所述第三通孔設(shè)置于所述第三絕緣層中；其中，所述第一方向?yàn)榇怪庇谒龌逅诘钠矫娌乃龌逯赶蛩鱿袼仉姌O層的方向。
[0015]在上述薄膜晶體管陣列基板中，所述第一信號(hào)線陣列包括:至少一第一子信號(hào)線；以及至少一第二子信號(hào)線；所述數(shù)據(jù)線層還包括:一第四信號(hào)線陣列，所述第四信號(hào)線陣列設(shè)置于所述第二子區(qū)域，所述第四信號(hào)線陣列通過(guò)第四通孔與所述第二子信號(hào)線連接；其中，所述第四通孔位于所述第二子區(qū)域，所述第四通孔設(shè)置于所述第二絕緣層中。
[0016]相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明有利于避免所述第三絕緣層中的所述挖槽區(qū)域的邊界由于沉積所述觸控感應(yīng)線層中的走線而出現(xiàn)金屬殘留，有效地防止了所述扇出區(qū)因金屬殘留引起的線路短路風(fēng)險(xiǎn)。
[0017]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【【附圖說(shuō)明】】
[0018]圖1為傳統(tǒng)的薄膜晶體管陣列基板中的扇出區(qū)的凹槽中出現(xiàn)金屬殘留的示意圖；
[0019]圖2為圖1中的局部放大示意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的顯示區(qū)的截面圖；
[0021]圖4為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的扇出區(qū)的俯視圖；
[0022]圖5為圖4中A-A’截面的示意圖；
[0023]圖6為圖4中B-B’截面的示意圖。
【【具體實(shí)施方式】】
[0024]本說(shuō)明書(shū)所使用的詞語(yǔ)“實(shí)施例”意指實(shí)例、示例或例證。此外，本說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求中所使用的冠詞“一”一般地可以被解釋為“一個(gè)或多個(gè)”，除非另外指定或從上下文可以清楚確定單數(shù)形式。
[0025]本發(fā)明的顯不面板可以是TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，薄膜晶體管液晶顯示面板)等。
[0026]本發(fā)明的顯示面板包括:彩色濾光片基板、液晶層和薄膜晶體管陣列基板。所述彩色濾光片基板和所述薄膜晶體管陣列基板疊加組合為一體，所述液晶層設(shè)置于所述彩色濾光片基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間。
[0027]參考圖3，圖3為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的顯示區(qū)的截面圖。所述薄膜晶體管陣列基板包括像素區(qū)和扇出區(qū)，所述扇出區(qū)處具有凹槽。具體地，所述扇出區(qū)中的第三絕緣層(平坦化層)309中設(shè)置有凹槽。
[0028]在本實(shí)施例中，所述薄膜晶體管陣列基板包括基板301、擋光層302、緩沖層303、多晶硅層304、第一絕緣層305、掃描線層306、第二絕緣層307、數(shù)據(jù)線層308、第三絕緣層309、公共線層310、觸控感應(yīng)線層312、第四絕緣層313和像素電極層314。
[0029]其中，所述擋光層302設(shè)置在所述基板301上。所述緩沖層303設(shè)置在所述基板301和所述擋光層302上。所述多晶硅層304設(shè)置在所述緩沖層303上。所述第一絕緣層305設(shè)置在所述緩沖層303和所述多晶硅層304上。所述掃描線層306設(shè)置在所述第一絕緣層305上。所述第二絕緣層307設(shè)置在所述第一絕緣層305和所述掃描線層306上。所述數(shù)據(jù)線層308設(shè)置在所述第二絕緣層307上，并且所述數(shù)據(jù)線層308通過(guò)第一通孔315與所述多晶硅層304連接。所述第三絕緣層309設(shè)置在所述第二絕緣層307和所述數(shù)據(jù)線層308上。所述公共線層310設(shè)置在所述第三絕緣層309上。第五絕緣層311設(shè)置在所述公共線層310上。所述觸控感應(yīng)線層312設(shè)置在所述第五絕緣層311上。所述第四絕緣層313設(shè)置在所述觸控感應(yīng)線層312上。所述像素電極層314設(shè)置在所述第四絕緣層313上。
[0030]參考圖4、圖5和圖6，圖4為本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的扇出區(qū)的俯視圖，圖5為圖4中A-A’截面的示意圖，圖6為圖4中B-B’截面的示意圖。
[0031]在本實(shí)施例中，所述扇出區(qū)包括第一子區(qū)域401和第二子區(qū)域402。
[0032]其中，所述凹槽設(shè)置于所述第三絕緣層309處，并且所述凹槽位于所述第二子區(qū)域402中，所述凹槽的邊界403位于所述第一子區(qū)域401和所述第二子區(qū)域402交界處。
[0033]在本實(shí)施例中，所述觸控感應(yīng)線層312中位于所述第二子區(qū)域402中的部分通過(guò)所述數(shù)據(jù)線層308和所述掃描線層306從所述凹槽底部繞開(kāi)所述