用于制作發(fā)光二極管的光刻曝光方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及發(fā)光二極管的制作，更具體地，涉及一種用于制作發(fā)光二極管的光刻曝光方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light?Emitting D1de，簡稱LED)是一種將電能轉(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體電子器件。這種電子元件早在1962年出現(xiàn)，早期只能發(fā)出低光度的紅光，之后發(fā)展出其他單色光的版本，時至今日能發(fā)出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，光度也提高到相當(dāng)?shù)墓舛?。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，用途也由初時作為指示燈、顯示板等發(fā)展為被廣泛地應(yīng)用于顯示器、電視機(jī)采光裝飾和照明。
[0003]目前LED光刻的制作工序主要有勻膠、軟烤、曝光、硬烤、顯影等五步。光刻膠又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和曝光原理，光刻膠可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。LED電極的制作過程中一般使用負(fù)性膠做光刻，將光刻膠涂布在外延片上，制作工序包括:1)負(fù)膠做光刻；2)真空蒸鍍金屬；3)剝離去膠。
[0004]現(xiàn)有光刻曝光方法一般采用一次性曝光，如圖1所示，負(fù)膠光刻后的圖形底部形貌會明顯往里面凹進(jìn)去。這首先會導(dǎo)致剝離去膠時會殘留有一定比例的膠絲；其次蒸鍍出來的梯形狀電極底部比頂部寬很多，這會降低LED亮度。
[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供一種新的用于制作發(fā)光二極管的光刻曝光方法以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本申請的用于制作發(fā)光二極管的光刻曝光方法包括:勻膠；軟烤；以及依據(jù)總曝光能量確定分步曝光的曝光能量、曝光時間和曝光光強(qiáng)，用以進(jìn)行所述分步曝光；其中，
總曝光能量為E，每次曝光的所述曝光能量為E1、E2........En-U En, E = E1+E2+…
+En-1+En，每次曝光的所述曝光時間為Tl、T2、......、Tn-1、Tn，每次曝光的所述曝光光強(qiáng)為Ql、Q2.......Qn-UQn, η為大于或等于2的正整數(shù)。
[0007]優(yōu)選地，每次曝光的所述曝光能量等于其對應(yīng)的所述曝光光強(qiáng)與所述曝光時間的乘積。
[0008]優(yōu)選地，每次曝光的所述曝光時間相等。
[0009]優(yōu)選地，每次曝光的所述曝光光強(qiáng)相等。
[0010]優(yōu)選地，每次曝光的所述曝光時間不相等。
[0011]優(yōu)選地，每次曝光的所述曝光光強(qiáng)不相等。
[0012]優(yōu)選地，相鄰的兩次曝光之間的時間間隔為3?5秒。
[0013]優(yōu)選地，所述勻膠的步驟包括:涂覆一層光刻膠，其中所述光刻膠的厚度為2.7um ?3.1um0
[0014]優(yōu)選地，所述軟烤的步驟包括:利用熱板進(jìn)行所述軟烤。
[0015]優(yōu)選地，軟烤溫度為100°C?105°C，軟烤時間90秒?120秒。
[0016]本發(fā)明提出的光刻曝光方法與現(xiàn)有的光刻曝光方法相比，具有以下優(yōu)點:
[0017]I)解決剝離去膠膠絲殘留的問題。
[0018]通過將曝光能量E分成η個步驟進(jìn)行曝光，每次曝光后間隔3—5秒再進(jìn)行下一次曝光，使得光刻后的圖形形貌底部不會往里面凹進(jìn)去，真空蒸鍍金屬電極后，剝離去膠不會有膠絲殘留。
[0019]2)提高LED的亮度。
[0020]采用分步曝光方法的光刻圖形形貌平滑，真空蒸鍍出來的梯形電極形狀底面寬度和頂部寬度接近，LED的發(fā)給效率比傳統(tǒng)一次性曝光方法高3%以上。
[0021]當(dāng)然，實施本申請的任一產(chǎn)品必不一定需要同時達(dá)到以上所述的所有技術(shù)效果。
【附圖說明】
[0022]此處所說明的附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0023]圖1為利用傳統(tǒng)一次性光刻曝光方法所曝光后的光刻圖形底部形貌的示意圖；
[0024]圖2為本申請一實施例的用于制作發(fā)光二極管的光刻曝光方法的流程示意圖；
[0025]圖3為利用本發(fā)明光刻曝光方法所曝光后的光刻圖形底部形貌的示意圖；
[0026]圖4為依據(jù)傳統(tǒng)一次性曝光方法所光刻的圖形的掃描電鏡圖；
[0027]圖5為依據(jù)本發(fā)明光刻曝光方法所光刻的圖形的掃描電鏡圖；
[0028]圖6為依據(jù)傳統(tǒng)一次性曝光方法所蒸鍍電極后的掃描電鏡圖；
[0029]圖7為依據(jù)本發(fā)明光刻曝光方法所蒸鍍電極后的掃描電鏡圖。
【具體實施方式】
[0030]如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同名詞來稱呼同一個組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”?！按笾隆笔侵冈诳山邮盏恼`差范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所述技術(shù)問題，基本達(dá)到所述技術(shù)效果。說明書后續(xù)描述為實施本申請的較佳實施方式，然所述描述乃以說明本申請的一般原則為目的，并非用以限定本申請的范圍。本申請的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
[0031]圖2為本申請一實施例的用于制作發(fā)光二極管的光刻曝光方法的流程示意圖。如圖2所示，包括以下步驟:
[0032]步驟201，勻膠，在Wafer表面涂覆一層光刻膠。
[0033]在本發(fā)明的一實施例中，控制光刻膠厚度在2.7um?3.lum。
[0034]步驟202，軟烤。
[0035]在本發(fā)明的一實施例中，采用熱板軟烤，其中軟烤溫度為100°C?105 °C，軟烤時間90秒?120秒。
[0036]步驟203，分步曝光。
[0037]在本發(fā)明中，將傳統(tǒng)的一次性曝光分為分步曝光，依據(jù)總曝光能量確定分步曝光的曝光能量、曝光時間和曝光光強(qiáng)，從而使光與光刻膠中的化學(xué)成分發(fā)生充分反應(yīng)。
[0038]在本發(fā)明中，將傳統(tǒng)的一次性曝光分為η次曝光，其中η為大于等于2的正整數(shù)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可依據(jù)設(shè)計需求選擇不同的曝光次數(shù)。假設(shè)一次性曝光的總曝光能量為Ε，則分布曝光中的每次曝光的曝光能量為Ε1、Ε2........En-U En, E = Ε1+Ε2+…
+En-1+En，每次曝光的曝光時間為Tl、Τ2........Tn-1、Τη，每次曝光的曝光光強(qiáng)為Ql、
Q2.......Qn-l、Qn。每次曝光的曝光能量等于其對應(yīng)的曝光光強(qiáng)與曝光時間的乘積，即El
=Q1*T1、E2 = Q2*T2......、En-1 = Qn_l*Tn_l、En = Qn*Tn。
[0039]在本發(fā)明的一實施例中，每次曝光的曝光時間相等，即Tl = T2 =......=
Tn-1 = Τη，而曝光光強(qiáng)不同。本領(lǐng)域技術(shù)人員可依據(jù)需求設(shè)計不同的曝光光強(qiáng)，例如Q1〈