通過(guò)調(diào)整曝光強(qiáng)度減少極不平衡的方法和系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及通過(guò)調(diào)整曝光強(qiáng)度減少極不平衡的方法和系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[000引半導(dǎo)體集成電路（1C)工業(yè)經(jīng)歷了快速發(fā)展。在1C演變過(guò)程中，功能密度（即，每 巧片面積中互連器件的數(shù)量）通常都在增加，而幾何尺寸（即，可使用制造工藝生成的最小 組件（或線））已經(jīng)減小。該種按比例縮小工藝通常通過(guò)增加產(chǎn)量效率和降低相關(guān)成本來(lái) 提供益處。該種按比例縮小也增加了用于1C的制造和檢驗(yàn)工藝的復(fù)雜度，并且，為了完全 實(shí)現(xiàn)改進(jìn)，需要1C制造的發(fā)展。
[0003] 僅僅作為一個(gè)實(shí)例，光刻中的進(jìn)步對(duì)于減小器件尺寸尤為重要。通常，光刻是將圖 案從掩模轉(zhuǎn)印到諸如半導(dǎo)體襯底的工件上。在光刻中，用W轉(zhuǎn)印圖案的福射引起在工件上 形成的感光材料的受影響區(qū)中的變化。在曝光之后，可W選擇性去除感光材料來(lái)顯露圖案。 該工件然后經(jīng)歷加工步驟，加工步驟利用剩余光刻膠的形狀來(lái)在工件上生成部件。
[0004] 在一種類型的光刻中，使用遠(yuǎn)紫外線巧UV)福射（即，具有約1至lOOnm波長(zhǎng)的福 射）W轉(zhuǎn)印圖案。然而，因?yàn)檩^少材料對(duì)于EUV福射而言是可透射的，復(fù)雜的反射光學(xué)器件 系統(tǒng)用于引導(dǎo)并塑形該EUV福射。因此，在許多EUV系統(tǒng)中，含有要被轉(zhuǎn)印至襯底的圖案的 掩模也可W是反射的。EUV光刻帶來(lái)諸多挑戰(zhàn)，很多挑戰(zhàn)源于反射光學(xué)器件的布置。例如， 很多反射掩模并非完全地平面，且掩模上所形成的吸收體的厚度可W遠(yuǎn)大于EUV福射的波 長(zhǎng)。因此，如果入射福射并非完全垂直于反射掩模的表面，則可能出現(xiàn)不期望的陰影和其他 3D效果。對(duì)于該些原因及其他原因，盡管在EUV光刻中進(jìn)步顯著，但進(jìn)一步改進(jìn)有可能實(shí)現(xiàn) 改進(jìn)的解決方案、改進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)W及改進(jìn)的產(chǎn)量。因此，盡管現(xiàn)有的光刻技術(shù)已大體足夠，但 其并未在所有方面證明是完全滿意的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種光刻方法，所述 方法包括；接收掩模和工件；確定照明圖案相對(duì)于所述掩模的定向；根據(jù)所述定向調(diào)整所 述照明圖案的強(qiáng)度分布；根據(jù)所述照明圖案和所述強(qiáng)度分布將所述掩模暴露于福射；W及 利用產(chǎn)生自曝光所述掩模的福射來(lái)曝光所述工件。
[0006] 在上述方法中，其中，所述強(qiáng)度分布包括橫跨所述照明圖案的照明的區(qū)域變化的 強(qiáng)度。
[0007] 在上述方法中，其中，所述強(qiáng)度分布包括橫跨所述照明圖案的照明的區(qū)域變化的 強(qiáng)度；其中，所述強(qiáng)度分布的所述強(qiáng)度橫跨所述照明的區(qū)域線性地變化。
[000引在上述方法中，其中，所述照明圖案包括多個(gè)照明的區(qū)域，并且其中，所述強(qiáng)度分 布包括橫跨所述多個(gè)照明的區(qū)域的至少一個(gè)變化的強(qiáng)度。
[0009] 在上述方法中，其中，所述照明圖案包括多個(gè)照明的區(qū)域，并且其中，所述強(qiáng)度分 布包括橫跨所述多個(gè)照明的區(qū)域的至少一個(gè)變化的強(qiáng)度；其中，所述多個(gè)照明的區(qū)域包括 一對(duì)雙極形狀，并且其中，所述強(qiáng)度沿著與所述雙極形狀的每個(gè)的直徑共同延伸的軸變化。
[0010] 在上述方法中，其中，所述照明圖案包括多個(gè)照明的區(qū)域，并且其中，所述強(qiáng)度分 布包括橫跨所述多個(gè)照明的區(qū)域的至少一個(gè)變化的強(qiáng)度；其中，所述多個(gè)照明的區(qū)域包括 一對(duì)雙極形狀，并且其中，所述強(qiáng)度沿著同與所述雙極形狀的每個(gè)的直徑共同延伸的線不 平行的軸變化。
[0011] 在上述方法中，其中，確定所述照明圖案定向包括選擇所述照明圖案的一個(gè)或多 個(gè)參考點(diǎn)并確定用于所述一個(gè)或多個(gè)參考點(diǎn)的每個(gè)的相對(duì)于所述掩模的表面的入射角。
[0012] 在上述方法中，其中，確定所述照明圖案定向包括選擇所述照明圖案的一個(gè)或多 個(gè)參考點(diǎn)并確定用于所述一個(gè)或多個(gè)參考點(diǎn)的每個(gè)的相對(duì)于所述掩模的表面的入射角；其 中，將所述一個(gè)或多個(gè)參考點(diǎn)的每個(gè)均選擇為在所述照明圖案的照明的區(qū)域的邊界上。
[0013] 在上述方法中，其中，所述確定的定向?yàn)榈谝欢ㄏ虿?duì)應(yīng)于第一曝光位置，所述方 法進(jìn)一步包括：確定所述照明圖案相對(duì)于所述掩模并對(duì)應(yīng)于第二曝光位置的第二定向；W 及根據(jù)對(duì)應(yīng)于所述第二曝光位置的所述第二定向調(diào)整所述強(qiáng)度分布。
[0014] 在上述方法中，其中，所述福射包括遠(yuǎn)紫外線巧UV)福射，其中，所述掩模為反射 型掩模，并且其中，利用所述福射來(lái)曝光所述工件是利用由所述掩模反射的福射。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種方法，包括：確定用于將被投影在光刻掩模 上的照明圖案的多個(gè)參考位置的每個(gè)的入射角；基于所述確定的入射角確定用于所述照明 圖案的強(qiáng)度，其中，確定的強(qiáng)度橫跨所述照明圖案變化；根據(jù)所述照明圖案和所述確定的強(qiáng) 度將福射投影在所述光刻掩模上；W及使用產(chǎn)生自投影在所述光刻掩模上的所述福射的福 射來(lái)曝光工件。
[0016] 在上述方法中，其中，所述強(qiáng)度橫跨所述照明圖案非線性地變化。
[0017] 在上述方法中，其中，所述照明圖案包括多種形狀，并且其中，所述強(qiáng)度橫跨所述 多種形狀的至少一種變化。
[0018] 在上述方法中，其中，所述照明圖案包括多種形狀，并且其中，所述強(qiáng)度橫跨所述 多種形狀的至少一種變化；其中，所述多個(gè)參考位置的每個(gè)均定位在所述多種形狀的形狀 邊界上。
[0019] 在上述方法中，其中，所述照明圖案包括環(huán)形形狀。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種系統(tǒng)，包括；掩模臺(tái)，可操作的W保持掩模； 襯底臺(tái)，可操作的W保持工件；福射源；照明器，可操作的W;將由所述福射源產(chǎn)生的福射 塑形為照明圖案；W及通過(guò)將所述照明圖案內(nèi)的福射塑形提供至所述掩模臺(tái)來(lái)曝光所述掩 模；W及投影光學(xué)模塊，可操作的W將所述福射從所述掩模定向至所述工件W便在所述工 件上形成圖案，其中，所述照明器是進(jìn)一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的所述福射 在所述照明圖案內(nèi)在強(qiáng)度上發(fā)生變化。
[0021] 在上述系統(tǒng)中，其中，所述照明器是進(jìn)一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的 所述福射根據(jù)所述照明圖案相對(duì)于所述掩模的定向在強(qiáng)度上發(fā)生變化。
[0022] 在上述系統(tǒng)中，其中，所述照明器是進(jìn)一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的 所述福射在所述照明圖案的形狀內(nèi)的強(qiáng)度上發(fā)生變化。
[0023] 在上述系統(tǒng)中，其中，所述照明圖案包括一對(duì)雙極形狀，并且所述照明器是進(jìn)一步 可操作的W曝光所述掩模使得提供的所述福射沿著同所述雙極形狀的每個(gè)的直徑共同延 伸的軸在強(qiáng)度上發(fā)生變化。
[0024] 在上述系統(tǒng)中，其中，所述照明器是進(jìn)一步可操作的W曝光所述掩模使得提供的 所述福射根據(jù)曝光位置在強(qiáng)度上發(fā)生變化。
【附圖說(shuō)明】
[0025] 當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，從下面詳細(xì)的描述可W最佳地理解本發(fā)明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)，根 據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒(méi)有被按比例繪制并且僅用于說(shuō)明目的。實(shí)際上，為了清楚 的討論，各種部件的尺寸可W被任意增加或減少。
[0026] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面的光刻系統(tǒng)的框圖。
[0027] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的各方面的反射光掩模的截面圖。
[002引圖3是根據(jù)本發(fā)明的各方面的反射光掩模的部分的截面圖。
[0029] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的各方面的由反射掩模產(chǎn)生的反射強(qiáng)度的曲線。
[0030] 圖5是根據(jù)本發(fā)明的