陣列基板母板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板母板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]TFT-1XD(薄膜晶體管-液晶顯示面板)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無福射以及制作成本相對較低等特點，而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。
[0003]現(xiàn)有的液晶顯示面板主要包括陣列基板、彩膜基板和液晶層，其中，陣列基板上形成有多個薄膜晶體管(TFT)，在制作陣列基板的工藝完成后，通常需要對陣列基板上的薄膜晶體管的特性進行測試，然而，由于陣列基板的薄膜晶體管通常被保護層所覆蓋，給其特性的測試帶來諸多不便，特別是對于ADS模式的液晶顯示面板，在陣列基板工藝完成后，目前暫無有效的方法對顯示區(qū)域內(nèi)TFT的特性進行確認，從而不能準確判斷顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管的特性是否異常，給產(chǎn)品的后續(xù)開發(fā)工作帶來極大的不便，影響開發(fā)效率，并且一旦出現(xiàn)問題也不能第一時間得以解決，無形當中增加了生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一 )要解決的技術問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術問題是:提供一種陣列基板母板及其制作方法，能夠便于對其上的薄膜晶體管的特性進行測試。
[0006]( 二 )技術方案
[0007]為解決上述技術問題，本發(fā)明的技術方案提供了一種陣列基板母板，包括多個顯示區(qū)域以及任意相鄰兩個所述顯示區(qū)域之間的非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域上設置有用于顯示的第一像素單元，所述非顯示區(qū)域上設置有第二像素單元，所述第二像素單元用于測試所述陣列基板母板上的薄膜晶體管特性。
[0008]優(yōu)選地，所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管以及與所述第一薄膜晶體管相連的第一像素電極，所述第一像素電極上覆蓋有絕緣保護層，所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管以及所述第二薄膜晶體管相連的第二像素電極，所述第二像素電極暴露出以便能夠輸入和/或輸出測試信號。
[0009]優(yōu)選地，所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管同時形成，所述第一像素電極與所述第二像素電極同時形成。
[0010]優(yōu)選地，所述第二像素電極位于所述第二薄膜晶體管的漏極的下方或上方。
[0011]優(yōu)選地，所述絕緣保護層上設置有公共電極，所述第一像素電極以及所述第二像素電極均為面狀電極，所述公共電極為梳狀電極。
[0012]為解決上述技術問題，本發(fā)明還提供了一種陣列基板母板的制作方法，包括在襯底基板上的多個顯示區(qū)域上制作用于顯示的第一像素單元，所述方法還包括:在所述襯底基板上任意相鄰兩個所述顯示區(qū)域之間的非顯示區(qū)域上制作第二像素單元，所述第二像素單元用于測試所述陣列基板母板上的薄膜晶體管特性。
[0013]優(yōu)選地，所述第一像素單元包括第一薄膜晶體管以及與所述第一薄膜晶體管相連的第一像素電極，所述第一像素電極上覆蓋有絕緣保護層，所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管以及所述第二薄膜晶體管相連的第二像素電極，所述第二像素電極暴露出以便能夠輸入和/或輸出測試信號。
[0014]優(yōu)選地，所述第一薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管同時形成，所述第一像素電極與所述第二像素電極同時形成。
[0015]優(yōu)選地，所述第二像素電極位于所述第二薄膜晶體管的漏極的下方或上方。
[0016]優(yōu)選地，所述絕緣保護層上設置有公共電極，所述第一像素電極以及所述第二像素電極均為面狀電極，所述公共電極為梳狀電極。
[0017](三)有益效果
[0018]本發(fā)明提供的陣列基板母板，在相鄰兩個顯示區(qū)域之間的非顯示區(qū)域設置第二像素單元，通過第二像素單元可以測試該區(qū)域上的薄膜晶體管特性，從而能夠反映出顯示區(qū)域上的薄膜晶體管特性，有利于及時發(fā)現(xiàn)陣列基板母板上的薄膜晶體管不良，避免后續(xù)出現(xiàn)大量不良品，節(jié)約材料，并且有利于產(chǎn)品的研發(fā)。
【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板母板的示意圖；
[0020]圖2是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板母板上顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域上像素單元的示意圖；
[0021]圖3是本發(fā)明實施方式提供的另一種陣列基板母板上顯示區(qū)域與非顯示區(qū)域上像素單元的示意圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0023]本發(fā)明實施方式提供了一種陣列基板母板，包括多個顯示區(qū)域以及任意相鄰兩個所述顯示區(qū)域之間的非顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域上設置有用于顯示的第一像素單元，所述非顯示區(qū)域上設置有第二像素單元，所述第二像素單元用于測試所述陣列基板母板上的薄膜晶體管特性。
[0024]本發(fā)明實施方式提供的陣列基板母板，在相鄰兩個顯示區(qū)域之間的非顯示區(qū)域設置第二像素單元，通過第二像素單元可以測試該區(qū)域上的薄膜晶體管特性，從而能夠反映出顯示區(qū)域上的薄膜晶體管特性，有利于及時發(fā)現(xiàn)陣列基板母板上的薄膜晶體管不良，避免后續(xù)出現(xiàn)大量不良品，節(jié)約材料，并且有利于產(chǎn)品的研發(fā)。
[0025]本發(fā)明中的陣列基板母板，切割后形成多個獨立的用于顯示裝置的陣列基板，每個陣列基板由陣列基板母板上的一個顯示區(qū)域及周邊部分的非顯示區(qū)域構成，其中，陣列基板的顯示區(qū)域?qū)@示裝置的顯示區(qū)域，非顯示區(qū)域可以對應其邊框位置。
[0026]參見圖1，圖1是本發(fā)明實施方式提供的一種陣列基板母板的示意圖，該陣列基板母板100包括多個顯示區(qū)域110以及任意相鄰兩個所述顯示區(qū)域之間的非顯示區(qū)域120 ;
[0027]其中，顯示區(qū)域110上設置多個相互交錯的柵線和數(shù)據(jù)線，通過該相互交錯的柵線和數(shù)據(jù)線從而劃分出多個呈矩陣排布的第一像素單元，每一個第一像素單元用于控制液晶層中對應區(qū)域中的液晶分子偏轉(zhuǎn)，從而使得顯示裝置能夠顯示出相應的畫面；
[0028]非顯示區(qū)域120同樣可以設置多個相互交錯的柵線和數(shù)據(jù)線，從而可以得到多個呈矩陣排布的第二像素單元，該第二像素單元用于測試陣列基板母板上的薄膜晶體管特性(TFT Character)；
[0029]具體地，參見圖2，圖2是圖1中AA’方向的截面示意圖，其中，在顯示區(qū)域110中，每一個第一像素單元包括第一薄膜晶體管以及與第一薄膜晶體管相連的第一像素電極114，第一薄膜晶體管包括設置在襯底130上的柵極111、柵極絕緣層112、有源層113、源極115和漏極116，其中，柵極111與顯示區(qū)域中的柵線相連，源極115與顯示區(qū)域中的數(shù)據(jù)線相連，漏極116與第一像素電極114相連，在源極115、漏極116和第一像素電極114上還形成有絕緣保護層(PVX層)117，通過該絕緣保護層117將第一像素電極114與公共電極118隔咼;
[0030]在非顯示區(qū)域120中，所述第二像素單元包括第二薄膜晶體管以及所述第二薄膜晶體管相連的第二像素電極124，第二薄膜晶體管包括設置在襯底130上的柵極121、柵極絕緣層122、有源層123、源極125和漏極126，其中，柵極121與該區(qū)域中的柵線相連，源極125與該區(qū)域中的數(shù)據(jù)線相連，漏極126與第二像素電極124相連，其中，與顯示區(qū)域中的第一像素單元不同的是，該區(qū)域中的第二像素電極暴露出以便能夠輸入和/或輸出測試信號;
[0031]當對上述的陣列基板母板上的薄膜晶體管特性進行測試時，只需通過對非顯示區(qū)域中的第二像素電極、數(shù)據(jù)驅(qū)動芯片(1C)、柵極驅(qū)動電路(如GOA單元)施加測試信號，就