[0029] 加熱過程的條件可以鑒于金屬前體溶液20的組成，例如前體的含量、溶劑的類型 等來進行調節(jié)。例如，當金屬前體為鋁前體等時，該加熱過程可以在約20°C至300°C、6(TC 至300°C或80°C至250°C的溫度范圍內(nèi)進行。在上述范圍內(nèi)，可以充分誘發(fā)使金屬前體轉化 為金屬并燒結，并且可以防止在金屬凸部上生成氣泡。對加熱過程的時間不加以特別限制， 并且可以鑒于金屬前體的轉化效率等，根據(jù)加熱過程的溫度來進行調整。
[0030] 通過上述過程，金屬凸部25可以形成與基底100的一個表面上所形成的凹-凸 層的凹部相對應的形狀。例如，金屬凸部25可以形成以具有在約80nm到400nm、100nm到 300nm或者150nm到250nm范圍內(nèi)的間距以及在約20nm到450nm、20nm到400nm或者50nm 到350nm范圍內(nèi)的高度。
[0031] 需要時，如圖4所示，在形成金屬凸部后，可以進一步進行從基底中去除凹-凸層 的過程。可以在加熱過程中隨著金屬前體轉化為金屬而去除所述凹-凸層，并且需要時，可 以在加熱過程之后，通過另外的過程來去除剩余的凹-凸層。另外，需要時，如圖3所示， 凹-凸層本身在不被去除的情況下可以用作偏振光分離元件。
[0032] 通過加熱過程或者使用諸如干蝕刻、濕蝕刻等蝕刻方法，可以去除凹-凸層15。當 通過加熱過程來去除樹脂層15時，加熱過程的溫度可以鑒于例如樹脂層15的材料或所形 成的金屬凸部25的物理性質如晶體的外形等來進行選擇。例如，所述加熱過程可以在約 250°C到900°C或約300°C到800°C的溫度范圍內(nèi)進行。另外，加熱過程的處理時間可以鑒于 加熱過程的溫度或者樹脂層的去除效率來調整到適當?shù)姆秶?br>[0033] 在另一個實施方案中，金屬凸部的形成過程可以包括：在將一個表面具有包含金 屬前體的溶液層的第一基底和一個表面具有凹-凸層的第二基底進行層合以面向該包含 金屬前體的溶液層和該凹-凸層的狀態(tài)下，將所述金屬前體轉變?yōu)榻饘佟?br>[0034] 例如，如圖5所示，上述過程可以包括：制備一個表面具有金屬前體溶液層20的第 一基底11和一個表面具有凹-凸層的第二基底200,層合兩個基底11、200以使其面向金屬 前體溶液層20和所述第二基底的凹-凸層，將所述溶液層的金屬前體轉化為層合基底中的 金屬，從而形成金屬凸部25。在該方法中，在上述過程之后，還可以進行從第二基底200中 去除第一基底11的過程。
[0035] 在上述方法中，可以使用公知的材料作為所述第一基底或所述第二基底，而不加 以特別限制，以及例如，可以選擇與圖3和圖4中所示的實施方案中的基底10所應用的基 底類型相同的基底。然而，第一基底11作為臨時使用的基底，不必要為透光基底。
[0036] 通過將所述金屬前體溶液應用在第一基底11上，可以形成一個表面具有金屬前 體溶液層20的第一基底11。對應用的方法不加以特別限制，并且可以包括旋轉涂布法、浸 沉涂布法、噴霧涂布法、棒式涂布法等。對第一基底11的層20的厚度不加以特別限制，并 且可以調整到在第二基底200的凹部上轉移并生長出適當金屬凸部的程度。
[0037] -個表面具有凹-凸層的第二基底200,例如，可以以與圖3和圖4中所示的實施 方案中在基底1〇〇上形成凹-凸層相同的方式來形成。也就是說，在本實施方案中，第二 基底200可以包括：透光基底12 ;以及樹脂層15,該樹脂層15為形成在所述透光基底上的 凹-凸層。在上面的描述中，形成作為凹-凸層的樹脂層15的方法、樹脂層15的材料或間 距值等如上所述相同地進行應用。
[0038] 在形成第一基底11和第二基底200之后，第一基底11可以層合在第二基底200 上，使得該第一基底的層20面向該第二基底的凹-凸層。這里，對層合方法不加以特別限 制，但當將在下面描述的溶膠-凝膠溶液用作所述溶液時，形成在第一基底11上的層20可 以通過與空氣中的水分進行水合和縮合反應而凝固，因此層合可以在水分最小化的條件下 快速進行。
[0039] 通過在層合狀態(tài)下將金屬前體轉化為金屬，金屬凸部25可以形成在基底200上。 例如，所述轉化可以通過上述加熱過程來進行。因此，當在使基底層合的狀態(tài)下進行所述加 熱過程時，金屬凸部25可以形成在第二基底200上所形成的凹-凸層的凹部上。對進行加 熱過程的條件不加以特別限制，例如，圖3和/或圖4的實施方案中所描述的條件可以同樣 地進行應用，并且因此，所述金屬凸部可以以與第二基底200的凹-凸層的凹部相對應的形 狀來形成。
[0040] 如圖5所示，在金屬凸部25形成在第二基底200上后，可以從第二基底200中去 除第一基底11。需要時，在形成金屬凸部之后，可以以與圖4的實施方案中所述的相同方 式，使用諸如干蝕刻或濕蝕刻等蝕刻方法，另外進行去除樹脂層的過程，所述樹脂層為在第 二基底上所形成的凹_凸層。
[0041] 在如上所述的實施方案中，所述凹-凸層，例如圖3或圖4的實施方案中填充有金 屬前體溶液的凹-凸層的凹部，或者圖5的實施方案中在第二基底上的凹-凸層的凹部，可 以涂布有催化劑。所述金屬凸部可以通過上述催化劑來有效地形成。圖3和圖5顯示出， 凹部涂布有催化劑30。
[0042] 可以鑒于金屬前體的類型，使用能夠有效支持金屬前體轉化為金屬的任何催化劑 作為所述催化劑。代表性地，所述催化劑的實例可以包括鈦醇鹽（titanium alkoxide)、 鈦齒化物（titanium halide)或其螯合物、鐵醇鹽（iron alkoxide)、齒化娃（silicon halide)、齒氧化|凡（vanadium oxyhalide)、欽硼氫化物（titanium boron hydride)或 其螯合物，或者金屬或金屬復合物等，并且例如當使用鋁前體時，上述催化劑可以適合。 在上述描述中，諸如鈦醇鹽、鈦齒化物或其螯合物或者鈦硼氫化物或其螯合物等鈦類催 化劑的實例可以包括 Ti{0CH(CH3)2}4、TiCl3、TiCl 4、Ti(0-n-C4H9)4、Tifc4、Ti(〇-C 2H5)4、 TiCl42 ? (0(C2H5)2)、TiCl2 ? (0(C2H5)2)2、TiCl2 ? (0(：3117)2或11(8114) 2 ? 2(0(C2H5)2)等，鐵醇 鹽的實例可以包括？ 6(0(：2115)2等，鹵化硅的實例可以包括SiCl 4等，以及鹵氧化釩的實例可 以包括￥0(：13或￥0(：1 2等。另外，所述金屬或金屬復合物的實例可以包括轉化為諸如Ti、 Pd、Pt、Al、Cu、Si、Au或Fe等過渡金屬的金屬層或粒子，由兩種以上上述金屬所形成的諸 如Al 3Ti等復合金屬的層或粒子，但并不限于此。
[0043] 上述催化劑層，例如，可以使得金屬前體通過加熱過程而充分轉移到凹-凸層的 凹部并且生長。對形成所述催化劑層的方法不加以特別限制，并且可以使用公知的涂布方 法來進行。
[0044] 對在上述方法中所應用的金屬前體溶液中包含的金屬前體的類型不加以特別限 制。例如，所述金屬前體可以為A1前體、Pt前體、Ag前體、Cu前體、Au前體、Ni前體、Pb 前體、W前體、Ir前體、Mo前體、Fe前體、Ti前體、Cr前體或Co前體，例如可以為A1前體、 Pt前體、Ag前體或A1前體。另外，所述金屬前體可以是兩種類型以上的前體的混合物。另 夕卜，例如，可以使用公知材料來作為所述金屬前體而不加以特別限制，只要該材料可以通過 上述加熱過程而轉化為金屬即可。
[0045] 在本實施方案中，金屬前體例如可以為金屬氫化物。也就是說，每一種上述金屬的 氫化物都可以用作前述過程中的金屬前體。
[0046] 例如，所述金屬氫化物可以由下面的分子式1來表不。
[0047][分子式1]
[0048] RnQ[X(A)m]p
[0049] 在分子式1中，R為氫或烷基，Q為Al、Pt或Ag，X為15族或16族元素或者不存 在，A為鹵原子、烷基或者具有氮原子和碳原子作為成環(huán)原子的雜環(huán)殘基，n為1到4范圍內(nèi) 的整數(shù)，m為1到8范圍內(nèi)的整數(shù)，p為1到2范圍內(nèi)的整數(shù)。
[0050] 在分子式1中，當存在一個R時，R為氫，而當存在多個R時，每個R可以相同或不 同，但至少有一個R為氫。
[0051] 另外，在分子式1中，當存在多個[X(A)J時，每個DUA)」可以相同或不同。
[0052] 另外，分子式1中X不存在的情況可以表示，可以為烷基、鹵原子或雜環(huán)殘基的A 直接與鋁相連接。
[0053] 另外，在分子式1中，所述雜環(huán)殘基可以為具有氮和碳原子作為成環(huán)原子，并且具 有僅包含一個氮原子的3到6個成環(huán)原子的雜環(huán)殘基。
[0054] 另外，在分子式1中，X的實例可以包括氮原子或氧原子等，但不限于此。
[0055] 另外，在分子式1中，所述烷基例如可以為具有1到20個碳原子、1到16個碳原 子、1至12個碳原子、1到8個碳原子或1到4個碳原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀烷基。
[0056] 所述金屬前體的實例可以包括H3A10(C4H9)2、C 5H14NA1 (三氫化鋁N-甲基吡咯烷 (methylpyrrolidine alane))、1^\1〇^；^(013)2或 H2PtCl6(鉬氯氫酸）等，但不限于此。
[0057] 如上所述的金屬氫化物，例如，可以通過使諸如氯化鋁的金屬鹵化物和諸如過氫 化鋁鋰的金屬氫化物等反應來制備。
[0058] 對所述金屬前體溶液中的金屬前體的比例不加以特別限制，并且可以鑒于所需的 加工效率而在適當?shù)姆秶鷥?nèi)進行選擇。例如，所述金屬氫化物可以按約0. lwt%到30wt%、 0? 5wt%到25wt%或lwt%到20wt%的濃度包含在溶液中。
[0059] 可以使用例如醚或醇來作為所述金屬前體溶液的溶劑，所述醚的實例可