專利名稱：有源矩陣襯底,電光轉(zhuǎn)換裝置,有源矩陣襯底的制造方法以及電子儀器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有源矩陣襯底，電光轉(zhuǎn)換裝置，有源矩陣襯底的制造方法以及電子儀器。更詳細(xì)地講，涉及在由形成在絕緣襯底上的多晶硅薄膜晶體管(Thin Film TransistorTFT)驅(qū)動(dòng)像素電極類型的有源矩陣襯底的制造方面所適用的防靜電破壞技術(shù)。
背景技術(shù)：
各種液晶板中，有源矩陣型液晶板構(gòu)成如下，例如在玻璃襯底等的大型襯底上順序并有選擇地形成半導(dǎo)體層，絕緣層以及導(dǎo)電層，形成具有有源元件，無源元件以及電極等的多個(gè)面板區(qū)，把這些面板區(qū)從大型的襯底切割出來用作為有源矩陣襯底。該有源矩陣襯底在電光轉(zhuǎn)換裝置中使用。即，在由有源矩陣襯底和對(duì)置襯底之間夾持液晶的電光轉(zhuǎn)換裝置中使用。有源矩陣襯底上矩陣狀地形成多個(gè)像素，這些像素形成像素部分。像素部分中，例如形成作為有源元件而形成的薄膜晶體管(以下，稱為TFTThin Film Transistor)，通過TFT在像素電極上施加電壓。
在這樣的有源矩陣襯底中，作為構(gòu)成TFT的半導(dǎo)體使用了多晶硅(Poly-Si)的情況下，由于也能夠在同一個(gè)工藝中形成構(gòu)成移位寄存器和驅(qū)動(dòng)電路等周邊電路的晶體管，因此適于高集成化。
在這樣的有源矩陣襯底中，在作為晶體管形成多晶硅TFT的情況下，由于能夠以低溫處理形成有源矩陣襯底，因此具有作為絕緣襯底能夠使用由氧化硅玻璃和無堿玻璃等構(gòu)成的玻璃襯底這樣的優(yōu)點(diǎn)。
然而，玻璃襯底由于具有易于帶電的特性，因此在襯底上所帶的靜電放電時(shí)，作為有源元件的TFT等有可能由于靜電而破壞(以下，稱為靜電破壞)。
另外，在有源矩陣襯底上，在形成了有源元件，無源元件以及電極等的玻璃襯底上，形成用于使液晶分子沿著預(yù)定方向排列的定向膜。然而，在進(jìn)行對(duì)于該定向膜的摩擦工藝時(shí)，存在由摩擦產(chǎn)生的高電壓的靜電在襯底上帶電，所帶的靜電放電時(shí)，使作為有源元件的TFT等遭到靜電破壞這樣的問題。
即，在形成了有源元件等的玻璃襯底上，成膜聚酯亞胺系列樹脂等有機(jī)高分子膜，為了使液晶分子對(duì)于該樹脂膜的表面定向，實(shí)施用人造絲和尼龍等纖維組成的織布在預(yù)定的負(fù)荷下沿著一定方向摩擦的摩擦工藝。這時(shí)，由于樹脂膜與纖維之間的摩擦產(chǎn)生高電壓的靜電，其靜電使襯底自身帶電，或者破壞絕緣而放電，使得在襯底上形成的TFT等半導(dǎo)體元件遭到靜電破壞。
進(jìn)而，如果依據(jù)本發(fā)明者獲得的知識(shí)，已知由于在最高處理溫度為400～600℃左右的低溫處理中做成的多晶硅TFT等耐壓性能極差，因此易于受到靜電破壞，根據(jù)情況，易于發(fā)生整個(gè)驅(qū)動(dòng)電路不能進(jìn)行工作等的接近于完全破壞的極為惡劣的情況。
因此，本發(fā)明的目的在于提供在有源矩陣襯底，電光轉(zhuǎn)換裝置以及有源矩陣襯底的制造方法中，能夠有效地回避由對(duì)于液晶定向膜的摩擦工藝等產(chǎn)生的靜電使形成在襯底上的TFT等受到破壞的結(jié)構(gòu)。
發(fā)明的公開為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明中，在襯底上形成具有像素電極和連接該像素電極的開關(guān)元件的像素部分，在該像素部分的周圍用于控制該開關(guān)元件的周邊電路以及與上述周邊電路電連接的外部連接端子的有源矩陣襯底中，特征在于在上述襯底上的除去上述像素部分以外區(qū)域的至少一部分上形成防止帶電用的導(dǎo)電層。
本發(fā)明中，在形成于有源矩陣襯底上的聚酯亞胺膜等上施加摩擦工藝制作液晶定向膜時(shí)所發(fā)生的靜電等，被收集在防止帶電用的導(dǎo)電層中而分散。因而，由于防止襯底自身帶電，因此能夠把由放電使形成在周邊電路等中的有源元件等的靜電破壞防患于未然。從而，能夠把抗靜電能力弱并且在低溫處理中形成的TFT用作為有源元件。另外，防止帶電用的導(dǎo)電層由于在使電光轉(zhuǎn)換裝置動(dòng)作時(shí)起到大容量旁路電容器(旁路電容)的作用，因此，將對(duì)低噪聲化和低EMI化方面有所貢獻(xiàn)。因此，在電光轉(zhuǎn)換裝置中，能夠達(dá)到顯示的高品質(zhì)化，高精細(xì)化。
本發(fā)明中，上述防止帶電用的導(dǎo)電層最好僅形成在上述襯底上的除去上述像素部分區(qū)域中，不通過布線的無布線部分，形成施加了直流電壓的布線的區(qū)域以及形成圖像顯示時(shí)施加直流電壓的布線的區(qū)域的上層一側(cè)。如果這樣構(gòu)成，則由于即使形成防止帶電用的導(dǎo)電層，也不會(huì)增加驅(qū)動(dòng)電路的容性負(fù)載，不會(huì)使沿布線傳遞的信號(hào)延遲。從而，高速動(dòng)作成為可能的狀態(tài)，能夠防止晶體管的靜電破壞。
本發(fā)明中，上述防止帶電用的導(dǎo)電層最好露出并形成在上述襯底的表面。如果這樣構(gòu)成，則由于摩擦工藝等發(fā)生的靜電可靠地由防止帶電用的導(dǎo)電層收集而分散，因此能夠防止襯底自身的帶電，能夠把由放電產(chǎn)生的有源元件等的靜電破壞防患于未然。
本發(fā)明中，上述防止帶電用的導(dǎo)電層最好形成在上述襯底的外周邊緣。即，在對(duì)于大型襯底作為上述有源矩陣襯底切劃出的多個(gè)面板區(qū)的每一個(gè)上形成了上述像素部分、上述周邊電路、上述端子部分以及上述防止帶電用的導(dǎo)電層以后，把該面板部分從上述大型襯底切割出來作為上述有源矩陣襯底時(shí)，能夠使得上述防止帶電用的導(dǎo)電層形成為跨接相鄰的面板區(qū)域的邊界。如果采用這樣的結(jié)構(gòu)，則由于能夠消除各面板區(qū)域之間的電位差，擴(kuò)展等電位面，因此能夠更可靠地防止產(chǎn)生由靜電引起的故障。
本發(fā)明中，上述外部連接用端子之間最好借助分別沿相反方向配置了2組二極管列的靜電保護(hù)電路進(jìn)行電連接。另外，上述各外部連接用端子和上述防止帶電用的導(dǎo)電層最好借助分別沿相反方向配置了2組二極管列的靜電保護(hù)電路進(jìn)行連接。如果這樣構(gòu)成，則在外部連接用端子上帶電的靜電電位超過了預(yù)定值時(shí)，借助靜電保護(hù)電路能夠使該靜電沿著防止帶電用的導(dǎo)電層釋放。因此，能夠把在外部連接用端子之間或者外部連接用端子與防止帶電用的導(dǎo)電層之間產(chǎn)生放電防患于未然。
本發(fā)明中，上述開關(guān)元件以及上述周邊電路有時(shí)用薄膜晶體管構(gòu)成。這種情況下，在上述靜電保護(hù)電路中，構(gòu)成二極管列的連接成二極管的薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度最好長(zhǎng)于連接在上述像素上的上述薄膜晶體管以及形成在上述周邊電路上的上述薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度。如果這樣構(gòu)成，則由于能夠抑制在靜電保護(hù)電路中使用的二極管列的惡化，能夠延長(zhǎng)電光轉(zhuǎn)換裝置的壽命。
本發(fā)明中，最好在上述薄膜晶體管上連接掃描線和數(shù)據(jù)線，在上述周邊電路中，最好至少包括用于經(jīng)過上述薄膜晶體管把應(yīng)該加入到上述像素電極上的圖像信號(hào)輸出到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路，用于把上述薄膜晶體管的選擇/非選擇狀態(tài)的掃描信號(hào)輸出到掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)電路等，在上述連接成二極管的多個(gè)外部連接用端子上最好包括電連接到上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的外部連接用端子，電連接到上述掃描線驅(qū)動(dòng)電路的外部連接用端子。如果這樣構(gòu)成，則由于能夠防止數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路一側(cè)和掃描線驅(qū)動(dòng)電路一側(cè)之間產(chǎn)生電位差，因此能夠可靠地防止偏向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路一側(cè)或者掃描線驅(qū)動(dòng)電路一側(cè)發(fā)生靜電破壞的事態(tài)。
本發(fā)明中，上述防止帶電用的導(dǎo)電層最好用與上述像素電極或者上述外部連接用端子的某一方相同的材料形成。例如，上述防止帶電用的導(dǎo)電層最好用Al(鋁)，Ti(鈦)，Ta(鉭)，Cr(鉻)或者它們的合金形成。另外，上述防止帶電用的導(dǎo)電層還可以根據(jù)由銦錫氧化膜(ITO膜)等構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜形成。如果這樣構(gòu)成，則由于在形成上述像素電極或者上述外部連接用端子時(shí)，能夠同時(shí)形成防止帶電用的導(dǎo)電層，因此能夠簡(jiǎn)化制造過程。另外，形成上述防止帶電用的導(dǎo)電層的材料，在用作為透明導(dǎo)電膜的銦錫氧化膜構(gòu)成的情況下，由于電阻率高于其它的金屬材料，因此與用大致相同的膜厚的金屬材料形成防止帶電用的導(dǎo)電層的情況相比較，能夠以更長(zhǎng)的時(shí)間常數(shù)的電路網(wǎng)接受瞬間的放電。因此，能夠使得在放電時(shí)加入到布線之間的瞬間電壓下降。
本發(fā)明在用多晶硅形成上述薄膜晶體管的有源區(qū)的情況下是十分有效的。
本發(fā)明的有源矩陣襯底在與對(duì)于該有源矩陣襯底隔開預(yù)定的間隔而相對(duì)的對(duì)置襯底，以及封入在該對(duì)置襯底和上述有源矩陣襯底的縫隙之間的液晶等的電光物質(zhì)一起構(gòu)成電光轉(zhuǎn)換裝置時(shí)使用。
本發(fā)明的有源矩陣襯底的制造方法中，例如在對(duì)于大型襯底作為上述有源矩陣襯底切劃出的多個(gè)面板區(qū)域的每一個(gè)中形成了上述周邊電路，上述端子部分以及上述防止帶電用的導(dǎo)電層以后，把該多個(gè)面板區(qū)域從上述大型襯底切割出來，作為上述有源矩陣襯底。
這種情況下，最好使上述防止帶電用的導(dǎo)電層形成為與相鄰的面板區(qū)域的邊界跨接。
本發(fā)明的電子儀器的特征在于作為顯示裝置搭載了電光轉(zhuǎn)換裝置。另外，特征還在于作為光閥，搭載了電光轉(zhuǎn)換裝置。
附圖的簡(jiǎn)單說明

圖1是從對(duì)置襯底一側(cè)觀看適用了本發(fā)明的電光轉(zhuǎn)換裝置中使用的液晶板的平面圖。
圖2是用圖1的H-H′線切斷時(shí)的液晶板的剖面圖。
圖3是示出圖1中所示的有源矩陣襯底結(jié)構(gòu)的框圖。
圖4(a)，(b)，(c)分別是圖1所示的有源矩陣襯底的驅(qū)動(dòng)電路的平面圖，A-A′線剖面圖以及B-B′線剖面圖。
圖5是示出用于制造圖1所示的有源矩陣襯底的大型襯底狀態(tài)下的防止帶電用的共用布線(導(dǎo)電層)的形成圖形的剖面圖。
圖6是放大地示出圖5所示的防止帶電用的共用布線(導(dǎo)電層)的一部分的平面圖。
圖7是示出圖1所示的有源矩陣襯底中的防止帶電用的導(dǎo)電層，外部連接用端子以及靜電保護(hù)電路的連接例的框圖。
圖8是構(gòu)成圖7所示的靜電保護(hù)電路的二極管環(huán)的等效電路圖。
圖9(a)，(b)分別是示出把構(gòu)成靜電保護(hù)電路的二極管環(huán)以短路圖形連接的狀態(tài)的平面圖以及剖面圖。
圖10(a)，(b)，(c)，分別示出電子儀器的例子。
圖11作為電子儀器的一例，示出作為光閥搭載了電光轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)。標(biāo)號(hào)說明1 液晶板2 有源矩陣襯底8 像素電極11 TFT12 端子部13 外部連接用端子14 二極管橋(靜電保護(hù)電路)20 面板區(qū)21 絕緣襯底
42 多晶硅膜(半導(dǎo)體層)43 柵極絕緣膜44 柵極布線45 第1層間絕緣膜46 源漏極47 第2層間絕緣膜48 防帶電用共用布線(導(dǎo)電層)49 連接孔60 數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路(周邊電路)70 掃描線驅(qū)動(dòng)電路(周邊電路)81 像素部200 形成有源矩陣用大型襯底205 短路圖形用于實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)參照附圖，說明本發(fā)明的最佳實(shí)施形態(tài)。(有源矩陣襯底的結(jié)構(gòu))第1圖以及第2圖分別是從對(duì)置襯底一側(cè)觀看適用了本發(fā)明的電光轉(zhuǎn)換裝置中使用的液晶板的平面圖，以及用第1圖的H-H′線切斷時(shí)的液晶平面面板的剖面圖。第3圖是示意地示出有源矩陣襯底的結(jié)構(gòu)的框圖。
在第1圖以及第2圖中，液晶板1由有源矩陣襯底2，形成了對(duì)置電極32的對(duì)置襯底3，被夾在這些襯底之間的液晶39(電光物質(zhì))構(gòu)成。
有源矩陣襯底2中，在絕緣襯底21(玻璃襯底)的表面(液晶層一側(cè)的面)上矩陣狀地形成像素電極8。在各像素電極8上形成像素開關(guān)用的薄膜晶體管(以下，稱為TFT，參照第3圖)。另外，在像素電極8的表面一側(cè)形成定向膜22。該定向膜22通過在用聚酰亞胺系列樹脂等形成的層上施加摩擦處理形成。對(duì)置襯底3中，在絕緣襯底31(玻璃襯底)的表面上，形成被稱為黑底的遮光膜33，使得與有源矩陣襯底2的像素電極8的邊界區(qū)域相對(duì)。在該遮光膜33的表面一側(cè)形成對(duì)置電極32以及定向膜34。該定向膜34也是在用聚酰亞胺系列樹脂等形成的層上實(shí)施摩擦處理形成。
這樣構(gòu)成的有源矩陣襯底2和對(duì)置襯底3是使用涂敷在有源矩陣襯底2或者對(duì)置襯底3上的含有間隙的密封材料59，隔開預(yù)定的間隙粘貼而成。在該狀態(tài)下，在有源矩陣襯底2和對(duì)置襯底3之間，使用密封材料59劃分形成液晶封入?yún)^(qū)5，在該液晶封入?yún)^(qū)5內(nèi)封入液晶39。作為密封材料59，能夠使用環(huán)氧樹脂和各種紫外線硬化樹脂等。另外，作為與密封材料59配合的間隙材料，使用大約2μm～大約10μm的無機(jī)或者有機(jī)質(zhì)的纖維或者球。這里，因?yàn)槊芊獠牧?9被部分地?cái)嚅_，因此由該斷開部分構(gòu)成液晶注入口241。因此，在把對(duì)置電極3和有源矩陣襯底2粘合以后，如果使密封材料59的內(nèi)側(cè)區(qū)域處于減壓狀態(tài)，則能夠從液晶注入口241注入液晶39，在封入了液晶39以后，可以用密封劑242堵住液晶注入口241。
對(duì)置襯底3比有源矩陣襯底2小，有源矩陣襯底2的周邊部分在從對(duì)置襯底3的外周緣突出的狀態(tài)下粘合。從而，在對(duì)置襯底3的外周側(cè)，處于形成在有源矩陣襯底2的外周側(cè)的周邊電路(掃描線驅(qū)動(dòng)電路70和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60)，以及排列著與周邊電路電連接的外部連接用端子13的端子部分12露出的狀態(tài)。
另外，在對(duì)置襯底3中，在密封材料59的內(nèi)側(cè)，形成用于遮擋圖像顯示區(qū)7的遮光膜55。另外，對(duì)置襯底3的任一個(gè)角部上，形成用于在形成于有源矩陣襯底2上的電極等和形成于對(duì)置襯底3的電極等之間獲得電導(dǎo)通的上下導(dǎo)通材料56。
在這樣構(gòu)成的液晶板1中，在圖像顯示區(qū)7的兩側(cè)形成掃描線驅(qū)動(dòng)電路70，如果提供給掃描線的掃描信號(hào)的延遲不成問題，當(dāng)然掃描線驅(qū)動(dòng)電路70也能夠僅形成在單側(cè)。另外，也可以沿著圖像顯示區(qū)7的邊緣在兩側(cè)排列數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60。例如奇數(shù)列的數(shù)據(jù)線從沿著圖像顯示區(qū)7一方的邊配設(shè)的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路供給圖像信號(hào)，偶數(shù)列的數(shù)據(jù)線從沿著圖像顯示區(qū)7相反一側(cè)的邊配設(shè)的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路供給圖像信號(hào)。如果這樣梳形地驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線，則由于能夠擴(kuò)展數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60的面積，因此能夠構(gòu)成復(fù)雜的電路。另外，在有源矩陣襯底2中，在與數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60相對(duì)邊的一側(cè)，有時(shí)利用遮光膜55的下方等還設(shè)置檢查電路。另外，在對(duì)置襯底3以及有源矩陣襯底2的光入射一側(cè)的面或者光出射一側(cè)，根據(jù)所使用的液晶39的種類，即，TN(扭絞向列)模式，主從(guest host)TN模式，垂直定向(MVA)模式等的動(dòng)作模式和標(biāo)準(zhǔn)白色模式/標(biāo)準(zhǔn)黑色模式的類別等，按預(yù)定的取向配置偏振膜，至少一片相位差膜，偏振板等。
這里，在對(duì)置襯底3上，在與各像素電極8相對(duì)的區(qū)域中通過與其保護(hù)膜(未圖示)一起形成RGB的彩色濾波器(未圖示)，能夠構(gòu)成彩色液晶電視等這樣的彩色顯示裝置。另外，在用透過型構(gòu)成了液晶板1的情況下，例如，能夠在投射型顯示裝置(投影儀)中使用。這種情況下，3片液晶板1分別用作為RGB的光閥，由于在各個(gè)液晶板1的上面，作為投射光分別入射借助RGB色分解用的分色鏡分解了的各色的光，因此在液晶板1上不形成彩色濾波器。有源矩陣襯底的基本結(jié)構(gòu)如第3圖所示，在電光轉(zhuǎn)換裝置用的有源矩陣襯底2上，存在與數(shù)據(jù)線90以及掃描線91連接的像素開關(guān)用的TFT10，通過該TFT10從數(shù)據(jù)線90輸入圖像信號(hào)的液晶單元16。形成了這樣像素的區(qū)域是直接提供給顯示的像素部分81。在該像素部分81的周圍形成周邊電路。
即，在像素部分81的外周一側(cè)，形成著具有移位寄存器84，電平倒相器85，視頻線87以及模擬開關(guān)86的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60(X一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路)。數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60對(duì)于數(shù)據(jù)線90輸出圖像信號(hào)。
另外，在像素部分81的外周一側(cè)，形成著具有移位寄存器88以及電平倒相器89的掃描線驅(qū)動(dòng)電路70(Y一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路)。該掃描線驅(qū)動(dòng)電路70向掃描線輸出掃描信號(hào)。
另外，在像素部分81中，在每個(gè)像素與上一級(jí)的掃描線91之間形成著保持電容17(電容元件)。該保持電容17具有提高液晶單元16中的電荷的保持特性的功能。另外，保持電容17也可以形成在每個(gè)像素與電容線之間。驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)第4圖是說明在適用了本發(fā)明的有源矩陣襯底2上形成的周邊電路的說明圖，第4圖(a)是驅(qū)動(dòng)電路中使用的倒相器的平面圖，第4圖(b)是其A-A′線剖面圖，第4圖(c)是B-B′線剖面圖。
這里，說明用低溫處理做成的有源矩陣襯底2。
在第4圖(a)，(b)，(c)中，在絕緣襯底21上，形成構(gòu)成周邊電路的多晶硅TFT11。在該多晶硅TFT11中，構(gòu)成有源層的半導(dǎo)體層42由膜厚300～700埃的多結(jié)晶硅(多晶硅)膜形成。
在形成這樣的多晶硅性的半導(dǎo)體層42時(shí)，本實(shí)施例中，通過使用低溫處理，防止由玻璃襯底組成的絕緣襯底21發(fā)生熱變形。所謂低溫處理，是工藝的最高溫度(襯底總體同時(shí)上升的最高溫度)大約小于600℃左右(最好是小于大約500℃)。相反，所謂高溫處理是工藝的最高溫度(襯底總體同時(shí)上升的最高溫度)達(dá)到800℃以上，進(jìn)行高溫下的成膜和硅的熱氧化的700℃～1200℃的高溫處理。
然而，由于在低溫處理中不能夠在襯底上直接形成多晶硅層，因此，首先，使用低溫等離子CVD法或者低溫低壓CVD法，在襯底上形成非晶形的半導(dǎo)體層42。然后，需要把該半導(dǎo)體層42結(jié)晶。作為該結(jié)晶的方法，有所謂的SPC法(Solid Phase Crystallization)和RTA法(Rapid Thermal Annealing)，但如果進(jìn)行基于照射使用了XeCl的受激準(zhǔn)分子激光光束的激光熱處理(ELAExcimer Laser)，則能夠抑制襯底溫度的上升，而且能夠得到大粒徑的多晶Si。
在該結(jié)晶工藝中，例如借助光學(xué)系統(tǒng)向絕緣襯底21上照射從激光光源射出的激光(受激準(zhǔn)分子激光)。這時(shí)，照射區(qū)域沿著襯底的寬度方向向半導(dǎo)體層42上照射長(zhǎng)的線性光束，把其照射區(qū)域沿著襯底的長(zhǎng)度方向偏移。這里，在把激光的照射區(qū)域偏移的時(shí)候，僅偏移預(yù)定的距離使得激光的照射區(qū)域部分地重迭。其結(jié)果，非晶形的半導(dǎo)體層42經(jīng)過一起熔融，冷卻固化的過程，進(jìn)行多結(jié)晶。這時(shí)，在各區(qū)域上激光的照射時(shí)間非常短，而且，由于照射區(qū)域相對(duì)于襯底總體是局部，因而不會(huì)使絕緣襯底21總體同時(shí)達(dá)到高溫。因此，在作為絕緣襯底21使用了玻璃襯底的情況下，玻璃襯底雖然與石英襯底相比在耐熱性方面較差，然而不會(huì)產(chǎn)生由于熱引起的變形和裂紋。
在這樣形成的半導(dǎo)體層42的表面，形成由氧化硅膜，氮化硅膜等組成的柵極絕緣膜43。該柵極絕緣膜43也是用最高處理溫度為400～600℃左右的低溫處理形成。即，柵極絕緣膜43例如通過把TEOS(四乙氧基硅烷)等作為材料氣體的等離子CVD法形成大約600～1500埃的厚度。
在柵極絕緣膜43上，形成由Ta(鉭)，Mo(鉬)，Ti(鈦)，W(鎢)，Cr(鉻)，Al(鋁)等金屬膜構(gòu)成的柵極布線44。該柵極布線44例如使用濺射法形成。
另外，在半導(dǎo)體層42中，通過以柵極布線44為掩膜的雜質(zhì)(例如磷或者硼)的離子注入，形成作為對(duì)于柵極布線44自行匹配的源極區(qū)以及漏極區(qū)的高濃度雜質(zhì)區(qū)。另外，這時(shí)，不導(dǎo)入雜質(zhì)的部分是溝道區(qū)。
柵極布線44的表面一側(cè)形成第1層間絕緣膜45。導(dǎo)電層42的TFT的漏極區(qū)以及源極區(qū)上，借助形成在柵極絕緣膜43以及第1層間絕緣膜45中的連通孔49，由銦錫氧化物(ITO)，Al等的導(dǎo)電膜構(gòu)成的源·漏電極46電連接。例如通過對(duì)于柵極絕緣膜43以及第1層間絕緣膜45的干法腐蝕形成這些連通孔49。
進(jìn)而，形成第2層間絕緣膜47使得覆蓋第1層間絕緣膜45以及源·漏電極46。這里，第1層間絕緣膜45以及第2層間絕緣膜47例如用涂敷，燒結(jié)BPSG膜(含硼以及磷的硅酸鹽玻璃膜)或多硅氮烷形成的氧化硅膜等形成，它們的膜厚分別大約是3000～15000埃。當(dāng)然，第1層間絕緣膜45以及第2層間絕緣膜47與柵極絕緣膜43相同，也可以使用把TEOS作為原料氣體的等離子CVD法形成。靜電對(duì)策1第5圖是示出用于制造本實(shí)施形態(tài)的有源矩陣襯底的大型襯底狀態(tài)下的防止帶電用的共用布線(導(dǎo)電層)的形成圖形的平面圖。第6圖是放大地示出第5圖中所示的防止帶電用的共用布線(導(dǎo)電層)的一部分的平面圖。
這樣構(gòu)成的有源矩陣襯底2中，在相當(dāng)于源漏電極46的正上方位置的第2層間絕緣膜47的表面上，形成著參照第5圖以及第6圖構(gòu)成的防止帶電用的共用布線48(防止帶電用的導(dǎo)電層)。該共用布線48由ITO膜或Al，Ti，Ta，Cr或者它們的合金構(gòu)成的導(dǎo)電膜形成。即使在用某一種材料形成共用布線的情況下，也用與像素電極8和外部連接用端子13相同的工藝形成。
這里，共用布線48處于在有源矩陣襯底2的表面露出的狀態(tài)，在表面上沒有形成絕緣膜等(參照第4圖)。
另外，防止帶電用的共用布線48在絕緣襯底21上除去像素部分81的區(qū)域中，僅在沒有形成布線的無布線部分、形成加入直流電壓的布線的區(qū)域以及形成在圖像顯示時(shí)加入直流電壓的布線的區(qū)域的上層一側(cè)形成。
這樣構(gòu)成的有源矩陣襯底2在對(duì)于能夠大量獲得有源矩陣襯底2的大型襯底形成了各構(gòu)成元件以后，通過分割該大型襯底制造。
即，如第5圖以及第6圖所示那樣，在大型襯底200上，作為有源矩陣襯底2劃分的區(qū)域形成多個(gè)縱橫排列的面板區(qū)20，在沿著預(yù)定切斷線201切斷大型襯底200時(shí)，各個(gè)面板區(qū)20成為一個(gè)個(gè)有源矩陣襯底2。
在這樣的大型襯底200上形成各構(gòu)成元件時(shí)，本實(shí)施例中，在各面板區(qū)20之間短路形成共用布線48。即，在大型襯底200的表面上，形成為包圍存在于各面板區(qū)20的大致中央部分的像素部分81的共用布線48，雖然形成在各個(gè)面板區(qū)20上，然而在相鄰的面板區(qū)20之間，共用布線48相互連接。從而，共用布線48在相鄰的面板區(qū)20之間相互連接，構(gòu)成以共用布線48總體露出襯底表面的大的閉合電路。由此，共用布線48總體的靜電電容與柵極布線44和源漏電板46相比相當(dāng)大。
這樣，本實(shí)施形態(tài)中，由于通過形成在大型襯底200上的共用布線48確保極大的靜電電容，因此在大型襯底200的狀態(tài)下進(jìn)行摩擦工藝時(shí)，能夠把該摩擦工藝時(shí)發(fā)生的高電壓的靜電用共用布線48總體收集并且分散電荷。另外，由于共用布線48形成為跨接各面板區(qū)20的邊界，因此幾乎不存在各面板區(qū)20之間的電位差，在大型襯底200的總體上能夠擴(kuò)展等位面。從而，共用布線48能夠可靠地防止各面板區(qū)20之間發(fā)生放電，能夠更有效地防止TFT等的靜電破壞。
即，在大型襯底200上進(jìn)行摩擦處理時(shí)，由樹脂膜(定向膜)和纖維(織布)的摩擦產(chǎn)生的高電壓的靜電全部釋放到露出大型襯底200表面的共用布線48上而分散，上述織布和共用布線48成為等電位。從而，形成在大型襯底200上的TFT等有源元件部分和其它無源元件部分，布線部分以及電極部分等之間能夠有效地防止產(chǎn)生電位差，能夠把由放電等破壞TFT的事態(tài)防患于未然。
特別是，本專利發(fā)明者們確認(rèn)了與使用大于1000℃的熱氧化形成柵極絕緣膜的高溫處理不同，用最高處理溫度為400～600℃左右的低溫處理制成的多晶硅TFT的柵極絕緣膜43的耐壓性能極低，因此具有易于靜電破壞的傾向。從而，如果像本實(shí)施形態(tài)那樣，構(gòu)成為使得共用布線48露出大型襯底200的表面，則即使由摩擦工藝發(fā)生靜電，也能夠使靜電可靠地收集在共用布線48的總體上，分散電荷。因此，即使由低溫處理形成的TFT具有抗靜電破壞能力差的傾向，然而使用共用布線48也能夠從伴隨摩擦工藝產(chǎn)生的靜電破壞中可靠地保護(hù)TFT。
另外，由于僅在絕緣襯底21上除去像素部分81的區(qū)域中，不通過布線的無布線部分、形成加入直流電壓的布線的區(qū)域，以及形成圖像顯示時(shí)加入直流電壓的布線的區(qū)域的上層一側(cè)形成防止帶電用的共用布線48，因此即使形成防止帶電用的共用布線48，也不增加驅(qū)動(dòng)電路的電容負(fù)載。從而，由于不會(huì)使沿布線傳遞的信號(hào)延遲，因此在保持高速動(dòng)作的狀態(tài)下，能夠防止晶體管的靜電破壞。
進(jìn)而，共用布線48在有源矩陣襯底2上被分割用于電光轉(zhuǎn)換裝置中時(shí)，其驅(qū)動(dòng)時(shí)起到大容量的旁路電容器(旁路電容)的作用。因此，能夠謀求使用了有源矩陣襯底的電光轉(zhuǎn)換裝置的低噪聲化，低EMI化，能夠不發(fā)生形成在同一襯底上的驅(qū)動(dòng)電路等的誤動(dòng)作。靜電對(duì)策2第7圖是示出本發(fā)明的有源矩陣襯底中的防止帶電用的導(dǎo)電層、外部連接用端子以及靜電保護(hù)電路的連接例的框圖。第8圖是第7圖所示的靜電保護(hù)電路的二極管環(huán)的等效電路。
第6圖中，各像素部分81的驅(qū)動(dòng)用或者檢查用的外部連接用端子13(墊片)用ITO膜和鋁層等導(dǎo)電層形成。這些各外部連接用端子13根據(jù)功能上的需要，也露出大型襯底200的表面形成。因此，通過加入伴隨大型襯底200的摩擦工藝的高電壓的靜電，在各外部連接用端子13之間或者與共用布線48之間產(chǎn)生電位差。從而，有可能由于以該電位差為原因的放電等破壞外部連接用端子13。
因此，本實(shí)施形態(tài)中，如以下所說明的那樣構(gòu)成為借助預(yù)定的電路外部連接用端子13連接到共用布線48上。即，如第7圖所示，采用在各外部連接用端子13之間，以及各外部連接用端子13與共用布線48之間形成靜電保護(hù)電路14的結(jié)構(gòu)。作為該靜電保護(hù)電路14，本實(shí)施例中如第8圖所示，使用沿著相反方向配置了2組二極管列的二極管環(huán)。
這里，靜電保護(hù)電路14(二極管環(huán))是串聯(lián)連接多個(gè)把柵·漏極相耦合的所謂連接成二極管的TFT(在第8圖所示的例中單側(cè)為6個(gè))的雙向二極管列。靜電保護(hù)電路14具有如果加入到一個(gè)端子上的電壓比另一方的端子高過二極管列的耐壓，則從高的一方的端子向低的一方的端子流過電流的特性，根據(jù)該原理能夠使靜電釋放。
由此，各外部連接用端子13之間以及外部連接用端子13與共用布線48之間的電位差在超過了靜電保護(hù)電路14(二極管環(huán))的耐壓時(shí)流過電流，因此能夠把電位差保持為恒定。由此，能夠把由于放電等引起的外部連接用端子13的靜電破壞防患于未然。其它的靜電對(duì)策另外，作為靜電保護(hù)電路14，代替二極管環(huán)，通過借助使用了多晶硅膜等的高電阻體連接各外部端子13之間，以及各外部連接用端子13與共用布線48之間也能夠獲得相同的效果。這時(shí)，按照使輸入到各端子上的信號(hào)不產(chǎn)生交調(diào)失真那樣決定電阻值。
另外，作為外部連接用端子13，進(jìn)行配置使得電連接數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60上的外部連接端子以及電連接掃描線驅(qū)動(dòng)電路70的外部連接用端子雙方混合存在，而且，如果這些外部連接用端子之間，或者外部連接用端子與共用布線48之間借助靜電保護(hù)電路14進(jìn)行連接，則能夠防止在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60一側(cè)，或者掃描線驅(qū)動(dòng)電路70一側(cè)之間發(fā)生電位差。從而，能夠可靠地防止偏向數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60一側(cè)或者掃描線驅(qū)動(dòng)電路70一側(cè)發(fā)生的情況。
進(jìn)而，在大型襯底200上形成使用了上述二極管環(huán)的靜電保護(hù)電路14或者與其相當(dāng)?shù)碾娐返那闆r下，對(duì)于連接外部連接用端子13與共用布線48的二極管(連接成二極管的TFT)的溝道長(zhǎng)度L1和連接外部連接用端子13之間的二極管(連接成二極管的TFT)的溝道長(zhǎng)度L2，如果設(shè)定為比構(gòu)成數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60以及掃描線驅(qū)動(dòng)電路70的TFT的溝道長(zhǎng)度L4長(zhǎng)，則能夠使保護(hù)電路用的TFT的老化延遲。因而，能夠期待延長(zhǎng)有源矩陣型電光轉(zhuǎn)換裝置的壽命的效果。
特別是，已知在用低溫處理形成的多晶硅TFT的情況下，如果縮短溝道長(zhǎng)度則將極度地降低耐壓性能。如果例舉實(shí)例的話，則多次確認(rèn)了在溝道長(zhǎng)度為6μm的情況下雖然承受了Vg＝Vd＝15V的直流耐壓試驗(yàn)，然而在溝道長(zhǎng)度為4μm時(shí)在同一條件下將瞬時(shí)破壞。這樣的現(xiàn)象雖然在高溫處理中也相同，然而其程度在低溫處理時(shí)更明顯。因此，理想的是加長(zhǎng)通常動(dòng)作中沒有影響的靜電保護(hù)電路和二極管環(huán)中使用的TFT的溝道長(zhǎng)度使其部位的耐壓性能提高，而且，縮短用靜電保護(hù)電路保護(hù)的驅(qū)動(dòng)電路(數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60和掃描線驅(qū)動(dòng)電路70)中使用的TFT的溝道長(zhǎng)度，由此突出性能(導(dǎo)通電流，動(dòng)作頻率等)。
另外，在制造有源矩陣襯底2的情況下，在絕緣襯底21上形成TFT等半導(dǎo)體元件等的過程中為了防止發(fā)生靜電破壞，廣泛地使用在把各元件等連接成短路圖形(短路條)的狀態(tài)下進(jìn)行制作，在最終的工藝中從這些短路圖形分離元件等的方法。從而，本實(shí)施形態(tài)中，在制作有源矩陣襯底2時(shí)，如第9圖(a)，(b)所示，對(duì)于相鄰的外部連接用端子13之間形成的二極管環(huán)，以及各外部連接用端子13與最靠近的共同配線48之間形成的二極管環(huán)的每一個(gè)，在整個(gè)制作過程的工藝中，都預(yù)先以短路圖形205進(jìn)行連接，使得不致于發(fā)生構(gòu)成靜電保護(hù)電路14的二極管環(huán)在制造工藝中被破壞，在摩擦工藝時(shí)作為二極管環(huán)的功能已經(jīng)被損壞的情況。從而構(gòu)成靜電保護(hù)電路14的二極管環(huán)也預(yù)先取為用短路圖形205連接的狀態(tài)，直到其它的有源元件部分、無源元件部分以及電極部分等從短路圖形分離為止。從而，外部連接用端子13(未圖示)之間保持由短路圖形205連接的狀態(tài)。
而且，構(gòu)成靜電保護(hù)電路14的二極管環(huán)從短路圖形205的分離，即短路圖形205的橋梁部分206(即跨接二極管環(huán)的部分)的切斷，在對(duì)于有源矩陣襯底2的半導(dǎo)體處理的最終工藝中，從短路圖形通過刻蝕分離其它有源元件部分、無源元件部分以及電極部分等的結(jié)構(gòu)時(shí)同時(shí)進(jìn)行，并且具有隨后進(jìn)行的摩擦工藝。由此，能夠可靠地避免例如由伴隨在形成TFT等的半導(dǎo)體元件時(shí)所進(jìn)行的等離子腐蝕和等離子CVD的等離子損傷而損壞二極管環(huán)的功能的情況。從而，能夠使構(gòu)成靜電保護(hù)電路14的二極管環(huán)的功能不全的發(fā)生率大幅度降低，因此能夠更有效地防止外部連接用端子13的靜電破壞。因而，能夠延長(zhǎng)使用了從該大型襯底200切割出來的有源矩陣襯底2的液晶板的壽命。
第10圖是示出把本發(fā)明的液晶裝置用作為顯示裝置的電子儀器例的外觀圖。另外，在這些電子儀器中，可以使用一對(duì)偏振板夾持構(gòu)成液晶裝置的一對(duì)襯底的結(jié)構(gòu)，也可以使用僅配置了一個(gè)偏振板的結(jié)構(gòu)。
另外，僅配置一片偏振板的結(jié)構(gòu)用于反射型的液晶裝置，通過用鋁形成像素電極能夠形成反射型液晶裝置。這時(shí)，像素電極上形成凹凸。通過在像素電極上實(shí)施這樣的加工則具有防止圖像反射的效果。另外，在一片偏振板與襯底之間能夠形成用于視角補(bǔ)償?shù)南辔徊畎?，用于防止圖像反射的散射板等。相位差板也有的用于顏色補(bǔ)償，還能夠?qū)拥@些用途不同的相位差板。
第10圖(a)是示出便攜電話的透視圖。1000示出便攜電話本體，其中的1001是使用了本發(fā)明的液晶顯示裝置的顯示部分。
第10圖(b)示出手表型的電子儀器。1100是示出表本體的透視圖。1101是使用了本發(fā)明的液晶裝置的顯示部分。該液晶裝置與以往的鐘表顯示部分相比由于具有高精度的像素，因此還能夠作為電視圖像顯示，能夠?qū)崿F(xiàn)手表型的電視。
第10圖(c)示出文字處理機(jī)、各種計(jì)算機(jī)等便攜型信息處理裝置。1200示出信息處理裝置，1202示出鍵盤等輸入部分，1206示出適用了本發(fā)明的液晶裝置的顯示部分，1204是信息處理裝置本體。
第11圖是示出投射型顯示裝置的主要部分的概略結(jié)構(gòu)圖。圖中，1110示出光源，1113、1114示出分色鏡，1115、1116、1117示出反射鏡，1118、1119、1120示出中繼透鏡，1122、1123、1124示出液晶光閥，1125示出交叉分色棱鏡，1126示出投影透鏡。光源1110由金屬鹵燈等的燈泡1111和反射燈泡的光的反射器1112構(gòu)成。反射藍(lán)色光·綠色光的分色鏡1113使來自光源1110的白色光束中的紅色光透過的同時(shí)，反射藍(lán)色光和綠色光。透射過的紅色發(fā)光由反射鏡1117反射，入射到紅色光用液晶光閥1122中。另一方面，用分色鏡1113反射的色光中綠色光由反射綠色光的分色鏡1114反射，入射到綠色光用液晶光閥1123中。另一方面，藍(lán)色光也透過第2分色鏡1114。對(duì)于藍(lán)色光，為了防止由于較長(zhǎng)的光路產(chǎn)生的光損失，設(shè)置包括入射透鏡1118，中繼透鏡1119，出射透鏡1120的中繼透鏡系統(tǒng)組成的導(dǎo)光裝置1121，借助該裝置藍(lán)色光入射到藍(lán)色光用液晶光閥1124中。由各光閥進(jìn)行了調(diào)制的3個(gè)色光入射到交叉分色棱鏡1125中。該棱鏡粘貼了四個(gè)直角棱鏡，在其內(nèi)面十字形地形成反射紅色光的介質(zhì)多層膜和反射藍(lán)色光的介質(zhì)多層膜。用這些介質(zhì)多層膜合成3個(gè)色光，形成顯示彩色圖像的光。被合成的光由作為投射光學(xué)系統(tǒng)的投影透鏡1126投影到熒光屏1127上，放大并顯示圖像。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如以上所說明的那樣，在本發(fā)明的有源矩陣襯底中，由于在除去像素部分的區(qū)域上形成防止帶電用的導(dǎo)電層，因此在聚酰亞胺膜等上施加摩擦工藝制作定向膜時(shí)所發(fā)生的靜電等被收集在防止帶電用的導(dǎo)電層中而分散。因此，由于防止襯底自身的帶電，因而能夠把由放電使形成在周邊電路等中的有源元件等的靜電破壞防患于未然。從而，能夠把用抗靜電能力弱的低溫處理形成的TFT用作為有源元件。另外，防止帶電用的導(dǎo)電層由于在使電光轉(zhuǎn)換裝置動(dòng)作時(shí)起到大容量的旁路電容器(旁路電容)的作用，因此在低噪聲化以及低EMI化方面有貢獻(xiàn)。從而，在電光轉(zhuǎn)換裝置中，能夠?qū)崿F(xiàn)顯示的高畫質(zhì)化，高精細(xì)化。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣襯底，在襯底上形成具有像素電極和連接該像素電極的開關(guān)元件的像素單元，在該像素單元周圍用于控制上述開關(guān)元件的周邊電路，以及電連接上述周邊電路的外部連接端子，其特征在于在上述襯底上除去上述像素單元的區(qū)域中的至少一部分上形成防止帶電用的導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣襯底，其特征在于在上述襯底上除去上述像素單元的區(qū)域中，僅在不形成布線的無布線部分的上層一側(cè)形成上述導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣襯底，其特征在于在上述襯底上除去上述像素單元的區(qū)域中，僅在形成施加直流電壓的布線區(qū)域的上層一側(cè)形成上述導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣襯底，其特征在于在上述襯底上除去上述像素部分的區(qū)域中，僅在形成圖像顯示時(shí)施加直流電壓的布線的區(qū)域上層一側(cè)形成上述導(dǎo)電層。
5.如權(quán)利要求1～4的任一項(xiàng)所述的有源矩陣襯底，其特征在于上述防止帶電用的導(dǎo)電層形成為露出上述襯底的表面。
6.如權(quán)利要求1～5的任一項(xiàng)所述的有源矩陣襯底，其特征在于上述防止帶電用的導(dǎo)電層至少形成在上述襯底的外周緣。
7.如權(quán)利要求1～7的任一項(xiàng)所述的有源矩陣襯底，其特征在于在上述外部連接用端子之間形成分別沿著相反方向配置了兩組二極管列的靜電保護(hù)電路。
8.如權(quán)利要求1～7的任一項(xiàng)所述的有源矩陣襯底，其特征在于上述各外部連接用端子和上述防止帶電用的導(dǎo)電層借助分別沿著相反方向配置了兩組二極管列的靜電保護(hù)電路相互連接。
9.如權(quán)利要求7或8所述的有源矩陣襯底，其特征在于上述開關(guān)元件以及上述周邊電路用薄膜晶體管構(gòu)成，在上述靜電保護(hù)電路中構(gòu)成二極管列的二極管連接的薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度長(zhǎng)于連接上述像素的上述薄膜晶體管以及形成在上述周邊電路中的上述薄膜晶體管的溝道長(zhǎng)度。
10.如權(quán)利要求7～9的任一項(xiàng)所述的有源矩陣襯底，其特征在于在上述薄膜晶體管上連接著掃描線和數(shù)據(jù)線，在上述周邊電路中，至少包括用于借助上述薄膜晶體管把應(yīng)加入到上述像素電極的圖像信號(hào)輸出到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路，用于把控制上述薄膜晶體管的選擇/非選擇狀態(tài)的掃描信號(hào)輸出到掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)電路，在上述二極管連接的多個(gè)外部連接用端子中，包含電連接到上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的外部連接用端子，和電連接到上述掃描線驅(qū)動(dòng)電路的外部連接用端子。
11.如權(quán)利要求1～10的任一項(xiàng)所述的有源矩陣襯底，其特征在于上述防止帶電用的導(dǎo)電層用與上述像素電極或者上述外部連接用端子的任一方相同的材料形成。
12.如權(quán)利要求11所述的有源矩陣襯底，其特征在于上述防止帶電用的導(dǎo)電層用Al，Ti，Ta，Cr或者它們的合金形成。
13.如權(quán)利要求11所述的有源矩陣襯底，其特征在于上述防止帶電用的導(dǎo)電層用透明導(dǎo)電膜形成。
14.如權(quán)利要求13所述的有源矩陣襯底，其特征在于上述透明導(dǎo)電膜用銦錫氧化膜形成。
15.如權(quán)利要求1～14的任一項(xiàng)所述的有源矩陣襯底，其特征在于上述薄膜晶體管的有源區(qū)用多晶硅膜形成。
16.一種電光轉(zhuǎn)換裝置，其特征在于具有在權(quán)利要求1～15的任一項(xiàng)中規(guī)定的有源矩陣襯底，對(duì)于該有源矩陣襯底隔開預(yù)定的間隔相對(duì)的對(duì)置襯底，在該對(duì)置襯底與上述有源矩陣襯底的縫隙之間封入的電光轉(zhuǎn)換物質(zhì)。
17.一種有源矩陣襯底的制造方法，為權(quán)利要求1～15的任一項(xiàng)中規(guī)定的有源矩陣襯底的制造方法，其特征在于在對(duì)于大型襯底作為上述有源矩陣襯底劃分出的多個(gè)面板區(qū)的每一個(gè)上形成了上述像素單元，上述周邊電路，上述端子部分以及上述防止帶電用的導(dǎo)電層以后，把該多個(gè)面板區(qū)從上述大型襯底切割出來作為上述有源矩陣襯底。
18.如權(quán)利要求17所述的有源矩陣襯底的制造方法，其特征在于形成上述防止帶電用的導(dǎo)電層跨過與相鄰的面板區(qū)的邊界而形成。
19.一種電子儀器，其特征在于作為顯示裝置搭載了權(quán)利要求16中規(guī)定的電光轉(zhuǎn)換裝置。
20.一種電子儀器，其特征在于作為光閥搭載了權(quán)利要求17中規(guī)定的電光轉(zhuǎn)換裝置。
全文摘要
在有源矩陣襯底、電光轉(zhuǎn)換裝置以及有源矩陣襯底的制造方法中,以有效地回避由對(duì)于定向膜的摩擦工藝等產(chǎn)生的靜電使形成在襯底上的TFT等的破壞為目的,在制造有源矩陣襯底(2)時(shí),在大型襯底(200)的各面板區(qū)(20)中,形成矩陣狀地形成各像素電極的像素部分(81),數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路(60),掃描線驅(qū)動(dòng)電路(70),外部連接用端子(13)的同時(shí),通過導(dǎo)電層形成防止帶電用的共用布線(48)。該共用布線(48)形成為跨接相鄰面板區(qū)的邊界,把對(duì)于大型襯底(200)施加摩擦工藝時(shí)所發(fā)生的靜電進(jìn)行收集,使電荷分散。即使用低溫處理形成的TFT具有抗靜電破壞弱的傾向,也能夠通過共用布線(48)保護(hù)TFT防止靜電破壞。
文檔編號(hào)G02F1/1345GK1256763SQ99800158
公開日2000年6月14日 申請(qǐng)日期1999年2月16日 優(yōu)先權(quán)日1998年2月19日
發(fā)明者小澤德郎 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社