1.一種基于高性能鐵電單晶pin-pmn-pt的加載型電光調(diào)制器，其特征在于：包括pin-pmn-pt基底(1)，所述pin-pmn-pt基底(1)上的中間區(qū)域覆蓋有直波導(dǎo)層(2)，pin-pmn-pt基底(1)和直波導(dǎo)層(2)上均覆蓋有上包層(3)，上包層(3)上均設(shè)置有位于直波導(dǎo)層(2)兩側(cè)且與直波導(dǎo)層(2)長邊平行的調(diào)制電極(4)，所述調(diào)制電極(4)為矩形行波電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高性能鐵電單晶pin-pmn-pt的加載型電光調(diào)制器，其特征在于：所述pin-pmn-pt基底(1)為沿[011]生長的pin-pmn-pt單晶，所述直波導(dǎo)層(2)為非晶si薄膜波導(dǎo)，所述上包層(3)為sio2薄膜，所述兩個(gè)調(diào)制電極(4)為對稱的金電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高性能鐵電單晶pin-pmn-pt的加載型電光調(diào)制器，其特征在于：所述pin-pmn-pt基底(1)的厚度h3為0.3-1mm；直波導(dǎo)層(2)的厚度h4為0.3-1μm；直波導(dǎo)層(2)的寬度w3為5-10μm；上包層(3)的厚度h2為0.5-1μm；調(diào)制電極(4)的厚度h1為0.5-1um，調(diào)制電極(4)的寬度w1為30-80μm，兩個(gè)調(diào)制電極(4)之間的寬度w2為10-50μm；所述pin-pmn-pt基底(1)、直波導(dǎo)層(2)、上包層(3)以及調(diào)制電極(4)的長度l相同，均為5-10mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于高性能鐵電單晶pin-pmn-pt的加載型電光調(diào)制器，其特征在于：所述直波導(dǎo)層(2)的厚度h4為0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm或1μm，直波導(dǎo)層(2)的寬度w3為5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm；上包層(3)的厚度h2為0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm或1μm；調(diào)制電極(4)的厚度h1為0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm或1μm，調(diào)制電極(4)的寬度w1為30μm、40μm、50μm、60μm、70μm或80μm，兩個(gè)調(diào)制電極(4)之間的寬度w2為10μm、20μm、30μm、40μm或50μm；所述pin-pmn-pt基底(1)、直波導(dǎo)層(2)、上包層(3)以及調(diào)制電極(4)的長度l相同，均為5mm、6mm、7mm、8mm、9mm或10mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高性能鐵電單晶pin-pmn-pt的加載型電光調(diào)制器，其特征在于：所述直波導(dǎo)層(2)的折射率n1大于pin-pmn-pt基底(1)的折射率n2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于高性能鐵電單晶pin-pmn-pt的加載型電光調(diào)制器，其特征在于：該電光調(diào)制器通過端面耦合方式將光波耦合到傳輸波導(dǎo)中，即入射光波(5)從直波導(dǎo)層(2)短邊方向的一端端面垂直入射，從另一端端面輸出調(diào)制后的光波(6)。
7.一種如權(quán)利要求1-6所述的基于高性能鐵電單晶pin-pmn-pt的加載型電光調(diào)制器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種基于高性能鐵電單晶pin-pmn-pt的加載型電光調(diào)制器的制備方法，其特征在于：所述步驟2中退火溫度為600-850℃，保溫時(shí)間為8-12h。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種基于高性能鐵電單晶pin-pmn-pt的加載型電光調(diào)制器的制備方法，其特征在于：所述步驟4中沉積溫度為80-120℃，沉積時(shí)間為6-14min；所述步驟5中沉積溫度為300-350℃，沉積時(shí)間為3-4.5h；步驟4中刻蝕溫度為100-140℃，步驟6中刻蝕溫度為85-105℃。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述一種基于高性能鐵電單晶pin-pmn-pt的加載型電光調(diào)制器的制備方法，其特征在于：所述步驟7中極化溫度為110-140℃，極化電壓50-110v，升降壓時(shí)間30-50s，升降壓速率為1-3v/s，降溫速率為1-3℃/min。