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一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝的制作方法

文檔序號(hào):40600102發(fā)布日期:2025-01-07 20:40閱讀:6來源:國(guó)知局
一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝的制作方法

:本發(fā)明涉及光學(xué)配件,更具體地說涉及一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝及其壓印裝置。

背景技術(shù)

0、
背景技術(shù):

1、目前,商用化的導(dǎo)光板其是單一圖案,很難在背光下進(jìn)一步提高亮度。從位于背光的led光源產(chǎn)生的光基本上被全反射,通過導(dǎo)光板內(nèi),導(dǎo)光板的圖案產(chǎn)生光的散射,從而發(fā)出導(dǎo)光板的外部。

2、現(xiàn)有的燈具的照射結(jié)構(gòu)是最下端是反射片,它上面是導(dǎo)光板,擴(kuò)散片,再上面是棱鏡片,通過各自的機(jī)能最終形成背光輝度。

3、為了滿足通過限制消耗電力來滿足背光高亮度的需要,有些部分需要最小化模塊的亮度,因此出現(xiàn)了在背光配件中,將亮度提高到最大化的狀況。背光中需要許多部件,其中有必要通過均勻地發(fā)出光源光的導(dǎo)光板的圖案密度及形狀設(shè)計(jì)來確保亮度。

4、目前,一般制造的導(dǎo)光板圖案是僅具有單一圖案的技術(shù),led光源的反射量有限,因此很難進(jìn)一步提高亮度。因此,可以將其改變?yōu)殡p圖案而不是單一圖案,從而通過最大化led輻射角來提高從背光透射的亮度。

5、而根據(jù)研究發(fā)現(xiàn),在導(dǎo)光板的底面成型更深的凹孔,可以增加光源的折射角,同時(shí)保持屏幕的整體均勻性,而通過light?tool的軟件模擬結(jié)果中,確認(rèn)了具有半圓形狀的屏幕均勻度為80%,ray個(gè)數(shù)為10kk標(biāo)準(zhǔn),亮度效率約為10.6%。將具有圓形凹點(diǎn)和半圓形凹孔的導(dǎo)光板進(jìn)行測(cè)試,導(dǎo)光板的上表面為透鏡狀圖案(未加工的導(dǎo)光板的表面既為透鏡狀圖案),經(jīng)過多次試驗(yàn),取得了與單一圖案相比輝度效率提高10%的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

6、然而,其需要在導(dǎo)光板的底面成型兩種圖案的凹孔,現(xiàn)有的導(dǎo)光板的凹孔成型均是采用激光加工雕刻,然而,激光雕刻其成本高,加工效率低,而且兩種圖案加工,其需要進(jìn)行兩遍激光雕刻,難度大大增加,效率低,大批量生產(chǎn)難度大。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

0、
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

1、本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝,它可以一次性連續(xù)加工導(dǎo)光板,使得其底面成型多個(gè)圓形凹點(diǎn)和多個(gè)半圓形凹孔,其加工效率高,效果好,適合大批量生產(chǎn)。

2、本發(fā)明解決所述技術(shù)問題的方案是:

3、一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝,它包括一下步驟:

4、(1)、準(zhǔn)備導(dǎo)光板材料。按照各英寸的各規(guī)格進(jìn)行裁剪,并通過鏡面加工,按照規(guī)格制作小板;

5、(2)、利用激光雕刻機(jī)器在模塊上雕刻形成表面有圓形凸點(diǎn)的圓形圖案模板;

6、(3)、制作打刻圖案模板;

7、(4)、制成陽刻狀的凹孔模板;

8、(5)、將圓形圖案模板和陽刻狀的凹孔模板安裝在壓印裝置的對(duì)應(yīng)的卷筒的外壁面上;

9、(6)、將導(dǎo)光板本體沿著壓印裝置的輸送通道輸送,其底面成型多個(gè)圓形凹點(diǎn)和凹孔。

10、所述打刻圖案模板制造過程為,用半圓形的模塊在模板的表面進(jìn)行打刻,制成陰刻狀的半圓形凹孔模板。

11、所述制成陽刻狀的凹孔模板過程為,將半圓形凹孔模板上采用澆鑄工藝制成具有半圓形凸起的陽刻狀的凹孔模板。

12、所述步驟(6)中壓印裝置中的卷筒溫度控制在90攝氏度至110攝氏度。

13、所述凹孔模板的表面電鍍鎳材質(zhì)層。

14、所述凹孔模板的半圓形凸起的頂面為半圓球形面。

15、所述壓印裝置包括機(jī)架,機(jī)架的上部左側(cè)安裝有第一滾筒,機(jī)架的上部右側(cè)安裝有第二滾筒,機(jī)架的下部左側(cè)安裝有第三滾筒,機(jī)架的下部右側(cè)安裝有第四滾筒,第一滾筒靠近第二滾筒,第四滾筒靠近第三滾筒,第一滾筒處于第三滾筒的正上方,第二滾筒處于第四滾筒的正上方,第一滾筒和第三滾筒之間進(jìn)行第一通道,第二滾筒和第四滾筒之間形成第二通道,第一通道與第二通道左右對(duì)齊并相通。

16、所述圓形圖案模板的頂面成型半球形凸起,其高度為5μm至9μm。

17、所述第一滾筒、第二滾筒、第三滾筒和第四滾筒的外側(cè)壁上成型有多個(gè)安裝凹槽,圓形圖案模板安裝在第四滾筒的對(duì)應(yīng)的安裝凹槽中,圓形圖案模板的半球形凸起伸出第四滾筒的外側(cè)壁,凹孔模板安裝在第三滾筒的對(duì)應(yīng)的安裝凹槽中,其半圓形凸起伸出第三滾筒的外側(cè)壁。

18、所述第一滾筒和第二滾筒的安裝凹槽處安裝的模塊的外壁面為光滑面,其與第一滾筒的外側(cè)壁處于同一圓柱形側(cè)壁上。

19、本發(fā)明的突出效果是:

20、它可以一次性連續(xù)加工導(dǎo)光板,使得其底面成型多個(gè)圓形凹點(diǎn)和多個(gè)半圓形凹孔,其加工效率高,效果好,適合大批量生產(chǎn)。



技術(shù)特征:

1.一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝,其特征在于:它包括一下步驟:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝,其特征在于:所述打刻圖案模板制造過程為,用半圓形的模塊在模板的表面進(jìn)行打刻,制成陰刻狀的半圓形凹孔模板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝,其特征在于:所述制成陽刻狀的凹孔模板過程為,將半圓形凹孔模板上采用澆鑄工藝制成具有半圓形凸起的陽刻狀的凹孔模板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝,其特征在于:所述步驟(6)中壓印裝置中的卷筒溫度控制在90攝氏度至110攝氏度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝,其特征在于:所述凹孔模板的表面電鍍鎳材質(zhì)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有兩種圖案形狀的高亮度導(dǎo)光板,其特征在于:所述凹孔模板的半圓形凸起的頂面為半圓球形面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有兩種圖案形狀的高亮度導(dǎo)光板,其特征在于:所述壓印裝置包括機(jī)架,機(jī)架的上部左側(cè)安裝有第一滾筒,機(jī)架的上部右側(cè)安裝有第二滾筒,機(jī)架的下部左側(cè)安裝有第三滾筒,機(jī)架的下部右側(cè)安裝有第四滾筒,第一滾筒靠近第二滾筒,第四滾筒靠近第三滾筒,第一滾筒處于第三滾筒的正上方,第二滾筒處于第四滾筒的正上方,第一滾筒和第三滾筒之間進(jìn)行第一通道,第二滾筒和第四滾筒之間形成第二通道,第一通道與第二通道左右對(duì)齊并相通。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有兩種圖案形狀的高亮度導(dǎo)光板,其特征在于:所述圓形圖案模板的頂面成型半球形凸起,其高度為5μm至9μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種具有兩種圖案形狀的高亮度導(dǎo)光板,其特征在于:所述第一滾筒、第二滾筒、第三滾筒和第四滾筒的外側(cè)壁上成型有多個(gè)安裝凹槽,圓形圖案模板安裝在第四滾筒的對(duì)應(yīng)的安裝凹槽中,圓形圖案模板的半球形凸起伸出第四滾筒的外側(cè)壁,凹孔模板安裝在第三滾筒的對(duì)應(yīng)的安裝凹槽中,其半圓形凸起伸出第三滾筒的外側(cè)壁。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種具有兩種圖案形狀的高亮度導(dǎo)光板,其特征在于:所述第一滾筒和第二滾筒的安裝凹槽處安裝的模塊的外壁面為光滑面,其與第一滾筒的外側(cè)壁處于同一圓柱形側(cè)壁上。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種具有雙圖案導(dǎo)光板的制造加工工藝,它包括一下步驟:(1)、準(zhǔn)備導(dǎo)光板材料。按照各英寸的各規(guī)格進(jìn)行裁剪,并通過鏡面加工,按照規(guī)格制作小板;(2)、利用激光雕刻機(jī)器在模塊上雕刻形成表面有圓形凸點(diǎn)的圓形圖案模板;(3)、制作打刻圖案模板;(4)、制成陽刻狀的凹孔模板;(5)、將圓形圖案模板和陽刻狀的凹孔模板安裝在壓印裝置的對(duì)應(yīng)的卷筒的外壁面上;(6)、將導(dǎo)光板本體沿著壓印裝置的輸送通道輸送,其底面成型多個(gè)圓形凹點(diǎn)和凹孔。它可以一次性連續(xù)加工導(dǎo)光板,使得其底面成型多個(gè)圓形凹點(diǎn)和多個(gè)半圓形凹孔,其加工效率高,效果好,適合大批量生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員:李東寅,龐薇
受保護(hù)的技術(shù)使用者:三進(jìn)光電(蘇州)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/6
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