本公開涉及顯示，特別是涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著科技進(jìn)步和人類生活水平的不斷提高，市場(chǎng)對(duì)于顯示屏的性能要求日益增加，尤其對(duì)高分辨率、高刷新率、高對(duì)比度等高性能產(chǎn)品需求劇增，對(duì)畫質(zhì)需求也越來越高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開提供了一種顯示基板，包括第一顯示區(qū)域，所述第一顯示區(qū)域的顯示基板包括：

2、襯底基板，包括開口區(qū)域和非開口區(qū)域；

3、第一透明導(dǎo)電層，位于所述襯底基板的一側(cè)，所述第一透明導(dǎo)電層在所述襯底基板上的正投影與所述開口區(qū)域有交疊；以及

4、鈍化層，覆蓋在所述第一透明導(dǎo)電層背離所述襯底基板的一側(cè)；

5、其中，所述第一透明導(dǎo)電層包括：層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電子膜層和第二導(dǎo)電子膜層，所述第一導(dǎo)電子膜層的氧含量與所述第二導(dǎo)電子膜層的氧含量不同。

6、在一些實(shí)施方式中，所述第二導(dǎo)電子膜層靠近所述鈍化層設(shè)置，所述第二導(dǎo)電子膜層的氧含量大于所述第一導(dǎo)電子膜層的氧含量。

7、在一些實(shí)施方式中，所述第一導(dǎo)電子膜層與所述第二導(dǎo)電子膜層均包括同一金屬元素的高價(jià)位離子和低價(jià)位離子，所述第二導(dǎo)電子膜層中高價(jià)位離子的含量大于所述第一導(dǎo)電子膜層中高價(jià)位離子的含量。

8、在一些實(shí)施方式中，所述第二導(dǎo)電子膜層的致密度大于所述第一導(dǎo)電子膜層的致密度。

9、在一些實(shí)施方式中，所述第二導(dǎo)電子膜層的導(dǎo)電率小于所述第一導(dǎo)電子膜層的導(dǎo)電率。

10、在一些實(shí)施方式中，所述第二導(dǎo)電子膜層對(duì)可見光的透過率大于所述第一導(dǎo)電子膜層對(duì)可見光的透過率。

11、在一些實(shí)施方式中，所述鈍化層包括：依次層疊設(shè)置的第一鈍化子膜層、第二鈍化子膜層和第三鈍化子膜層，所述第一鈍化子膜層靠近所述第一透明導(dǎo)電層設(shè)置；

12、其中，所述第一鈍化子膜層的氫含量小于所述第二鈍化子膜層以及所述第三鈍化子膜層的氫含量。

13、在一些實(shí)施方式中，所述第一鈍化子膜層的硅含量小于所述第二鈍化子膜層以及所述第三鈍化子膜層的硅含量。

14、在一些實(shí)施方式中，所述第二鈍化子膜層的致密度大于所述第一鈍化子膜層以及所述第三鈍化子膜層的致密度。

15、在一些實(shí)施方式中，所述第二鈍化子膜層的介電常數(shù)大于所述第一鈍化子膜層以及所述第三鈍化子膜層的介電常數(shù)。

16、在一些實(shí)施方式中，所述第二鈍化子膜層在所述襯底基板上的正投影邊緣位于所述第一鈍化子膜層在所述襯底基板上的正投影邊緣的外圍；并且

17、所述第二鈍化子膜層在所述襯底基板上的正投影邊緣位于所述第三鈍化子膜層在所述襯底基板上的正投影邊緣的外圍。

18、在一些實(shí)施方式中，所述第一鈍化子膜層的厚度與所述鈍化層的總厚度之比大于或等于1％，且小于或等于10％；

19、所述第三鈍化子膜層的厚度與所述鈍化層的總厚度之比大于或等于1％，且小于或等于10％。

20、本公開提供了一種顯示裝置，包括：

21、如任一實(shí)施方式所述的顯示基板；以及

22、驅(qū)動(dòng)組件，與所述顯示基板連接，用于驅(qū)動(dòng)所述顯示基板進(jìn)行顯示。

23、本公開提供了一種顯示基板的制備方法，包括：

24、提供襯底基板，所述襯底基板包括開口區(qū)域和非開口區(qū)域；

25、在所述襯底基板的一側(cè)形成第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層在所述襯底基板上的正投影與所述開口區(qū)域有交疊，其中，所述第一透明導(dǎo)電層包括：層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電子膜層和第二導(dǎo)電子膜層，所述第一導(dǎo)電子膜層的氧含量與所述第二導(dǎo)電子膜層的氧含量不同；

26、在所述第一透明導(dǎo)電層背離所述襯底基板的一側(cè)覆蓋鈍化層，得到所述顯示基板。

27、在一些實(shí)施方式中，所述在所述襯底基板的一側(cè)形成第一透明導(dǎo)電層的步驟，包括：

28、在第一氣氛下，在所述襯底基板的一側(cè)形成第一膜層；

29、在第二氣氛下，在所述第一膜層背離所述襯底基板的一側(cè)形成第二膜層，其中，所述第二氣氛中的氧分壓大于所述第一氣氛中的氧分壓；

30、采用第一構(gòu)圖工藝，對(duì)所述第一膜層和所述第二膜層進(jìn)行同步圖案化處理，對(duì)所述第一膜層進(jìn)行圖案化處理得到所述第一導(dǎo)電子膜層，對(duì)所述第二膜層進(jìn)行圖案化處理得到所述第二導(dǎo)電子膜層，所述第二導(dǎo)電子膜層的氧含量大于所述第一導(dǎo)電子膜層的氧含量。

31、在一些實(shí)施方式中，所述在所述襯底基板的一側(cè)形成第一透明導(dǎo)電層的步驟，包括：

32、在所述襯底基板的一側(cè)形成第三膜層；

33、對(duì)所述第三膜層背離所述襯底基板的表面進(jìn)行氧離子注入，得到第四膜層；

34、采用第二構(gòu)圖工藝，對(duì)所述第四膜層進(jìn)行圖案化處理，得到所述第一導(dǎo)電子膜層和所述第二導(dǎo)電子膜層，所述第一導(dǎo)電子膜層靠近所述襯底基板設(shè)置，所述第二導(dǎo)電子膜層的氧含量大于所述第一導(dǎo)電子膜層的氧含量。

35、在一些實(shí)施方式中，在所述第一透明導(dǎo)電層背離所述襯底基板的一側(cè)覆蓋鈍化層的步驟，包括：

36、在第三氣氛下，在所述第一透明導(dǎo)電層背離所述襯底基板的一側(cè)形成第六膜層；

37、在第四氣氛下，在所述第六膜層背離所述襯底基板的一側(cè)形成第七膜層；

38、在第五氣氛下，在所述第七膜層背離所述襯底基板的一側(cè)形成第八膜層；

39、采用第三構(gòu)圖工藝，對(duì)所述第六膜層、所述第七膜層以及所述第八膜層進(jìn)行同步圖案化處理，對(duì)所述第六膜層進(jìn)行圖案化處理得到第一鈍化子膜層，對(duì)所述第七膜層進(jìn)行圖案化處理得到第二鈍化子膜層，對(duì)所述第八膜層進(jìn)行圖案化處理得到第三鈍化子膜層；其中，所述第三氣氛中的氫分壓小于所述第四氣氛以及所述第五氣氛中的氫分壓，所述第一鈍化子膜層的氫含量小于所述第二鈍化子膜層以及所述第三鈍化子膜層的氫含量。

40、上述說明僅是本公開技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本公開的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本公開的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉本公開的具體實(shí)施方式。

技術(shù)特征：

1.一種顯示基板，包括第一顯示區(qū)域，所述第一顯示區(qū)域的顯示基板包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其中，所述第二導(dǎo)電子膜層靠近所述鈍化層設(shè)置，所述第二導(dǎo)電子膜層的氧含量大于所述第一導(dǎo)電子膜層的氧含量。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述第一導(dǎo)電子膜層與所述第二導(dǎo)電子膜層均包括同一金屬元素的高價(jià)位離子和低價(jià)位離子，所述第二導(dǎo)電子膜層中高價(jià)位離子的含量大于所述第一導(dǎo)電子膜層中高價(jià)位離子的含量。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述第二導(dǎo)電子膜層的致密度大于所述第一導(dǎo)電子膜層的致密度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述第二導(dǎo)電子膜層的導(dǎo)電率小于所述第一導(dǎo)電子膜層的導(dǎo)電率。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板，其中，所述第二導(dǎo)電子膜層對(duì)可見光的透過率大于所述第一導(dǎo)電子膜層對(duì)可見光的透過率。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的顯示基板，其中，所述鈍化層包括：依次層疊設(shè)置的第一鈍化子膜層、第二鈍化子膜層和第三鈍化子膜層，所述第一鈍化子膜層靠近所述第一透明導(dǎo)電層設(shè)置；

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其中，所述第一鈍化子膜層的硅含量小于所述第二鈍化子膜層以及所述第三鈍化子膜層的硅含量。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其中，所述第二鈍化子膜層的致密度大于所述第一鈍化子膜層以及所述第三鈍化子膜層的致密度。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其中，所述第二鈍化子膜層的介電常數(shù)大于所述第一鈍化子膜層以及所述第三鈍化子膜層的介電常數(shù)。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其中，所述第二鈍化子膜層在所述襯底基板上的正投影邊緣位于所述第一鈍化子膜層在所述襯底基板上的正投影邊緣的外圍；并且

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其中，所述第一鈍化子膜層的厚度與所述鈍化層的總厚度之比大于或等于1％，且小于或等于10％；

13.一種顯示裝置，包括：

14.一種顯示基板的制備方法，包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，其中，所述在所述襯底基板的一側(cè)形成第一透明導(dǎo)電層的步驟，包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制備方法，其中，所述在所述襯底基板的一側(cè)形成第一透明導(dǎo)電層的步驟，包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求14至16任一項(xiàng)所述的制備方法，其中，在所述第一透明導(dǎo)電層背離所述襯底基板的一側(cè)覆蓋鈍化層的步驟，包括：

技術(shù)總結(jié)
顯示基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。顯示基板包括第一顯示區(qū)域，所述第一顯示區(qū)域的顯示基板包括：襯底基板，包括開口區(qū)域和非開口區(qū)域；第一透明導(dǎo)電層，位于所述襯底基板的一側(cè)，所述第一透明導(dǎo)電層在所述襯底基板上的正投影與所述開口區(qū)域有交疊；以及鈍化層，覆蓋在所述第一透明導(dǎo)電層背離所述襯底基板的一側(cè)；其中，所述第一透明導(dǎo)電層包括：層疊設(shè)置的第一導(dǎo)電子膜層和第二導(dǎo)電子膜層，所述第一導(dǎo)電子膜層的氧含量與所述第二導(dǎo)電子膜層的氧含量不同。

技術(shù)研發(fā)人員：宮奎,劉天真,段獻(xiàn)學(xué),張志海
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥京東方光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2