本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超薄基板貼合結(jié)構(gòu)及其制造方法、顯示裝置的制作方法。

背景技術(shù)：

顯示裝置是一種用于顯示文字、數(shù)字、符號(hào)、圖片，或者由文字、數(shù)字、符號(hào)和圖片中至少兩種組合形成的圖像等畫面的裝置，為人們的生活、工作提供較大的便利性。隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，薄型化是顯示裝置發(fā)展的一個(gè)重要方向，這就需要將顯示裝置的襯底基板做得盡量薄(例如，小于或等于0.15mm)。

目前，在制作薄型化的顯示裝置(例如厚度為0.4mm的顯示裝置)時(shí)，通常先提供厚度較厚的襯底基板(例如厚度為0.5mm襯底基板)，然后在該襯底基板上形成像素結(jié)構(gòu)，形成厚度較厚的顯示裝置，然后采用減薄工藝(例如化學(xué)減薄工藝)對厚度較厚的襯底基板進(jìn)行減薄，將厚度較厚的襯底基板減薄至所需的厚度(例如0.15mm)，完成薄型化的顯示裝置的制作。然而，采用上述方式制作顯示裝置時(shí)，由于在形成厚度較厚的顯示裝置后，還需要對厚度較厚的襯底基板進(jìn)行減薄，使得制作薄型化的顯示裝置時(shí)的制作周期和制作成本均增加，且可能造成環(huán)境污染。

為了解決上述問題，在現(xiàn)有技術(shù)中，還可以采用如下方式：提供一超薄基板和載體基板，然后將超薄基板和載體基板貼合在一起，形成超薄基板貼合結(jié)構(gòu)，然后在超薄基板上形成各功能膜層，形成顯示裝置，然后將超薄基板與載體基板剝離，完成薄型化的顯示裝置的制作。其中，現(xiàn)有的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)中，超薄基板與載體基板通常利用羥基實(shí)現(xiàn)超薄基板與載體基板的貼合。然而，由于羥基數(shù)量的限制，現(xiàn)有的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)中，超薄基板與載體基板之間通常不能實(shí)現(xiàn)良好的貼合。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種超薄基板貼合結(jié)構(gòu)，用于減小制作薄型化的顯示裝置時(shí)的制作周期和制作成本，防止造成環(huán)境污染，并使超薄基板與載體基板之間實(shí)現(xiàn)良好的貼合。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種超薄基板貼合結(jié)構(gòu)，包括貼合設(shè)置的載體基板和超薄基板，其中，所述載體基板朝向所述超薄基板的一側(cè)形成有微納結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述微納結(jié)構(gòu)形成在所述載體基板朝向所述超薄基板的表面上。

優(yōu)選地，所述載體基板與所述超薄基板通過貼合層貼合設(shè)置，所述微納結(jié)構(gòu)形成在所述貼合層朝向所述超薄基板的表面上。

優(yōu)選地，所述貼合層的材料為壓印材料。

優(yōu)選地，沿所述微納結(jié)構(gòu)的深度方向，所述微納結(jié)構(gòu)的凸起的截面形狀呈矩形；

所述凸起的高為200nm～500nm；所述凸起的寬為50nm～200nm；

所述微納結(jié)構(gòu)的凸起呈周期性排布，所述凸起的排布周期為2μm～5μm。

優(yōu)選地，沿所述微納結(jié)構(gòu)的深度方向，所述微納結(jié)構(gòu)的凸起的截面形狀呈“凸”狀；

所述凸起包括寬體部和位于所述寬體部上的窄體部，其中，所述寬體部的高為100nm～300nm，所述寬體部的寬為100nm～400nm；所述窄體部的高為50nm～150nm，所述窄體部的寬為50nm～200nm；

所述微納結(jié)構(gòu)的凸起呈周期性排布，所述凸起的排布周期為2μm～5μm。

本發(fā)明提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)中，載體基板朝向超薄基板的一側(cè)形成有微納結(jié)構(gòu)，因而超薄基板與微納結(jié)構(gòu)接觸，超薄基板通過微納結(jié)構(gòu)與載體基板貼合，當(dāng)制作薄型化的顯示裝置時(shí)，在本發(fā)明提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的超薄基板上形成像素結(jié)構(gòu)，然后將超薄基板與載體基板分離，即可完成薄型化的顯示裝置的制作，與現(xiàn)有技術(shù)中完成厚度較厚的顯示裝置的制作后再對厚度較厚的襯底基板進(jìn)行減薄相比，可以減小制作薄型化的顯示裝置時(shí)的制作周期和制作成本，防止造成環(huán)境污染；同時(shí)，本發(fā)明提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)中，超薄基板通過微納結(jié)構(gòu)與載體基板貼合，與現(xiàn)有技術(shù)中利用羥基實(shí)現(xiàn)超薄基板與載體基板貼合相比，微納結(jié)構(gòu)為超薄基板與載體基板的貼合提供較大的貼合力，防止超薄基板與載體基板之間出現(xiàn)滲液或分離等現(xiàn)象，使超薄基板與載體基板之間實(shí)現(xiàn)良好的貼合。

本發(fā)明的目的在于提供一種超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作方法，用于減小制作薄型化的顯示裝置時(shí)的制作周期和制作成本，防止造成環(huán)境污染，并使超薄基板與載體基板之間實(shí)現(xiàn)良好的貼合。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種如上述技術(shù)方案所述的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

提供載體基板和超薄基板；

在所述載體基板的一側(cè)形成微納結(jié)構(gòu)；

將所述超薄基板與所述載體基板形成所述微納結(jié)構(gòu)的一側(cè)貼合。

優(yōu)選地，在所述載體基板的一側(cè)形成微納結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述載體基板上形成壓印層；

將具有與所述微納結(jié)構(gòu)相匹配的結(jié)構(gòu)的壓印模版置于所述載體基板形成有所述壓印層的一側(cè)，并對準(zhǔn)；

將所述壓印模版與所述壓印層壓合，并采用光照方式或加熱方式，使所述壓印層固化；

將所述壓印模版與所述壓印層分離；

對所述壓印層進(jìn)行刻蝕，暴露出所述載體基板與所述微納結(jié)構(gòu)的溝槽對應(yīng)的區(qū)域；

對暴露的所述載體基板進(jìn)行刻蝕；

去除殘留的壓印層。

優(yōu)選地，在所述載體基板的一側(cè)形成微納結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述載體基板上形成貼合層；

將具有與所述微納結(jié)構(gòu)相匹配的結(jié)構(gòu)的壓印模版置于所述載體基板形成有所述貼合層的一側(cè)，并對準(zhǔn)；

將所述壓印模版與所述貼合層壓合，并采用光照方式或加熱方式，使所述貼合層固化；

將所述壓印模版與所述貼合層分離，在所述貼合層上形成所述微納結(jié)構(gòu)。

所述超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作方法與上述超薄基板貼合結(jié)構(gòu)相對于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢相同，在此不再贅述。

本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置的制作方法，用于減小制作薄型化的顯示裝置時(shí)的制作周期和制作成本，防止造成環(huán)境污染，并使超薄基板與載體基板之間實(shí)現(xiàn)良好的貼合。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種顯示裝置的制作方法，包括如上述技術(shù)方案所述的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作方法。

進(jìn)一步地，將超薄基板與載體基板形成微納結(jié)構(gòu)的一側(cè)貼合的步驟之后，所述顯示裝置的制作方法還包括：

在所述超薄基板上形成像素結(jié)構(gòu)；

將所述超薄基板與所述載體基板剝離。

所述顯示裝置的制作方法與上述超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作方法相對于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢相同，在此不再贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例中一種微納結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例中另一種微納結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖；

圖6為圖5中步驟s200的流程圖一；

圖7為圖6中步驟s200的工藝步驟圖；

圖8為圖5中步驟s200的流程圖二；

圖9為圖8中步驟s200的工藝步驟圖；

圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置的制作方法的流程圖。

附圖標(biāo)記：

10-載體基板，20-超薄基板，

30-微納結(jié)構(gòu)，31-凸起，

311-寬體部，312-窄體部，

32-溝槽，40-貼合層，

50-壓印層，60-壓印模版。

具體實(shí)施方式

為了進(jìn)一步說明本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)及其制作方法、顯示裝置的制作方法，下面結(jié)合說明書附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖1或圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)包括貼合設(shè)置的載體基板10和超薄基板20，其中，載體基板10朝向超薄基板20的一側(cè)形成有微納結(jié)構(gòu)30。

具體地，請繼續(xù)參閱圖1或圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)為將超薄基板20貼合在載體基板10上的結(jié)構(gòu)，以方便后續(xù)在超薄基板20上形成像素結(jié)構(gòu)等結(jié)構(gòu)，可以用于制備薄型化的顯示裝置，其中，超薄基板20和載體基板10均可以為玻璃基板。本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)包括貼合設(shè)置的載體基板10和超薄基板20，載體基板10朝向超薄基板20的一側(cè)形成有微納結(jié)構(gòu)30，即載體基板10與超薄基板20貼合的一側(cè)形成微納結(jié)構(gòu)30，因而超薄基板20直接與微納結(jié)構(gòu)30接觸，實(shí)現(xiàn)超薄基板20與載體基板10的良好貼合。

由上述可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)中，載體基板10朝向超薄基板20的一側(cè)形成有微納結(jié)構(gòu)30，因而超薄基板20與微納結(jié)構(gòu)30接觸，超薄基板20通過微納結(jié)構(gòu)30與載體基板10貼合，當(dāng)制作薄型化的顯示裝置時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的超薄基板20上形成像素結(jié)構(gòu)，然后將超薄基板20與載體基板10分離，即可完成薄型化的顯示裝置的制作，與現(xiàn)有技術(shù)中完成厚度較厚的顯示裝置的制作后再對厚度較厚的襯底基板進(jìn)行減薄相比，可以減小制作薄型化的顯示裝置時(shí)的制作周期和制作成本，防止造成環(huán)境污染；同時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)中，超薄基板20通過微納結(jié)構(gòu)30與載體基板10貼合，與現(xiàn)有技術(shù)中利用羥基實(shí)現(xiàn)超薄基板20與載體基板10貼合相比，微納結(jié)構(gòu)30為超薄基板20與載體基板10的貼合提供較大的貼合力，防止超薄基板20與載體基板10之間出現(xiàn)滲液或分離等現(xiàn)象，使超薄基板20與載體基板10之間實(shí)現(xiàn)良好的貼合。

另外，當(dāng)在本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)中的超薄基板20上形成像素結(jié)構(gòu)后，即完成顯示裝置的形成后，將超薄基板20與載體基板10分離時(shí)，只需要采用剝離刀片對超薄基板20與載體基板10進(jìn)行分離，當(dāng)微納結(jié)構(gòu)30的凸起31與超薄基板20的夾角大于或等于30°時(shí)，超薄基板20與載體基板10可以輕松分離，因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的分離過程較容易。

值得一提的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)可以用于薄型化的液晶顯示裝置的制作過程中，也可以應(yīng)用于薄型化的有機(jī)電致發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)顯示裝置的制作過程中，也可以應(yīng)用于薄型化的其它形式顯示裝置的制作過程中。在實(shí)際應(yīng)用中，本發(fā)明實(shí)施例提供的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)還可以用于曲面顯示裝置的制作過程。

在上述實(shí)施例中，微納結(jié)構(gòu)30形成在載體基板10朝向超薄基板20的一側(cè)，在實(shí)際應(yīng)用中，請繼續(xù)參閱圖1，微納結(jié)構(gòu)30可以直接形成在載體基板10朝向超薄基板20的表面上，如此設(shè)計(jì)，可以進(jìn)一步改善超薄基板20通過微納結(jié)構(gòu)30與載體基板10貼合的穩(wěn)固性；或者，請繼續(xù)參閱圖2，可以在載體基板10與超薄基板20之間設(shè)置貼合層40，微納結(jié)構(gòu)30形成在貼合層40朝向超薄基板20的表面上，此時(shí)，超薄基板20與貼合層40上的微納結(jié)構(gòu)30接觸，并通過貼合層40與載體基板10貼合，其中，貼合層40的材料可以選用為壓印材料，如此設(shè)計(jì)，可以避免在載體基板10上形成微納結(jié)構(gòu)30而造成載體基板10的破壞，且載體基板10可以多次重復(fù)使用，進(jìn)一步降低制作薄型化的顯示裝置時(shí)的制作成本。

在上述實(shí)施例中，微納結(jié)構(gòu)30通常包括多個(gè)凸起31以及位于相鄰的兩個(gè)凸起31之間的溝槽32，在實(shí)際應(yīng)用中，凸起31的結(jié)構(gòu)可以為多種了，例如，請參閱圖3，沿微納結(jié)構(gòu)30的深度方向，微納結(jié)構(gòu)30的凸起31的截面形狀可以呈矩形，此時(shí)，凸起31的高h(yuǎn)1可以為200nm～500nm，例如，凸起31的高h(yuǎn)1可以為200nm、350nm、500nm等，凸起31的寬d1可以為50nm～200nm，例如，凸起31的寬d1可以為50nm、100nm、200nm等，其中，在設(shè)定凸起31的高和寬時(shí)，需要保證凸起31具有較大的高寬比，即凸起31的高與寬的比值較大。

請繼續(xù)參閱圖3，沿微納結(jié)構(gòu)30的深度方向，微納結(jié)構(gòu)30的凸起31的截面形狀呈矩形時(shí)，微納結(jié)構(gòu)30的凸起31可以呈周期性排布，凸起31的排布周期t1可以為2μm～5μm，凸起31的排布周期t1可以認(rèn)為是圖3中一個(gè)凸起31的寬與相鄰于該凸起31的溝槽32的寬之和，凸起31的排布周期t1可以為2μm、3μm、4μm、5μm等。

請參閱圖4，凸起31的結(jié)構(gòu)還可以為：沿微納結(jié)構(gòu)30的深度方向，微納結(jié)構(gòu)30的凸起31的截面形狀呈“凸”狀，即沿微納結(jié)構(gòu)30的深度方向，微納結(jié)構(gòu)30的凸起31的截面的兩側(cè)均具有臺(tái)階，凸起31可以包括寬體部311和窄體部312，寬體部311相對窄體部312靠近載體基板10，其中，寬體部311的高h(yuǎn)2可以為100nm～300nm，例如，寬體部311的高h(yuǎn)2可以為100nm、200nm、300nm等，寬體部311的寬d2可以為100nm～400nm，例如，寬體部311的寬d2可以為100nm、200nm、300nm、400nm等，窄體部312的高h(yuǎn)3為50nm～150nm，例如，窄體部312的高h(yuǎn)3可以為50nm、100nm、150nm等，窄體部312的寬d3可以為50nm～200nm，例如，窄體部312的寬d3可以為50nm、100nm、200nm等，其中，在設(shè)定凸起31的寬體部311和窄體部312時(shí)，需要保證凸起31具有較大的高寬比，可以認(rèn)為，寬體部311的高與窄體部312的高之和，與寬體部311的寬的比值較大。

請繼續(xù)參閱圖4，沿微納結(jié)構(gòu)30的深度方向，微納結(jié)構(gòu)30的凸起31的截面形狀呈“凸”狀時(shí)，微納結(jié)構(gòu)30的凸起31也可以呈周期性排布，凸起31的排布周期t2為2μm～5μm，凸起31的排布周期t2可以認(rèn)為是圖4中一個(gè)寬體部311的寬與相鄰于該寬體部311的溝槽32的寬之和，凸起31的排布周期t2可以為2μm、3μm、4μm、5μm等。

請參閱圖5，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種如上述實(shí)施例所述的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作方法，包括：

步驟s100、提供載體基板和超薄基板。

步驟s200、在載體基板的一側(cè)形成微納結(jié)構(gòu)。

步驟s300、將超薄基板與載體基板形成微納結(jié)構(gòu)的一側(cè)貼合。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處。尤其，對于方法實(shí)施例而言，由于其基本相似于結(jié)構(gòu)實(shí)施例，所以描述得比較簡單，相關(guān)之處參見結(jié)構(gòu)實(shí)施例的部分說明即可。

值得一提的是，在步驟s100中，提供的載體基板和超薄基板需要經(jīng)過清洗，以防止載體基板和超薄基板上存在雜質(zhì)、異物、水汽等。

在上述實(shí)施例中，步驟s200、在載體基板的一側(cè)形成微納結(jié)構(gòu)時(shí)，可以采用納米壓印的方式形成，舉例來說，微納結(jié)構(gòu)位于載體基板上，且微納結(jié)構(gòu)形成在載體基板朝向超薄基板的表面上，請參閱圖6，步驟s200、在載體基板的一側(cè)形成微納結(jié)構(gòu)可以包括：

步驟s211、在載體基板上形成壓印層。

步驟s212、將具有與微納結(jié)構(gòu)相匹配的結(jié)構(gòu)的壓印模版置于載體基板形成有壓印層的一側(cè)，并對準(zhǔn)。

步驟s213、將壓印模版與壓印層壓合，并采用光照方式或加熱方式，使壓印層固化。

步驟s214、將壓印模版與壓印層分離。

步驟s215、對壓印層進(jìn)行刻蝕，暴露出載體基板與微納結(jié)構(gòu)的溝槽對應(yīng)的區(qū)域。

步驟s216、對暴露的載體基板進(jìn)行刻蝕。

步驟s217、去除殘留的壓印層。

具體地，請參閱圖6和圖7，可以先執(zhí)行步驟s211，在載體基板10上形成壓印層50，其中，壓印層50的材料可以根據(jù)步驟s213中使壓印層50固化時(shí)所采用的方式進(jìn)行選擇，例如，當(dāng)步驟s213中采用光照方式(例如紫外光照射方式)使壓印層50固化時(shí)，則壓印層50的材料可以選擇受光照固化的材料，當(dāng)步驟s213中采用加熱方式使壓印層50固化時(shí)，則壓印層50的材料可以選擇受熱固化的材料，壓印層50的形成可以采用涂覆等方式進(jìn)行；然后執(zhí)行步驟s212，將壓印模版60置于載體基板10形成有壓印層50的一側(cè)，并對準(zhǔn)，其中，壓印模版60具有與待形成的微納結(jié)構(gòu)30相匹配的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括凸起部和溝槽部，該結(jié)構(gòu)的凸起部對應(yīng)微納結(jié)構(gòu)30的溝槽32，該結(jié)構(gòu)的溝槽部對應(yīng)微納結(jié)構(gòu)30的凸起31；然后執(zhí)行步驟s213，將壓印模版60與壓印層50壓合，可以理解為將壓印模版60壓向壓印層50，壓印層50在壓印模版60的作用下，形成與微納結(jié)構(gòu)30相匹配的結(jié)構(gòu)，同時(shí)，采用光照方式或加熱方式，使壓印層50固化，使壓印層50保持在壓印模版60的作用下所形成的結(jié)構(gòu)，例如，如圖7所示，可以采用光照方式使壓印層50固化，其中，光可以由載體基板10背向壓印層50的一側(cè)照入，即光由圖7中步驟213所示的載體基板10的下方照入，或者，當(dāng)壓印模板為透明模版時(shí)，光可以由壓印模版60背向壓印層50的一側(cè)照入；然后執(zhí)行步驟s214，將壓印模板與壓印層50分離，即進(jìn)行脫模操作；然后執(zhí)行步驟s215，對壓印層50進(jìn)行刻蝕，具體地，對壓印層50與微納結(jié)構(gòu)30的溝槽32對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，以暴露出載體基板10與微納結(jié)構(gòu)30的溝槽32對應(yīng)的區(qū)域；然后執(zhí)行步驟s216，對暴露的載體基板10進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度則根據(jù)微納結(jié)構(gòu)30的凸起31的高進(jìn)行設(shè)定；然后執(zhí)行步驟s217，去除殘留的壓印層50，完成在載體基板10上形成微納結(jié)構(gòu)30。

當(dāng)微納結(jié)構(gòu)位于載體基板與超薄基板之間的貼合層上，且微納結(jié)構(gòu)形成在貼合層朝向超薄基板的表面上時(shí)，請參閱圖8，步驟s200、在載體基板的一側(cè)形成微納結(jié)構(gòu)可以包括：

步驟s221、在載體基板上形成貼合層。

步驟s222、將具有與微納結(jié)構(gòu)相匹配的結(jié)構(gòu)的壓印模版置于載體基板形成有貼合層的一側(cè)，并對準(zhǔn)。

步驟s223、將壓印模版與貼合層壓合，并采用光照方式或加熱方式，使貼合層固化。

步驟s224、將壓印模版與貼合層分離。

具體地，請參閱圖8和圖9，可以先執(zhí)行步驟s221，在載體基板10上形成貼合層40，其中，貼合層40的材料可以為壓印材料，貼合層40的材料可以根據(jù)步驟s223中使貼合層40固化時(shí)所采用的方式來進(jìn)行選擇，例如，當(dāng)步驟s223中采用光照方式(例如紫外光照射方式)使貼合層40固化時(shí)，則貼合層40的材料可以選擇受光照固化的材料，當(dāng)步驟s223中采用加熱方式使貼合層40固化時(shí)，則貼合層40的材料可以選擇受熱固化的材料，貼合層40的形成可以采用涂覆等方式進(jìn)行；然后執(zhí)行步驟s222，將壓印模版60置于載體基板10形成有貼合層40的一側(cè)，并對準(zhǔn)，其中，壓印模版60具有與待形成的微納結(jié)構(gòu)30相匹配的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括凸起部和溝槽部，該結(jié)構(gòu)的凸起部對應(yīng)微納結(jié)構(gòu)30的溝槽32，該結(jié)構(gòu)的溝槽部對應(yīng)微納結(jié)構(gòu)30的凸起31；然后執(zhí)行步驟s223，將壓印模版60與貼合層40壓合，可以理解為將壓印模版60壓向貼合層40，貼合層40在壓印模版60的作用下，形成與微納結(jié)構(gòu)30相匹配的結(jié)構(gòu)，同時(shí)，采用光照方式或加熱方式，使貼合層40固化，使貼合層40保持在壓印模版60的作用下所形成的結(jié)構(gòu)，例如，如圖9所示，可以采用光照方式使貼合層40固化，其中，光可以由載體基板10背向貼合層40的一側(cè)照入，即光由圖9中步驟223所示的載體基板10的下方照入，或者，當(dāng)壓印模板為透明模版時(shí)，光可以由壓印模版60背向貼合層40的一側(cè)照入；然后執(zhí)行步驟s224，將壓印模板與貼合層40分離，即進(jìn)行脫模操作，完成在貼合層40上形成微納結(jié)構(gòu)30。

采用步驟s221至步驟s224的方式形成微納結(jié)構(gòu)時(shí)，與采用步驟s211至步驟s217的方式形成微納結(jié)構(gòu)相比，可以省去多次刻蝕的步驟，因而可以縮短制作超薄基板貼合結(jié)構(gòu)時(shí)的制作周期和制作成本。

請參閱圖10，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置的制作方法，包括如上述實(shí)施例所述的超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作方法。

所述顯示裝置的制作方法與上述超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作方法相對于現(xiàn)有技術(shù)所具有的優(yōu)勢相同，在此不再贅述。

請繼續(xù)參閱圖10，完成超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作后，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置的制作方法還包括：

步驟s400、在超薄基板上形成像素結(jié)構(gòu)。

步驟s500、將超薄基板與載體基板剝離。

具體地，超薄基板貼合結(jié)構(gòu)的制作完成后，在超薄基板上形成像素結(jié)構(gòu)，例如，當(dāng)制作薄型化的液晶顯示裝置時(shí)，則采用制作薄型化的液晶顯示裝置的常規(guī)方法，在超薄基板上形成對應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)，像素結(jié)構(gòu)包括液晶層；然后，將超薄基板與載體基板剝離，舉例來說，可以利用一個(gè)真空吸附裝置將載體基板吸附，利用另一個(gè)真空吸附裝置將形成有像素結(jié)構(gòu)的超薄基板吸附，然后將剝離刀插入超薄基板與載體基板之間，利用兩個(gè)真空吸附裝置以及剝離刀的作用，微納結(jié)構(gòu)的凸起與超薄基板之間的夾角大于或等于30°時(shí)，超薄基板與載體基板可以輕松分離，將超薄基板與載體基板分離后，則完成薄型化的顯示裝置的制作。

在上述實(shí)施方式的描述中，具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。