技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于非對(duì)稱(chēng)定向耦合器的硅基TE模檢偏器，該檢偏器由下至上依次為硅基襯底(8)、掩埋氧化層(9)、檢偏部件(14)和上包層(10)，其中掩埋氧化層(9)生長(zhǎng)于硅基襯底(8)的上表面，上包層(10)覆蓋掩埋氧化層(9)的上表面，檢偏部件(14)水平生長(zhǎng)于掩埋氧化層(9)的上表面，并被上包層(10)覆蓋；所述檢偏部件(14)包括輸入通道(1)、右路直通通道(2)、輸出通道(3)、左路直通通道(5)、左路彎曲通道(6)和左路水平通道(7)。該檢偏器有效降低了檢偏器的插入損耗，提高了器件消光比，縮短了器件的尺寸。

技術(shù)研發(fā)人員：肖金標(biāo);倪斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東南大學(xué)
文檔號(hào)碼：201710159616
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.17
技術(shù)公布日：2017.06.20