本申請要求于2016年3月18日提交的第10-2016-0032909號韓國專利申請的優(yōu)先權和所有權益，該韓國專利申請的內(nèi)容通過引用全部包含于此。

發(fā)明涉及一種顯示裝置和一種制造該顯示裝置的方法。

背景技術：

顯示裝置的重要性已經(jīng)隨著多媒體的發(fā)展而增加。響應這樣的情形，已使用諸如液晶顯示裝置(lcd)和有機發(fā)光顯示裝置(oled)的各種類型的顯示裝置。

在它們之中，液晶顯示裝置是最廣泛使用的平板顯示裝置中的一種，包括有諸如像素電極和共電極的場產(chǎn)生電極的兩個顯示基底以及置于該兩個顯示基底之間的液晶層。液晶顯示裝置通過將電壓施加到場產(chǎn)生電極而在液晶層中產(chǎn)生電場，通過電場確定液晶層的液晶分子的方向并且利用定向的液晶分子控制入射光的偏振，從而顯示圖像。

液晶顯示裝置或有機發(fā)光顯示裝置通過將顯示基底之中的一個或兩個或更多個基底層壓而形成，但由于在制造工藝期間會發(fā)生的沖擊，對于基底有損壞的風險。因此，存在正在執(zhí)行用于改善基底的強度的各種技術嘗試的情形。

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明的一個或更多個示例性實施例提供了一種抑制在其基底的端部處產(chǎn)生的裂紋朝向基底的中心部分生長的顯示裝置。

發(fā)明的一個或更多個示例性實施例提供了一種包括改善了強度的基底的顯示裝置。

發(fā)明的一個或更多個示例性實施例提供了一種用于制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置抑制在其的基底的端部處產(chǎn)生的裂紋朝向基底的中心部分生長。

發(fā)明的一個或更多個示例性實施例提供了一種用于制造包括改善了強度的基底的顯示裝置的方法。

發(fā)明的一個或更多個示例性實施例提供了一種用于制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置防止在其顯示區(qū)域的外部中發(fā)生的漏光現(xiàn)象。

然而，發(fā)明不受在這里闡述的示例性實施例的限制。通過參照下面給出的發(fā)明的詳細描述，發(fā)明未被提及的以上或其它特征對于發(fā)明所屬領域的普通技術人員而言將變得更明顯。

根據(jù)發(fā)明的實施例的顯示裝置包括：第一基底，限定第一基底的頂表面、面對頂表面的第一基底的底表面以及使頂表面和底表面彼此連接的側表面。側表面包括通過以下限定的第一側表面：第一圖案化表面，包括第一圖案，第一圖案的長在第一圖案化表面的平面圖中沿斜線方向延伸；以及第二圖案化表面，從第一圖案化表面的上端部傾斜地延伸，第二圖案化表面包括第二圖案，第二圖案的長在第二圖案化表面的平面圖中從第一圖案化表面的上端部沿垂直方向延伸。

一種根據(jù)發(fā)明的用于制造顯示裝置的方法的示例性實施例包括：準備第一基底和面對第一基底的第二基底，第一基底包括由第一圖案化表面和第二圖案化表面限定的第一側表面；以及使第一基底和第二基底彼此結合以形成顯示裝置。準備第一基底包括：設置第一基底的初始狀態(tài)，所述第一基底限定第一基底的頂表面、面對頂表面的第一基底的底表面以及使頂表面和底表面彼此連接的第一基底的連接表面；在第一連接表面處形成從頂表面傾斜的上圖案化表面，上圖案化表面包括第二圖案化表面的第二圖案，通過垂直拋光第一連接表面的上端部使第二圖案的長垂直于第一連接表面的長地延伸；在同一第一連接表面處形成從底表面傾斜的下圖案化表面，通過垂直拋光第一連接表面的下端部，下圖案化表面包括第二圖案化表面的第二圖案；以及通過斜線地拋光上圖案化表面和下圖案化表面，形成第一基底的從底表面延伸的第一圖案化表面。

一種顯示裝置包括：第一基底，限定第一基底的彼此面對的頂表面和底表面，以及圍繞頂表面和底表面的外周的第一基底的四個側表面，其中，四個側表面包括第一側表面和面對第一側表面的第二側表面，第一側表面包括具有第一圖案的第一圖案化表面，第一圖案的長在第一圖案化表面的平面圖中沿斜線方向延伸，第一圖案化表面的下邊緣與底表面接觸。

其它示例性實施例的具體事項包括在具體實施方式和附圖中。

根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，至少存在以下效果。

可以抑制裂紋從基底的端部或表面部分朝向基底的中心部分生長。

此外，可以改善基底在其端部或表面部分處的強度。

根據(jù)發(fā)明的示例性實施例的進一步效果不受以上示出內(nèi)容限制，并且在此包括進一步的各種效果。

附圖說明

通過參照附圖詳細地描述發(fā)明的示例性實施例，發(fā)明的以上和其它特征將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的示例性實施例的局部透視圖；

圖2是根據(jù)發(fā)明的圖1的顯示裝置的俯視平面圖；

圖3是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的示例性實施例的截面?zhèn)纫晥D；

圖4是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的第一基底的示例性實施例的放大的俯視平面圖；

圖5是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的像素的示例性實施例的放大的剖視圖；

圖6是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的第一基底和第二基底的截面?zhèn)纫晥D；

圖7是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的第一基底和第二基底的另一截面?zhèn)纫晥D；

圖8是根據(jù)發(fā)明的在顯示裝置的側表面處的第一圖案的示例性實施例的放大的平面圖；

圖9、圖9a和圖9b是根據(jù)發(fā)明的在顯示裝置的側表面處的第一圖案的其它示例性實施例的放大的平面圖；

圖10是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的另一示例性實施例的透視圖；

圖11是圖10的顯示裝置的剖視圖；

圖12是根據(jù)發(fā)明的用于解釋制造顯示裝置的方法中的工藝的示例性實施例的透視圖；

圖13是根據(jù)發(fā)明的用于解釋在圖12中的工藝的結果的剖視圖；

圖14是根據(jù)發(fā)明的用于解釋制造顯示裝置的方法中的工藝的又一示例性實施例的剖視圖；

圖15是根據(jù)發(fā)明的用于解釋圖14中的工藝的剖視圖；以及

圖16是根據(jù)發(fā)明的用于解釋圖14和圖15中的工藝的結果的剖視圖。

具體實施方式

通過參考將參照附圖詳細描述的示例性實施例，發(fā)明的特征和用于實現(xiàn)該特征的方法將是明顯的。然而，發(fā)明不限于在下文中公開的示例性實施例，但可以以多種形式實施。在說明書中限定的諸如詳細的構造和元件的內(nèi)容只不過是提供用來幫助本領域普通技術人員全面理解發(fā)明的具體細節(jié)，并且發(fā)明僅限制在所附權利要求的范圍內(nèi)。

用來表示元件在另一元件上或者位于不同層或一個層上的術語“在……上”包括元件直接在另一元件或層上的情況和元件經(jīng)由另一層或又一元件而位于另一元件或層上的情況的兩種情況。在發(fā)明的整個描述中，貫穿各種圖形，同樣的附圖標記用于同樣的元件。

盡管使用術語“第一”、“第二”等來描述不同的構成元件，但是這樣的構成元件不受該術語限制。該術語僅用來將一個構成元件與其它構成元件區(qū)分開。因此，在下面的描述中，第一構成元件可以是第二構成元件。

在這里使用的術語僅用于描述具體實施例的目的而非意圖限制。如在這里使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數(shù)形式“一個”、“一種”和“該/所述”也意圖包括復數(shù)形式(包括“至少一個(種)”)?！爸辽僖粋€(種)”將不解釋為限制“一個”或“一種”?！盎?或者)”意味著“和/或(或者)”。如在這里使用的，術語“和/或”包括一個或更多個相關所列項目的任何組合和所有組合。將進一步理解的是，當在此說明書中使用術語“包括”和/或其變型或者“包含”和/或其變型時，表明存在陳述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除存在或添加一個或更多個其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

此外，可以在這里使用諸如“下面的”或“底部”和“上面的”或“頂部”的相對術語，以描述如附圖中示出的一個元件與另一元件的關系。將理解的是，除了附圖中描繪的方位之外，相對術語意圖包含裝置的不同方位。例如，如果翻轉附圖中的一幅圖中的裝置，則描述為在其它元件的“下面的”側上的元件將隨后被定位在所述其它元件的“上面的”側上。因此，示例性術語“下面的”可根據(jù)附圖的具體方位包含“下面的”和“上面的”兩種方位。相似地，如果翻轉附圖中的一幅圖中的裝置，則描述為“在”其它元件“下方”或“之下”的元件將隨后被定位“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性術語“在……下方”或“在……之下”可包含上方和下方兩種方位。

如在這里使用的“大約”或“近似”包括陳述的值，并意味著：考慮到正在被談及的測量以及與具體量的測量有關的誤差(即，測量系統(tǒng)的局限性)，在由本領域的普通技術人員確定的具體值的可接受偏差范圍之內(nèi)。例如，“大約”可意味著在一個或多個標準偏差內(nèi)，或者在所陳述的值的±30％、±20％、±10％或±5％之內(nèi)。

除非另外定義，否則在這里使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本公開所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。還將理解的是，除非這里明確這樣定義，否則術語(諸如在通用字典中定義的術語)應當被解釋為具有與在相關領域的環(huán)境和本公開中它們的含義一致的含義，而將不以理想化或過于形式化的含義來進行解釋。

在這里參照是理想化的實施例的示意性圖示的截面圖示來描述示例性實施例。這樣，將預期到由例如制造技術和/或公差造成的圖示的形狀的變化。因此，在這里描述的實施例不應被解釋為受限于在這里示出的區(qū)域的具體形狀，而是將包括由例如制造造成的形狀上的偏差。例如，示出為或描述為平坦的區(qū)域典型地具有粗糙和/或非線性特征。此外，示出的尖角可以是圓形的。因此，在附圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意圖示出區(qū)域的精確形狀并且不意圖限制本權利要求的范圍。

在下文中，將參照附圖來描述發(fā)明的示例性實施例。

圖1是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的示例性實施例的局部透視圖。圖2是根據(jù)發(fā)明的圖1的顯示裝置的俯視平面圖。圖3是根據(jù)發(fā)明的圖1的顯示裝置的截面?zhèn)纫晥D。圖4是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的第一基底的示例性實施例的放大的俯視平面圖。圖5是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的像素的示例性實施例的放大的剖視圖。圖6和圖7是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的第一基底和第二基底的截面?zhèn)纫晥D。圖8是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的側表面的第一圖案的示例性實施例的放大的平面圖。

參照圖1至圖8，根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的示例性實施例包括具有或限定第一側表面sw1的第一基底500。第一側表面sw1包括或限定第一加工表面gr1和從第一加工表面gr1的上端部gr1_u傾斜地延伸的第二加工表面gr2。在下文中，表面gr1和表面gr2可以另外地分別稱作第一拋光表面和第二拋光表面。

首先，參照圖1和圖2，第一基底500可以包括具有耐熱性和滲透性的材料或者由該材料形成。例如，第一基底500可以包括透明玻璃或塑料或者由該透明玻璃或塑料形成，但不限于此。

第一基底500可以包括或限定彼此面對的上表面500_t和下表面500_b。此外，第一基底500可以包括在上表面500_t和下表面500_b的外周處的四個側表面。該四個側表面均使上表面500_t和下表面500_b連接到彼此。四個側表面可以包括第一側表面sw1和設置為面對第一側表面sw1的第二側表面sw2。在示例性實施例中，例如，第一側表面sw1的至少一部分和第二側表面sw2的至少一部分可以是與圖1的y-z平面平行的平面。上表面500_t和下表面500_b可以設置在與x-y平面平行的平面中。

第一側表面sw1可以包括或限定第一拋光表面gr1和第二拋光表面gr2。第一拋光表面gr1可以面對第二側表面sw2，諸如平行于第二側表面sw2。在第二側表面sw2平行于y-z平面的示例性實施例中，第一拋光表面gr1可以以與第二側表面sw2相同的方式與y-z平面平行。第二拋光表面gr2可以沿截面(厚度或z方向)設置在第一拋光表面gr1上，諸如從第一拋光表面gr1延伸。第二拋光表面gr2可以被設置為或形成為從第一拋光表面gr1的上端部gr1_u向上傾斜。即，第二拋光表面gr2可以是與x-y平面形成預定角度的傾斜表面。第一拋光表面gr1和第二拋光表面gr2中的一個可以延伸以限定第一拋光表面gr1和第二拋光表面gr2中的另一個。

第二拋光表面gr2的下端部可以與第一拋光表面gr1的上端部gr1_u接觸。即，第二拋光表面gr2的下端部或下邊緣可以與第一拋光表面gr1的上端部gr1_u基本相同。因此，在下文中，為了便于解釋，第二拋光表面gr2的下端部和第一拋光表面gr1的上端部gr1_u將由作為相同的附圖標記的gr1_u來表示。與第一拋光表面gr1的上端部gr1_u相比，第二拋光表面gr2的上端部gr2_u可以進一步朝向第一基底500的內(nèi)部區(qū)域設置。即，從第二側表面sw2到第二拋光表面gr2的上端部gr2_u的距離可以比從第二側表面sw2到第二拋光表面gr2的下端部(例如，第一拋光表面gr1的上端部gr1_u)的距離小。

在示例性實施例中，第一拋光表面gr1的下端部或下邊緣gr1_d可以與第一基底500的下表面500_b接觸并交匯，第二拋光表面gr2的上端部gr2_u可以與第一基底500的上表面500_t接觸并交匯。換言之，第一側表面sw1可以由限定了整個第一側表面sw1的第一拋光表面gr1和第二拋光表面gr2的僅兩個拋光表面制成。

在第一方向上縱向延伸的第一圖案gp1可以形成在第一拋光表面gr1上。第一圖案gp1可以另外地稱作第一拋光圖案gp1。這里的第一拋光圖案gp1可以指按預定的規(guī)則設置或形成在表面的平面上的圖案或紋理的單元或者兩個或更多個單元的組。此外，拋光圖案可以包括凹雕圖案或浮雕圖案。即，拋光圖案可以通過與在凹進的外圍處的表面的平面相比從該表面的平面相對地凹進的凹雕來形成，或者可以通過與在浮雕的外圍處的表面的平面相比從該表面的平面相對地突出的浮雕來形成。

也就是說，形成有或設置有第一拋光圖案gp1的第一拋光表面gr1可以是具有微小的凹的(例如，凹進的)部分和凸出的(例如，浮雕)部分的整個不均勻的表面。在制造顯示裝置的示例性實施例中，可以通過如稍后描述的拋光工藝來引起不均勻的表面。

第一拋光圖案gp1可以設置為多個，并且所述多個第一拋光圖案gp1可以設置為以恒定的間隔彼此分隔開，使得限定整個不均勻的表面。在示例性實施例中，第一拋光圖案gp1沿其縱向延伸的第一方向可以是相對于平面表面的平面的邊緣的長的斜線方向。參照圖6，例如，第一方向可以是從第一拋光表面gr1的上端部gr1_u或下端部gr1_d以恒定角度傾斜的方向。這可以是由于如稍后將描述的將斜線拋光工藝施加到第一側表面sw1的事實。然而，這是示例，并且發(fā)明不受上述制造方法限制。

下面將參照圖8更詳細地描述第一拋光圖案gp1。

第二圖案gp2可以形成在或設置在第二拋光表面gr2上。第二圖案gp2可以另外地稱作第二拋光圖案gp2。與第一拋光表面gr1相似，第二拋光表面gr2可以是具有微小的凹的部分和凸出的部分的整個不均勻的表面。

第二拋光圖案gp2可以設置為多個，并且所述多個第二拋光圖案gp2可以設置為以恒定的間隔彼此分隔開，使得限定整個不均勻的表面。第二拋光圖案gp2可以在與第一拋光圖案gp1沿其縱向延伸的第一方向不同的第二方向上縱向延伸。在示例性實施例中，第二方向可以是與第二拋光表面gr2的上端部gr2_u的長垂直的方向。

焊盤p可以在第一基底500上設置為多個。多個焊盤p可以設置在第一基底500的非顯示區(qū)域nda上。下面將參照圖4詳細地描述在第一基底500的非顯示區(qū)域nda上的焊盤p。

再次參照圖1和圖2，根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的示例性實施例還可以包括設置在第一基底500上的第二基底1000。

第二基底1000可以設置為與第一基底500疊置。第二基底1000的面積可以比第一基底500的面積小。因此，第二基底1000可以至少部分地暴露第一基底500的上表面500_t和第一側表面sw1。在示例性實施例中，第二基底1000與第一基底500的顯示區(qū)域da疊置，并且可以至少部分地暴露第一基底500的非顯示區(qū)域nda。此外，多個焊盤p可以設置在第一基底500的非顯示區(qū)域nda的被第二基底1000暴露的一部分上。

第二基底1000可以包括彼此面對的第一側壁1000_1和第二側壁1000_2。在示例性實施例中，第一側壁1000_1可以與y-z平面平行。此外，第一側壁1000_1可以設置為比第一基底500的第一側表面sw1接近顯示裝置的內(nèi)部區(qū)域。在俯視平面圖中，多個焊盤p可以設置在第一側壁1000_1的下端部與第一基底500的第二拋光表面gr2的上端部gr2_u之間。

在示例性實施例中，第一基底500可以是顯示裝置的薄膜晶體管(顯示器)基底的基礎基底，在其上設置有薄膜晶體管基底的多個薄膜晶體管。第二基底1000可以是顯示裝置的濾色器(顯示器)基底的基礎基底，在其上設置有濾色器cf。彼此結合以在其間設置光學介質(zhì)的兩個顯示基底可以限定顯示裝置的顯示面板。顯示面板可以使用光來顯示圖案，可以通過諸如背光的單獨光源來提供所述光。然而，發(fā)明不限于此，在另一示例性實施例中，薄膜晶體管和濾色器都可以設置在顯示面板的單個顯示基底之內(nèi)的第一基底500上。此外，在另一實施例中顯示裝置可以是有機發(fā)光顯示裝置，在這種情況下，第二基底1000可以是顯示裝置的密封基底。

參照圖3，第一基底500和第二基底1000可以通過密封劑slt彼此附著。即，密封劑slt可以置于第一基底500與第二基底1000之間以使第一基底500與第二基底1000彼此結合。結合的第一基底500和第二基底1000與設置在其上的顯示基底的各種元件一起可以形成顯示裝置的顯示面板。

隨后，將參照圖4和圖5來更具體地描述第一基底500。圖4和圖5將根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的示例性實施例示出為液晶顯示裝置。

第一基底500可以包括顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda。顯示區(qū)域da和非顯示區(qū)域nda可以限定整個第一基底500。顯示區(qū)域da是在顯示裝置上顯示圖像的區(qū)域。非顯示區(qū)域nda是設置有各種信號線以允許在顯示區(qū)域da中顯示圖像并且在其中不顯示有圖像的區(qū)域。

將更具體地示出顯示區(qū)域da。像素px、柵極線gl和數(shù)據(jù)線dl可以在顯示區(qū)域da處設置為多個。在示例性實施例中，多個像素px通過多條數(shù)據(jù)線dl與多條柵極線gl之間的相互交匯來劃分，但發(fā)明不限于此。多個像素px可分別連接到多條數(shù)據(jù)線dl和多條柵極線gl。像素px的薄膜晶體管可以連接到數(shù)據(jù)線dl和柵極線gl中的對應的一條。

下面將參照圖4具體地示出多個像素px。

用于連接數(shù)據(jù)線dl與焊盤p的數(shù)據(jù)扇出線dfl可以設置在非顯示區(qū)域nda中。數(shù)據(jù)扇出線dfl可以將提供到焊盤p的信號發(fā)送到數(shù)據(jù)線dl并因此到像素px。

多個焊盤p可以設置在整個非顯示區(qū)域nda的一側上。焊盤p和數(shù)據(jù)扇出線dfl中的每個限定其長度大于其寬度。焊盤p可以具有比數(shù)據(jù)扇出線dfl的寬度相對大的寬度以促進與諸如印刷電路板(未示出)的信號提供裝置的電接觸。為了便于解釋，非顯示區(qū)域nda的設置有焊盤p的區(qū)域將被具體地稱作焊盤部分pa。在示例性實施例中，焊盤部分pa不與第二基底1000疊置并且可以設置在第二基底1000的第一側壁1000_1的下端部與第一基底500的第一側表面sw1的上端部之間。

接著，將參照圖5來詳細地描述設置在顯示區(qū)域da中的像素px的示例性實施例。

柵電極ge可以設置在第一基底500上。柵電極ge可以設置為或形成為從柵極線gl突出。柵極線gl的一部分可以限定柵電極ge。在與稍后將描述的源電極se和漏電極de的作用下，柵電極ge可以形成薄膜晶體管的三個端子中的一個端子。柵電極ge、源電極se和漏電極de均可以在顯示區(qū)域da中設置為多個。

柵電極ge和柵極線gl可以包括包含鋁合金的鋁(al)基金屬、包含銀合金的銀(ag)基金屬、包含銅合金的銅(cu)基金屬、包含鉬合金的鉬(mo)基金屬、鉻(cr)、鈦(ti)和鉭(ta)中的一種或更多種或者由上述一種更多種形成。然而，這些材料是示例，柵電極ge和柵極線gl的材料不限于此，具有獲得期望的顯示裝置的性質(zhì)的金屬或聚合物材料可以用作柵電極ge和柵極線gl的材料。

柵極絕緣膜gi可以設置在柵電極ge和柵極線gl上。柵極絕緣膜gi覆蓋柵電極ge和柵極線gl并且可以設置在或形成在整個第一基底500之上。在制造顯示裝置的示例性實施例中，柵極絕緣膜gi可以通過混合從諸如氧化硅(siox)和氮化硅(sinx)的無機絕緣材料以及諸如苯并環(huán)丁烯(bcb)、丙烯酸類材料和聚酰亞胺的有機絕緣材料中選擇的一種或更多種材料來形成。然而，這些材料僅是示例，柵極絕緣膜gi的材料不限于此。

半導體圖案層700可以設置在柵極絕緣膜gi上。

半導體圖案層700可以包括非晶硅或多晶硅或者由該非晶硅或多晶硅形成。然而，發(fā)明不限于此，半導體圖案層700也可以包括氧化物半導體。

半導體圖案層700在俯視平面圖中可以具有諸如島狀形狀或線性形狀的各種形狀。當半導體圖案層700具有線性形狀時，半導體圖案層700可以在顯示裝置的截面厚度方向上位于數(shù)據(jù)線dl下面，以延伸到柵電極ge的頂部并且與柵電極ge疊置。

在示例性實施例中，在除了薄膜晶體管的溝道部ch之外的全部區(qū)域中，半導體圖案層700可以圖案化成與稍后將描述的數(shù)據(jù)線dl、源電極se和漏電極de基本相同的平面的形狀。

也就是說，半導體圖案層700可以設置為與除了薄膜晶體管的溝道部ch之外的數(shù)據(jù)線dl、源電極se和漏電極de的整個區(qū)域疊置。

溝道部ch可以設置在彼此面對的源電極se與漏電極de之間。溝道部ch暴露在彼此面對的源電極se與漏電極de之間。溝道部ch用于使源電極se和漏電極de彼此電連接，溝道部ch的具體形狀不受限制。

以相對高的濃度摻雜有n型雜質(zhì)的歐姆接觸層(未示出)可以設置在半導體圖案層700的頂部上。歐姆接觸層可以與半導體圖案層700的全部或一部分疊置。然而，在半導體圖案層700包括氧化物半導體的示例性實施例中可以省略歐姆接觸層。

當半導體圖案層700是氧化物半導體時，半導體圖案層700可以包括氧化鋅(zno)或者由氧化鋅形成。另外，可以對半導體圖案層700摻雜從鎵(ga)、銦(in)、錫(sn)、鋯(zr)、鉿(hf)、鎘(cd)、銀(ag)、銅(cu)、鍺(ge)、釓(gd)、鈦(ti)和釩(v)材料中選擇的一種或更多種離子。作為示例，作為氧化物半導體的半導體圖案層700可以包括從zno、zngao、znino、znsno、gainzno、cdo、ino、gao、sno、ago、cuo、geo、gdo、hfo、tizno、ingazno和intizno中選擇的一種或更多種材料。然而，這些材料僅是示例，氧化物半導體的類型不限于此。

數(shù)據(jù)線dl、源電極se和漏電極de可以設置在半導體圖案層700上。數(shù)據(jù)線dl、源電極se和漏電極de可以限定數(shù)據(jù)導體。數(shù)據(jù)線dl、源電極se和漏電極de在第一基底500上在它們的層中與薄膜晶體管基底位于同一層中。

源電極se可以以分支的形式偏離數(shù)據(jù)線dl，并且可以設置為沿顯示裝置的截面厚度方向延伸到半導體圖案層700的頂部。數(shù)據(jù)線dl的一部分可以限定源電極se。

漏電極de與源電極se分隔開且可以沿顯示裝置的截面厚度方向設置在半導體圖案層700的頂部處，并且在俯視平面圖中位于柵電極ge或溝道部ch周圍以面對源電極se。漏電極de可以與稍后將描述的像素電極pe接觸并且電連接到該像素電極pe。

數(shù)據(jù)線dl、源電極se和漏電極de可以具有單層膜結構或多層膜結構，該膜結構包括鎳(ni)、鈷(co)、鈦(ti)、銀(ag)、銅(cu)、鉬(mo)、鋁(al)、鈹(be)、鈮(nb)、金(au)、鐵(fe)、硒(se)或鉭(ta)之中的至少一種或由此至少一種形成。此外，也能夠應用通過在金屬中包括從鈦(ti)、鋯(zr)、鎢(w)、鉭(ta)、鈮(nb)、鉑(pt)、鉿(hf)、氧(o)和氮(n)中選擇的一種或更多種元素來形成的合金。然而，上述材料是示例，數(shù)據(jù)線dl、源電極se和漏電極de的材料不限于此。

雖然圖5示出單個薄膜晶體管設置在單個像素px中，但理所當然的是，發(fā)明的范圍不限于此。即，在其它示例性實施例中，設置在單個像素px中的薄膜晶體管的數(shù)量可以是多個。此外，當多個薄膜晶體管設置在單個像素px中時，單個像素px可以被劃分為與相應的薄膜晶體管對應的多個疇。

鈍化膜pass可以設置在數(shù)據(jù)線dl、源電極se、漏電極de和半導體圖案層700上。鈍化膜pass可以包括無機絕緣材料或有機絕緣材料或者由它們制成。

像素電極pe可以設置在鈍化膜pass上。在示例性實施例中，像素電極pe可以包括諸如氧化銦錫(ito)或氧化銦鋅(izo)的透明導體或者諸如鋁的反射導體或者由它們形成。像素電極pe可以在顯示區(qū)域da和/或單個像素px中設置為多個。

像素電極pe可以具有平板形狀(例如，沒有開口或縫隙)，或者可以具有限定有一個或更多個縫隙的結構。此外，像素電極pe可以共同地包括兩個或更多個子像素電極，在這種情況下，可以對子像素電極分別施加不同的電壓。

第二基底1000可以設置為面對第一基底500。第二基底1000可以包括具有耐熱性和滲透性的物質(zhì)或者由該物質(zhì)形成。例如，第二基底1000可以由透明玻璃或塑料形成，但不限于此。第二基底1000可以包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，與第一基底500的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域相似。顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域可以限定整個第二基底1000。顯示區(qū)域是第二基底1000的顯示裝置在其處顯示圖像的區(qū)域。第二基底1000的非顯示區(qū)域是不顯示圖像的區(qū)域。

黑矩陣bm和濾色器cf可以設置在第二基底1000上。黑矩陣bm和濾色器cf可以在第二基底1000上設置為多個。

黑矩陣bm可以設置為與柵極線gl和/或數(shù)據(jù)線dl疊置。此外，黑矩陣bm也可以與薄膜晶體管疊置。

黑矩陣bm可以用于阻擋從顯示裝置外部入射的光或者防止光從顯示裝置內(nèi)部傳播到顯示裝置外部。為此，黑矩陣bm可以包括諸如包含黑色顏料的一種光敏樹脂的光敏樹脂或者由該光敏樹脂形成。然而，這是示例，黑矩陣bm的材料不限于此，許多物質(zhì)中的任一種只要其物理性質(zhì)阻擋從顯示裝置外部入射的光就可以用作黑矩陣的材料。

濾色器cf可以設置在顯示裝置的不被黑矩陣bm覆蓋或疊置的部分(即，被黑矩陣bm暴露的部分)中。濾色器cf可以通過改變由將光提供到顯示面板的顯示基底的背光(未示出)傳播的光的波長來呈現(xiàn)各種顯示顏色。在示例性實施例中，濾色器cf可以包括紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器，但發(fā)明不限于此。

覆膜oc可以設置在黑矩陣bm和濾色器cf上。覆膜oc是扁平的膜并且可以設置在整個第二基底1000之上。

共電極ce可以設置在覆膜oc上。可以將共電壓施加到共電極ce。當將不同的電壓分別施加到共電極ce和像素電極pe時，可以在共電極ce與像素電極pe之間形成電場。

布置有多個液晶分子的液晶層lc可以設置在其上有相應元件的第一基底500與第二基底1000之間?？梢酝ㄟ^形成在共電極ce與像素電極pe之間的電場來控制液晶層lc。因此，通過控制設置在液晶層lc中的液晶的移動來控制用于顯示圖像的光。

接著，將參照圖6、圖7和圖8來更具體地描述顯示裝置的側表面的示例性實施例。

圖6是在y-z平面的法線方向上示出圖1的顯示裝置的第一側表面sw1的截面?zhèn)纫晥D。

參照圖6，具有第一拋光圖案gp1的第一拋光表面gr1、具有第二拋光圖案gp2的第二拋光表面gr2以及第二基底1000的第一側壁1000_1可以沿顯示裝置的厚度方向(z方向)順序地布置。

因為第一拋光圖案gp1和第二拋光圖案gp2與以上所述的基本相同，所以將不提供其詳細的描述。

在示例性實施例中，第二基底1000的第一側壁1000_1可以是未加工的表面，例如，沒有進行拋光。即，根據(jù)制造顯示裝置的示例性實施例，第二基底1000的第一側壁1000_1可以是未進行機械加工的第二基底1000的初始狀態(tài)的表面，但發(fā)明不限于此。

在另一示例性實施例中，第二基底1000的第一側壁1000_1可以是諸如由在制造顯示裝置的示例性實施例中對其初始狀態(tài)進行加工或機械加工造成的拋光表面。

圖7是在y-z平面的法線方向上示出圖1的顯示裝置的第二側表面sw2的截面?zhèn)纫晥D。

參照圖7，第二側表面sw2和第二側壁1000_2可以沿顯示裝置的厚度方向(z方向)順序地設置。在示例性實施例中，第二側表面sw2和第二側壁1000_2可以彼此對齊，諸如在與y-z平面平行的平面中彼此共面。此外，可以在第二側表面sw2和第二側壁1000_2中的每個上設置或形成相同的(拋光的)圖案。參照圖7，例如，與設置在第一拋光表面gr1處的拋光圖案相同的第一拋光圖案gp1可以設置在或形成在第二側表面sw2和第二側壁1000_2處。即，如在圖7中通過斜線示出的，可以形成斜線拋光圖案(diagonalpolishedpattern)。在制造顯示裝置的示例性實施例中，如稍后將描述的，可以通過將斜線拋光工藝應用到第二側表面sw2來形成斜線拋光圖案。

隨后，將參照圖8來更具體地描述第一拋光圖案gp1。

第一拋光圖案gp1可以限定其長大于其寬。第一拋光圖案gp1的長延伸為向第一拋光表面gr1的上端部gr1_u或下端部gr1-d傾斜，諸如相對于第一拋光表面gr1的上端部gr1_u或下端部gr1-d的長以恒定的角度傾斜。在示例性實施例中，單個的第一拋光圖案gp1可以與第一拋光表面gr1的下端部gr1_d形成第一角度θ1，相鄰的第一拋光圖案gp1可以與第一拋光表面gr1的下端部gr1_d形成第二角度θ2。在示例性實施例中，第一角度θ1和第二角度θ2可以彼此相同。即，在示例性實施例中，彼此平行的多個第一拋光圖案gp1可以設置在第一拋光表面gr1處。

在實施例中，第一角度θ1可以是從下端部gr1_d沿逆時針方向獲取的銳角。更具體地，在逆時針方向上，第一角度θ1相對于第一拋光表面gr1的上端部gr1_u或下端部gr1-d的長可以是大約50度或更小且大約0度或更大。隨著第一角度θ1更接近0度，可以增大第一基底500的長度。

當執(zhí)行用于制造顯示裝置的各種工藝時，會在基底的端部或表面處產(chǎn)生細裂紋。同時，一旦最初產(chǎn)生裂紋，這樣的裂紋會遠離外表面并朝向基底的內(nèi)部生長而損壞基底的中心部分。為了減少或有效地防止這種情形，在會形成裂紋的部分處對基底施加拋光工藝。即，第一基底500的拋光是一種被采用來減少或有效地防止第一基底500的端部或表面的裂紋行進并朝向第一基底500的內(nèi)部生長的情形的工藝。如上所述，當將角度應用到拋光(例如，當?shù)谝粧伖鈭D案gp1的長作為斜線傾斜延伸時)時，能夠更有效地減少或有效地防止端部的裂紋朝向第一基底500的內(nèi)部行進。

在示例性實施例中，相鄰的第一拋光圖案gp1之間的距離可以彼此相同。即，如圖8中所示，d1和d2可以彼此相同。

雖然在上面已經(jīng)給出第一拋光圖案gp1形成在第一拋光表面gr1的整個表面之上的情況的描述，但發(fā)明不限于此，第一拋光圖案gp1也可以部分地形成在第一拋光表面gr1上。

在下文中，將描述根據(jù)發(fā)明的另一實施例的顯示裝置。在以下示例中，將用相同的附圖標記表示與以上描述相同的構造，且將省略或簡化重復的描述。

圖9是根據(jù)發(fā)明的在顯示裝置的側表面處的第一圖案的另一示例性實施例的放大的平面圖。

參照圖9，在根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的另一示例性實施例中，側表面的第一拋光圖案gp1之間的距離可以彼此不同。即，如圖9中所示，d1和d2可以彼此不同。在制造顯示裝置的示例性實施例中，如稍后將描述的可以通過拋光輪的運動速度的改變來形成不同的距離。

圖9a是根據(jù)發(fā)明的在顯示裝置的側表面處的第一圖案的又一示例性實施例的放大的平面圖。

參照圖9a，在根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的又一示例性實施例中，第一拋光圖案gp1_a的斜線方向可以是與圖8的第一拋光圖案gp1的斜線方向交叉的方向。

也就是說，圖8的第一拋光圖案gp1是從第一拋光表面gr1的上端部gr1_u由右到左的斜線方向。相反，在圖9a中的第一拋光圖案gp1_a的斜線方向可以是從第一拋光表面gr1的上端部gr1_u由左到右的斜線方向。

在制造顯示裝置的示例性實施例中，第一拋光圖案的斜線的方向可以根據(jù)執(zhí)行斜線拋光的拋光輪的旋轉方向來確定。即，用于執(zhí)行斜線拋光的拋光輪可以沿順時針方向或逆時針方向旋轉，在由左到右的斜線方向或者由右到左的斜線方向上的第一拋光圖案gp1可以根據(jù)拋光輪的旋轉方向形成在第一拋光表面gr1上。

圖9b是根據(jù)發(fā)明的在顯示裝置的側表面處的第一圖案的再一示例性實施例的放大的平面圖。

參照圖9b，在根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的再一示例性實施例中，第一拋光表面gr1可以包括在由左到右的斜線方向上延伸的第一拋光圖案gp1_a和在由右到左的斜線方向上延伸的第一拋光圖案gp1。

在示例性實施例中，同一第一拋光表面gr1的一部分可以包括從第一拋光表面gr1的上端部gr1_u在由左向右的斜線方向上延伸的第一拋光圖案gp1_a，其它部分可以包括從第一拋光表面gr1的上端部gr1_u在由右向左的斜線方向上延伸的第一拋光圖案gp1。

此外，雖然圖9b示出均設置為彼此分隔開并且彼此不疊置的從第一拋光表面gr1的上端部gr1_u在由左到右的斜線方向上延伸的多個第一拋光圖案gp1_a和從第一拋光表面gr1的上端部gr1_u在由右到左的斜線方向上延伸的多個第一拋光圖案gp1，但發(fā)明不限于此，在另一示例性實施例中都可以至少部分地疊置。

沿彼此疊置的不同的方向延伸的第一拋光圖案在制造顯示裝置的示例性實施例中的斜線拋光工藝期間可以因拋光輪的旋轉方向的改變而改變。然而，這是示例，理所當然的是，發(fā)明的結構特征不受制造方法的限制。

圖10是根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的另一示例性實施例的透視圖。圖11是圖10的顯示裝置的截面?zhèn)纫晥D。

參照圖10和圖11，顯示裝置可以是彎曲的顯示裝置或彎曲的顯示面板。

顯示裝置可以包括均彎曲的同時具有恒定的曲率的第一基底500a和第二基底1000a。

諸如圖1中所述的，第一基底500a可以包括第一側表面sw1和與具有第一拋光表面gr1和第二拋光表面gr2的第一側表面sw1相對的第二側表面sw2。相似地，諸如在圖7中針對1000_2描述的，第二基底1000a可以包括第一側表面1000_1和與第一側表面1000_1相對并且具有拋光表面的第二側表面1000_2。因為第一基底500a的第一側表面sw1和第二側表面sw2以及第二基底1000a的第一側表面1000_1和第二側表面1000_2與在圖1的實施例中描述的那些基本相同，所以將不提供其詳細的描述。

當?shù)谝换?00a和第二基底1000a是彎曲的時，可以產(chǎn)生由于彎曲而產(chǎn)生的應力，因此，會增大相應基底的端部或表面的裂紋朝向基底的內(nèi)部行進的力。如上所述，當彎曲的第一基底500a的第一側表面sw1和第二側表面sw2包括拋光表面時，可以減少或有效地防止這樣的裂紋的行進，因此，可以改善彎曲的第一基底500a的強度的穩(wěn)定性。相似地，當?shù)诙?000a的第一側表面1000_1和/或第二側表面1000_2包括拋光表面時，可以減少或有效地防止裂紋的行進，因此，可以改善彎曲的第二基底1000a的強度的穩(wěn)定性。

在下文中，將描述根據(jù)發(fā)明的用于制造顯示裝置的方法的示例性實施例。下面將描述的構造中的一些構造與上述液晶顯示裝置的構造相同，為了避免重復的描述，可以不提供一些構造的描述。

圖12是根據(jù)發(fā)明的用于解釋制造顯示裝置的方法中的工藝的示例性實施例的透視圖。圖13是根據(jù)發(fā)明的用于解釋在圖12中的工藝的結果的剖視圖。圖14是根據(jù)發(fā)明的用于解釋制造顯示裝置的方法中的工藝的又一示例性實施例的剖視圖。圖15是根據(jù)發(fā)明的用于解釋圖14中的工藝的剖視圖。圖16是根據(jù)發(fā)明的用于解釋圖14和圖15中的工藝的結果的剖視圖。

參照圖12至圖16，根據(jù)發(fā)明的用于制造顯示裝置的方法的示例性實施例包括準備具有第一側表面sw1的第一基底500和面對第一基底500的第二基底1000的操作。準備第一基底500包括針對其初始狀態(tài)，垂直拋光第一側表面sw1的上端部以形成第一上拋光表面gr_u的操作、垂直拋光第一側表面sw1的下端部以形成第一下拋光表面gr_d的操作、以及斜線拋光第一側表面sw1以最終形成第一基底500的第一拋光表面gr1和第二拋光表面gr2的操作。

首先，執(zhí)行準備具有第一側表面sw1的第一基底500和面對第一基底500的第二基底1000的操作。

第一基底500和第二基底1000可以與根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的示例性實施例中描述的第一基底和第二基底基本相同。因此，將不提供其詳細的描述。

隨后，針對第一基底500的初始狀態(tài)，可以參照圖12執(zhí)行垂直拋光第一側表面sw1的上端部以形成上拋光表面gr_u的操作。為了便于描述將定義術語。在根據(jù)發(fā)明的制造顯示裝置的方法中，可以通過拋光裝置來執(zhí)行拋光，拋光裝置包括均具有主加工表面ms和子加工表面ss的拋光輪wh1、wh2、wh3和wh4以及使拋光輪wh1、wh2、wh3和wh4分別旋轉的旋轉軸r1、r2、r3和r4。

主加工表面ms指由與旋轉軸r1、r2、r3和r4平行的表面組成的表面，子加工表面ss指垂直于旋轉軸r1、r2、r3和r4的表面。即，主加工表面ms的外周可以具有圍繞相應旋轉軸或與相應旋轉軸同軸的圓形形態(tài)。

垂直(例如，豎直)拋光指利用主加工表面ms的拋光，當執(zhí)行豎直拋光時，可以在被豎直拋光加工的物體上形成在豎直方向上的拋光圖案。

斜線拋光指利用子加工表面ss進行拋光，當執(zhí)行斜線拋光時，可以在被斜線拋光加工的物體上形成在斜線方向上的拋光圖案。

將參照圖13來描述這樣的構造。當在第一側表面sw1的上端部處執(zhí)行垂直(豎直)拋光時，可以使上拋光表面gr_u形成為第一側表面sw1的一部分。與在上述根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的示例性實施例中所描述的第二拋光表面gr2相似，可以在上拋光表面gr_u上形成第二拋光圖案gp2。在示例性實施例中，第二拋光圖案gp2的長可以在與圖12中的旋轉軸r1的長垂直的方向上延伸，或者在與上拋光表面gr_u的上端部gr_u1垂直的方向上延伸。

隨后，可以執(zhí)行垂直拋光第一側表面sw1的下端部以形成下拋光表面gr_d的操作。當在第一側表面sw1的下端部處執(zhí)行豎直拋光時，可以使下拋光表面gr_d形成為第一側表面sw1的一部分?？梢栽谙聮伖獗砻鎔r_d上形成第二拋光圖案gp2。在示例性實施例中，第二拋光圖案gp2的長可以在與旋轉軸r2垂直的方向上延伸，或者在與下拋光表面gr_d的下端部或上端部gr_d1垂直的方向上延伸。

在上面，雖然已經(jīng)給出相繼地執(zhí)行以下操作的示例的描述：垂直拋光第一基底500的初始狀態(tài)的第一側表面sw1的上端部以形成上拋光表面gr_u的操作；以及垂直拋光第一基底500的初始狀態(tài)的第一側表面sw1的下端部以形成下拋光表面gr_d的操作，但在其它示例性實施例中可以同時執(zhí)行該兩個操作而不受此限制。如圖12中所示，可以通過第一拋光輪wh1來執(zhí)行拋光第一側表面sw1的上端部，可以通過第二拋光輪wh2來執(zhí)行拋光第一側表面sw1的下端部。即，可以通過豎直設置的第一拋光輪wh1和第二拋光輪wh2來同時地或順序地執(zhí)行拋光第一側表面sw1的上端部和下端部。

為了垂直拋光，可以使拋光輪wh1和wh2以及第一基底500彼此相對運動。即，如圖12中所示，第一基底500可以沿y軸正方向(圖12中的箭頭y)運動，或者拋光輪wh1和wh2可以沿y軸負方向(圖12中與箭頭y相反)運動。因此，可以完全地拋光第一側表面sw1的上端部或下端部。

圖13示出了在圖12中示出的拋光第一側表面sw1的上端部或下端部的結果。

在示例性實施例中，上拋光表面gr_u的寬度w1可以比下拋光表面gr_d的寬度w2大。此外，上拋光表面gr_u的斜率可以小于下拋光表面gr_d的斜率。一般而言，豎直拋光伴隨著基底的強度的減小，如上所述，當不同地形成第一基底500的作為中間工藝表面的上拋光表面gr_u和下拋光表面gr_d的寬度和斜率時，能夠減少施加到第一基底500的頂部的損壞。第一基底500的作為中間工藝表面的上拋光表面gr_u和下拋光表面gr_d可以在第一基底500的末端處諸如通過豎直表面彼此連接。

隨后，參照圖14、圖15和圖16，執(zhí)行斜線拋光第一側表面sw1的中間部分以形成第一拋光表面gr1的操作。

如上所述，可以通過拋光輪wh3和wh4的子加工表面ss來執(zhí)行斜線拋光。當執(zhí)行斜線拋光時，切割第一側表面sw1的一部分，與在第一基底的初始狀態(tài)(圖12)中的第一側表面sw1的原始位置(圖12)相比，第一側表面sw1可以進一步位于朝向第一基底500的內(nèi)部區(qū)域。

具體地，當執(zhí)行斜線拋光時，可以使子加工表面ss在與第一側表面sw1和第二側表面sw2平行地設置的狀態(tài)下更接近它們以與第一側表面sw1和第二側表面sw2接觸。子加工表面ss可以根據(jù)旋轉軸r3和旋轉軸r4的旋轉而旋轉，斜線拋光圖案(例如，第一拋光圖案gp1)可以通過子加工表面ss的旋轉形成在第一側表面sw1和第二側表面sw2上。即，第一拋光圖案gp1可以限定其延伸為從第一側表面sw1的下端部或上端部以恒定角度傾斜的長(見圖8)。

當對第一側表面sw1執(zhí)行斜線拋光時，上拋光表面gr_u的寬度w1可以通過拋光輪wh4切割或去除第一基底500的末端部分而減少到寬度w3。此外，可以通過切割來去除整個的下拋光表面gr_d。即，第一基底500的在其第一側表面sw1處的全部切割長度可以等于或大于下拋光表面gr_d的初始寬度w2。然而，在其它示例性實施例中，可以保留下拋光表面gr_d的一部分。在這種情況下，第一側表面sw1可以包括三個拋光表面，即，第一拋光表面gr1、第二拋光表面gr2和下拋光表面gr_d的保留的部分。

當上拋光表面gr_u的一部分通過諸如切割被去除時，上拋光表面gr_u的保留的部分可以變?yōu)獒槍Ω鶕?jù)發(fā)明的顯示裝置的最終狀態(tài)描述的第二拋光表面gr2。

當斜線拋光工藝完成時，如在圖16中所示，第一拋光表面gr1和第二拋光表面gr2可以共同地形成顯示裝置的最終狀態(tài)的第一側表面sw1。因為第一拋光表面gr1和第二拋光表面gr2可以與在根據(jù)發(fā)明的顯示裝置的示例性實施例中描述的拋光表面基本相同，所以將不提供其詳細的描述。

雖然參照發(fā)明的示例性實施例已經(jīng)具體地示出并描述了發(fā)明，但本領域普通技術人員將理解的是，在不脫離如由權利要求限定的發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此做出形式和細節(jié)上的各種改變。示例性實施例應僅以描述性的含義來考慮，而不是出于限制性的目的。