本實(shí)用新型涉及一種掩模板，具體涉及一種校正曝光圖形的掩模板，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

光刻是利用光刻膠的感光性及抗蝕性，形成與掩模板圖形一致或者相補(bǔ)的感光區(qū)域。光刻技術(shù)是高精度微幾何形狀圖形化最有效的手段之一，它可以大規(guī)模復(fù)制微細(xì)胞圖形進(jìn)行生產(chǎn)，是半導(dǎo)體技術(shù)圖形化轉(zhuǎn)移常用的技術(shù)手段。

目前，光刻可在小面積或極限曝光面積下進(jìn)行，其具體光路如圖1、圖2所示，鏡頭1通過光路2照射在掩膜板3上。實(shí)際生產(chǎn)中采用的掩模板如圖3所示，該掩膜板包括掩膜板本體4，掩膜板本體4上的中心圖案6為圓形，邊緣圖案7也為圓形，即掩膜板上所有圖案均為圓形。

步進(jìn)式曝光機(jī)的曝光面積為5mm*5mm，極限曝光面積為20mm*20mm。生產(chǎn)中采用的光刻工藝流程具體為：首先在襯底上根據(jù)預(yù)定的制程進(jìn)行涂膠作業(yè)，將涂膠合格的襯底放置在步進(jìn)式曝光機(jī)中，選擇5mm*5mm的掩模板進(jìn)行曝光作業(yè)，然后將曝光后的片子進(jìn)行顯影，檢查顯影后發(fā)現(xiàn)最后得到的光刻膠圖案與曝光掩模板圖案一致，即當(dāng)曝光面積為5mm*5mm時(shí)，采用圖3所示掩膜板得到光刻膠圖案也都為圖3中一致的圓形。

但采用結(jié)構(gòu)如圖3所示的掩模板在極限曝光面積20mm*20mm下進(jìn)行光刻時(shí)，檢查顯影后曝光圖案如圖4所示，該實(shí)際曝光圖案中靠近邊緣區(qū)域圖案慢慢不再是圓形而是接近橢圓形，即與圖3中掩模板圖案相比，其在邊緣區(qū)域部分的曝光圖案由圓形邊緣圖案5變?yōu)闄E圓形邊緣失真圖案7，所以邊緣區(qū)域轉(zhuǎn)移失真情況嚴(yán)重。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型提供一種校正曝光圖形的掩模板，提高極限曝光面積下圖案轉(zhuǎn)移的精確度。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的一種校正曝光圖形的掩模板，包括掩膜板本體，所述掩膜板本體上設(shè)有中心圖案和邊緣校正圖案，所述邊緣校正圖案與邊緣失真圖案垂直。

作為改進(jìn)，所述邊緣校正圖案為橢圓形。

作為改進(jìn)，所述中心圖案為圓形。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的掩模板通過改變掩模板的圖案結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)，掩模板本體上邊緣校正圖案與邊緣失真圖案垂直。本新型從掩模板入手，提出了極限曝光下校正其圖案的技術(shù)手段，極限曝光時(shí)圖案采用特定的掩模板可以校正圖案形狀，提高光刻工藝的生產(chǎn)良率，降低生產(chǎn)損失。

附圖說明

圖1為小面積曝光場(chǎng)光路示意圖；

圖2為極限面積曝光場(chǎng)光路示意圖；

圖3為極限曝光場(chǎng)下掩模板圖案；

圖4為極限曝光面積下采用圖3中掩膜板的實(shí)際曝光圖案；

圖5為校正后掩模板圖案示意圖；

圖6為校正后掩模板的曝光圖案；

圖中：1、鏡頭，2、光路，3、掩膜板，4、掩膜板本體，5、邊緣圖案，6、中心圖案，7、邊緣失真圖案，8、邊緣校正圖案。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了，下面通過附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。但是應(yīng)該理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型的范圍。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語與屬于本實(shí)用新型的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同，本文中在本實(shí)用新型的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本實(shí)用新型。

如圖5所示，一種校正曝光圖形的掩模板，包括掩膜板本體4，所述掩膜板本體4上設(shè)有中心圖案6和邊緣校正圖案8，所述邊緣校正圖案8與邊緣失真圖案7垂直。同時(shí)當(dāng)圖4中的邊緣失真圖案7為橢圓時(shí)，圖5的掩膜板本體4中的邊緣校正圖案8也為橢圓形，另外，對(duì)比圖3、圖4發(fā)現(xiàn)，掩膜板本體4上的中心圖案6經(jīng)曝光后無失真，因此，本實(shí)用新型的掩膜板本體4上的中心圖案6依然采用圓形。

當(dāng)極限曝光面積為20mm*20mm時(shí)，將原有掩膜板本體4上圓形的邊緣圖案5人為修正為橢圓形的邊緣校正圖案8(橢圓的大小根據(jù)曝光變形情況設(shè)定，橢圓兩軸相對(duì)于圓直徑，修正0-5％)，但是其排列與圖4中得到的邊緣光刻膠圖案垂直，即需要邊緣校正圖案8與邊緣失真圖案7垂直，另外，由于圖4中曝光圖案是從中心區(qū)域靠近邊緣區(qū)域慢慢由圓形變?yōu)闄E圓形的，因此本實(shí)用新型的掩膜板本體4上的圖案，也采用從圓形中心圖案6漸變?yōu)闄E圓形的邊緣校正圖案8，且始終滿足校正掩膜板上圖案與曝光失真圖案垂直。采用本實(shí)用新型的校正后的掩膜板進(jìn)行光刻工藝流程，顯影后檢查圖案發(fā)現(xiàn)邊緣區(qū)域?yàn)閳A形，沒有出現(xiàn)圖案變形失真的情況，具體曝光圖案如圖6所示。

本實(shí)用新型的校正曝光圖形的掩模板通過改變掩模板的圖案結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)，該掩模板邊緣區(qū)域的圖案與曝光使用的校正前掩模板邊緣區(qū)域發(fā)生變形的圖案垂直。本新型從掩模板入手，提出了極限曝光下校正其圖案的技術(shù)手段，極限曝光時(shí)圖案采用特定的掩模板可以校正圖案形狀，提高光刻工藝的生產(chǎn)良率，降低生產(chǎn)損失。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換或改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。