本發(fā)明涉及薄膜晶體管-液晶顯示器領(lǐng)域，特別涉及一種用于改善4MASK水平串?dāng)_的共電極結(jié)構(gòu)的COA基板及液晶面板。

背景技術(shù)：

串?dāng)_是TFT-LCD顯示不良中比較常見的一種現(xiàn)象，是指某一區(qū)域的畫面會(huì)影響到其他區(qū)域的畫面。TFT-LCD根據(jù)串?dāng)_的位置不同可以分為垂直串?dāng)_及水平串?dāng)_。以VA顯示模式為例，判斷串?dāng)_的畫面，若出現(xiàn)不良現(xiàn)象為水平向則為水平串?dāng)_。導(dǎo)致不同類型串?dāng)_的原因有所不同，在這里，我們只探討水平串?dāng)_的不良現(xiàn)象，通常情況下，驅(qū)動(dòng)方式的不同將會(huì)導(dǎo)致不同宏觀表現(xiàn)的水平串?dāng)_，例如幀反轉(zhuǎn)可能會(huì)出現(xiàn)線狀水平串?dāng)_，而列反轉(zhuǎn)和點(diǎn)反轉(zhuǎn)的水平串?dāng)_現(xiàn)象就會(huì)很輕微。但是，無論哪種驅(qū)動(dòng)方式，產(chǎn)生這種畫面不良的真因都是一致的，源于數(shù)據(jù)線(Data)和公共電極的電容耦合作用。當(dāng)數(shù)據(jù)線電位發(fā)生變化時(shí)，便會(huì)經(jīng)由數(shù)據(jù)線與公共電極之間的寄生電容C_DC在公共電極形成一個(gè)瞬間的電位跳變。若公共電極的信號(hào)延遲較為嚴(yán)重或電壓驅(qū)動(dòng)能力不足，則電位無法很快恢復(fù)到預(yù)設(shè)定電位，這個(gè)電位跳變會(huì)通過儲(chǔ)存電容Cst的耦合作用拉低像素跨壓，導(dǎo)致像素亮度降低從而形成水平串?dāng)_。以VA顯示模式、Row Inversion(行反轉(zhuǎn))的驅(qū)動(dòng)方式為例。Data A的驅(qū)動(dòng)電壓始終為128灰階電位，Data B的驅(qū)動(dòng)電壓有2/3的時(shí)間為128灰階電位、1/3的時(shí)間為255灰階電位，Data A和Data B的電位周期性反轉(zhuǎn)，導(dǎo)致公共電極的電位也發(fā)生相應(yīng)的變化，公共電極電位變化導(dǎo)致的結(jié)果是畫面整體偏暗，而255灰階電位的橫向區(qū)域則會(huì)由于公共電極電位變化更大而出現(xiàn)顏色更暗的水平區(qū)塊。通常情況下，水平串?dāng)_的解決方案是采用Column Inversion(縱向翻轉(zhuǎn)的方式)或者Dot Inversion(點(diǎn)反轉(zhuǎn))的驅(qū)動(dòng)方式，但是這種解決方案容易受到制程變化帶來的影響，使得左右兩條數(shù)據(jù)線對(duì)公共電極的電容耦合作用相反而相互抵消，并以此減輕串?dāng)_現(xiàn)象。

在4MASk下，數(shù)據(jù)線和公共電極之間的電容C_DC結(jié)構(gòu)中存在著AS層(烷基硅烷)和N+層，導(dǎo)致了在正幀和負(fù)幀驅(qū)動(dòng)下C_DC的大小存在差異，可以分別表示為C_DC+和C_DC-，這樣的變化使得左右兩條數(shù)據(jù)線對(duì)公共電極的電容耦合作用存在較大差異，因而4MASK的串?dāng)_現(xiàn)象相比5MASK要更加嚴(yán)重。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種COA基板及液晶面板，從而改善串?dāng)_現(xiàn)象。

本發(fā)明提供了一種COA基板，包括玻璃基板、公共電極、覆蓋在公共電極上的絕緣層、設(shè)于絕緣層上并且與公共電極交錯(cuò)設(shè)置的數(shù)據(jù)線，依次設(shè)于數(shù)據(jù)線上的第一鈍化層、RGB色阻層、第二鈍化層，所述公共電極上與數(shù)據(jù)線交錯(cuò)處設(shè)有斷開的缺口，使公共電極形成兩個(gè)相對(duì)的端部，絕緣層填充缺口，在第二鈍化層上設(shè)有用于跨接公共電極的兩個(gè)端部的導(dǎo)電層。

進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電層通過過孔與公共電極的兩個(gè)端部連接。

進(jìn)一步地，所述絕緣層上位于公共電極的兩個(gè)端部處分別設(shè)有絕緣層過孔，第一鈍化層上位于絕緣層過孔處設(shè)有第一鈍化層過孔，RGB色阻層上位于第一鈍化層過孔處設(shè)有RGB色阻層過孔，在第二鈍化層上位于RGB色阻層過孔處設(shè)有第二鈍化層過孔，所述第二鈍化層過孔、RGB色阻層過孔、第一鈍化層過孔以及絕緣層過孔依次連通形成過孔。

進(jìn)一步地，所述金屬層為透明導(dǎo)電膜。

進(jìn)一步地，所述第一鈍化層、RGB色阻層、第二鈍化層均為um級(jí)別。

進(jìn)一步地，所述過孔的軸線方向與公共電極的上端面垂直設(shè)置。

進(jìn)一步地，所述過孔為漏斗狀結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述過孔的上端孔口的孔徑小于公共電極的寬度。

本發(fā)明還提供了一種液晶面板，包括所述的COA基板。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過將加大公共電極與數(shù)據(jù)線的間距，從而降低在數(shù)據(jù)線與公共電極之間所產(chǎn)生的寄生電容的大小，以此減小數(shù)據(jù)線對(duì)公共電極的電容耦合作用，改善串?dāng)_現(xiàn)象。

附圖說明

圖1是本發(fā)明COA基板中像素結(jié)構(gòu)的投影圖。

圖2是圖1中標(biāo)示A處的剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

本發(fā)明中COA(Color Filter on Array)基板為現(xiàn)有技術(shù)中通過4mask工藝制成，其改進(jìn)部分僅為附圖1和圖2中數(shù)據(jù)線與公共電極交錯(cuò)部分的共電極結(jié)構(gòu)，因此一下僅針對(duì)改進(jìn)的部分進(jìn)行描述。

如圖1和圖2所示，本發(fā)明的一種COA基板，包括玻璃基板1、設(shè)于玻璃基板1上的公共電極2、覆蓋在公共電極2上的絕緣層3、設(shè)于絕緣層3上并且與公共電極2交錯(cuò)設(shè)置的數(shù)據(jù)線4，COA基板還包括依次設(shè)于數(shù)據(jù)線4上的第一鈍化層5、RGB色阻層6、第二鈍化層7，所述公共電極2上與數(shù)據(jù)線4交錯(cuò)處設(shè)有斷開的缺口14，使公共電極2形成兩個(gè)相對(duì)的端部，絕緣層3填充缺口14，在第二鈍化層7上設(shè)有用于跨接公共電極2的兩個(gè)端部的導(dǎo)電層8。

本發(fā)明中利用導(dǎo)電層8將斷開的公共電極2搭接在一起，此時(shí)，公共電極2與數(shù)據(jù)線形成的電容結(jié)構(gòu)為數(shù)據(jù)線\第一鈍化層5\RGB色阻層6\第二鈍化層7\導(dǎo)電層8，在兩平行板電容之間夾著的絕緣部分包含第一鈍化層5\RGB色阻層6\第二鈍化層7三層，其膜層厚度為um量級(jí)。根據(jù)電容公式C＝εS/4πkd可知，兩金屬極板之間的間距越大電容值越小，因此，可以有效降低電容的大小。

具體地，本發(fā)明中導(dǎo)電層8通過過孔13與公共電極2的兩個(gè)端部連接。

所述過孔13由絕緣層3上位于公共電極2的兩個(gè)端部處分別設(shè)有絕緣層過孔9、第一鈍化層5上位于絕緣層過孔9處設(shè)有第一鈍化層過孔10、RGB色阻層6上位于第一鈍化層過孔10處設(shè)有RGB色阻層過孔11、在第二鈍化層7上位于RGB色阻層過孔11處設(shè)有第二鈍化層過孔12，并且依次連通形成。

過孔13的軸線方向與公共電極2的上端面垂直設(shè)置；過孔13為漏斗狀結(jié)構(gòu)；所述過孔13的上端孔口的孔徑小于公共電極2的寬度。

本發(fā)明中金屬層8為透明導(dǎo)電膜(ITO)。

本發(fā)明還公開了一種液晶面板，包括上述的COA基板，在此不再贅述。

雖然已經(jīng)參照特定實(shí)施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。