本發(fā)明涉及液晶顯示器領域，尤其涉及一種通過焦點補正量測高斷差膜層間的堆疊精度的方法。

背景技術：

隨著顯示技術的發(fā)展，液晶顯示器(LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

通常液晶顯示面板由彩膜(CF)基板、薄膜晶體管(TFT)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括：前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電路板壓合)。

顯示器制造過程中針對各層(Layer)不光有關鍵尺寸(CD)方面控制，也有堆疊精度OVL(Overlay)的要求。常見的陣列制程中上下不同層的OVL狀況多用測試圖形(Test key)監(jiān)控。由于陣列生產(chǎn)過程中各層膜厚不是很厚(一般2微米以下)，而量測機臺的景深(DOF)為幾十微米，對位層測試圖形和基準層測試圖形可以同時出現(xiàn)在量測機臺的視野內(nèi)。然而在高斷差情況下，例如在觸控(Touch)制程過程中，有時候需要知道觸控層和其下層的OVL狀況，但這個時候對位層測試圖形和基準層測試圖形隔著一層玻璃基板，厚度在200微米以上，往往超出了量測機臺的景深，而無法同時成像。

參見圖1，其為現(xiàn)有技術中對位層測試圖形和基準層測試圖形同時出現(xiàn)在量測機臺視野內(nèi)的示意圖。常見的堆疊精度測試圖形分為兩次分別在基準層和對位層上做出，用以量測陣列制程中上下堆疊的基準層和對位層的堆疊精度，首先在基準層上做出一個方塊，作為基準層測試圖形，然后通過量測機臺的量測鏡頭形成基準層測試圖形成像11，然后在對位層上再做出一個方塊，作為對位層測試圖形，再通過量測鏡頭形成對位層測試圖形成像21，通過量測方塊中心位置的偏差就知道對位層和基準層的偏差。

參見圖2，其為根據(jù)圖1計算對位層和基準層的堆疊精度的示意圖，當對位層和基準層位置有偏差時可以通過基準層測試圖形成像11和對位層測試圖形成像21的相對位置來計算出偏出的大小。根據(jù)圖2中以X1，X2，Y1和Y2所表示的基準層測試圖形成像11和對位層測試圖形成像21之間的位置關系，可得出：X方向堆疊精度OVL-X＝(X1-X2)/2，Y方向堆疊精度OVL-Y＝(Y1-Y2)/2。

參見圖3，其為現(xiàn)有技術中高斷差時對位層測試圖形和基準層測試圖形的成像示意圖。在基準層30上做出基準層測試圖形10，然后通過量測鏡頭形成基準層測試圖形成像11，在對位層31上做出對位層測試圖形20，再通過量測鏡頭形成對位層測試圖形成像21?；鶞蕦?0和對位層31可以為基板或多膜層結構。例如在觸控制程中確認OVL時，出現(xiàn)了基準層測試圖形10和對位層測試圖形20位于基板兩側的情況，此時對位層31為基板，由于基板厚度一般大于200微米，直接導致上下兩層景深超過了量測機臺的極限，使得上下兩層沒有辦法同時成像，進而無法如圖2所示一樣計算堆疊精度。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種通過焦點補正量測高斷差膜層間的堆疊精度的方法，解決高斷差對位層和基準層之間堆疊精度的量測問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種通過焦點補正量測高斷差膜層間的堆疊精度的方法，包括：

步驟1、移動量測鏡頭，記錄使量測鏡頭獲得基準層測試圖形清晰圖像的焦點高度H1；

步驟2、移動量測鏡頭，記錄使量測鏡頭獲得對位層測試圖形清晰圖像的焦點高度H2；

步驟3、在焦點高度H1，量測系統(tǒng)自動記錄基準層測試圖形的大小和位置；

步驟4、在焦點高度H2，量測系統(tǒng)自動記錄對位層測試圖形的大小和位置；

步驟5、量測系統(tǒng)根據(jù)基準層測試圖形與對位層測試圖形的大小和位置關系計算堆疊精度。

其中，所述對位層為基板。

其中，所述對位層為多膜層結構。

其中，所述基準層為基板。

其中，所述基準層為多膜層結構。

其中，所述基準層和對位層為觸控制程中的相鄰層。

其中，步驟3中該量測系統(tǒng)生成對應基準層測試圖形的圖片。

其中，步驟4中該量測系統(tǒng)生成對應對位層測試圖形的圖片。

其中，步驟5中該量測系統(tǒng)將步驟3和步驟4中量測記錄的內(nèi)容轉變到同一張圖片上。

綜上，本發(fā)明通過焦點補正量測高斷差膜層間的堆疊精度的方法能夠快速量測高斷差對位層和基準層之間的堆疊精度，整個量測過程能夠自動化，適應自動化生產(chǎn)的需要。

附圖說明

下面結合附圖，通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述，將使本發(fā)明的技術方案及其他有益效果顯而易見。

附圖中，

圖1為現(xiàn)有技術中對位層測試圖形和基準層測試圖形同時出現(xiàn)在量測機臺視野內(nèi)的示意圖；

圖2為根據(jù)圖1計算對位層和基準層的堆疊精度的示意圖；

圖3為現(xiàn)有技術中高斷差時對位層測試圖形和基準層測試圖形的成像示意圖；

圖4為應用本發(fā)明通過焦點補正量測高斷差膜層間的堆疊精度的方法在焦點高度H1使基準層測試圖形成像的示意圖；

圖5為應用本發(fā)明通過焦點補正量測高斷差膜層間的堆疊精度的方法在焦點高度H2使對位層測試圖形成像的示意圖；

圖6為應用本發(fā)明通過焦點補正量測高斷差膜層間的堆疊精度的方法合成對位層測試圖形與基準層測試圖形圖像的示意圖；

圖7為本發(fā)明通過焦點補正量測高斷差膜層間的堆疊精度的方法的流程圖。

具體實施方式

參見圖7，其為本發(fā)明通過焦點補正量測高斷差膜層間的堆疊精度的方法的流程圖。本發(fā)明采用焦點(Focus)自動補正功能進行OVL量測，其中，具有高斷差的基準層和對位層可以為觸控制程中的相鄰層，高斷差可以為大于200微米的斷差。該方法主要包括：

步驟1、移動量測鏡頭，記錄使量測鏡頭獲得基準層測試圖形清晰圖像的焦點高度H1。首先尋找基準層測試圖形的焦點基準，以獲得清晰的基準層測試圖形圖像為標準，記錄此時焦點高度H1。量測鏡頭可以采用帶光源的光學放大鏡。

步驟2、移動量測鏡頭，記錄使量測鏡頭獲得對位層測試圖形清晰圖像的焦點高度H2。具體為上下移動量測鏡頭，使得對位層測試圖形清晰成像，記錄下此時焦點高度H2。實際量測前，通過步驟1和步驟2設定參數(shù)(Recipe)H1和H2。

步驟3、在焦點高度H1，量測系統(tǒng)自動記錄基準層測試圖形的大小和位置。

參見圖4，基準層測試圖形10制作于基準層30上，對位層測試圖形20制作于對位層31上。基準層30和對位層31可以為基板或多膜層結構。實際量測時，不需要歸零操作，首先使量測鏡頭移至焦點高度H1，形成基準層測試圖形成像110，也就是生成對應基準層測試圖形10的圖片，系統(tǒng)自動記錄基準層測試圖形10的大小和位置。

步驟4、在焦點高度H2，量測系統(tǒng)自動記錄對位層測試圖形的大小和位置。

參見圖5，通過量測鏡頭形成基準層測試圖形成像110之后位置固定，量測鏡頭進行補正(Offset)，移動量測鏡頭以補正其焦點位置，通過兩次成像來獲取對位層和基準層的位置和大小。焦點自動升高H2-H1，到達焦點高度H2，形成對位層測試圖形成像210，也就是生成對應對位層測試圖形20的圖片，系統(tǒng)自動記錄對位層測試圖形20的大小和位置。

步驟5、量測系統(tǒng)根據(jù)基準層測試圖形與對位層測試圖形的大小和位置關系計算堆疊精度。

本發(fā)明通過將兩膜層上的測試圖形單獨獲取清晰的圖像后，再依據(jù)該兩清晰的圖像進行計算，從而使得整個量測過程能夠自動化。堆疊精度的具體計算過程可采用圖2所示的傳統(tǒng)手段進行。

參見圖6，本發(fā)明可以合成對位層測試圖形成像210與基準層測試圖形成像110為一體，也就是量測系統(tǒng)將步驟3和步驟4中量測記錄的內(nèi)容轉變到同一張圖片上。通過將量測記錄的內(nèi)容轉變到同一張圖片上，即可以得到和現(xiàn)有技術低斷差的OVL監(jiān)控相同畫面。根據(jù)兩次量測結果合成圖片，得到對位層測試圖形20和基準層測試圖形10的位置關系，再利用傳統(tǒng)手段就可以計算出OVL偏移。

綜上，本發(fā)明通過焦點補正量測高斷差膜層間的堆疊精度的方法能夠快速量測高斷差對位層和基準層之間的堆疊精度，整個量測過程能夠自動化，適應自動化生產(chǎn)的需要。

以上所述，對于本領域的普通技術人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明后附的權利要求的保護范圍。