本發(fā)明涉及一種顯示裝置,例如涉及一種適用于具備設(shè)有多個(gè)像素的顯示區(qū)域的顯示裝置的有效技術(shù)。
背景技術(shù):
有一種顯示裝置經(jīng)由多條信號(hào)線向在顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)有的多個(gè)像素供給信號(hào),從而使圖像顯示。在這種顯示裝置中,為了使顯示裝置小型化且增大顯示區(qū)域,要求縮小顯示區(qū)域外側(cè)的邊框區(qū)域的寬度。
顯示裝置具有顯示面?zhèn)鹊幕濉@示面?zhèn)鹊南喾磦?cè)的基板、和配置在顯示面?zhèn)鹊幕迮c顯示面?zhèn)鹊南喾磦?cè)的基板之間的液晶層。另外,這種顯示裝置在俯視時(shí)具有形成在邊框區(qū)域內(nèi)且封固液晶層的密封體。
在日本特開(kāi)2008-26869號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中記載了一種技術(shù)是,在顯示裝置中具備:具有像素電極的陣列基板、與陣列基板相對(duì)配置且具有對(duì)置電極的對(duì)置基板、和以包圍顯示區(qū)域的方式形成且使陣列基板及對(duì)置基板粘結(jié)的密封材料。
日本特開(kāi)2009-265484號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中記載了一種技術(shù)是,在液晶顯示裝置中,在形成有tft(thin-filmtransistor、薄膜晶體管)的tft基板和與tft基板相對(duì)且形成有彩色濾光片的對(duì)置基板之間夾持有液晶層,液晶層通過(guò)形成在tft基板和對(duì)置基板的周邊的密封材料而被封固。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2008-26869號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2009-265484號(hào)公報(bào)
在這種顯示裝置中,因從顯示裝置的外部浸入的水分、或者顯示裝置的各部分中含有的雜質(zhì)而產(chǎn)生雜質(zhì)離子。所產(chǎn)生的雜質(zhì)離子通過(guò)由各布線形成的電場(chǎng)而移動(dòng)并逐漸聚集。因此,在產(chǎn)生的雜質(zhì)離子的量很多的情況下、或者邊框區(qū)域的寬度很窄的情況下,擔(dān)心產(chǎn)生的雜質(zhì)離子還會(huì)向顯示區(qū)域內(nèi)部擴(kuò)散移動(dòng),從而在顯示區(qū)域內(nèi)顯示的圖像會(huì)產(chǎn)生不良的情況。
另外,為了防止水分從顯示裝置的外部浸入,防止密封體從顯示面的相反側(cè)的基板剝落是很重要的,但為了防止密封體剝落,就需要增大密封體的寬度,因此,無(wú)法容易地將邊框區(qū)域的寬度縮窄。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明是為了解決如上所述的現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題而提出的,其目的在于,提供一種即使在使邊框區(qū)域縮窄的寬度的情況下,也能防止或抑制雜質(zhì)離子向顯示區(qū)域內(nèi)部擴(kuò)散移動(dòng)以及密封體剝落。
在本申請(qǐng)公開(kāi)的發(fā)明中,若對(duì)代表性方案的概要進(jìn)行簡(jiǎn)單說(shuō)明的話,則如下所述。
作為本發(fā)明的一個(gè)方面的顯示裝置具備:具有包含多個(gè)第一像素區(qū)域的顯示區(qū)域的基板、在俯視時(shí)形成于顯示區(qū)域外側(cè)的遮光膜、和與顯示區(qū)域相對(duì)的液晶層?;寰哂校旱谝恢苓厖^(qū)域,其在俯視時(shí)與遮光膜重疊,且在俯視時(shí)位于顯示區(qū)域外側(cè);第二周邊區(qū)域,其在俯視時(shí)與第一周邊區(qū)域相比位于外側(cè);和第三周邊區(qū)域,其在俯視時(shí)與第二周邊區(qū)域相比位于外側(cè)。另外,基板具有形成在第一周邊區(qū)域內(nèi)的第一電極、形成在第二周邊區(qū)域內(nèi)的第二電極、和形成在第三周邊區(qū)域內(nèi)的第三電極。對(duì)第一電極施加第一電位,對(duì)第二電極施加絕對(duì)值比第一電位大的第二電位,對(duì)第三電極施加與第二電位不同的第三電位。
另外,作為另一個(gè)方面,可以是,第一周邊區(qū)域包含多個(gè)第二像素區(qū)域,第一電極形成在第二像素區(qū)域內(nèi)。
另外,作為另一個(gè)方面,可以是,基板具有絕緣性基材、形成在絕緣性基材上的絕緣膜、和形成在第一像素區(qū)域內(nèi)的像素電極,第三電極與像素電極形成在同一層上。
另外,作為另一個(gè)方面,可以是,基板具有絕緣性基材、和形成在絕緣性基材上的絕緣膜,第三電極形成在絕緣膜上,絕緣膜在第二周邊區(qū)域內(nèi)具有槽部,且第二電極形成在槽部的底部。
另外,作為另一個(gè)方面,可以是,基板具有多條掃描線、和與多條掃描線交叉的多條影像線,多個(gè)第一像素區(qū)域是通過(guò)多條掃描線與多條影像線互相交叉而形成的,第二電極是與掃描線連接的掃描引出線、或與影像線連接的影像引出線。
另外,作為另一個(gè)方面,可以是,對(duì)第三電極施加與第二電位為極性相反的第三電位。
另外,作為另一個(gè)方面,可以是,該顯示裝置具備封固液晶層的密封體,第二電極在俯視時(shí)不與密封體重疊,第三電極在俯視時(shí)與密封體重疊。
另外,作為另一個(gè)方面,可以是,對(duì)第三電極施加與第二電位相比絕對(duì)值更大的第三電位。
另外,作為另一個(gè)方面,可以是,基板具有絕緣性基材、形成在絕緣性基材上的絕緣膜、使液晶層取向的取向膜、和形成在第三周邊區(qū)域內(nèi)且封固液晶層的密封體,在第三周邊區(qū)域內(nèi)密封體與取向膜相接觸,在第三周邊區(qū)域內(nèi),第三電極形成在絕緣膜與取向膜之間。
另外,作為另一個(gè)方面,可以是,槽部在與第一電極、第二電極和第三電極的排列方向交叉的方向上延伸。
另外,作為另一個(gè)方面,可以是,基板具有多條掃描線、和與多條掃描線交叉的多條影像線,多個(gè)第一像素區(qū)域是通過(guò)多條掃描線與多條影像線互相交叉而形成的,第二電極由與影像線相同的材料構(gòu)成。
附圖說(shuō)明
圖1是表示實(shí)施方式的顯示裝置的一例的俯視圖。
圖2是表示實(shí)施方式的顯示裝置的一例的剖視圖。
圖3是表示實(shí)施方式的顯示裝置的一例的剖視圖。
圖4是表示實(shí)施方式的顯示裝置的等效電路的圖。
圖5是比較例的顯示裝置中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的剖視圖。
圖6是實(shí)施方式的顯示裝置的一例中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的剖視圖。
圖7是實(shí)施方式的顯示裝置的另一例中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的剖視圖。
圖8是實(shí)施方式的顯示裝置的變形例的一例中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的剖視圖。
圖9是實(shí)施方式的顯示裝置的變形例的另一例中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的剖視圖。
圖10是實(shí)施方式的顯示裝置的變形例的另一例中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的俯視圖。
其中,附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
adh密封體,af1、af2取向膜,bs基板,bsb背面,bsf前面,bsg基材,bss1~bss4邊,cc電路部,ce公共電極,cf彩色濾光片,cfb、cfg、cfr彩色濾光片像素,cg掃描線驅(qū)動(dòng)電路,chp半導(dǎo)體芯片,clc電容,cm公共電極驅(qū)動(dòng)電路,cs信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路,ctl控制電路,de虛擬像素電極,dp顯示部,dpa顯示區(qū)域,ec1、ec11、ec12、ec2、ec3電極,ep1、ep2端部,fa1~fa3、fla、fla1邊框區(qū)域,fl邊框部,fs基板,fsb背面,fsf前面,fsg基材,gl掃描線,gl1掃描引出線,if1、if2絕緣膜,il1層間樹(shù)脂膜,lc1、lc2部分,lcd顯示裝置,lcl液晶層,ls光源,oc1樹(shù)脂層,pa1、pa2像素區(qū)域,pe像素電極,pl1、pl2偏振片,px像素,sf1、sf2遮光膜,sl信號(hào)線(影像線),sl1信號(hào)引出線(影像引出線),slt狹縫,sx副像素,tp1槽部,tr、trd晶體管,vw觀看者,wg、ws布線。
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
此外,本發(fā)明公開(kāi)的只不過(guò)是一個(gè)例子,本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到的保持發(fā)明的主旨不變而做的適當(dāng)變更當(dāng)然包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。另外,為了更明確地說(shuō)明附圖,有時(shí),相較于實(shí)施的形態(tài)而示意地示出各部分的寬度、厚度、形狀等,但只不過(guò)是一個(gè)例子,并不限定對(duì)本發(fā)明的解釋。
另外,在本說(shuō)明書和各附圖中,針對(duì)給出的附圖,對(duì)于與上述的同樣的要素標(biāo)付相同的附圖標(biāo)記,有時(shí)會(huì)適當(dāng)省略詳細(xì)的說(shuō)明。另外,在本說(shuō)明書的顯示裝置的構(gòu)造說(shuō)明中,“上”表示相對(duì)于基板bs形成晶體管tr或控制電路的一側(cè)。另外,“下”表示“上”的相反側(cè)。
而且,在實(shí)施方式使用的附圖中,即使是剖視圖也有為了便于觀察附圖而省略影線的情況。另外,即使是俯視圖也有為了便于觀察附圖而附加影線的情況。
用以下實(shí)施方式說(shuō)明的技術(shù)能夠廣泛適用于具備如下的機(jī)構(gòu)的顯示裝置,即,從設(shè)有顯示功能層的顯示區(qū)域的周圍向設(shè)置于顯示區(qū)域的多個(gè)元件供給信號(hào)的機(jī)構(gòu)。對(duì)于上述那樣的顯示裝置,例如能夠例示液晶顯示裝置或者有機(jī)el(electro-luminescence、電致發(fā)光)顯示裝置等各種顯示裝置。在以下實(shí)施方式中,作為顯示裝置的代表例而采取液晶顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。
另外,液晶顯示裝置根據(jù)用于使作為顯示功能層的液晶層的液晶分子的取向變化的電場(chǎng)的施加方向而大致分為以下兩種類型。即,作為第一分類,有在顯示裝置的厚度方向(或者面外方向)上施加電場(chǎng)的、所謂縱向電場(chǎng)模式。在縱向電場(chǎng)模式中,例如有tn(twistednematic、扭曲向列)模式、va(verticalalignment、垂直取向)模式等。另外,作為第二分類,有在顯示裝置的平面方向(或者面內(nèi)方向)上施加電場(chǎng)的、所謂橫向電場(chǎng)模式。在橫向電場(chǎng)模式中,例如有ips(in-planeswitching、面內(nèi)開(kāi)關(guān))模式、ips模式之一的ffs(fringefieldswitching、邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān))模式等。此外,在上述縱向電場(chǎng)模式中,也包括在顯示裝置的厚度方向與平面方向之間即傾斜方向上產(chǎn)生電場(chǎng)的情況。以下要說(shuō)明的技術(shù)能夠適用于縱向電場(chǎng)模式及橫向電場(chǎng)模式中的任一模式,但在以下要說(shuō)明的實(shí)施方式中,作為一例而采取橫向電場(chǎng)模式的顯示裝置進(jìn)行說(shuō)明。
(實(shí)施方式)
<顯示裝置的結(jié)構(gòu)>
首先,對(duì)顯示裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示實(shí)施方式的顯示裝置的一例的俯視圖。圖2及圖3是表示實(shí)施方式的顯示裝置的一例的剖視圖。圖2是沿著圖1的a-a線的剖視圖。另外,圖3是圖2的b部放大剖視圖。
此外,在圖1中,為了便于觀察俯視時(shí)的顯示區(qū)域dpa與邊框區(qū)域(周邊區(qū)域)fla的邊界,而用雙點(diǎn)劃線示出顯示區(qū)域dpa的輪廓。另外,圖1所示的多條信號(hào)線sl從邊框區(qū)域fla延伸至顯示區(qū)域dpa。但是,為了在圖1中便于觀察,在顯示區(qū)域dpa內(nèi)省略了信號(hào)線sl的圖示。另外,圖2雖然是剖面,但為了便于觀察而省略了影線。
如圖1所示,本實(shí)施方式的顯示裝置lcd具有顯示圖像的顯示部dp。基板bs的顯示面?zhèn)燃辞懊鎎sf(參照?qǐng)D2)側(cè)的區(qū)域且設(shè)有顯示部dp的區(qū)域?yàn)轱@示區(qū)域dpa。另外,顯示裝置lcd具有在俯視時(shí)位于顯示部dp周圍的框狀部分且不顯示圖像的邊框部(周邊部)fl。設(shè)有邊框部fl的區(qū)域?yàn)檫吙騾^(qū)域fla。即,邊框區(qū)域fla雖然是顯示區(qū)域dpa周圍的框狀區(qū)域,但并不限定于框狀。
此外,在本申請(qǐng)說(shuō)明書中,“在俯視時(shí)”是指從垂直于基板bs的前面bsf的方向來(lái)看的情況。
另外,顯示裝置lcd具備在相對(duì)配置的一對(duì)基板之間形成有作為顯示功能層的液晶層的構(gòu)造。即,如圖2所示,顯示裝置lcd具有顯示面?zhèn)鹊幕錰s、顯示面?zhèn)鹊南喾磦?cè)的基板bs、和配置在基板fs與基板bs之間的液晶層lcl(參照?qǐng)D3)。液晶層lcl與顯示區(qū)域dpa相對(duì)。
在基板bs的前面bsf(參照?qǐng)D2)內(nèi),將互相交叉、優(yōu)選為正交的兩個(gè)方向設(shè)為y軸方向及x軸方向。這時(shí),圖1所示的基板bs在俯視時(shí)具有沿著x軸方向延伸的邊bss1、平行于邊bss1且沿著x軸方向延伸的邊bss2、沿著與x軸方向交叉、優(yōu)選為正交的y軸方向延伸的邊bss3、以及平行于邊bss3且沿著y軸方向延伸的邊bss4。從圖1所示的基板bs所具有的邊bss2、邊bss3、及邊bss4各自到顯示部dp的距離為相同程度,均比從邊bss1到顯示部dp的距離更短。
以下,在本申請(qǐng)說(shuō)明書中,在記載為基板bs的周緣部的情況下,是指構(gòu)成基板bs外緣的邊bss1、邊bss2、邊bss3、及邊bss4中的某一個(gè)。另外,在僅記載為周緣部的情況下,是指基板bs的周緣部。另外,有時(shí)將基板bs的周緣部稱為基板bs的端部。
顯示部dp具有多個(gè)作為顯示元件的像素px(參照后述的圖4)。即,多個(gè)像素px設(shè)置在顯示區(qū)域dpa內(nèi)。多個(gè)像素px在x軸方向及y軸方向上呈矩陣狀排列。在本實(shí)施方式中,多個(gè)像素px分別具有形成在基板bs的前面bsf側(cè)的顯示區(qū)域dpa內(nèi)的薄膜晶體管(tft)。
顯示裝置lcd的基板bs如用后述的圖4說(shuō)明的那樣具有多條掃描線gl和多條信號(hào)線(影像線)sl。如用后述的圖4說(shuō)明的那樣,多條掃描線gl分別與在x軸方向上排列的多個(gè)像素px電連接,多條信號(hào)線sl分別與在y軸方向上排列的多個(gè)像素px電連接。
另外,顯示裝置lcd具有電路部cc。電路部cc包含掃描線驅(qū)動(dòng)電路cg和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路cs。掃描線驅(qū)動(dòng)電路cg經(jīng)由多條掃描線gl與多個(gè)像素px電連接,信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路cs經(jīng)由多條信號(hào)線sl與多個(gè)像素px電連接。
另外,在圖1所示的例子中,在邊框區(qū)域fla中的位于基板bs的邊bss1與顯示部dp之間的部分即邊框區(qū)域fla1內(nèi),設(shè)有半導(dǎo)體芯片chp。在半導(dǎo)體芯片chp內(nèi)設(shè)有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路cs。因此,信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路cs設(shè)置在基板bs的前面bsf側(cè)的區(qū)域中、相對(duì)于顯示區(qū)域dpa而配置在y軸方向上的負(fù)側(cè)的區(qū)域即邊框區(qū)域fla1內(nèi)。
此外,本申請(qǐng)說(shuō)明書中的“y軸方向上的負(fù)側(cè)”是指圖中表示y軸方向的箭頭延伸的一側(cè)的相反側(cè)。
另外,半導(dǎo)體芯片chp可以利用所謂的cog(chiponglass、玻璃上芯片)技術(shù)設(shè)置在邊框區(qū)域fla1內(nèi),或者也可以設(shè)置在基板bs的外部,并經(jīng)由fpc(flexibleprintedcircuits、柔性印刷電路板)與顯示裝置lcd連接。另外,關(guān)于信號(hào)線sl的具體配置,用后述的圖4進(jìn)行說(shuō)明。
顯示裝置lcd在俯視時(shí)具有形成于邊框區(qū)域fla內(nèi)的密封部。密封部以將顯示部dp的周圍連續(xù)包圍的方式形成,圖2所示的基板fs與基板bs通過(guò)設(shè)置在密封部的密封體而粘接固定。像這樣,通過(guò)在顯示部dp的周圍設(shè)置密封部,能夠?qū)⒆鳛轱@示功能層的液晶層lcl(參照?qǐng)D3)封固。
另外,如圖2所示,在顯示裝置lcd的基板bs的顯示面?zhèn)鹊南喾磦?cè)即背面bsb側(cè),設(shè)有使從光源ls產(chǎn)生并朝向觀看者vw(參照?qǐng)D3)的光發(fā)生偏振的偏振片pl2。偏振片pl2固定在基板bs上。另一方面,在基板fs的顯示面?zhèn)燃辞懊鎓sf側(cè)設(shè)有偏振片pl1。偏振片pl1固定在基板fs上。
另外,如圖3所示,顯示裝置lcd具有配置在基板fs與基板bs之間的多個(gè)像素電極pe、和公共電極ce。本實(shí)施方式的顯示裝置lcd如上所述是橫向電場(chǎng)模式的顯示裝置,因此,多個(gè)像素電極pe及公共電極ce分別形成在基板bs上。
如圖3所示,基板bs包括由玻璃基板等構(gòu)成的絕緣性基材bsg,并且主要是圖像顯示用電路形成在基材bsg上。基板bs具有位于基板fs側(cè)的前面bsf及位于其相反側(cè)的背面bsb(參照?qǐng)D2)。另外,在基板bs的前面bsf側(cè),呈矩陣狀形成有tft等顯示元件和多個(gè)像素電極pe。
圖3所示的例子示出了橫向電場(chǎng)模式(具體為ffs模式)的顯示裝置lcd,因此,公共電極ce形成在基板bs具備的基材bsg的前面?zhèn)?,且由絕緣膜if2覆蓋。另外,多個(gè)像素電極pe以隔著絕緣膜if2與公共電極ce相對(duì)的方式形成在絕緣膜if2的基板fs側(cè)。
另外,圖3所示的基板fs是在由玻璃基板等構(gòu)成的基材fsg上形成有用于形成彩色顯示圖像的彩色濾光片cf的基板,具有顯示面?zhèn)燃辞懊鎓sf(參照?qǐng)D2)及位于前面fsf的相反側(cè)的背面fsb。如基板fs那樣形成有彩色濾光片cf的基板在與作為上述形成有tft的tft基板的基板bs進(jìn)行區(qū)分時(shí)被稱為彩色濾光片基板,或者由于隔著液晶層與tft基板相對(duì)而被稱為對(duì)置基板。此外,作為相對(duì)于圖3的變形例,也可以采用將彩色濾光片cf設(shè)置在作為tft基板的基板bs上的結(jié)構(gòu)。
基板fs在例如玻璃基板等基材fsg的一側(cè)的面上形成有將r(紅)、g(綠)及b(藍(lán))三色的彩色濾光片像素cfr、cfg及cfb周期性地排列而構(gòu)成的彩色濾光片cf。在彩色顯示裝置中,例如將該r(紅)、g(綠)及b(藍(lán))三色的副像素作為一組來(lái)構(gòu)成1個(gè)像素(1pixel)。基板fs的多個(gè)彩色濾光片像素cfr、cfg及cfb配置在與具有形成于基板bs上的像素電極pe的各個(gè)副像素彼此相對(duì)的位置上。
另外,在各色的彩色濾光片像素cfr、cfg及cfb的各個(gè)邊界上形成有遮光膜sf1。遮光膜sf1例如由黑色的樹(shù)脂或低反射性的金屬構(gòu)成。遮光膜sf1在俯視時(shí)呈格子狀形成。換言之,基板fs具有在呈格子狀形成的遮光膜sf1的開(kāi)口部形成的各色的彩色濾光片像素cfr、cfg及cfb。此外,構(gòu)成1個(gè)像素的并不限定于r(紅)、g(綠)、b(藍(lán))三色,還可以具有形成有透明濾光片的w(白)等。另外,也可以不形成w(白)的彩色濾光片,而可以是白色或透明的彩色濾光片。或者,遮光膜sf1并不限定于格子狀,還可以是條帶狀。
在顯示區(qū)域dpa內(nèi),在遮光膜sf1上形成有多個(gè)開(kāi)口部,并在多個(gè)開(kāi)口部的內(nèi)部嵌入有彩色濾光片。此外,也可以在邊框區(qū)域fla內(nèi)設(shè)置虛擬的彩色濾光片。另外,基板fs也可以具有覆蓋彩色濾光片cf的樹(shù)脂層oc1及取向膜af1,基板bs也可以具有取向膜af2。
另外,在基板fs與基板bs之間,設(shè)有通過(guò)對(duì)像素電極pe與公共電極ce之間施加顯示用電壓來(lái)形成顯示圖像的液晶層lcl。液晶層lcl根據(jù)所施加的電場(chǎng)的狀態(tài)來(lái)調(diào)制從其中通過(guò)的光。
此外,液晶層lcl的厚度與基板fs或基板bs的厚度相比極薄。例如,液晶層lcl的厚度與基板fs或基板bs的厚度相比,為0.1%~10%左右的厚度。
<顯示裝置的等效電路>
接著,參照?qǐng)D4對(duì)顯示裝置的等效電路進(jìn)行說(shuō)明。圖4是表示實(shí)施方式的顯示裝置的等效電路的圖。
如圖4所示,顯示裝置lcd的顯示部dp具有多個(gè)像素px。多個(gè)像素px在俯視時(shí)在顯示區(qū)域dpa內(nèi)設(shè)置在基板bs上,并在x軸方向及y軸方向上呈矩陣狀排列。
另外,顯示裝置lcd的基板bs具有多條掃描線gl和多條信號(hào)線(影像線)sl。多條掃描線gl在顯示區(qū)域dpa內(nèi)設(shè)置在基板bs(例如參照?qǐng)D2)上,并分別在x軸方向上延伸且在y軸方向上排列。多條信號(hào)線sl在顯示區(qū)域dpa內(nèi)設(shè)置在基板bs上,并分別在y軸方向上延伸且在x軸方向上排列。多條信號(hào)線sl與多條掃描線gl互相交叉。
多個(gè)像素px分別包括顯示r(紅)、g(綠)及b(藍(lán))各個(gè)顏色的副像素sx。各副像素sx設(shè)置在由相鄰的兩條掃描線gl與相鄰的兩條信號(hào)線sl包圍而成的區(qū)域內(nèi),但也可以是其他結(jié)構(gòu)。
各副像素sx具有由薄膜晶體管構(gòu)成的晶體管trd、與晶體管trd的漏電極連接的像素電極pe、和與像素電極pe隔著液晶層相對(duì)的公共電極ce。在圖4中,將等價(jià)示出液晶層的液晶電容和形成在公共電極ce與像素電極pe之間的保持電容表示為電容clc。此外,薄膜晶體管的漏電極與源電極根據(jù)電位的極性而適當(dāng)互換。
若將形成有副像素sx的區(qū)域設(shè)為像素區(qū)域pa1,則顯示區(qū)域dpa包含多個(gè)像素區(qū)域pa1。像素區(qū)域pa1是作為第一像素區(qū)域的像素區(qū)域。像素區(qū)域pa1通過(guò)多條掃描線gl與多條信號(hào)線sl互相交叉而形成。
顯示裝置lcd的電路部cc(參照?qǐng)D1)具有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路cs、掃描線驅(qū)動(dòng)電路cg、控制電路ctl、和公共電極驅(qū)動(dòng)電路cm。
在y軸方向上排列的多個(gè)副像素sx的晶體管trd各自的源電極與信號(hào)線sl連接。另外,多條信號(hào)線sl分別與信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路cs連接。
另外,在x軸方向上排列的多個(gè)副像素sx的晶體管trd各自的柵電極與掃描線gl連接。另外,各掃描線gl與掃描線驅(qū)動(dòng)電路cg連接。
控制電路ctl基于從顯示裝置外部發(fā)送來(lái)的顯示數(shù)據(jù)、時(shí)鐘信號(hào)及顯示定時(shí)信號(hào)等顯示控制信號(hào)來(lái)控制信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路cs、掃描線驅(qū)動(dòng)電路cg及公共電極驅(qū)動(dòng)電路cm。
控制電路ctl根據(jù)顯示裝置的副像素的排列、顯示方法、rgb開(kāi)關(guān)(省略圖示)的有無(wú)、或者觸摸面板(省略圖示)的有無(wú)等,將從外部供給來(lái)的顯示數(shù)據(jù)或顯示控制信號(hào)恰當(dāng)轉(zhuǎn)換并向信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路cs、掃描線驅(qū)動(dòng)電路cg及公共電極驅(qū)動(dòng)電路cm輸出。
<邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)>
接著,一邊對(duì)比實(shí)施方式與比較例一邊說(shuō)明邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)。圖5是比較例的顯示裝置中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的剖視圖。圖6是實(shí)施方式的顯示裝置的一例中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的剖視圖。圖7是實(shí)施方式的顯示裝置的另一例中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的剖視圖。
首先,對(duì)比較例的顯示裝置中的與實(shí)施方式的顯示裝置相同的部分進(jìn)行說(shuō)明。換言之,對(duì)實(shí)施方式的顯示裝置中的與比較例的顯示裝置相同的部分進(jìn)行說(shuō)明。
如圖5及圖6所示,在比較例及實(shí)施方式的任一項(xiàng)中,均在邊框區(qū)域fla內(nèi),在基板bs的前面bsf上設(shè)有布線wg、絕緣膜if1、布線ws、層間樹(shù)脂膜il1、絕緣膜if2、和取向膜af2。另外,如圖5及圖6所示,在比較例及實(shí)施方式的任一項(xiàng)中,均在顯示區(qū)域dpa內(nèi),在基板bs的前面bsf上設(shè)有絕緣膜if1、信號(hào)線sl、層間樹(shù)脂膜il1、公共電極ce、絕緣膜if2、像素電極pe、和取向膜af2。
在邊框區(qū)域fla內(nèi),在基材bsg上形成有布線wg。布線wg例如與掃描線gl(參照?qǐng)D4)形成在同層上,例如由鉻(cr)或鉬(mo)等金屬或者它們的合金構(gòu)成。即,優(yōu)選地,布線wg由金屬膜或合金膜等具有遮光性的導(dǎo)電膜構(gòu)成。
在邊框區(qū)域fla內(nèi),在基材bsg上以覆蓋布線wg的方式形成有絕緣膜if1。絕緣膜if1是例如由氮化硅或氧化硅等構(gòu)成的透明絕緣膜。此外,在顯示區(qū)域dpa內(nèi),在基材bsg上形成有絕緣膜if1。
在邊框區(qū)域fla內(nèi),在絕緣膜if1上形成有布線ws。布線ws例如與信號(hào)線sl形成在同層上,且例如由用鉬(mo)等夾著鋁(al)而成的多層構(gòu)造的金屬膜構(gòu)成。即,優(yōu)選地,布線ws由金屬膜等具有遮光性的導(dǎo)電膜構(gòu)成。此外,在顯示區(qū)域dpa內(nèi),在絕緣膜if1上形成有信號(hào)線sl。
在邊框區(qū)域fla內(nèi),在絕緣膜if1上以覆蓋布線ws的方式形成有作為保護(hù)膜或平坦化膜的層間樹(shù)脂膜il1。層間樹(shù)脂膜il1例如由丙烯類的感光性樹(shù)脂構(gòu)成。此外,在顯示區(qū)域dpa內(nèi),在絕緣膜if1上以覆蓋信號(hào)線sl的方式形成有層間樹(shù)脂膜il1。
在邊框區(qū)域fla內(nèi),在層間樹(shù)脂膜il1上形成有絕緣膜if2。絕緣膜if2是例如由氮化硅或氧化硅等構(gòu)成的透明絕緣膜。
此外,在顯示區(qū)域dpa內(nèi),在層間樹(shù)脂膜il1上形成有公共電極ce。公共電極ce例如由ito(indiumtinoxide、氧化銦錫)或izo(indiumzincoxide、氧化銦鋅)等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成。另外,在顯示區(qū)域dpa內(nèi),在層間樹(shù)脂膜il1上以覆蓋公共電極ce的方式形成有絕緣膜if2。
在邊框區(qū)域fla內(nèi),在絕緣膜if2上形成有取向膜af2。取向膜af2使液晶層lcl取向。取向膜af2例如由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成。
此外,在顯示區(qū)域dpa內(nèi),在絕緣膜if2上形成有像素電極pe。像素電極pe例如由ito或izo等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成。同時(shí)如圖4所示,像素電極pe形成在多個(gè)像素區(qū)域pa1各自的內(nèi)部。另外,在顯示區(qū)域dpa內(nèi),在絕緣膜if2上以覆蓋像素電極pe的方式形成有取向膜af2。
如圖5及圖6所示,在比較例及實(shí)施方式的任一項(xiàng)中,均在邊框區(qū)域fla內(nèi),在基板fs的背面fsb上設(shè)有遮光膜sf2、樹(shù)脂層oc1和取向膜af1。
在邊框區(qū)域fla內(nèi),在基板fs的背面fsb上形成有遮光膜sf2。即,邊框區(qū)域fla由遮光膜sf2覆蓋。遮光膜sf2在俯視時(shí)形成于顯示區(qū)域dpa外側(cè),顯示區(qū)域dpa的各像素區(qū)域在俯視時(shí)不與遮光膜sf2重疊。遮光膜sf2與遮光膜sf1(參照?qǐng)D3)同樣地例如由黑色的樹(shù)脂或低反射性的金屬構(gòu)成。如前所述,與在俯視時(shí)呈格子狀形成的遮光膜sf1不同,遮光膜sf2在俯視時(shí)在邊框區(qū)域fla內(nèi)形成在整個(gè)面上。
此外,在顯示區(qū)域dpa內(nèi),在基板fs的背面fsb上形成有彩色濾光片cf。作為彩色濾光片cf,例如形成有r(紅)的彩色濾光片像素cfr、g(綠)的彩色濾光片像素cfg、以及b(藍(lán))的彩色濾光片像素cfb。
在邊框區(qū)域fla內(nèi)以覆蓋遮光膜sf2的方式形成有樹(shù)脂層oc1。樹(shù)脂層oc1含有熱固性樹(shù)脂或光固化性樹(shù)脂。此外,在顯示區(qū)域dpa內(nèi),樹(shù)脂層oc1以覆蓋彩色濾光片cf的方式形成。
此外,彩色濾光片cf還可以形成在遮光膜sf1(參照?qǐng)D3)與基板fs之間。另外,在樹(shù)脂層oc1與基板bs之間還可以形成有間隔體。
在邊框區(qū)域fla內(nèi),在樹(shù)脂層oc1與基板bs之間,以覆蓋樹(shù)脂層oc1的方式形成有取向膜af1。取向膜af1使液晶層lcl取向。取向膜af1例如由聚酰亞胺樹(shù)脂構(gòu)成。
另外,如圖5及圖6所示,在比較例及實(shí)施方式的任一項(xiàng)中,均在邊框區(qū)域fla中的、基板bs的外周側(cè)即基板fs的外周側(cè)且絕緣膜if2與樹(shù)脂層oc1之間設(shè)有密封體adh。即,密封體adh設(shè)置在基板bs與基板fs之間,是粘接基板bs與基板fs的粘接部,是封固液晶層lcl的封固部。
接著,對(duì)比較例的顯示裝置中的與實(shí)施方式的顯示裝置不同的部分、以及比較例的顯示裝置中的問(wèn)題點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
如圖5所示,在比較例中,在邊框區(qū)域fla內(nèi),絕緣膜if2設(shè)置在層間樹(shù)脂膜il1的整個(gè)面上。另外,在邊框區(qū)域fla內(nèi),取向膜af2在俯視時(shí)不與密封體adh重疊。
在比較例的顯示裝置中,若水分從顯示裝置外部越過(guò)密封體adh而浸入邊框區(qū)域fla內(nèi),則會(huì)因所浸入的水分而產(chǎn)生雜質(zhì)離子?;蛘?,若液晶層lcl、取向膜af1或af2、密封體adh、或者基板bs或fs等中包含有雜質(zhì),則會(huì)因該雜質(zhì)而產(chǎn)生雜質(zhì)離子。由于會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)離子,所以擔(dān)心對(duì)液晶層lcl施加的電壓降低、或者在由各像素顯示的圖像中產(chǎn)生斑點(diǎn)。
另外,所產(chǎn)生的雜質(zhì)離子被在顯示區(qū)域dpa內(nèi)由掃描線gl(參照?qǐng)D4)及信號(hào)線sl形成的電場(chǎng)、以及在邊框區(qū)域fla內(nèi)由周邊電路包含的布線wg及ws形成的電場(chǎng)吸引而逐漸聚集。因此,在產(chǎn)生的雜質(zhì)離子的量很多的情況下、或者邊框區(qū)域fla的寬度很窄的情況下,擔(dān)心產(chǎn)生的雜質(zhì)離子不僅存在于邊框區(qū)域fla內(nèi)部,還向顯示區(qū)域dpa內(nèi)部擴(kuò)散移動(dòng),導(dǎo)致在顯示區(qū)域dpa內(nèi)顯示的圖像會(huì)產(chǎn)生不良情況。
圖5中示出了在將液晶層lcl中的雜質(zhì)離子少的部分設(shè)為部分lc1、將雜質(zhì)離子多的部分設(shè)為部分lc2時(shí),部分lc2的顯示區(qū)域dpa側(cè)的端部ep1配置在顯示區(qū)域dpa內(nèi)部的情況。
另一方面,如圖5所示,通過(guò)將覆蓋布線wg及ws的由有機(jī)絕緣膜構(gòu)成的層間樹(shù)脂膜il1進(jìn)一步用由無(wú)機(jī)絕緣膜構(gòu)成的絕緣膜if2來(lái)覆蓋,能夠防止或抑制來(lái)自顯示裝置外部的水分浸入,能保護(hù)布線wg及ws以使布線wg及ws不會(huì)因所浸入的水分而腐食。
但是,因?yàn)橛蔁o(wú)機(jī)絕緣膜構(gòu)成的絕緣膜if2與密封體adh之間的緊貼力很小,所以在密封體adh與絕緣膜if2相接的情況下,密封體adh變得容易從基板bs上剝離。這可以考慮到是以下情況導(dǎo)致的:在例如通過(guò)利用含氟氣體的干式蝕刻將絕緣膜if2圖案化時(shí),會(huì)在絕緣膜if2的表面上殘留氟,從而使密封體adh的緊貼力變?nèi)酢?/p>
另外,若在絕緣膜if2與密封體adh之間設(shè)有取向膜af2,則由于絕緣膜if2與密封體adh之間的緊貼力會(huì)進(jìn)一步變?nèi)?,所以密封體adh變得更容易從基板bs上剝離。這考慮到有如下的原因:例如密封體adh的表面粗糙度與取向膜af2的表面粗糙度不同、絕緣膜if2或取向膜af2的官能團(tuán)間的化學(xué)結(jié)合或分子間作用力很弱等。
為了防止這種密封體adh剝離,在比較例的顯示裝置中,需要增大密封體adh的寬度、或使密封體adh在俯視時(shí)不與取向膜af2重疊,無(wú)法很容易地縮窄邊框區(qū)域fla的寬度。
為了將由包含于周邊電路的布線wg及ws形成的電場(chǎng)屏蔽以使雜質(zhì)離子不聚集,并且為了提高絕緣膜if2或取向膜af2與密封體adh的緊貼力,還能考慮在邊框區(qū)域fla內(nèi),在絕緣膜if2上形成與像素電極pe同層的導(dǎo)電膜。這種導(dǎo)電膜被用作在邊框區(qū)域fla內(nèi)將包含于周邊電路的布線wg及ws屏蔽的電場(chǎng)屏蔽體。
然而,在邊框區(qū)域fla內(nèi)在絕緣膜if2上形成與像素電極pe同層的導(dǎo)電膜并且進(jìn)一步縮窄邊框區(qū)域fla的寬度的情況下,由于導(dǎo)電膜被用作電場(chǎng)屏蔽體,所以無(wú)法確保形成作為虛擬像素電極的像素電極的區(qū)域。在未形成有虛擬像素電極的狀態(tài)下,在由顯示裝置顯示的圖像的高精細(xì)化被推進(jìn)的情況下,在對(duì)導(dǎo)電膜制作布線圖案來(lái)形成像素電極pe時(shí)的圖案的面積比例在顯示區(qū)域dpa與邊框區(qū)域fla之間不同,因此,擔(dān)心尤其在邊框區(qū)域fla和顯示區(qū)域dpa的邊界附近像素電極pe的線寬等尺寸精度的均勻性會(huì)降低。
本實(shí)施方式的顯示裝置中的技術(shù)思想是為了解決這種比較例的顯示裝置的問(wèn)題,用于即使在使邊框區(qū)域fla的寬度縮窄的情況下,也能防止或抑制雜質(zhì)離子向顯示區(qū)域dpa內(nèi)部擴(kuò)散移動(dòng)、以及密封體adh剝落。接著,對(duì)本實(shí)施方式的顯示裝置中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。由于對(duì)實(shí)施方式的顯示裝置中的與比較例的顯示裝置相同的部分已經(jīng)進(jìn)行了說(shuō)明,所以以下對(duì)實(shí)施方式的顯示裝置中的與比較例的顯示裝置不同的部分進(jìn)行說(shuō)明。
如圖6所示,在本實(shí)施方式的顯示裝置中,基板bs與比較例的顯示裝置相同地具有邊框區(qū)域fla,但邊框區(qū)域fla與比較例的顯示裝置不同,包括作為第一周邊區(qū)域的邊框區(qū)域fa1、作為第二周邊區(qū)域的邊框區(qū)域fa2、和作為第三周邊區(qū)域的邊框區(qū)域fa3。邊框區(qū)域fa1在俯視時(shí)與遮光膜sf2重疊,且在俯視時(shí)位于顯示區(qū)域dpa外側(cè)。邊框區(qū)域fa2與邊框區(qū)域fa1相比在俯視時(shí)位于基板bs或fs的外周側(cè)。邊框區(qū)域fa3與邊框區(qū)域fa2相比在俯視時(shí)位于基板bs或fs的外周側(cè)。
另外,在本實(shí)施方式的顯示裝置中,基板bs具有作為第一電極的電極ec1、作為第二電極的電極ec2、和作為第三電極的電極ec3。電極ec1形成在邊框區(qū)域fa1內(nèi),電極ec2形成在邊框區(qū)域fa2內(nèi),電極ec3形成在邊框區(qū)域fa3內(nèi)。
在邊框區(qū)域fa1內(nèi),在基材bsg上形成有布線wg。另外,在邊框區(qū)域fa1內(nèi),在基材bsg上以覆蓋布線wg的方式形成有絕緣膜if1,并在絕緣膜if1上形成有布線ws。另外,在邊框區(qū)域fa1內(nèi),在絕緣膜if1上以覆蓋布線ws的方式形成有層間樹(shù)脂膜il1。
在邊框區(qū)域fa1內(nèi),在層間樹(shù)脂膜il1上形成有作為電極ec1的一部分的電極ec11。電極ec11與公共電極ce形成在同層上,并由與公共電極ce相同的材料、即例如ito或izo等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成。因此,在邊框區(qū)域fa1內(nèi),絕緣膜if2以覆蓋電極ec11的方式形成在層間樹(shù)脂膜il1上。
另外,在邊框區(qū)域fa1內(nèi),在層間樹(shù)脂膜il1上形成有作為電極ec1的其他部分的多個(gè)電極ec12。電極ec12與像素電極pe形成在同層上,并由與像素電極pe相同的材料構(gòu)成。此外,在邊框區(qū)域fa1內(nèi),在絕緣膜if2上以覆蓋電極ec12的方式形成有取向膜af2。
電極ec11被用作將由布線wg及ws形成的電場(chǎng)屏蔽的電場(chǎng)屏蔽體。另一方面,電極ec12雖然與像素電極pe形成在同層上,但由于配置在顯示區(qū)域dpa外部,對(duì)顯示在顯示區(qū)域dpa內(nèi)的圖像的顯示沒(méi)有幫助,所以被用作虛擬像素電極。即,通過(guò)在邊框區(qū)域fa1內(nèi)形成電極ec12,能夠在邊框區(qū)域fla中的位于顯示區(qū)域dpa附近的部分上配置虛擬像素電極。另外,作為虛擬像素電極的電極ec12形成在包含于邊框區(qū)域fa1的多個(gè)像素區(qū)域pa2各自的內(nèi)部。像素區(qū)域pa2是作為第二像素區(qū)域的虛擬像素區(qū)域。
在與像素電極pe的同層上形成作為虛擬像素電極的電極ec12的情況下,當(dāng)對(duì)導(dǎo)電膜制作布線圖案來(lái)形成像素電極pe時(shí),能夠使圖案的面積比例在顯示區(qū)域dpa與邊框區(qū)域fla之間接近,并能使像素電極pe的線寬等尺寸精度的均勻性提高。
對(duì)包含于電極ec1的作為虛擬像素電極的電極ec12施加電位(第一電位)。在顯示區(qū)域dpa內(nèi),通過(guò)按一定的方向依次驅(qū)動(dòng)對(duì)多個(gè)像素電極pe分別施加的電位,即一邊掃描一邊驅(qū)動(dòng),使顯示區(qū)域dpa內(nèi)產(chǎn)生的雜質(zhì)離子容易向顯示區(qū)域dpa的一個(gè)端部移動(dòng)。在本實(shí)施方式中,例如通過(guò)一邊掃描一邊驅(qū)動(dòng)對(duì)多個(gè)像素電極pe及多個(gè)電極ec12分別施加的電位,能夠使移動(dòng)到顯示區(qū)域dpa的一個(gè)端部的雜質(zhì)離子進(jìn)一步向顯示區(qū)域dpa外側(cè)移動(dòng)。即,通過(guò)與對(duì)像素電極pe施加的電位同樣地一邊掃描一邊驅(qū)動(dòng)對(duì)作為虛擬像素電極的電極ec12施加的電位,能夠使雜質(zhì)離子向顯示區(qū)域dpa外側(cè)移動(dòng)并集聚在顯示區(qū)域dpa外側(cè),從而能防止或抑制雜質(zhì)離子留存在顯示區(qū)域dpa內(nèi)。
另一方面,能夠使對(duì)包含于電極ec1的電極ec11施加的電位與例如顯示區(qū)域dpa中的電極的平均電位相等,能使其與例如對(duì)公共電極ce施加的電位相等?;蛘撸捎谠谙袼貐^(qū)域pa2內(nèi)不需要顯示圖像,所以還可以使對(duì)電極ec11施加的電位與對(duì)作為虛擬像素電極的電極ec12施加的電位(第一電位)相等。
或者,也可以不設(shè)置作為虛擬像素電極的電極ec12。在這種情況下,電極ec1所包含的就只有電極ec11,但對(duì)電極ec11施加電位(第一電位),還能將電極ec11用作捕獲電極(trapelectrode)。另外,即使設(shè)有電極ec12,也可以不對(duì)電極ec12施加電位,而是對(duì)電極ec11施加電位。也就是說(shuō),電極ec1也可以是電極ec11。
在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在基材bsg上形成有布線wg。另外,在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在基材bsg上以覆蓋布線wg的方式形成有絕緣膜if1,并在絕緣膜if1上形成有布線ws。另外,在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在絕緣膜if1上以覆蓋布線ws的方式形成有層間樹(shù)脂膜il1。
在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在層間樹(shù)脂膜il1上形成有絕緣膜if2。而且,在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在絕緣膜if2上形成有電極ec2。電極ec2與像素電極pe形成在同層上,并由與像素電極pe相同的材料、即例如ito或izo等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成。此外,在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在絕緣膜if2上以覆蓋電極ec2的方式形成有取向膜af2。
對(duì)電極ec2施加正或負(fù)極性的電位(第二電位)。在對(duì)電極ec2施加正極性的電位的情況下,能夠捕捉具有負(fù)極性的雜質(zhì)離子,并使其集聚且進(jìn)行保持。另一方面,在對(duì)電極ec2施加負(fù)極性的電位的情況下,能夠捕捉具有正極性的雜質(zhì)離子,并使其集聚且進(jìn)行保持。
優(yōu)選地,對(duì)電極ec2施加的電位(第二電位)的絕對(duì)值與對(duì)電極ec1施加的電位(第一電位)相比更大。由此,就液晶層lcl內(nèi)的雜質(zhì)離子而言,與電極ec1相比更被電極ec2吸引。
或者,在本實(shí)施方式中,與后述的實(shí)施方式的變形例不同,電極ec2并不形成于在層間樹(shù)脂膜il1上形成的槽部的底部,因此,在電極ec2下形成有布線ws。在這種情況下,對(duì)電極ec2施加的電位(第二電位)優(yōu)選為與對(duì)電極ec2下的布線ws施加的電位相等。由此,能夠使電極ec2捕捉雜質(zhì)離子的作為捕獲電極的功能提高。
在邊框區(qū)域fa3內(nèi),在基材bsg上形成有布線wg。另外,在邊框區(qū)域fa3內(nèi),在基材bsg上以覆蓋布線wg的方式形成有絕緣膜if1,并在絕緣膜if1上形成有布線ws。另外,在邊框區(qū)域fa3內(nèi),在絕緣膜if1上以覆蓋布線ws的方式形成有層間樹(shù)脂膜il1。
在邊框區(qū)域fa3內(nèi),在層間樹(shù)脂膜il1上形成有絕緣膜if2。而且,在邊框區(qū)域fa3內(nèi),在絕緣膜if2上形成有電極ec3。電極ec3與像素電極pe形成在同層上,并由與像素電極pe相同的材料、即例如ito或izo等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成。此外,在邊框區(qū)域fa3內(nèi),在絕緣膜if2中的邊框區(qū)域fa2側(cè)的部分上,以覆蓋電極ec3的方式形成有取向膜af2。另外,在邊框區(qū)域fa3內(nèi),密封體adh在俯視時(shí)與取向膜af2重疊,并與取向膜af2相接觸。
在邊框區(qū)域fa3內(nèi),在密封體adh與絕緣膜if2之間形成有電極ec3。由此,能夠使密封體adh與絕緣膜if2之間的緊貼力提高。因此,由于不需要擴(kuò)大密封體adh的寬度,所以能夠很容易地縮窄邊框區(qū)域fla的寬度。另外,在邊框區(qū)域fa3內(nèi),即使是密封體adh的一部分在俯視時(shí)與取向膜af2重疊的情況下,由于密封體adh的其他部分與電極ec3相連接,所以能夠使密封體adh與絕緣膜if2之間的緊貼力提高。
電極ec2在俯視時(shí)不與密封體adh重疊,而電極ec3在俯視時(shí)與密封體adh重疊。而且,密封體adh的顯示區(qū)域dpa側(cè)的端部相對(duì)于電極ec2的顯示區(qū)域dpa側(cè)的相反側(cè)的端部配置在顯示區(qū)域dpa側(cè)的相反側(cè)。在這種情況下,密封體adh雖然形成在邊框區(qū)域fa3內(nèi),但并不形成在邊框區(qū)域fa2內(nèi)。而且,能夠縮窄密封體adh的寬度。
另外,與在絕緣膜if2與層間樹(shù)脂膜il1之間電極ec3和公共電極ce形成在同層上的情況相比,在絕緣膜if2上形成電極ec3的情況下能夠使電極ec3與布線wg及ws之間的絕緣性提高。另外,還能減少電極ec3與布線wg之間以及電極ec3與布線ws之間的寄生電容,并能減少給予顯示裝置的電路的負(fù)荷。
對(duì)電極ec3施加與對(duì)電極ec1施加的電位(第一電位)相等的、或與對(duì)電極ec2施加的電位(第二電位)為極性相反的電位。由此,能夠捕捉與電極ec2所捕捉的雜質(zhì)離子極性不同的雜質(zhì)離子,并使其集聚且進(jìn)行保持。
例如在從密封體adh中產(chǎn)生作為雜質(zhì)離子的陰離子,并從液晶層lcl中產(chǎn)生作為雜質(zhì)離子的陽(yáng)離子的情況下,將對(duì)電極ec3施加的電位(第三電位)設(shè)為正極性,將對(duì)電極ec2施加的電位(第二電位)設(shè)為負(fù)極性。由此,能夠通過(guò)電極ec3捕捉來(lái)自密封體adh的陰離子,并通過(guò)電極ec2捕捉來(lái)自液晶層lcl的陽(yáng)離子。
此外,還可以對(duì)電極ec3僅施加與對(duì)電極ec2施加的電位(第二電位)不同的電位(第三電位)。但是,將與對(duì)電極ec2施加的電位(第二電位)為極性相反的電位施加給電極ec3,能夠捕捉與電極ec2所捕捉的雜質(zhì)離子極性不同的雜質(zhì)離子,因此,能夠提高電極ec3的捕捉雜質(zhì)離子的作為捕獲電極的功能。
這樣,在本實(shí)施方式的顯示裝置中,通過(guò)電極ec2及ec3能夠捕捉互相具有極性相反的雜質(zhì)離子,并能防止或抑制在顯示區(qū)域dpa內(nèi)顯示的圖像產(chǎn)生不良情況。
即,在本實(shí)施方式的顯示裝置中,對(duì)電極ec2施加與對(duì)電極ec1施加的電位(第一電位)相比絕對(duì)值更大的電位(第二電位),并對(duì)電極ec3施加與對(duì)電極ec2施加的電位(第二電位)不同的電位(第三電位)。由此,即使在使邊框區(qū)域fla的寬度縮窄的情況下,也能防止或抑制雜質(zhì)離子向顯示區(qū)域dpa內(nèi)部擴(kuò)散移動(dòng)、以及密封體adh剝落。
圖6中示出了如下的情況:在將液晶層lcl中的雜質(zhì)離子少的部分設(shè)為部分lc1、將雜質(zhì)離子多的部分設(shè)為部分lc2時(shí),部分lc2的顯示區(qū)域dpa側(cè)的端部ep1配置在顯示區(qū)域dpa外部。
另外,優(yōu)選地,對(duì)電極ec3施加的電位(第三電位)的絕對(duì)值與對(duì)電極ec2施加的電位(第二電位)相比更大。由此,電位的絕對(duì)值以電極ec1、電極ec2、電極ec3的順序變大,并且通過(guò)電極ec1、ec2及ec3中的位于基板bs的最外周側(cè)的電極ec3能夠確實(shí)地捕捉雜質(zhì)離子。
或者,例如在從密封體adh產(chǎn)生作為雜質(zhì)離子的陰離子,并從液晶層lcl產(chǎn)生作為雜質(zhì)離子的陽(yáng)離子的情況下,優(yōu)選使對(duì)電極ec2施加的電位(第二電位)以及對(duì)電極ec3施加的電位(第三電位)均為負(fù)的電位。由此,從密封體adh作為雜質(zhì)離子產(chǎn)生的陰離子被電極ec3阻礙而無(wú)法向液晶層lcl側(cè)移動(dòng),從液晶層lcl作為雜質(zhì)離子產(chǎn)生的陽(yáng)離子被電極ec3吸引并被捕捉而向密封體adh側(cè)移動(dòng)。
或者,如圖7中本實(shí)施方式的另一例所示,也可以在邊框區(qū)域fa2內(nèi)在層間樹(shù)脂膜il1上形成電極ec2,并在電極ec2上形成絕緣膜if2。這時(shí),電極ec2與公共電極ce形成在同層上,并由與公共電極ce相同的材料、即例如ito或izo等透明導(dǎo)電性材料構(gòu)成。
但是,與如圖7所示在絕緣膜if2與層間樹(shù)脂膜il1之間電極ec2與公共電極ce形成在同層上的情況相比,如圖6所示在絕緣膜if2上形成電極ec2的情況能夠使電極ec2與布線wg及ws之間的絕緣性提高。另外,還能減少電極ec2與布線wg之間以及電極ec2與布線ws之間的寄生電容,從而能減少給予顯示裝置的電路的負(fù)荷。
此外,在本實(shí)施方式中,對(duì)將本實(shí)施方式的顯示裝置適用于作為橫向電場(chǎng)模式的顯示裝置的ffs模式的顯示裝置的例子進(jìn)行了說(shuō)明。但是,就本實(shí)施方式的顯示裝置而言,能夠代替橫向電場(chǎng)模式的顯示裝置而應(yīng)用于例如va模式等縱向電場(chǎng)模式的顯示裝置。在這種情況下,能夠?qū)⒐搽姌Oce及電極ec11設(shè)置在作為對(duì)置基板的基板fs的背面fsb上。
<實(shí)施方式的顯示裝置的變形例>
接著,對(duì)本實(shí)施方式的變形例進(jìn)行說(shuō)明。圖8是實(shí)施方式的顯示裝置的變形例的一例中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的剖視圖。圖9是實(shí)施方式的顯示裝置的變形例的另一例中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的剖視圖。圖10是實(shí)施方式的顯示裝置的變形例的另一例中的邊框區(qū)域及邊框區(qū)域附近的俯視圖。此外,圖9是沿著圖10的c-c線的剖視圖。另外,圖10中示出了將與絕緣膜if2相比為上側(cè)(基板fs側(cè))的部分且是與像素電極pe、電極ec12及電極ec3相比為上側(cè)(基板fs側(cè))的部分除去并進(jìn)行了透視的狀態(tài)。
在本變形例中,在邊框區(qū)域fa2內(nèi),電極ec2形成于在絕緣膜if2及層間樹(shù)脂膜il1上形成的槽部tp1的底部。
如圖8所示,在本變形例的顯示裝置中,邊框區(qū)域fla也與實(shí)施方式的顯示裝置同樣地包括作為第一周邊區(qū)域的邊框區(qū)域fa1、作為第二周邊區(qū)域的邊框區(qū)域fa2、和作為第三周邊區(qū)域的邊框區(qū)域fa3。在本變形例的顯示裝置中,形成于邊框區(qū)域fa1及fa3內(nèi)的各部分與在實(shí)施方式的顯示裝置中形成于邊框區(qū)域fa1及fa3內(nèi)的各部分相同,并省略它們的說(shuō)明。
在本變形例中,與實(shí)施方式同樣地,在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在基材bsg上形成有布線wg。另外,在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在基材bsg上以覆蓋布線wg的方式形成有絕緣膜if1。
另一方面,在本變形例中,與實(shí)施方式不同地,在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在絕緣膜if1上形成有電極ec2。電極ec2與布線ws及信號(hào)線sl形成在同層上,并由與布線ws及信號(hào)線sl相同的材料例如用鉬(mo)等夾著鋁(al)而成的多層構(gòu)造的金屬膜構(gòu)成。另外,在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在絕緣膜if1上以覆蓋電極ec2的方式形成有層間樹(shù)脂膜il1,并在層間樹(shù)脂膜il1上形成有絕緣膜if2。
另外,在本變形例中,與實(shí)施方式不同地,在邊框區(qū)域fa2內(nèi)形成有從絕緣膜if2及層間樹(shù)脂膜il1貫穿而到達(dá)電極ec2的槽部tp1,并在槽部tp1的底部露出電極ec2。即,絕緣膜if2及層間樹(shù)脂膜il1在邊框區(qū)域fa2內(nèi)具有槽部tp1,并在槽部tp1的底部形成有電極ec2。而且,在槽部tp1的底部露出的電極ec2上、槽部tp1的側(cè)面以及槽部tp1外部的絕緣膜if2上形成有取向膜af2。
在本變形例中,也與實(shí)施方式相同地對(duì)電極ec2施加正或負(fù)極性的電位(第二電位)。在對(duì)電極ec2施加正極性的電位的情況下,能夠捕捉具有負(fù)極性的雜質(zhì)離子,并使其集聚且進(jìn)行保持。另一方面,在對(duì)電極ec2施加負(fù)極性的電位的情況下,能夠捕捉具有正極性的雜質(zhì)離子,并使其集聚且進(jìn)行保持。因此,優(yōu)選地,對(duì)電極ec2施加的電位(第二電位)與對(duì)電極ec1施加的電位(第一電位)相比絕對(duì)值更大。
另外,在本變形例中,與實(shí)施方式不同地,在邊框區(qū)域fa1與邊框區(qū)域fa3之間的邊框區(qū)域fa2內(nèi),在絕緣膜if2及層間樹(shù)脂膜il1上形成有槽部tp1。因此,邊框區(qū)域fa3內(nèi)產(chǎn)生的雜質(zhì)離子一旦被形成在槽部tp1的底部的電極ec2捕捉到,就會(huì)變得難以越過(guò)槽部tp1向邊框區(qū)域fa1及顯示區(qū)域dpa移動(dòng),會(huì)更有效地被捕捉。另外,邊框區(qū)域fa1內(nèi)產(chǎn)生的雜質(zhì)離子一旦被形成在槽部tp1的底部的電極ec2捕捉到,就會(huì)變得難以向槽部tp1外部移動(dòng),會(huì)更有效地被捕捉。即,提高了電極ec2的作為捕獲電極的功能。
另外,從密封體adh的外部浸入并從邊框區(qū)域fa3向邊框區(qū)域fa1側(cè)移動(dòng)過(guò)來(lái)的水分變得難以超出槽部tp1向邊框區(qū)域fa1及顯示區(qū)域dpa移動(dòng)。即,能夠更可靠地防止或抑制水分浸入顯示區(qū)域dpa內(nèi)。
另外,在本變形例中,電極ec2例如由用鉬等夾著鋁而成的多層構(gòu)造的金屬膜構(gòu)成。因此,與電極ec2例如由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的實(shí)施方式相比,能夠降低電極ec2的電阻,并能使對(duì)電極ec2施加電位時(shí)的電極ec2內(nèi)的電位的均勻性提高,降低對(duì)電極ec2施加電位的電路的耗電量。
電極ec2也可以是與信號(hào)線(影像線)sl連接的信號(hào)引出線(影像引出線)sl1。這種情況下,也可以不新設(shè)置對(duì)電極ec2施加電位的電路,而是通過(guò)向信號(hào)線sl輸入信號(hào)的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路cs(參照?qǐng)D4)就能對(duì)電極ec2施加電位。
或者,如圖9中本變形例的另一例所示,也可以在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在基材bsg上形成電極ec2。另外,也可以在邊框區(qū)域fa2內(nèi),在基材bsg上以覆蓋電極ec2的方式依次形成絕緣膜if1、層間樹(shù)脂膜il1及絕緣膜if2,并形成從絕緣膜if2、層間樹(shù)脂膜il1及絕緣膜if1貫穿而到達(dá)電極ec2的槽部tp1。這時(shí),電極ec2與布線wg形成在同層上,并由與布線wg相同的材料即例如鉻(cr)或鉬(mo)等金屬或者它們的合金構(gòu)成。
如圖10所示,在圖9所示例子的平面配置中,優(yōu)選地,槽部tp1在與電極ec1、電極ec2和電極ec3的排列方向交叉的方向上延伸。由此,能夠防止或抑制水分從電極ec3側(cè)通過(guò)層間樹(shù)脂膜il1向電極ec2側(cè)浸入。
另外,進(jìn)一步優(yōu)選地,槽部tp1在基板bs的端部ep2的延伸方向上延伸。由此,能夠防止或抑制水分從顯示裝置外部通過(guò)層間樹(shù)脂膜il1浸入。
如圖10所示,像素電極pe在與電極ec1、電極ec2和電極ec3的排列方向交叉的方向上延伸。另外,如圖10中放大示出那樣,像素電極pe具有分別在像素電極pe的延伸方向上延伸且在電極ec1、電極ec2和電極ec3的排列方向上排列的多個(gè)狹縫slt。另外,如圖10所示,電極ec12在與電極ec1、電極ec2和電極ec3的排列方向交叉的方向上延伸。另外,如圖10中放大示出那樣,電極ec12具有分別在電極ec12的延伸方向上延伸且在電極ec1、電極ec2和電極ec3的排列方向上排列的多個(gè)狹縫。
如圖10所示,在俯視時(shí),相對(duì)于槽部tp1的延伸方向或基板bs的端部ep2的延伸方向而向順時(shí)針?lè)较騼A斜的像素電極pe、和相對(duì)于槽部tp1的延伸方向或基板bs的端部ep2的延伸方向而向逆時(shí)針?lè)较騼A斜的像素電極pe也可以在槽部tp1的延伸方向或基板bs的端部ep2的延伸方向上交替排列。由此,能夠降低因觀看液晶分子的方向不同而產(chǎn)生的色相差(相位延遲:retardation)?;蛘?,在俯視時(shí),相對(duì)于槽部tp1的延伸方向或基板bs的端部ep2的延伸方向向順時(shí)針?lè)较騼A斜的電極ec12、和相對(duì)于槽部tp1的延伸方向或基板bs的端部ep2的延伸方向向逆時(shí)針?lè)较騼A斜的電極ec12也可以在槽部tp1的延伸方向或基板bs的端部ep2的延伸方向上交替排列。
此外,除了電極ec2不與布線wg形成在同層上而是與布線ws及信號(hào)線sl形成在同層上這點(diǎn)外,圖8所示例子中的平面配置也能與圖10的俯視圖同樣地進(jìn)行設(shè)計(jì)。因此,在圖8所示的例子中,也優(yōu)選為槽部tp1在與電極ec1、電極ec2和電極ec3的排列方向交叉的方向上延伸,并進(jìn)一步優(yōu)選為槽部tp1在基板bs的端部ep2的延伸方向上延伸。
電極ec2也可以是與掃描線gl(參照?qǐng)D4)連接的掃描引出線gl1。在這種情況下,也可以不新設(shè)置對(duì)電極ec2施加電位的電路,而是通過(guò)向掃描線gl輸入信號(hào)的掃描線驅(qū)動(dòng)電路cg(參照?qǐng)D4)就能對(duì)電極ec2施加電位。
但是,與如圖9所示在絕緣膜if1和基材bsg之間電極ec2與布線wg形成在同層上的情況相比,如圖8所示在絕緣膜if1上電極ec2與布線ws及信號(hào)線sl形成在同層上的情況能夠降低電極ec2的電阻。因此,能夠使對(duì)電極ec2施加電位時(shí)的電極ec2內(nèi)的電位的均勻性進(jìn)一步提高,并使對(duì)電極ec2施加電位的電路的耗電量進(jìn)一步降低。
此外,在電極ec2形成于層間樹(shù)脂膜il1的上方的情況下,即在實(shí)施方式中,也能將電極ec2設(shè)為信號(hào)引出線或掃描引出線。
以上,將由本發(fā)明人提出的發(fā)明基于其實(shí)施方式進(jìn)行了具體說(shuō)明,但本發(fā)明當(dāng)然并不限定于所述實(shí)施方式,在不脫離其要旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更。
另外,在所述實(shí)施方式中,作為公開(kāi)例而例示了液晶顯示裝置的情況,但作為其他適用例,能舉出有機(jī)el顯示裝置、其他自發(fā)光型顯示裝置、或者具有電泳元件等的電子紙顯示裝置等所有平板型的顯示裝置。另外,從中小型到大型,沒(méi)有特別限定都能夠適用。
在本發(fā)明的思想范疇內(nèi),只要是本領(lǐng)域技術(shù)人員就能想到各種變更例及修改例,能夠理解這些變更例及修改例也屬于本發(fā)明的范圍。
例如,本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)上述各實(shí)施方式適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行構(gòu)成要素的追加、刪除或設(shè)計(jì)變更,或者進(jìn)行工序的追加、省略或條件變更,只要具備本發(fā)明的要旨就都包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明有效適用于顯示裝置。