本發(fā)明涉及氣體阻隔性層疊膜和波長變換片。

背景技術：

在液晶顯示器的背光單元和電致發(fā)光發(fā)光單元等發(fā)光單元中，通過發(fā)光體或熒光體與氧或水蒸汽接觸而經(jīng)過長時間，有時作為發(fā)光體或熒光體的性能降低。因此，這些發(fā)光單元中，常常使用具有在高分子膜中形成了具有氣體阻隔性的阻隔層而成的結(jié)構(gòu)的氣體阻隔性層疊膜作為發(fā)光體或熒光體等的包裝材料或保護材料。

例如，國際公開第2002/083408號中公開了：作為用作食品等的包裝材料的氣體阻隔性層疊膜，在基材上層疊了第1蒸鍍薄膜層、氣體阻隔性中間層和第2蒸鍍薄膜層的層疊體。該層疊體通過具有2個蒸鍍薄膜層夾持氣體阻隔性中間層而層疊成的結(jié)構(gòu)，從而實現(xiàn)了良好的氣體阻隔性。

技術實現(xiàn)要素：

對于作為發(fā)光體或熒光體等的包裝材料或保護材料使用的氣體阻隔性層疊膜，不僅要求氣體阻隔性，而且要求高透明性。更具體地說，對于氣體阻隔性層疊膜，要求對波長為450nm附近的青色光、波長為550nm附近的綠色光和波長為650nm附近的紅色光具有高透射率，特別是作為波長變換片的保護材料使用的情況下，由于主要使用青色led作為進行波長變換的光的光源，因此要求對于青色led的峰值波長即波長為450nm具有高透射率。對于這樣的要求，就上述國際公開第2002/083408號中記載的層疊體而言，未必充分地獲得了特別是對波長為450nm的光的高透射率。

本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術所具有的課題而完成的，其目的在于提供能夠獲得對波長為450nm、550nm和650nm的光的高透射率、特別是對波長為450nm的青色光能夠獲得高透射率的氣體阻隔性層疊膜和使用了該層疊膜的波長變換片。

本發(fā)明者們?yōu)榱藢崿F(xiàn)上述目的反復進行深入了研究，結(jié)果本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)：就上述國際公開第2002/083408號中所記載的層疊體而言，在由金屬、無機氧化物等形成的2個蒸鍍薄膜層之間發(fā)生光學上的薄膜干涉，由此可見光區(qū)域的短波長側(cè)即波長為450nm的青色光的透射率降低。而且，本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)：通過在特定的層構(gòu)成中控制2個薄膜層間的距離，同時控制設置在該薄膜層間的層的折射率，從而能夠使2個薄膜層間的光學上的薄膜干涉減輕。

即，本發(fā)明提供一種氣體阻隔性層疊膜，其具有：第1阻隔膜，該第1阻隔膜具有第1基材、形成在該第1基材上的第1無機薄膜層和形成在該第1無機薄膜層上的第1氣體阻隔性被覆層；以及第2阻隔膜，該第2阻隔膜具有第2基材、形成在該第2基材上的第2無機薄膜層和形成在該第2無機薄膜層上的第2氣體阻隔性被覆層，其中，上述第1阻隔膜和上述第2阻隔膜處于以上述第1氣體阻隔性被覆層與上述第2氣體阻隔性被覆層相對置的方式經(jīng)由(隔著)粘接層層疊而成的狀態(tài)，上述第1無機薄膜層與上述第2無機薄膜層之間的距離為1.0μm以上，上述第1氣體阻隔性被覆層與上述粘接層的折射率差以及上述第2氣體阻隔性被覆層與上述粘接層的折射率差都為0.05以下。

上述氣體阻隔性層疊膜通過具有在基材上形成了無機薄膜層和氣體阻隔性被覆層而成的2張阻隔膜(第1和第2阻隔膜)經(jīng)由粘接層貼合而得到的結(jié)構(gòu)，同時使2個無機薄膜層間的距離為1.0μm以上，并且使配置在2個無機薄膜層間的2個氣體阻隔性被覆層與粘接層的折射率差為0.05以下，從而能夠減輕2個無機薄膜層間的光學上的薄膜干涉，其結(jié)果是，能夠獲得對波長為450nm、550nm和650nm的光的高透射率，特別是對波長為450nm的青色光能夠獲得高透射率。另外，通過使2個無機薄膜層間的距離為1.0μm以上，即使在粘接層、第1和第2氣體阻隔性被覆層的厚度產(chǎn)生了波動的情況下，也能夠抑制對波長為450nm的青色光的透射率的波動的產(chǎn)生，對波長為450nm的青色光能夠穩(wěn)定地獲得高的透射率。另外，上述氣體阻隔性層疊膜通過具有將2張阻隔膜層疊而成的結(jié)構(gòu)，從而能夠獲得優(yōu)異的氣體阻隔性(水蒸汽阻隔性和氧阻隔性)。

上述氣體阻隔性層疊膜中，優(yōu)選上述第1無機薄膜層與上述第2無機薄膜層之間的距離為20μm以下。通過使距離為20μm以下，能夠抑制粘接層變厚而使水蒸汽和氧容易從粘接層端部侵入，能夠確保氣體阻隔性層疊膜的優(yōu)異的氣體阻隔性。另外，通過使距離為20μm以下，能夠抑制材料成本。

本發(fā)明還提供一種波長變換片，其具有含熒光體的熒光體層和上述本發(fā)明的氣體阻隔性層疊膜。該波長變換片由于具有本發(fā)明的氣體阻隔性層疊膜，因此能夠獲得對波長為450nm、550nm和650nm的光的高透射率，特別是對波長為450nm的青色光能夠獲得高透射率。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠獲得對波長為450nm、550nm和650nm的光的高透射率、特別是對波長為450nm的青色光能夠獲得高透射率的氣體阻隔性層疊膜和使用了該層疊膜的波長變換片。

附圖說明

圖1為表示本發(fā)明的氣體阻隔性層疊膜的一個實施方式的截面示意圖。

圖2為表示本發(fā)明的波長變換片的一個實施方式的截面示意圖。

圖3為表示使用了本發(fā)明的波長變換片的背光單元的一個實施方式的截面示意圖。

附圖標記的說明

1第1阻隔膜、2第2阻隔膜、4粘接層、5消光層、

7熒光體層、8熒光體、9密封樹脂、11第1基材、

13第1無機薄膜層、14第1氣體阻隔性被覆層、

15第1阻隔層、21第2基材、23第2無機薄膜層、

24第2氣體阻隔性被覆層、25第2阻隔層、30led光源、

40導光板、100氣體阻隔性層疊膜、200波長變換片、

500背光單元

具體實施方式

以下參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式詳細地說明。需要說明的是，附圖中，對同一或相當部分標注同一附圖標記，省略重復的說明。另外，附圖的尺寸比率并不限于圖示的比率。

[氣體阻隔性層疊膜]

本實施方式的氣體阻隔性層疊膜至少具有：第1阻隔膜，該第1阻隔膜具有第1基材、形成在該第1基材上的第1無機薄膜層和形成在該第1無機薄膜層上的第1氣體阻隔性被覆層；第2阻隔膜，該第2阻隔膜具有第2基材、形成在該第2基材上的第2無機薄膜層和形成在該第2無機薄膜層上的第2氣體阻隔性被覆層；以及將上述第1阻隔膜與上述第2阻隔膜貼合的粘接層。其中，上述第1阻隔膜和上述第2阻隔膜處于以上述第1氣體阻隔性被覆層與上述第2氣體阻隔性被覆層相對置的方式經(jīng)由上述粘接層層疊而成的狀態(tài)。另外，上述第1無機薄膜層與上述第2無機薄膜層之間的距離為1.0μm以上，上述第1氣體阻隔性被覆層與上述粘接層的折射率差以及上述第2氣體阻隔性被覆層與上述粘接層的折射率差都為0.05以下。本實施方式的氣體阻隔性層疊膜在第1阻隔膜或第2阻隔膜上可還具有消光層。

圖1為表示本發(fā)明的氣體阻隔性層疊膜的一個實施方式的截面示意圖。圖1中所示的氣體阻隔性層疊膜100具有：第1阻隔膜1、第2阻隔膜2、將第1阻隔膜1和第2阻隔膜2貼合的粘接層4、以及形成在第2阻隔膜2上的消光層5。其中，第1阻隔膜1具有第1基材11以及包括第1無機薄膜層13和第1氣體阻隔性被覆層14的第1阻隔層15。與其同樣地，第2阻隔膜2具有第2基材21以及包括第2無機薄膜層23和第2氣體阻隔性被覆層24的第2阻隔層25。第1阻隔膜1和第2阻隔膜2處于以第1氣體阻隔性被覆層14與第2氣體阻隔性被覆層24相對置的方式經(jīng)由粘接層4層疊而成的狀態(tài)。消光層5被設置在第2阻隔膜2的第2基材21上。

在氣體阻隔性層疊膜100中，第1無機薄膜層13與第2無機薄膜層23之間的距離d必須為1.0μm以上。距離d可以通過在第1無機薄膜層13與第2無機薄膜層23之間設置的各層的厚度來調(diào)節(jié)。在氣體阻隔性層疊膜100中，第1氣體阻隔性被覆層14、第2氣體阻隔性被覆層24和粘接層4的厚度的合計就為距離d。通過使距離d為1.0μm以上，能夠抑制在第1無機薄膜層13與第2無機薄膜層23之間發(fā)生光學上的薄膜干涉，氣體阻隔性層疊膜100能夠獲得對波長為450nm、550nm和650nm的光的高透射率，特別是對波長為450nm的青色光能夠獲得高透射率。如果距離d不到1.0μm，則在第1無機薄膜層13與第2無機薄膜層23之間容易產(chǎn)生光學上的薄膜干涉，特別是對波長為450nm的青色光的透射率降低。此外，如果距離d低于1.0μm，則因為距離d的很小的波動(即，粘接層4、第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的厚度的很小的波動)，就容易發(fā)生氣體阻隔性層疊膜100對波長為450nm的青色光的透射率的波動，變得難于穩(wěn)定地獲得高透射率。

從進一步減輕薄膜干涉、對波長為450nm的青色光穩(wěn)定地獲得更高的透射率的觀點出發(fā)，距離d優(yōu)選為2.0μm以上，更優(yōu)選為3.0μm以上，進一步優(yōu)選為5.0μm以上。另一方面，在距離d過大的情況下，氣體阻隔性層疊膜100的全體的厚度變厚，同時具有材料成本升高的傾向。另外，在距離d過大的情況下，粘接層4的厚度必然變厚。通常，粘接層4的水蒸汽透過度和氧透過度即使與第1和第2基材11、21比較也非常大，因此如果粘接層4的厚度變厚，則水蒸汽和氧容易從粘接層4的端部侵入，2張阻隔膜的貼合效果(用一個阻隔膜彌補另一個阻隔膜的缺陷的效果)降低，氣體阻隔性層疊膜100的氣體阻隔性降低。為了抑制這樣的問題產(chǎn)生，距離d優(yōu)選為20μm以下，更優(yōu)選為15μm以下，進一步優(yōu)選為10μm以下。通過使距離d為20μm以下，能夠抑制材料成本，并且獲得良好的氣體阻隔性。

在氣體阻隔性層疊膜100中，第1氣體阻隔性被覆層14與粘接層4的折射率差(δr1)以及第2氣體阻隔性被覆層24與粘接層4的折射率差(δr2)都必須為0.05以下。通過折射率差δr1和δr2都為0.05以下，從而能夠抑制在第1無機薄膜層13和第2無機薄膜層23之間產(chǎn)生光學上的薄膜干涉，氣體阻隔性層疊膜100特別是對波長為450nm的青色光能夠獲得高的透射率。從進一步提高對波長為450nm的青色光的透射率的觀點出發(fā)，折射率差δr1和δr2都優(yōu)選為0.03以下，更優(yōu)選為0.01以下。折射率差δr1和δr2能夠通過粘接層4以及第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的材質(zhì)進行調(diào)節(jié)。

以下對構(gòu)成氣體阻隔性層疊膜100的各層詳細地說明。需要說明的是，在氣體阻隔性層疊膜100中，第1基材11的構(gòu)成與第2基材21的構(gòu)成、第1無機薄膜層13的構(gòu)成與第2無機薄膜層23的構(gòu)成、以及第1氣體阻隔性被覆層14的構(gòu)成與第2氣體阻隔性被覆層24的構(gòu)成彼此可相同也可不同。

(基材)

對第1和第2基材11、21并無特別限定，優(yōu)選為高分子膜，更優(yōu)選為全光線透射率為85％以上的高分子膜。作為高分子膜的材質(zhì)，例如可列舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；尼龍等聚酰胺；聚丙烯和環(huán)烯烴等聚烯烴；聚碳酸酯；以及三乙酰纖維素等，但并不限于這些。高分子膜優(yōu)選為聚酯膜、聚酰胺膜或聚烯烴膜，更優(yōu)選為聚酯膜或聚酰胺膜，從透明性、加工適合性和密合性的觀點出發(fā)，進一步優(yōu)選為聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。另外，從透明性和氣體阻隔性的觀點出發(fā)，聚對苯二甲酸乙二醇酯膜優(yōu)選為雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯膜。

高分子膜根據(jù)需要可包含抗靜電劑、紫外線吸收劑、增塑劑和潤滑劑等添加劑。另外，對高分子膜的表面可實施電暈處理、火焰處理和等離子體處理。

對第1和第2基材11、21的厚度并無特別限制，優(yōu)選為3μm以上且100μm以下，更優(yōu)選為5μm以上且50μm以下。如果該厚度為3μm以上，則容易進行加工；如果該厚度為100μm以下，則能夠使氣體阻隔性層疊膜100的總厚變薄。

(無機薄膜層)

第1和第2無機薄膜層13、23例如可以采用真空蒸鍍法、濺射法或等離子體cvd(pecvd)法形成。作為真空蒸鍍法，更優(yōu)選電阻加熱式真空蒸鍍法、電子束(electronbeam)加熱式真空蒸鍍法、感應加熱式真空蒸鍍法；作為濺射法，更優(yōu)選反應性濺射法、雙靶磁控濺射法。從膜的均質(zhì)性的觀點出發(fā)，優(yōu)選濺射法，從成本的觀點出發(fā)，優(yōu)選真空蒸鍍法，可以根據(jù)目的、用途進行選擇。

作為濺射法和pecvd法中的等離子體的生成方法，可以列舉出dc(直流；directcurrent)方式、rf(射頻；radiofrequency)方式、mf(中頻；middlefrequency)方式、dc脈沖方式、rf脈沖方式和dc+rf重疊方式等。

就真空成膜而言，通常形成金屬或者硅等的氧化物、氮化物或氮化氧化物等的膜。作為第1和第2無機薄膜層13、23，優(yōu)選鋁、鈦、銅、銦、錫等金屬或者它們的氧化物(氧化鋁等)、或者硅、硅氧化物的膜。另外，不僅可形成金屬、硅的氧化物的膜，而且可形成金屬、硅的氮化物、氮化氧化物的膜。另外，可形成包含多種金屬的膜。上述的鋁、鈦、銅、銦、硅的氧化物、氮化物、氮化氧化物的透明性和阻隔性這兩者優(yōu)異。包含硅的氧化物、氮化氧化物的阻隔性高，因而特別優(yōu)選。

通過真空成膜形成的第1和第2無機薄膜層13、23的厚度優(yōu)選為5nm以上且100nm以下。如果第1和第2無機薄膜層13、23的厚度為5nm以上，則具有能夠獲得更良好的阻隔性的傾向。另外，如果第1和第2無機薄膜層13、23的厚度為100nm以下，則具有下述傾向：能夠抑制裂紋的產(chǎn)生、抑制裂紋引起的水蒸汽阻隔性和氧阻隔性的降低。進而，如果第1和第2無機薄膜層13、23的厚度為100nm以下，由于材料使用量的減少和膜形成時間的縮短等，從而能夠減少成本，因此從經(jīng)濟的觀點出發(fā)是優(yōu)選的。

(氣體阻隔性被覆層)

第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24是為了防止后工序中的二次的各種損傷并且賦予高的阻隔性而設置的。第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24可含有硅氧烷鍵。第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24可以是在大氣中形成的，也可以是在真空中形成的。在大氣中形成第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的情況下，例如可以通過方法來形成：將含有聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、乙烯-乙烯醇這樣的具有極性的化合物、聚偏氯乙烯等含氯的化合物、以及含有si原子的化合物、含有ti原子的化合物、含有al原子的化合物、含有zr原子的化合物等的涂布液涂布在第1和第2無機薄膜層13、23上，使其干燥固化。

作為在大氣中形成第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24時的涂布液的涂布方法，具體地說，可列舉出采用凹版涂布機、浸漬涂布機、反轉(zhuǎn)涂布機、繞線棒涂布機和模壓涂布機等進行的涂布方法。

含有硅氧烷鍵的化合物優(yōu)選是例如使用硅烷化合物、使硅烷醇基反應而形成。作為這樣的硅烷化合物，可列舉出由下述式(1)表示的化合物。

r¹n(or²)4-nsi(1)

[式中，n表示0～3的整數(shù)，r¹和r²各自獨立地表示烴基，優(yōu)選地表示碳數(shù)1～4的烷基。]

作為由上述式(1)表示的化合物，例如可列舉出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷和二甲基二乙氧基硅烷等?？墒褂煤械木酃璧?。

另外，在第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24中，可使用由包含其他金屬原子的前體制作的材料。作為包含ti原子的化合物，例如可列舉出由下述式(2)表示的化合物。

r¹n(or²)4-nti(2)

[式中，n表示0～3的整數(shù)，r¹和r²各自獨立地表示烴基，優(yōu)選地表示碳數(shù)1～4的烷基。]

作為由上述式(2)表示的化合物，例如可列舉出四甲氧基鈦、四乙氧基鈦、四異丙氧基鈦和四丁氧基鈦等。

作為包含al原子的化合物，例如可列舉出由下述式(3)表示的化合物。

r¹m(or²)3-mal(3)

[式中，m表示0～2的整數(shù)，r¹和r²各自獨立地表示烴基，優(yōu)選地表示碳數(shù)1～4的烷基。]

作為由上述式(3)表示的化合物，例如可列舉出三甲氧基鋁、三乙氧基鋁、三異丙氧基鋁和三丁氧基鋁等。

作為包含zr原子的化合物，例如可列舉出由下述式(4)表示的化合物。

r¹n(or²)4-nzr(4)

[式中，n表示0～3的整數(shù)，r¹和r²各自獨立地表示烴基，優(yōu)選地表示碳數(shù)1～4的烷基。]

作為由上述式(4)表示的化合物，例如可列舉出四甲氧基鋯、四乙氧基鋯、四異丙氧基鋯和四丁氧基鋯等。

在大氣中形成第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的情況下，將上述涂布液涂布后會固化。作為固化方法，并無特別限定，可列舉出紫外線固化和熱固化等。在紫外線固化的情況下，涂布液可包含聚合引發(fā)劑和具有雙鍵的化合物。另外，根據(jù)需要也可進行加熱熟化。

作為在大氣中形成第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的另外的方法，也可以采用如下的方法：將通過鎂、鈣、鋅、鋁、硅、鈦、鋯等無機氧化物的粒子彼此之間經(jīng)由來自于磷化合物的磷原子進行脫水縮合而得到的反應產(chǎn)物作為氣體阻隔性被覆層。具體地說，在無機氧化物的表面存在的官能團(例如羥基)和可與無機氧化物反應的磷化合物的部位(例如與磷原子直接鍵合的鹵素原子、與磷原子直接鍵合的氧原子)發(fā)生縮合反應而鍵合。反應產(chǎn)物例如通過下述步驟來得到：將包含無機氧化物和磷化合物的涂布液涂布于第1和第2無機薄膜層13、23的表面上，對形成的涂膜進行熱處理，從而無機氧化物的粒子彼此之間進行經(jīng)由來自于磷化合物的磷原子鍵合的反應。熱處理的溫度的下限為110℃以上，優(yōu)選為120℃以上，更優(yōu)選為140℃以上，進一步優(yōu)選為170℃以上。如果熱處理溫度低，則變得難于獲得充分的反應速度，成為生產(chǎn)率降低的原因。熱處理的溫度的優(yōu)選的上限因基材的種類等而異，但為220℃以下，優(yōu)選為190℃以下。熱處理能夠在空氣中、氮氣氛下或氬氣氛下等實施。

在大氣中形成第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的情況下，上述涂布液可進一步包含樹脂，只要沒有凝聚等就行。作為上述樹脂，具體地說，可列舉出丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂等。上述涂布液優(yōu)選包含這些樹脂之中與涂布液中的其他材料的相容性高的樹脂。

上述涂布液根據(jù)需要可進一步包含填料、流平劑、消泡劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、以及硅烷偶聯(lián)劑和鈦螯合劑等。

在大氣中形成的第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的厚度以固化后的膜厚計優(yōu)選為50nm～2000nm，更優(yōu)選為100nm～1000nm。如果在大氣中形成的第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的厚度為50nm以上，則有膜形成變得容易進行的傾向。如果在大氣中形成的第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的厚度為2000nm以下，則有能夠抑制開裂或卷曲的傾向。

第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的折射率只要為與粘接層4的折射率差δr1和δr2都成為0.05以下的值就行，并無特別限定，從其材質(zhì)等出發(fā)，優(yōu)選為1.40～1.60。

(粘接層)

如圖1中所示那樣，粘接層4為了將第1阻隔膜1與第2阻隔膜2貼合層疊而設置于第1阻隔膜1與第2阻隔膜2之間。作為粘接層4，可以使用作為高分子膜用的粘接劑或粘合劑一般采用的那些，根據(jù)第1阻隔膜1和第2阻隔膜2的貼合側(cè)的表面來適當?shù)剡x擇。作為粘接層4的材料的候選者，可列舉出環(huán)氧系、聚酯系、丙烯酸系、橡膠系、酚醛系和聚氨酯系等的粘接劑或粘合劑。

作為粘接劑或粘合劑的涂布方法，可列舉出采用凹版涂布機、浸漬涂布機、反轉(zhuǎn)涂布機、繞線棒涂布機和模壓涂布機等的涂布方法。

粘接層4的厚度優(yōu)選為0.5μm以上且20μm以下。通過粘接層4的厚度為0.5μm以上，從而具有獲得充分的粘接性的傾向，并且具有容易使第1和第2無機薄膜層13、23間的距離d成為1.0μm以上的傾向，通過為20μm以下，能夠使氣體阻隔性層疊膜100的總厚變薄，并且具有能夠抑制成本上升的傾向。另外，通過粘接層4的厚度為20μm以下，從而能夠抑制水蒸汽和氧從粘接層4的端部侵入，能夠抑制氣體阻隔性層疊膜100的氣體阻隔性降低。

另外，經(jīng)由粘接層4將第1阻隔膜1和第2阻隔膜2貼合后，能夠進行熟化。熟化例如在20～80℃下進行1～10天。

粘接層4的折射率只要為與第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的折射率差δr1和δr2都成為0.05以下的值就行，并無特別限定，從容易使折射率差δr1和δr2減小出發(fā)，優(yōu)選為1.40～1.60，最優(yōu)選為與第1和第2氣體阻隔性被覆層14、24的折射率同等的值。

為了調(diào)節(jié)折射率，粘接層4可含有微粒。關于微粒，作為低折射率調(diào)節(jié)劑，可列舉出多孔二氧化硅微粒、中空二氧化硅，作為高折射率調(diào)節(jié)劑，可列舉出氧化鋯微粒、二氧化鈦微粒等。這些可以單獨地使用1種或者將2種以上組合使用。從維持充分的粘接性的觀點出發(fā)，微粒的含量以粘接層4總量為基準計優(yōu)選為25質(zhì)量％以下。從維持充分的粘接性并且獲得充分的折射率調(diào)節(jié)功能的觀點出發(fā)，微粒的平均粒徑優(yōu)選為0.5nm以上且200nm以下。通過適當?shù)卣{(diào)節(jié)含有的微粒的種類、含量，可以將粘接層4的折射率調(diào)節(jié)到所期望的值(例如折射率1.40～1.60)。

粘接層4根據(jù)需要可包含固化劑、抗靜電劑、硅烷偶聯(lián)劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、流平劑和分散劑等。

(消光層)

為了發(fā)揮1種以上的光學功能、抗靜電功能，消光層5被設置在第2阻隔膜2的第2基材21表面。其中，作為光學功能，并無特別限定，可列舉出防干涉條紋(莫爾條紋)功能、防反射功能、漫射功能等。這些之中，消光層5作為光學功能優(yōu)選至少具有防干涉條紋功能。本實施方式中，對于消光層5至少具有防干涉條紋功能的情形進行說明。

消光層5可包含粘結(jié)劑樹脂和微粒而構(gòu)成。而且，通過以微粒的一部分從消光層5的表面露出的方式將微粒埋入粘結(jié)劑樹脂中，從而可在消光層5的表面產(chǎn)生微細的凹凸。通過將這樣的消光層5設置于氣體阻隔性層疊膜的表面，能夠更為充分地防止牛頓環(huán)等干涉條紋的產(chǎn)生，結(jié)果可以得到高效率且高精細、長壽命的發(fā)光器件。

作為粘結(jié)劑樹脂，并無特別限定，可以使用光學透明性優(yōu)異的樹脂。更具體地說，例如可以使用聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、丙烯酸氨基甲酸酯系樹脂、聚酯丙烯酸酯系樹脂、聚氨酯丙烯酸酯系樹脂、聚氨酯系樹脂、環(huán)氧系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、三聚氰胺系樹脂、酚醛系樹脂等熱塑性樹脂、熱固化性樹脂、電離放射線固化性樹脂等。另外，除了有機樹脂以外，也可以使用二氧化硅粘結(jié)劑。這些樹脂之中，從材料的范圍廣這一點出發(fā)，優(yōu)選使用丙烯酸系樹脂、聚氨酯系樹脂，從耐光性、光學特性優(yōu)異出發(fā)，更優(yōu)選使用丙烯酸系樹脂。這些樹脂不僅可以使用1種，而且可以將多種組合使用。

作為微粒，并無特別限定，例如，可以使用二氧化硅、粘土、滑石、碳酸鈣、硫酸鈣、硫酸鋇、氧化鈦、氧化鋁等無機微粒，除此以外還可以使用苯乙烯樹脂、聚氨酯樹脂、硅氧烷樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酰胺樹脂等的有機微粒。這些之中，作為微粒，從光透射率來看優(yōu)選使用由二氧化硅、丙烯酸系樹脂、聚氨酯樹脂、聚酰胺樹脂等制成的折射率為1.40～1.55的微粒。折射率低的微粒的價格高，而折射率過高的微粒具有損害光透射率的傾向。這些微粒不僅可以使用1種，而且可以將多種組合使用。

微粒的平均粒徑優(yōu)選為0.1～30μm，更優(yōu)選為0.5～10μm。如果微粒的平均粒徑為0.1μm以上，則具有獲得優(yōu)異的防干涉條紋功能的傾向；如果微粒的平均粒徑為30μm以下，則具有透明性進一步提高的傾向。

消光層5中的微粒的含量以消光層5總量為基準計優(yōu)選為0.5～30質(zhì)量％，更優(yōu)選為3～10質(zhì)量％。如果微粒的含量為0.5質(zhì)量％以上，則具有光漫射功能和防止干涉條紋的產(chǎn)生的效果進一步提高的傾向；如果微粒的含量為30質(zhì)量％以下，則不會使亮度降低。

消光層5可以通過將包含上述的粘結(jié)劑樹脂和微粒的涂布液涂布在第1阻隔膜1或第2阻隔膜2的表面上、使其干燥固化來形成。作為涂布方法，可列舉出采用凹版涂布機、浸漬涂布機、反轉(zhuǎn)涂布機、繞線棒涂布機和模壓涂布機等的涂布方法。

消光層5的厚度優(yōu)選為0.1～20μm，更優(yōu)選為0.3～10μm。通過消光層5的厚度為0.1μm以上，具有容易獲得均勻的膜、容易充分地獲得光學功能的傾向。另一方面，通過消光層5的厚度為20μm以下，在消光層5中使用了微粒的情況下，具有下述傾向：微粒向消光層5的表面露出、從而容易獲得賦予了凹凸的效果。

[波長變換片]

圖2為表示本發(fā)明的波長變換片的一個實施方式的截面示意圖。圖2中所示的波長變換片含有量子點等熒光體，例如作為led波長變換用，是能夠在背光單元中使用的波長變換片。

圖2中所示的波長變換片200具有含熒光體的熒光體層(波長變換層)7以及分別設置在熒光體層7的一面7a側(cè)和另一面7b側(cè)的氣體阻隔性層疊膜100、100來概略地構(gòu)成。由此，成為了下述結(jié)構(gòu)：在氣體阻隔性層疊膜100、100之間包入了(即封入了)熒光體層7。其中，對于熒光體層7，由于需要賦予阻隔性，因此優(yōu)選成為通過一對氣體阻隔性層疊膜100、100將熒光體層7夾持的構(gòu)成。以下對構(gòu)成波長變換片200的各層詳細地說明。

(氣體阻隔性層疊膜)

作為氣體阻隔性層疊膜100、100，可以使用圖1中所示的氣體阻隔性層疊膜100。在波長變換片200中，在熒光體層7的一面7a側(cè)配置的氣體阻隔性層疊膜100與在另一面7b側(cè)配置的氣體阻隔性層疊膜100可以相同，也可不同。

(熒光體層)

熒光體層7為包含密封樹脂9和熒光體8的數(shù)十～數(shù)百μm的厚度的薄膜。作為密封樹脂9，例如可以使用感光性樹脂或熱固化性樹脂。以在密封樹脂9的內(nèi)部混合了1種以上熒光體8的狀態(tài)進行密封。密封樹脂9在將熒光體層7與一對氣體阻隔性層疊膜100、100層疊時起到在將它們接合并且將它們的空隙填埋的作用。另外，熒光體層7也可以是將2層以上的只密封了1種熒光體8的熒光體層層疊而成的。就這些1層或2層以上的熒光體層中使用的2種以上的熒光體8而言，選擇激發(fā)波長相同的熒光體。該激發(fā)波長基于led光源照射的光的波長來選擇。2種以上的熒光體8的熒光色彼此不同。在使用青色led(峰值波長為450nm)作為led光源的同時使用2種熒光體8的情況下，各熒光色優(yōu)選為紅色、綠色。各熒光的波長和led光源照射的光的波長基于濾色器的分光特性來選擇。就熒光的峰值波長而言，例如紅色為650nm，綠色為550nm。

接下來，對熒光體8的粒子結(jié)構(gòu)進行說明。作為熒光體8，優(yōu)選使用色純度高、能夠期待亮度的提高的量子點。作為量子點，例如可列舉出作為發(fā)光部的核由作為保護膜的殼被覆而成的量子點。作為上述核，例如可列舉出硒化鎘(cdse)等；作為上述殼，例如可列舉出硫化鋅(zns)等。通過cdse的粒子的表面缺陷被帶隙大的zns被覆，從而量子效率提高。另外，熒光體8也可以是核由第1殼和第2殼雙重被覆的。這種情況下，對于核，可以使用cdse；對于第1殼，可以使用硒化鋅(znse)；對于第2殼，可以使用zns。另外，作為量子點以外的熒光體8，也可以使用yag：ce等。

上述熒光體8的平均粒徑優(yōu)選為1～20nm。另外，熒光體層7的厚度優(yōu)選為1～500μm。

熒光體層7中的熒光體8的含量以熒光體層7總量為基準計優(yōu)選為1～20質(zhì)量％，更優(yōu)選為3～10質(zhì)量％。

作為密封樹脂9，例如，可以使用熱塑性樹脂、熱固化性樹脂和紫外線固化型樹脂等。這些樹脂可以單獨地使用1種或者將2種以上組合使用。

作為熱塑性樹脂，例如可以使用乙酰纖維素、硝基纖維素、乙?；』w維素、乙基纖維素和甲基纖維素等纖維素衍生物；醋酸乙烯酯及其共聚物、氯乙烯及其共聚物、以及偏氯乙烯及其共聚物等乙烯基系樹脂；聚乙烯醇縮甲醛和聚乙烯醇縮丁醛等縮醛樹脂；丙烯酸系樹脂及其共聚物、甲基丙烯酸系樹脂及其共聚物等丙烯酸系樹脂；聚苯乙烯樹脂；聚酰胺樹脂；線狀聚酯樹脂；氟樹脂；以及聚碳酸酯樹脂等。

作為熱固化性樹脂，可列舉出酚醛樹脂、脲-三聚氰胺樹脂、聚酯樹脂和硅氧烷樹脂等。

作為紫外線固化型樹脂，可列舉出環(huán)氧丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯和聚酯丙烯酸酯等光聚合性預聚物。另外，也可以以這些光聚合性預聚物作為主成分，使用單官能、多官能的單體作為稀釋劑。

[背光單元]

圖3中示出背光單元的一個實施方式。本實施方式的背光單元500具有l(wèi)ed(發(fā)光二極管)光源30、導光板40和波長變換片200。另外，雖然圖中省略了，但背光單元500可具有反射板、漫射板、棱鏡片等。

將led光源30設置在導光板40的側(cè)面，在導光板40上(光的行進方向)配置波長變換片200。在led光源30的內(nèi)部設置了多個發(fā)光色為青色的led元件。該led元件可以為紫色led或者更低波長的led。led光源面向?qū)Ч獍鍌?cè)面照射光。在使用了本實施方式的波長變換片200的背光單元的情況下，該照射的光例如經(jīng)過導光板而射入將丙烯酸系、環(huán)氧等的樹脂和熒光體混合而成的層(熒光體層)7。

導光板40高效率地傳導從led光源30照射的光，使用公知的材料。作為導光板40，例如，使用丙烯酸系膜、聚碳酸酯膜和環(huán)烯烴膜等。導光板40例如可以通過絲網(wǎng)印刷方式、注塑成型、擠出成型等成型方式、噴墨方式等形成。導光板40的厚度例如為100～1000μm。

以上對本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式詳細地進行了說明，但本發(fā)明的技術范圍并不限于上述實施方式，可在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進行各種變更。例如，上述的氣體阻隔性層疊膜100的構(gòu)成、波長變換片200的構(gòu)成以及背光單元500的構(gòu)成是一個例子，并不限于此。

另外，圖1中所示的氣體阻隔性層疊膜100具有2張阻隔膜(第1和第2阻隔膜1、2)，但本發(fā)明的氣體阻隔性層疊膜也可進一步具有1張以上的第1和第2阻隔膜1、2以外的另外的阻隔膜。在這種情況下，雖然并無特別限定，但從抑制多個無機薄膜層間的光學上的薄膜干涉的發(fā)生、從而充分地獲得本發(fā)明的效果的觀點出發(fā)，優(yōu)選另外的阻隔膜的無機薄膜層和與其相鄰的第1無機薄膜層13或第2無機薄膜層23的距離也為1.0μm以上。即，在氣體阻隔性層疊膜中含有3個以上的無機薄膜層的情況下，從充分地獲得本發(fā)明的效果的觀點出發(fā)，優(yōu)選全部的相鄰的無機薄膜層間的距離為1.0μm以上。

另外，在圖1中所示的氣體阻隔性層疊膜100中，為了提高基材與無機薄膜層的密合性，可在第1基材11與第1無機薄膜層13之間以及第2基材21與第2無機薄膜層23之間設置錨定涂層。錨定涂層可具有防止水分、氧的透過的阻隔性。

錨定涂層例如可以使用選自聚酯樹脂、異氰酸酯樹脂、聚氨酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚乙烯醇樹脂、乙烯-乙烯醇樹脂、乙烯基改性樹脂、環(huán)氧樹脂、含有噁唑啉基的樹脂、改性苯乙烯樹脂、改性硅氧烷樹脂或鈦酸烷基酯等中的樹脂形成。錨定涂層可以單獨使用上述的樹脂或者使用將2種以上的上述樹脂組合而成的復合樹脂形成。

錨定涂層可以通過將包含上述的樹脂的溶液涂布在第1和第2基材11、21上，使其干燥固化來形成。作為涂布方法，可列舉出采用凹版涂布機、浸漬涂布機、反轉(zhuǎn)涂布機、繞線棒涂布機和模壓涂布機等的涂布方法。

錨定涂層的厚度優(yōu)選設為5～500nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選設為10～100nm的范圍內(nèi)。其中，如果厚度為5nm以上，則具有下述的傾向：第1和第2基材11、21與第1和第2無機薄膜層13、23之間的密合性以及對于水分、氧的阻隔性提高；如果厚度為500nm以下，具有能夠形成內(nèi)部應力得到了充分抑制的均勻的層的傾向。

另外，在圖2中所示的波長變換片200中，示出了2張氣體阻隔性層疊膜都為具有圖1中所示的本發(fā)明的構(gòu)成的氣體阻隔性層疊膜100的情形，但任一方的氣體阻隔性層疊膜可不具有本發(fā)明的構(gòu)成。需要說明的是，在這種情況下，從容易透過來自led光源的青色光出發(fā)，優(yōu)選在led光源和導光板側(cè)配置的氣體阻隔性層疊膜為具有圖1中所示的本發(fā)明的構(gòu)成的氣體阻隔性層疊膜100。

另外，在圖2中所示的波長變換片200中，在兩個面設置了消光層5，但也可只在單個面設置消光層5。

另外，在圖2中所示的波長變換片200中，為了提高氣體阻隔性層疊膜100、100與熒光體層7的粘接性，可對氣體阻隔性層疊膜100、100的與熒光體層7相接觸的一側(cè)的面實施改性處理或者設置由聚氨酯樹脂等制成的易粘接層。

進而，在圖2中所示的波長變換片200中，熒光體層7的兩端面(未被氣體阻隔性層疊膜100、100被覆的圖中的左右的端面)可用密封樹脂密封，也可用密封樹脂將熒光體層7整體覆蓋。

需要說明的是，本發(fā)明的氣體阻隔性層疊膜不限于波長變換片的保護膜，也能夠用作電致發(fā)光發(fā)光單元、以及太陽能電池等的產(chǎn)業(yè)材料的基材(保護膜)。

實施例

以下基于實施例和比較例對本發(fā)明更具體地說明，但本發(fā)明并不限于以下的實施例。

(實施例1)

作為第1基材，準備了厚23μm的雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜。使用電子束加熱式的真空蒸鍍裝置，在1.5×10^-2pa的壓力下通過電子束加熱使氧化硅材料(canonoptolonco.,ltd.制造)蒸發(fā)，在上述pet膜上形成了厚30nm的氧化硅層作為第1無機薄膜層。需要說明的是，蒸鍍中的加速電壓為40kv，發(fā)射電流為0.2a。

在該第1無機薄膜層上采用棒涂法涂布將四乙氧基硅烷的水解物和聚乙烯醇以質(zhì)量比1:1混合而成的涂布液，在120℃下使其干燥固化1分鐘，形成了厚300nm的第1氣體阻隔性被覆層。由此，得到了包括第1基材、第1無機薄膜層和第1氣體阻隔性被覆層的第1阻隔膜。

另外，采用與上述第1阻隔膜同樣的方法，制作了包括第2基材(厚23μm)、第2無機薄膜層(厚30nm)和第2氣體阻隔性被覆層(厚300nm)的第2阻隔膜。

接下來，在第1阻隔膜的第1氣體阻隔性被覆層上涂布粘接劑而形成粘接層，將第2阻隔膜的第2氣體阻隔性被覆層側(cè)的面貼合于該粘接層而制成層疊體。粘接層是將在以丙烯酸系共聚物溶液為主劑的粘合劑用涂布液(saiden化學株式會社制造)中混合了異氰酸酯系固化劑(三井化學株式會社制造、商品名：d-110n)而成的丙烯酸系粘合劑涂布液涂布并加熱干燥而得到的。粘接層的固化后的厚度為5.0μm。

接下來，在第2阻隔膜的第2基材上采用濕涂法涂布包含丙烯酸系樹脂和二氧化硅微粒(平均粒徑為3μm)的涂布液，形成了3μm的厚度的消光層。由此得到了具有與圖1中所示的構(gòu)成同樣的構(gòu)成的氣體阻隔性層疊膜。

(實施例2)

除了調(diào)節(jié)粘接劑的涂布量而使粘接層的固化后的厚度成為3.0μm以外，與實施例1同樣地操作而得到了氣體阻隔性層疊膜。

(實施例3)

除了調(diào)節(jié)粘接劑的涂布量而使粘接層的固化后的厚度成為9.0μm以外，與實施例1同樣地操作而得到了氣體阻隔性層疊膜。

(實施例4)

除了作為粘接劑使用在實施例1中所用的丙烯酸系粘合劑涂布液中添加了多孔二氧化硅微粒分散液而成的產(chǎn)物，進行調(diào)節(jié)以使得粘接層的折射率成為1.45以外，與實施例1同樣地操作而得到了氣體阻隔性層疊膜。

(實施例5)

除了作為粘接劑使用在實施例1中所用的丙烯酸系粘合劑涂布液中添加了氧化鋯微粒分散液而成的產(chǎn)物，進行調(diào)節(jié)以使得粘接層的折射率成為1.55以外，與實施例1同樣地操作而得到了氣體阻隔性層疊膜。

(比較例1)

作為基材，準備了厚23μm的雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜。使用電子束加熱式的真空蒸鍍裝置，在1.5×10^-2pa的壓力下通過電子束加熱使氧化硅材料(canonoptolonco.,ltd.制造)蒸發(fā)，在上述pet膜上形成了厚30nm的氧化硅層作為無機薄膜層。需要說明的是，蒸鍍中的加速電壓為40kv，發(fā)射電流為0.2a。

在該無機薄膜層上采用棒涂法涂布將四乙氧基硅烷的水解物和聚乙烯醇以質(zhì)量比1:1混合而成的涂布液，在120℃下使其干燥固化1分鐘，形成了厚300nm的氣體阻隔性被覆層。

在該氣體阻隔性被覆層上，采用與上述同樣的方法形成厚30nm的氧化硅層作為無機薄膜層，進而在該無機薄膜層上，采用與上述同樣的方法形成了厚300nm的氣體阻隔性被覆層。由此，得到了包括基材、無機薄膜層、氣體阻隔性被覆層、無機薄膜層和氣體阻隔性被覆層的第1阻隔膜。

接下來，在第1阻隔膜的氣體阻隔性被覆層上涂布粘接劑而制成粘接層，將作為第2膜的厚16μm的雙軸拉伸聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜貼合于該粘接層，在40℃下實施了2天熟化。作為粘接劑，使用了與實施例1中使用的粘接劑同樣的粘接劑。粘接層的固化后的厚度為5.0μm。

接下來，在第2膜上采用濕涂法涂布包含丙烯酸系樹脂和二氧化硅微粒(平均粒徑為3μm)的涂布液，形成了3μm的厚度的消光層。由此得到了氣體阻隔性層疊膜。

(比較例2)

除了調(diào)節(jié)粘接劑的涂布量而使粘接層的固化后的厚度成為0.3μm以外，與實施例1同樣地操作而得到了氣體阻隔性層疊膜。

(比較例3)

除了作為粘接劑使用在實施例1中所用的丙烯酸系粘合劑涂布液中添加了多孔二氧化硅微粒分散液而成的產(chǎn)物，進行調(diào)節(jié)以使得粘接層的折射率成為1.40以外，與實施例1同樣地操作而得到了氣體阻隔性層疊膜。

(比較例4)

除了作為粘接劑使用在實施例1中所用的丙烯酸系粘合劑涂布液中添加了氧化鋯微粒分散液而成的產(chǎn)物，進行調(diào)節(jié)以使得粘接層的折射率成為1.60以外，與實施例1同樣地操作而得到了氣體阻隔性層疊膜。

<折射率的測定>

實施例和比較例中制作的氣體阻隔性層疊膜中的粘接層和氣體阻隔性被覆層的折射率通過形成各層而限定了厚度后，對于分光反射率曲線進行光學模擬而求出。需要說明的是，實施例1～5和比較例2～4中，第1氣體阻隔性被覆層與第2氣體阻隔性被覆層的折射率相同。另外，比較例1中，測定了與粘接層相鄰的氣體阻隔性被覆層的折射率。另外，使用折射率的測定結(jié)果，求出了粘接層與氣體阻隔性被覆層的折射率差。將結(jié)果示于表1中。

<光透射率的測定>

實施例和比較例中制作的氣體阻隔性層疊膜的光透射率是使用分光光度計(商品名，shimazuuv-2450)，在波長為450nm、550nm和650nm下測定。在測定時，從氣體阻隔性層疊膜的與消光層相反側(cè)(pet膜側(cè))的面照射了測定光。其中，最重要的透射率為波長為450nm的青色光的透射率，優(yōu)選其值為85.0％以上。將結(jié)果示于表1中。

表1

如由表1中所示的結(jié)果可知那樣，確認了2個無機薄膜層間的距離d為1.0μm以上、并且粘接層與氣體阻隔性被覆層的折射率差為0.05以下的實施例1～5的氣體阻隔性層疊膜與不滿足上述條件的比較例1～4的氣體阻隔性層疊膜相比，具有良好的光透射率，特別是對于450nm的青色光具有85.0％以上的高透射率。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明的氣體阻隔性層疊膜能夠適合用作在液晶顯示器的背光單元中使用的含有發(fā)光體的波長變換片、特別是含有量子點發(fā)光體的波長變換片、電致發(fā)光發(fā)光單元以及太陽能電池等的產(chǎn)業(yè)材料的基材。